JPH02117134A - 半導体処理装置 - Google Patents

半導体処理装置

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Publication number
JPH02117134A
JPH02117134A JP27132988A JP27132988A JPH02117134A JP H02117134 A JPH02117134 A JP H02117134A JP 27132988 A JP27132988 A JP 27132988A JP 27132988 A JP27132988 A JP 27132988A JP H02117134 A JPH02117134 A JP H02117134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
covering member
heater
destruction
chemical
wires
Prior art date
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Pending
Application number
JP27132988A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Shinohara
剛 篠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は薬液によって半導体を処理する半導体処理装
置の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体処理装置の概略構成を示す斜視図
である。
この図において(1)は薬液槽、(2)は薬液槽に収容
された薬液で半導体ウェハの洗浄とかエツチング処理等
、目的に応じてアンモニア水とか硫酸、硝酸pリン酸、
塩酸等が使用される。
(3)は上記薬液を加熱するためのヒータで、薬液に対
して耐蝕性を有し、チューブ状をζ形成された被覆部材
(4)内に収納され、図示のような形で薬液槽(1)の
底部に配設されている。(5)は被覆部材の開口端部を
閉塞する閉塞部材である。
このような構成において半導体の処理を行なう場合には
、ヒータ(3)に通電して薬液(2)を加熱し、所定の
温度に達しtコ後、保温する。
この状態で処理すべき半導体(図示せず)を手動または
自動機により上記薬液槽内の薬液中に浸漬し、洗浄とか
エツチング処理等を行なう。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の処理装置は以上のように構成されているため、ヒ
ータ(3)を被覆している被覆部材(4)が風化的腐蝕
または外部衝撃などによって破壊された場合には、ヒー
タの成分が薬液中に溶出するが、薬液が変色するまで気
づかなかったり、ヒータが切断されてアラームが発せら
れるまで気づかないなど発見が遅れることが多く、その
間に処理すべき半導体が汚染されるという問題点があっ
た。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
勇もので、ヒータの被覆部材の破壊を瞬時に検出するこ
とができる処理装置を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る処理装置は、被覆部材の破壊を検出する
検出手段を、被覆部材の内部に加熱手段と絶縁して設け
るようにしたものである。
〔作用〕
被覆部材が破壊されると薬液が被覆部材内に侵入し、検
出手段に接触するため、検出手段が動作する結果、瞬時
に発見されることになる。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図はこの発明の主要部のみを示す概略図で、(3)
は加熱手段であるヒータ、(4)はヒータを被覆する被
覆部材で、薬液に対して耐蝕性を有し、チューブ状に形
成される点は従来のものと同様である。
(6)は被覆部材の一端から被覆部材内に挿入された検
出手段で、図には1本の線で示しているが、具体的には
2本の線と、これに接続されたセンサーとで構成され、
夫々の線が互いに接触しないように保持されている。被
覆部材(4)が破壊された場合には、薬液が画線間を短
絡して導通し、センサーを動作させるものである。(7
)は支持部材で、ヒータ(3)と検出手段(6)とを絶
縁状態に支持するものである。なお、上記被覆部材(4
)はヒータ(3)と検出手段(6)とを収納した後、両
端部参1)−を完全密封し被覆部材内を真空状態にする
ものである。
このような構成において半導体の処理は従来の手順と同
様に行なわれる。被覆部材(4)が破壊された場合には
、薬液(2)が被覆部材内に侵入し検出手段(6)に接
触するため検出手段が動作して瞬時に知ることができる
。なお、上述のように、被覆部材(4)内を真空状態に
しているため、被覆部材(4)の微小な破壊が生じても
薬液が急速(ζ侵入することになり、検出精度と速度を
向上することができる。
第2図はこの発明の他の実施例を示す概略図で、被覆部
材(4)の一端部に分岐部□□□を形成し1分岐部輪が
ヒータ(3)を収納している被覆部材の本体■と連通ず
るようにすると共に、分岐部(6)に検出手段(6)を
設けるようにしたものである。その他の構成は第1図に
示す実施例と同様であるため説明を省略する。
この実施例の場合には、ヒータ(3)と検出手段(6)
とを絶縁状態で支持するための支持部材が不要となるも
のである。
〔発明の効果〕
この発明は以上のように構成され、被覆部材の内部に加
熱手段と絶縁して検出手段を設けたため、被覆部材の破
壊を瞬時に検出することができ、汚染された薬液によっ
て半導体を処理するような事態を招くことがなくなるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概略図、第2図はこ
の発明の他の実施例を示す概略図、第3図は従来の処理
装置の概略構成を示す斜視図である。 図において(1)は薬液槽−(2)は薬液、(3)はヒ
ータ、(4)は被覆部材、(6)は検出手段、(6)は
分岐部である。 図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士  大 岩 増 雄 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体処理用の薬液を収容した薬液槽、上記薬液に対し
    て耐蝕性を有する被覆部材にて被覆され、上記薬液槽内
    に配設されて上記薬液を加熱する加熱手段及び上記被覆
    部材内に上記加熱手段と絶縁して設けられ、上記被覆部
    材の破壊を検出する検出手段を備えた半導体処理装置。
JP27132988A 1988-10-26 1988-10-26 半導体処理装置 Pending JPH02117134A (ja)

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JP27132988A JPH02117134A (ja) 1988-10-26 1988-10-26 半導体処理装置

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JPH02117134A true JPH02117134A (ja) 1990-05-01

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ID=17498535

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