JPH02113449A - 光学的情報記録再生装置の光検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、データを任意に記録及び消去することができ
る書き換え可能型光ディスクの記録再生装置に関する。

近年の情報技術の発展に伴い、画像データやシミュレー
ションデータの保存に必要な記憶媒体容量は年率５０％
の勢いで増加しているといわれている。現在主に使用さ
れている外部記憶装置は一般に磁気ディスクと呼ばれて
いるものであるが、媒体交換が不可能である、信頼性に
欠ける、記憶容量が不十分である等の問題がある。そこ
で、これらの問題を解決できる可能性をもった外部記憶
装置として、近年とくに注目を集めているのが光ディス
クである。

従来の光ディスクとしては、データを一度だけ記録でき
る追記型光ディスクのみが製品化されていたが、光磁気
方式の実用化の目処がついたことから最近では任意にデ
ータを記録及び消去できる書き換え可能型光ディスクも
製品化されようとしている。このような占ぎ換え可能型
光ディスクの登場により、その応用分野は急激に拡大さ
れることが予想され、その記録再生装置の回路も高精度
の信号処理を行なうものであることが必要である。

〔従来の技術〕

第４図は一般の光デイスク記録再生装置の一例のブロッ
ク図を示す。例えば再生に際０１半導体レーザ光源１か
らのレーザ光はコリメートレンズ２で平行光とされ、ビ
ームスプリッタ３．プリズム４．対物レンズ５を介して
微小スポットとして媒体（光ディスク）６に照射される
。ここから反射されたレーザ光は対物レンズ５．プリズ
ム４を経てビームスプリッタ３にて分岐され、偏光ビー
ムスプリッタ７を介して光検出器８＋　、８２に至る。

ここで、光検出器８＋　、８２では入射光の強さを電気
信号に変換して再生信号として出力すると共に、対物レ
ンズ５を媒体６の面ぶれ等に追従させるための制御信号
であるフォーカスエラー信号を得る。

第５図は第４図中の光検出器８１　（又は８２）の回路
図を示す。入射レーザ光はフォトダイオード９にて光の
強さに応じた電流に変換され、バイアス抵抗Ｒで電圧に
変換された信号は直流アンプ１０で増幅されて対物レン
ズ制御信号（フォーカスエラー信号）とされる一方、コ
ンデンサＣを介して交流アンプ１１にて増幅されて再生
信号とされる。この場合、フォトダイオード９は一般に
応答速度を早めるために５Ｖ〜６■程の逆バイアスを印
加して接合容量を低くして用いるが、このためのバイア
ス電源電圧Ｖｒとしてトコ２ｖ程度を用いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、書き換え可能型光ディスクは追記型光ディス
クよりも信号成分の変調度が一桁小さいことから、青き
換え可能型光ディスクでは再生時の雑音低減には十分注
意を払わなければならない。

装置から発生する雑音にはいくつかの種類があるが、光
検出器８＋　、８２のバイアス抵抗Ｒによる熱雑音もそ
のうちの一つで、バイアス抵抗Ｒの値がＳＮ比と大きく
関係している。

第６図はバイアス抵抗Ｒの値と雑音レベルとの関係を示
したもので、特に１０にΩ以上の高い値のバイアス抵抗
を用いれば、雑音レベルが低くなって再生信号のＳＮ比
を高くすることができることがわかる。然るに、光磁気
ディスクの場合、記録及び消去時は再生時に比して３倍
〜５倍程度のレーザ光を媒体６に照射するため、バイア
ス抵抗Ｒを流れる電流は大となり、バイアス抵抗Ｒで発
生する電圧降下は再生時に比して３倍〜５倍程度となる
。このため、再生信号のＳＮ比を十分にとるために高い
値のバイアス抵抗Ｒを選定すると、記録及び消去時にお
けるＡ点の電圧がバイアス電源電圧Ｖｒ　　（＋１２Ｖ
）よりも大となり、フォーカスエラー信号が飽和してし
まって正確にフォーカスサーボをかけられなくなる問題
点があった。

これとは逆に、記録及び消去時にフォーカスエラー信号
を飽和させないようにするにはバイアス抵抗Ｒの値を小
さくしなければならず、再生信号のＳＮ比を十分にとれ
ない問題点があった。

本発明は、フォーカスエラー信号を飽和させずに再生信
号のＳＮ比を十分にとり得る光学的情報記録再生装置の
光検出器を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理図を示す。同図中、２０は光検出
素子で、媒体から反射され分離された光の強さを電気信
号に変換する。２１は可変インピーダンス素子で、光検
出素子２０と電源端子との間に接続され、光検出素子２
０からの電流を電圧に変換してフォーカスエラー信号及
び再生信号を得る。可変インピーダンス素子２１は、制
御信号により、記録及び消去時にそのインピーダンスを
再生時のインピーダンスに比して小に制御される。

〔作用〕

記録及び消去時のインピーダンスを再生時のインピーダ
ンス（再生信号のＳＮ比が十分とれるだけ大に選定され
ている）に比して小さくする。これにより、再生時にＳ
Ｎ比の十分高い再生信号を得ることができる一方、記録
及び消去時に再生時に比して大きな電流が流れても可変
インピーダンス素子２１の端子電圧はそれ程高くならず
、フォーカスエラー信号が飽和することはなく、正確に
フォーカスサーボをかけることができる。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例の回路図を示し、同図中、第
５図と同一構成部分には同一番号を付す。

第２図中、Ｒ＋　、Ｒ２は抵抗で、抵抗Ｒ１はＡ点とア
ースとの間に接続されており、再生信号のＳＮ比が１分
にとれるだけの高い抵抗値に設定されており、抵抗Ｒ２
はＡ点とアースとの間にＮＰＮトランジスタ１２を介し
て接続されている。トランジスタ１２のυ１１！１入力
端子１３には、再生時にＬレベル、記録及び消去時にＨ
レベルの制御信号が供給される構成とされている。

次に、本発明の動作について第３図と併せて説明する。

再生時、制御入力端子１３にＬレベルの制御信号を供給
する。これにより、トランジスタ１２はオフのままであ
り、Ａ点とアースとの間には抵抗Ｒ１のみが接続される
ことになる。このとき、光検出器の電流は抵抗Ｒ＋を流
れ、抵抗Ｒ１の両端に発生する電圧Ｖａは抵抗Ｒ１とフ
ォトダイオード９を流れる電流とで決まる。抵抗Ｒ１の
値は再生信号のＳＮ比が十分にとれるだけ高く選定され
ているので、追記型光ディスクに比して信号の変調度が
小さい書き換え可能型光ディスクにも十分適用できる。

一方、記録及び消去時、制御入力端子１３にＨレベルの
制御信号を供給する。これにより、トランジスタ１２は
オンとなり、Ａ点とアースとの間には抵抗Ｒ＋　と抵抗
Ｒ２とが並列に接続されたことになる。このとき、光検
出器の電流（再生時よりも大）は抵抗Ｒ＋　、Ｒｚを流
れ、抵抗Ｒ＋。

Ｒ２の両端に発生する電圧ｖｂは抵抗Ｒ＋　、Ｒｚの並
列接続とフォトダイオード９を流れる電流とで決まる。

この場合、記録及び消去時のＡ点とアースとの間のイン
ピーダンスは再生時のそれに比して十分小さくできるた
め、再生時に比して大きな電流が流れてもＡ点の電圧ｖ
ｂはそれ程高くならず、フォーカスエラー信号が飽和す
ることはなく、正確にフォーカスサーボをかけることが
できる。なお、抵抗Ｒ＋　、Ｒ２の多値の選び方によっ
ては、Ｖｂ＜Ｖａとすることもできる。

特に、５インチディスク等の小型機種で使用でき８ｆｆ
ｉ源は例えばＯＶ、＋５Ｖ、＋１２Ｖ（７）３種に限ら
れており、本発明のように再生時用の逆バイアス電圧、
記録及び消去時用の逆バイアス電圧をトランジスタ１２
のオン、オフで切り換える構成であれば、特に電源を増
加する必要はなく、小型機種に最適である。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明によれば、記録及び消去時に
フォーカスエラー信号を飽和させることはなく、再生時
に再生信号のＳＮ比を十分にとることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理図、 第２図は本発明の一実施例の回路図、 第３図は本発明におけるＡ点の電圧降下特性図、第４図
は一般の光デイスク記録再生装置のブロック図、 第５図は第４図に示す光検出器の回路図、第６図はバイ
アス抵抗値対雑音レベル特性図である。 図において、 ５は対物レンズ、 ６は媒体（光ディスク）、 ８＋　、８２は光検出器、 ９はフォトダイオード、 １０は直流アンプ、 １１は交流アンプ、 １２はトランジスタ、 １３は制御入力端子、 ２０は光検出素子、 ２１は可変インピーダンス素子 Ｒ＋　、Ｒ２は抵抗 を示す。 再生状態 記録・消去状態 Ａ点における電圧降下特性図 第３図 本発明の原理図 第１図 本発明の一実施例の回路図 第２図 ６つ８゜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　媒体から反射され分離された光の強さを電気信号に変
   換する光検出素子（２０）を備え、該光検出素子（２０
   ）と電源端子との間に接続されたインピーダンス素子に
   て該光検出素子（２０）からの電流を電圧に変換してフ
   ォーカスエラー信号及び再生信号を得る構成の光学的情
   報記録再生装置の光検出器において、 上記インピーダンス素子を可変インピーダンス素子（２
   １）にて構成し、 制御信号により、記録及び消去時に該可変インピーダン
   ス素子（２１）のインピーダンスを再生時のインピーダ
   ンスに比して小にする構成としてなることを特徴とする
   光学的情報記録再生装置の光検出器。