JPH02111069A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02111069A JPH02111069A JP63264537A JP26453788A JPH02111069A JP H02111069 A JPH02111069 A JP H02111069A JP 63264537 A JP63264537 A JP 63264537A JP 26453788 A JP26453788 A JP 26453788A JP H02111069 A JPH02111069 A JP H02111069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- ccd
- photoelectric conversion
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は感度増倍機能を有する光電変換部を備えたＣＣ
Ｄ型撮像装置及びその製造方法に関するものである。
Ｄ型撮像装置及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
ＣＣＤ型撮像装置（参考文献： Ｃ，Ｈ，５ｅｑｕｉｎ
＆ Ｍ、 Ｆ 、Ｔｏｍｐｓｅｔｔ、 ”Ｃｈａｒｇｅ
Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ”。
＆ Ｍ、 Ｆ 、Ｔｏｍｐｓｅｔｔ、 ”Ｃｈａｒｇｅ
Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ”。
Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒ５ｓｓ） ！ｄ、第３図ｄに示
す様に光電変換領域３０１と垂直ＣＣＤ部３０２から成
る受光部分（撮像部分とも呼ぶ）３ｏ３、水平ＣＣＤ部
３０４、および出力アンプ３０５で構成される。
す様に光電変換領域３０１と垂直ＣＣＤ部３０２から成
る受光部分（撮像部分とも呼ぶ）３ｏ３、水平ＣＣＤ部
３０４、および出力アンプ３０５で構成される。
受光部分３０３の拡大断面図が第３図すで、ｐ基板３０
６表面に形成されたｎ＋領域３０７がｐｎ接合型フォト
ダイオード（以下、ＰＤと略記する）の光電変換領域３
０３を構成し、高抵抗のｎ−領域３０８が転送ゲート電
極３０９と共に垂直ＣＣＤ部３０２を構成する。
６表面に形成されたｎ＋領域３０７がｐｎ接合型フォト
ダイオード（以下、ＰＤと略記する）の光電変換領域３
０３を構成し、高抵抗のｎ−領域３０８が転送ゲート電
極３０９と共に垂直ＣＣＤ部３０２を構成する。
この様なＣＣＤ型撮像装置で受光部分３０３の面積を維
持したまま（つまシ光学レンズ系をそのままにして）高
解像度化（つまり高密度化）しようとすると、１画素の
セル面積を光電変換領域３ｏ１（この占有面積は、開口
率と呼ばれ、感度に関係する。）と垂直Ｃ０Ｄ（この占
有面積は転送チオネル幅を決定する為、ダイナミックレ
ンズ（以下ＤＲと略記）に関係する。）とに分配しなけ
ればならず、感度とＤＲという２大系本性能のトレード
オフを招く。
持したまま（つまシ光学レンズ系をそのままにして）高
解像度化（つまり高密度化）しようとすると、１画素の
セル面積を光電変換領域３ｏ１（この占有面積は、開口
率と呼ばれ、感度に関係する。）と垂直Ｃ０Ｄ（この占
有面積は転送チオネル幅を決定する為、ダイナミックレ
ンズ（以下ＤＲと略記）に関係する。）とに分配しなけ
ればならず、感度とＤＲという２大系本性能のトレード
オフを招く。
更に、高解像化と共に光学レンズ系の焦点深度を十分確
保するためにはレンズを絞る事が必要となるため、光電
変換領域３０１の開口率を１００％に近づけても、実効
的に感度低下を招く。
保するためにはレンズを絞る事が必要となるため、光電
変換領域３０１の開口率を１００％に近づけても、実効
的に感度低下を招く。
こうした状況を打開するための有効な対策は、光電変換
領域３０１としてＰＤよシも１０〜２０ｄＢ高感度のア
バランシェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤと略記）
を用いる事である。
領域３０１としてＰＤよシも１０〜２０ｄＢ高感度のア
バランシェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤと略記）
を用いる事である。
第４図ａ〜ｄに示したリーチスルー型ＡＰＤは、空乏層
長りを伸ばして光生成したキャリアをドリフトさせると
同時に、ｐｎ接合に隣接して１０Ｖ ／ ｍ以上の高電
界領域Ｍを設けて「なだれ効果」の発生を可能にし、空
乏層中で発生したキャリアの増倍を行なうものである（
診考文献： Ｋａｎｂｅ。
長りを伸ばして光生成したキャリアをドリフトさせると
同時に、ｐｎ接合に隣接して１０Ｖ ／ ｍ以上の高電
界領域Ｍを設けて「なだれ効果」の発生を可能にし、空
乏層中で発生したキャリアの増倍を行なうものである（
診考文献： Ｋａｎｂｅ。
Ｈ，、ｅｔ ａｌ、”５ｉｌｉｃｏｎ Ａｖａｌａｎｃ
ｈｅ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｗｉｔｈ ｌｏｗ ｍｕｌ
ｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｎｏｉｓｅ ａｎｄ ｈｉｇ
ｈｓｐｅｅｄ ｒｅｓｐｏｎｓｅ’、 ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ、ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ、 ＥＤ−２３
、ｐ 、 １３３７〜１９７６ ）。第４図ｅ。
ｈｅ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｗｉｔｈ ｌｏｗ ｍｕｌ
ｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｎｏｉｓｅ ａｎｄ ｈｉｇ
ｈｓｐｅｅｄ ｒｅｓｐｏｎｓｅ’、 ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ、ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ、 ＥＤ−２３
、ｐ 、 １３３７〜１９７６ ）。第４図ｅ。
ｆはその具体的な構造を示す。
ｎ＋領域４０１は熱拡散で形成し、なだれ領域を規定す
るｐ領域４０２はイオン注入で形成している（ｎ十領域
４０１とｐ領域４０２との間の高抵抗（π）領域は無く
ても構わないし、それが一般的である。）。さらに、半
導体表面での反射を防ぐ（）ニ、Ｓｉｏ２．５１３Ｎな
どの反射防止膜４０３を用い、ｎ十須域４０１のコーナ
ーでのエツジ・ブレークダウン防止の為に、電界緩和の
役割をもつｎ領域４ｏ３（これはガードリングと呼ばれ
る）を形成している。
るｐ領域４０２はイオン注入で形成している（ｎ十領域
４０１とｐ領域４０２との間の高抵抗（π）領域は無く
ても構わないし、それが一般的である。）。さらに、半
導体表面での反射を防ぐ（）ニ、Ｓｉｏ２．５１３Ｎな
どの反射防止膜４０３を用い、ｎ十須域４０１のコーナ
ーでのエツジ・ブレークダウン防止の為に、電界緩和の
役割をもつｎ領域４ｏ３（これはガードリングと呼ばれ
る）を形成している。
第４図ｅと第３図すを比較するとＣＣＤのＰＤ部をＡＰ
Ｄとする事は困難でない様に思われる。
Ｄとする事は困難でない様に思われる。
発明が解決しようとする課題
然しなから、現在最も普及しているＣＣＤ型撮像装置は
、第５図の断面構造を有している。第６図が第３図すと
異なる点は、■ プルーミング抑制とスミア低減の為に
ＰＤのｎ領域６０３がｎ基板６０１上のｐウェル５０２
内に形成され、ｎｐｎ構造の縦形オーバーフロードレイ
ン（以下ＯＦＤと略記）が形成されていること、■ 低
照度残像をなくするために、ｎ領域５０３を完全空乏可
能な濃度に設定していること、■ ｎ領域５０３が完全
空乏になると界面の暗電流が発生しやすぐなる為、ｐ十
領域６０４をｎ領域５０３の界面近傍に形成しているこ
とである。この結果光電変換領域が縦方向にｐｎｐｎ製
造となるため第５図と第４図ｅの結合は単純ではない。
、第５図の断面構造を有している。第６図が第３図すと
異なる点は、■ プルーミング抑制とスミア低減の為に
ＰＤのｎ領域６０３がｎ基板６０１上のｐウェル５０２
内に形成され、ｎｐｎ構造の縦形オーバーフロードレイ
ン（以下ＯＦＤと略記）が形成されていること、■ 低
照度残像をなくするために、ｎ領域５０３を完全空乏可
能な濃度に設定していること、■ ｎ領域５０３が完全
空乏になると界面の暗電流が発生しやすぐなる為、ｐ十
領域６０４をｎ領域５０３の界面近傍に形成しているこ
とである。この結果光電変換領域が縦方向にｐｎｐｎ製
造となるため第５図と第４図ｅの結合は単純ではない。
本発明はこの様な従来技術の課題を省察し、縁形ＯＦＤ
機能および、感度増倍機能全有する光電変換部を備えた
ＣＣＤ型撮像装置を提供する事を目的とする。
機能および、感度増倍機能全有する光電変換部を備えた
ＣＣＤ型撮像装置を提供する事を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、ｎ型半導体基板上のｐウェル内にアバランシ
ェフォトダイオードとＣＣＤ ｉ有し、前記アバランシ
ェフォトダイオードの電子蓄積領域と基板との間に縦形
ｎｐｎトランジスタが形成されるＣＣＤ型撮像装置でち
ゃ、また第１導電型の半２Ｄ体基板上に第２導電型で完
全空乏可能な第１の領域を形成し、前記第１の領域上に
第１導電型の第２の領域を形成し、前記第２の領域内部
に第２導電型の第３の領域を形成し、前記第３の領域内
部に第２導電型で高４度の第４の領域を形成し、第２の
領域に蓄積したキャリアをＣＣＤＫ読み出して転送する
ＣＣＤ型撮像装置である。基板と第１および第２の領域
が縦形ＯＦＤを構成し、第２゜第３および第４の領域が
ＡＰＤを構成する。
ェフォトダイオードとＣＣＤ ｉ有し、前記アバランシ
ェフォトダイオードの電子蓄積領域と基板との間に縦形
ｎｐｎトランジスタが形成されるＣＣＤ型撮像装置でち
ゃ、また第１導電型の半２Ｄ体基板上に第２導電型で完
全空乏可能な第１の領域を形成し、前記第１の領域上に
第１導電型の第２の領域を形成し、前記第２の領域内部
に第２導電型の第３の領域を形成し、前記第３の領域内
部に第２導電型で高４度の第４の領域を形成し、第２の
領域に蓄積したキャリアをＣＣＤＫ読み出して転送する
ＣＣＤ型撮像装置である。基板と第１および第２の領域
が縦形ＯＦＤを構成し、第２゜第３および第４の領域が
ＡＰＤを構成する。
駆動方法としては、第２の領域のキャリアをＣＣＤに読
出す時には、第２の領域と第４の領域との間に逆バイア
スを下げてアバランシェ増倍が生じない様にする事が特
徴である。
出す時には、第２の領域と第４の領域との間に逆バイア
スを下げてアバランシェ増倍が生じない様にする事が特
徴である。
製造方法の特徴は、第２と第３の領域をエピタキシャル
成長で作ることである。
成長で作ることである。
作 用
本究明は前記した構成、構造および駆動方法〈よシ、光
電変換部からＣＣＤにキャリアを読出す時以外は光電変
換部でアバランシェ増倍が生じ、しかも従来標準的な機
能であった縦オーバフロードレインを備えている為、プ
ルーミングは無く、スミアも抑制されている。
電変換部からＣＣＤにキャリアを読出す時以外は光電変
換部でアバランシェ増倍が生じ、しかも従来標準的な機
能であった縦オーバフロードレインを備えている為、プ
ルーミングは無く、スミアも抑制されている。
また、前記した製造方法により、結晶品質がよく、濃度
分布が均一でよく制御された光電変換部が実現する。
分布が均一でよく制御された光電変換部が実現する。
実施例
以下に本発明の実施例を図面に基いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における撮像装置を示す
ものである。
ものである。
第１図ａ、ｂにおいて、ｎ基板１０１の上にｐウェル１
０２が形成され、ｐウェル１０２上にＣＣＤの電荷転送
領域となるｎ−領域１０３、光電変換されたキャリアを
蓄積するｎ領域１０４が形成され、ｎ領域１０４内部に
光電変換のためのｐ領域１０５が形成され、ｐ領域１０
５内部にｐ＋領域１０６が形成され、ｎ領域１０４とｐ
領域１０５とｐ＋領域１０６とがＡＰＤ（特にｎ領域１
０４とｐ領域１０５の界面近傍でアバランシェ増倍が生
じる。）を構成する。１０７ 、１０８は転送電極、１
０９はチャネルヌトップのｐ十領域、１０９はｎ領域１
０４からｎ−領域１０３ヘキヤリアを読出すチャネルの
オフセット電圧を決めるｐ十領域、１１ｏＩＩ′ｉ遮光
部である。
０２が形成され、ｐウェル１０２上にＣＣＤの電荷転送
領域となるｎ−領域１０３、光電変換されたキャリアを
蓄積するｎ領域１０４が形成され、ｎ領域１０４内部に
光電変換のためのｐ領域１０５が形成され、ｐ領域１０
５内部にｐ＋領域１０６が形成され、ｎ領域１０４とｐ
領域１０５とｐ＋領域１０６とがＡＰＤ（特にｎ領域１
０４とｐ領域１０５の界面近傍でアバランシェ増倍が生
じる。）を構成する。１０７ 、１０８は転送電極、１
０９はチャネルヌトップのｐ十領域、１０９はｎ領域１
０４からｎ−領域１０３ヘキヤリアを読出すチャネルの
オフセット電圧を決めるｐ十領域、１１ｏＩＩ′ｉ遮光
部である。
第１図すのＹの範囲で示された部分の等価回路が第１図
Ｃである。
Ｃである。
第１図すとＣにおいてｐウェル１０２とｎ領域１０４は
逆バイアスのダイオード１２１に等価であシ、ｎ領域１
０４とｐ領域１０６とｐ＋領域１０６はＡＰＤ１２２と
等価であシ、ｎ領域１０４とｐウェル１ｏ２とｎ基板１
０１は縦ＯＦＤとして機能するトランジスタ１２４と等
価であシ、ｎ領域１０４とｐ中領域１０９とｎ−領域１
０３とはＭＯＳゲート１２３と等価である。
逆バイアスのダイオード１２１に等価であシ、ｎ領域１
０４とｐ領域１０６とｐ＋領域１０６はＡＰＤ１２２と
等価であシ、ｎ領域１０４とｐウェル１ｏ２とｎ基板１
０１は縦ＯＦＤとして機能するトランジスタ１２４と等
価であシ、ｎ領域１０４とｐ中領域１０９とｎ−領域１
０３とはＭＯＳゲート１２３と等価である。
駆動条件は第１図ｄに示しているように、ＭＯＳゲート
１２３をオン状態例する為にφＶとして高いパルス電圧
ＶＨが印加される期間は、ｐ＋領域１０６の電圧をφｐ
としてアバランシェ増倍の生じるーＶＡからアバランシ
ェ増倍の生じない０まで下げる。
１２３をオン状態例する為にφＶとして高いパルス電圧
ＶＨが印加される期間は、ｐ＋領域１０６の電圧をφｐ
としてアバランシェ増倍の生じるーＶＡからアバランシ
ェ増倍の生じない０まで下げる。
第１図すのｚ −ｚ’断面のエネルギーバンド図を第１
図ｅ、ｆに示す。第１図ｅは熱平衡状態に対応する。第
１図ｆは＄、＝−ＶＡでアバランシェ増倍が生じている
時に対応する。
図ｅ、ｆに示す。第１図ｅは熱平衡状態に対応する。第
１図ｆは＄、＝−ＶＡでアバランシェ増倍が生じている
時に対応する。
第２図は本究明の第１の実施例の製造方法で、光電変換
部のＡＰＤ部分を第２図ａのように酸化膜２０１をマス
クにして異方性エツチングしたあと、第２図すのように
選択エピタキシャル成長を行ない、その成長の前半では
Ｐ 、Ａｓなどの不純物ドーピング（濃度Ｎ’＝１ｏ１
４〜１ｏ”ｃｍ−３）を行ってｎ領域１０４を形成し、
成長の後半ではＢなどの不純物ドーピング（Ｎ＝１０１
５〜１ｏ１６ｃｍ、−”）を行ってｐ領域１０６を形成
する。
部のＡＰＤ部分を第２図ａのように酸化膜２０１をマス
クにして異方性エツチングしたあと、第２図すのように
選択エピタキシャル成長を行ない、その成長の前半では
Ｐ 、Ａｓなどの不純物ドーピング（濃度Ｎ’＝１ｏ１
４〜１ｏ”ｃｍ−３）を行ってｎ領域１０４を形成し、
成長の後半ではＢなどの不純物ドーピング（Ｎ＝１０１
５〜１ｏ１６ｃｍ、−”）を行ってｐ領域１０６を形成
する。
以上のように本実施例によれば、光電変換部がアバラン
シェ増倍作用を有し、しかも鉦オーバーフロードレイン
打４造も備えたＣＣＤ型撮像装置となるのでプルーミン
グ、スミアは従来性能を維持したまま、高感度化が実現
する。さらに、ＡＰＤからＣＣＤＫ電荷を読出す時には
アバランシェ増倍作用を停止する動作を行なう為、誤差
信号のない仇出しが可能となる。
シェ増倍作用を有し、しかも鉦オーバーフロードレイン
打４造も備えたＣＣＤ型撮像装置となるのでプルーミン
グ、スミアは従来性能を維持したまま、高感度化が実現
する。さらに、ＡＰＤからＣＣＤＫ電荷を読出す時には
アバランシェ増倍作用を停止する動作を行なう為、誤差
信号のない仇出しが可能となる。
また、基板ダメージ、不純物分布の均一性が間：顆とな
るアバランシェ増、倍部分の領域は選択エピタキシャル
成長を用いて製造するので、厳密に制御された領域とす
ることができる。
るアバランシェ増、倍部分の領域は選択エピタキシャル
成長を用いて製造するので、厳密に制御された領域とす
ることができる。
なお、本実施例の４直型を逆にする４Ｊも可能である。
材料もＳｔ に限定されない。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、縦ＯＦＤ機能を備えた上
で高感度化（アバランシェ増倍）する事ができ、その実
用的効果は大きい。
で高感度化（アバランシェ増倍）する事ができ、その実
用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例の撮像装置を示すもので、同
図ａは平面図、同図すは同図ａのＸ −Ｘ／断面図、同
図Ｃは同図すのＹ区間の等価回路図、同図ｄは駆動パル
ス図、同図θは同図すのｚ −ｚ’断面の熱平衡時のエ
ネルギーバンド図、同図ｆは同図すのｚ −ｚ’断断部
面アバランシェ増倍動作時のエネルギーバンド図、第２
図ａ、ｂは本発明の一実施例の撮像装置の製造方法の工
程図、第３図は従来の基本的なＣＣＤ撮像装置の構造図
、第４図ａ、ｂは従来の標準的なＡＰＤで、同図ａは等
測的な構造図、同図す、ｃ、ｄは同図ａに対する諸特性
図、同図ｅは代表的な断面構造図、同図ｆは同図ｅに対
応する濃度分布図、第５図は標準的なＣＣＤ撮像装置の
構造図である。 １０４・・・・・・ｎ領域、１０５・・・・・・ｐ領域
、１２２・・・・・・ＡＰＤ、１２４・・・・・・縦ｏ
ＦＤ０代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１
名第１図 （ｂ） 第１図 （Ｃ） φＰ Ｙ−Ｊ （ａ） （ｄ） 第１図 （ｅ） （ｆ） 第３図 （ｂ） ３（Ｊｌ） 第 図 （ａ） （ｂ） 第 図
図ａは平面図、同図すは同図ａのＸ −Ｘ／断面図、同
図Ｃは同図すのＹ区間の等価回路図、同図ｄは駆動パル
ス図、同図θは同図すのｚ −ｚ’断面の熱平衡時のエ
ネルギーバンド図、同図ｆは同図すのｚ −ｚ’断断部
面アバランシェ増倍動作時のエネルギーバンド図、第２
図ａ、ｂは本発明の一実施例の撮像装置の製造方法の工
程図、第３図は従来の基本的なＣＣＤ撮像装置の構造図
、第４図ａ、ｂは従来の標準的なＡＰＤで、同図ａは等
測的な構造図、同図す、ｃ、ｄは同図ａに対する諸特性
図、同図ｅは代表的な断面構造図、同図ｆは同図ｅに対
応する濃度分布図、第５図は標準的なＣＣＤ撮像装置の
構造図である。 １０４・・・・・・ｎ領域、１０５・・・・・・ｐ領域
、１２２・・・・・・ＡＰＤ、１２４・・・・・・縦ｏ
ＦＤ０代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１
名第１図 （ｂ） 第１図 （Ｃ） φＰ Ｙ−Ｊ （ａ） （ｄ） 第１図 （ｅ） （ｆ） 第３図 （ｂ） ３（Ｊｌ） 第 図 （ａ） （ｂ） 第 図
Claims (3)
- （１）ｎ型半導体基板上のｐウェル内にアバランシェフ
ォトダイオードとＣＣＤを有し、前記アバランシェフォ
トダイオードの電子蓄積領域と基板との間に縦形ｎｐｎ
トランジスタが形成される事を特徴とする固体撮像装置
。 - （２）第１導電型の半導体基板上に第２導電型で完全空
乏可能な第１の領域を形成し、前記第１の領域上に第１
導電型の第２の領域を形成し、前記第２の領域内部に第
２導電型の第３の領域を形成し、前記第３の領域内部に
第２導電型で高不純物濃度の第４の領域を形成し、前記
第２の領域に蓄積したキャリアをＣＣＤに読み出して転
送する固体撮像装置。 - （３）第１導電型の半導体基板上に第２導電型で完全空
乏可能な第１の領域を形成する第１の工程と、前記第１
の領域をエッチングして第１のトレンチを形成する第２
の工程と、前記第１のトレンチ内部（側壁、底部）に第
１導電型の不純物をドーピングしながら選択エピタキシ
ャル成長を行ない、第１導電型の第２の領域を形成し第
１のトレンチより小さい第２のトレンチを残す第３の工
程と、前記第２のトレンチ内部に第２導電型の不純物を
ドーピングしながら選択エピタキシャル成長を行ない第
２導電型の第３の領域を形成する第４の工程と、前記第
３の領域内に第２導電型で高不純物濃度の第４の領域を
形成する第５の工程とを含む固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264537A JP2584010B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264537A JP2584010B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111069A true JPH02111069A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2584010B2 JP2584010B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17404643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264537A Expired - Lifetime JP2584010B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584010B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420634A (en) * | 1991-04-01 | 1995-05-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid state imaging device |
| JP2015005752A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ | イメージセンサで使用される埋め込みフォトダイオードの改良 |
| WO2022163259A1 (ja) * | 2021-01-27 | 2022-08-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、受光素子の製造方法及び測距システム |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63264537A patent/JP2584010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420634A (en) * | 1991-04-01 | 1995-05-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid state imaging device |
| JP2015005752A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ | イメージセンサで使用される埋め込みフォトダイオードの改良 |
| WO2022163259A1 (ja) * | 2021-01-27 | 2022-08-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、受光素子の製造方法及び測距システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2584010B2 (ja) | 1997-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4851890A (en) | Solid-state image sensor | |
| US4672455A (en) | Solid-state image-sensor having reverse-biased substrate and transfer registers | |
| US8350937B2 (en) | Solid-state imaging device having pixels including avalanche photodiodes | |
| JPS60140752A (ja) | 半導体光電変換装置 | |
| JPH09331058A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61133660A (ja) | 固体イメ−ジセンサ | |
| JP2959460B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02111069A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR20050039167A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JPS61183958A (ja) | 固体光検出装置 | |
| JPS6160592B2 (ja) | ||
| JP3919378B2 (ja) | 受光素子及びそれを用いた光電変換装置 | |
| JPH0230183A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0135546B2 (ja) | ||
| KR100258971B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH0671071B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH069236B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0424872B2 (ja) | ||
| JPH0774336A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0459828B2 (ja) | ||
| JPH06296004A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04332166A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS622511B2 (ja) | ||
| JPH0682816B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61234072A (ja) | 固体撮像素子 |