JPH0211018B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0211018B2 JPH0211018B2 JP11125584A JP11125584A JPH0211018B2 JP H0211018 B2 JPH0211018 B2 JP H0211018B2 JP 11125584 A JP11125584 A JP 11125584A JP 11125584 A JP11125584 A JP 11125584A JP H0211018 B2 JPH0211018 B2 JP H0211018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- detected
- corner
- interval
- semiconductor chip
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
複数のセル群を有する半導体装置の位置検出方
法に関す。
法に関す。
(b) 技術の背景
半導体製造装置において半導体チツプの位置を
検出する必要があるものは極めて多いが、検出基
準としてボンデイング・パツドが用いられている
場合が多いが、検出倍率等によつてはセル群を用
いた方がボンデイング・パツドのプロービング・
テストによる傷痕を意識することなく位置検出で
きるので都合がよい場合が多い。
検出する必要があるものは極めて多いが、検出基
準としてボンデイング・パツドが用いられている
場合が多いが、検出倍率等によつてはセル群を用
いた方がボンデイング・パツドのプロービング・
テストによる傷痕を意識することなく位置検出で
きるので都合がよい場合が多い。
また最近高集積化された半導体メモリ、特にキ
ヤパシタに電荷を保持することによつて情報の記
憶がなされるダイナミツク型ランダム・アクセ
ス・メモリ等においては外部より飛来する、また
は配線、封止、パツケージ材料に含まれる微量の
放射性元素より放射されるα線によつて記憶が損
なわれる、所謂ソフト・エラーを防止するため、
α線飛程の大きいポリイミド膜よりなるテープを
メモリセル上に貼付している。このテーピング機
においてはメモリセルを位置検出基準に用いる方
が便利がある。
ヤパシタに電荷を保持することによつて情報の記
憶がなされるダイナミツク型ランダム・アクセ
ス・メモリ等においては外部より飛来する、また
は配線、封止、パツケージ材料に含まれる微量の
放射性元素より放射されるα線によつて記憶が損
なわれる、所謂ソフト・エラーを防止するため、
α線飛程の大きいポリイミド膜よりなるテープを
メモリセル上に貼付している。このテーピング機
においてはメモリセルを位置検出基準に用いる方
が便利がある。
近年の高集積メモリではパターンの微細化、α
線対策等のため半導体チツプ内のメモリセルが2
群以上に分割される場合が多くなつてきたので、
2つ以上のセル群を位置検出基準として選ぶこと
は可能となつた。
線対策等のため半導体チツプ内のメモリセルが2
群以上に分割される場合が多くなつてきたので、
2つ以上のセル群を位置検出基準として選ぶこと
は可能となつた。
(c) 従来技術と問題点
従来半導体チツプ位置の検出を行うときに、1
個のセル群を位置検出基準としていたが、複数の
セル群を有する高集積化された半導体装置におい
ては、他のセルを基準セルと誤認して誤検出され
る場合があつた。
個のセル群を位置検出基準としていたが、複数の
セル群を有する高集積化された半導体装置におい
ては、他のセルを基準セルと誤認して誤検出され
る場合があつた。
(d) 発明の目的
本発明の目的は従来技術の有する上記の欠点を
除去し、誤検出のない半導体チツプの位置検出方
法を得ることにある。
除去し、誤検出のない半導体チツプの位置検出方
法を得ることにある。
(e) 発明の構成
上記の目的は、複数のセル群が形成された半導
体チツプの位置検出を行うに際し、位置検出基準
として2つのセル群のコーナを選び、該コーナの
間隔を基準間隔として記憶し、位置検出対象チツ
プの2つのセル群のコーナの位置検出毎に該コー
ナの間隔と該基準間隔とを比較して両者が等しい
場合に該コーナが該チツプの位置検出基準である
と判定する半導体チツプの位置検出方法により達
成される。
体チツプの位置検出を行うに際し、位置検出基準
として2つのセル群のコーナを選び、該コーナの
間隔を基準間隔として記憶し、位置検出対象チツ
プの2つのセル群のコーナの位置検出毎に該コー
ナの間隔と該基準間隔とを比較して両者が等しい
場合に該コーナが該チツプの位置検出基準である
と判定する半導体チツプの位置検出方法により達
成される。
即ち、複数のセル群が形成された半導体チツプ
の位置検出基準として2つのセル群のコーナを選
び、 該2つのセル群の画像内コーナー座標、 該2つのセル群のコーナーの間隔 (基準間隔) を教示しておき、位置検出対象チツプ毎に前記2
つのセル群のコーナの間隔と基準間隔とを比較し
て、両者が等しい場合には検出基準が正しく検出
されたものと判断し、これらのコーナ座標を位置
検出対象チツプの基準位置とする。
の位置検出基準として2つのセル群のコーナを選
び、 該2つのセル群の画像内コーナー座標、 該2つのセル群のコーナーの間隔 (基準間隔) を教示しておき、位置検出対象チツプ毎に前記2
つのセル群のコーナの間隔と基準間隔とを比較し
て、両者が等しい場合には検出基準が正しく検出
されたものと判断し、これらのコーナ座標を位置
検出対象チツプの基準位置とする。
検出基準が正しく検出されなかつた場合は、誤
検出と判断し再度2つのセル群のコーナのサーチ
を試みる。
検出と判断し再度2つのセル群のコーナのサーチ
を試みる。
ここで、上記の基準間隔の教示を行うために
は当然、該間隔の両端の位置、即ち上記の検出
基準である2つのセル群のコーナ位置の教示が行
なわれなければならないことは勿論である。
は当然、該間隔の両端の位置、即ち上記の検出
基準である2つのセル群のコーナ位置の教示が行
なわれなければならないことは勿論である。
半導体チツプのセル群位置は同一品種では半導
体チツプ内で常に固定位置にあるので、位置検出
基準であるセル群のコーナ座標が検出できると、
チツプ位置が検出されたことになる。
体チツプ内で常に固定位置にあるので、位置検出
基準であるセル群のコーナ座標が検出できると、
チツプ位置が検出されたことになる。
(f) 発明の実施例
第1図は本発明の一実施例を説明するセル群を
表した半導体チツプの2値化像である。
表した半導体チツプの2値化像である。
図において、最初の半導体チツプの2値化像の
画像内で最も離れたセル群A及びセル群Bを検出
基準コーナの教示対象セルとして選択する。
画像内で最も離れたセル群A及びセル群Bを検出
基準コーナの教示対象セルとして選択する。
まず、左のセル群Aの左下コーナ座標をレチク
ルV1とH1で教示し、画像内座標(X1,Y1)を記
憶する。次に、右のセル群Bの右下コーナ座標を
レチクルV2とH2で教示し、画像内座標(X2,
Y2)を記憶する。次に、基準間隔値としてL=
X2−X1を記憶する。
ルV1とH1で教示し、画像内座標(X1,Y1)を記
憶する。次に、右のセル群Bの右下コーナ座標を
レチクルV2とH2で教示し、画像内座標(X2,
Y2)を記憶する。次に、基準間隔値としてL=
X2−X1を記憶する。
次の半導体チツプからは、セル群Aと思われる
セル群の左下コーナーをサーチしてその画像内座
標(X1′,Y1′)を検出し、その検出座標からLだ
け離れた近傍でセル群Bの右下コーナをサーチし
てその画像内座標(X2′,Y2′)を検出する。
セル群の左下コーナーをサーチしてその画像内座
標(X1′,Y1′)を検出し、その検出座標からLだ
け離れた近傍でセル群Bの右下コーナをサーチし
てその画像内座標(X2′,Y2′)を検出する。
セル群A及びセル群Bと思われるコーナ座標か
ら求めらる両コーナの間隔L′=X2′−X1′が基準間
隔Lに等しければセル群A及びセル群Bのコーナ
が正しくサーチされたことがわかる。
ら求めらる両コーナの間隔L′=X2′−X1′が基準間
隔Lに等しければセル群A及びセル群Bのコーナ
が正しくサーチされたことがわかる。
前記のように、チツプのセル群位置は同一品種
ではチツプ内で常に固定位置にあるので、位置検
出基準であるセル群のコーナ座標(X1′,Y1′)又
は(X2′,Y2′)が検出できると、チツプ位置が検
出されたことになる。
ではチツプ内で常に固定位置にあるので、位置検
出基準であるセル群のコーナ座標(X1′,Y1′)又
は(X2′,Y2′)が検出できると、チツプ位置が検
出されたことになる。
従つて、先の教示位置(X1,Y1)又は(X2,
Y2)に対するチツプ位置のズレX1′−X1,Y1′−
Y1又はX2′−X2,Y2′−Y2が検出されることにな
り、このズレ分を帰還してチツプ位置を、チツプ
を載せているステージを移動して補正するか、又
はチツプ位置はそのままにしてボンデイングツー
ルを移動して補正する。
Y2)に対するチツプ位置のズレX1′−X1,Y1′−
Y1又はX2′−X2,Y2′−Y2が検出されることにな
り、このズレ分を帰還してチツプ位置を、チツプ
を載せているステージを移動して補正するか、又
はチツプ位置はそのままにしてボンデイングツー
ルを移動して補正する。
チツプ内に同一形状のセル群が複数個ある場合
は、単一セル群の位置検出だけでは誤つて別のセ
ル群のコーナをサーチする可能性が高いため、実
施例では複数のセル群のコーナ座標を検出し、そ
れらの間隔をチエツクすることで誤検出を防止し
ている。
は、単一セル群の位置検出だけでは誤つて別のセ
ル群のコーナをサーチする可能性が高いため、実
施例では複数のセル群のコーナ座標を検出し、そ
れらの間隔をチエツクすることで誤検出を防止し
ている。
第2図は位置検出系のブロツク図である。図に
おいて、移動部1の上に載つた半導体チツプ2の
画像をカメラ3で取り込み、カメラコントローラ
4を経て、2値化回路5に送りここで通常画像を
256ビツト×256ビツトの2値化画像に変換する。
この2値化データを2値化メモリ6に記憶させ、
また2値化像をモニタテレビ7に表示させる。
おいて、移動部1の上に載つた半導体チツプ2の
画像をカメラ3で取り込み、カメラコントローラ
4を経て、2値化回路5に送りここで通常画像を
256ビツト×256ビツトの2値化画像に変換する。
この2値化データを2値化メモリ6に記憶させ、
また2値化像をモニタテレビ7に表示させる。
8はマイクロコンピユータよりなる制御回路で
検出系全体を制御し、2値化回路5および2値化
メモリ6のデータを演算回路9により位置検出を
行い、その結果をもとにして移動部コントローラ
10により移動部1の位置を補正する。
検出系全体を制御し、2値化回路5および2値化
メモリ6のデータを演算回路9により位置検出を
行い、その結果をもとにして移動部コントローラ
10により移動部1の位置を補正する。
演算回路9による位置検出は、位置基準即ちセ
ル群A,Bのコーナーを捜し、両者の間隔とセル
群A,B間の基準間隔との比較を行う。
ル群A,Bのコーナーを捜し、両者の間隔とセル
群A,B間の基準間隔との比較を行う。
(g) 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、誤
検出のない半導体チツプの位置検出方法を得るこ
とができる。
検出のない半導体チツプの位置検出方法を得るこ
とができる。
第1図は本発明の実施例を説明するセル群と半
導体チツプの周辺を現した半導体チツプの2値化
像である。第2図は位置検出系のブロツク図であ
る。 図において、1は移動部、2は半導体チツプ、
3はカメラ、4はカメラコントローラ、5は2値
化回路、6は2値化メモリ、7はモニタテレビ、
8は制御回路、9は演算回路、10は移動部コン
トローラを示す。
導体チツプの周辺を現した半導体チツプの2値化
像である。第2図は位置検出系のブロツク図であ
る。 図において、1は移動部、2は半導体チツプ、
3はカメラ、4はカメラコントローラ、5は2値
化回路、6は2値化メモリ、7はモニタテレビ、
8は制御回路、9は演算回路、10は移動部コン
トローラを示す。
Claims (1)
- 1 複数のセル群が形成された半導体チツプの位
置検出を行うに際し、位置検出基準として2つの
セル群のコーナを選び、該コーナの間隔を基準間
隔として記憶し、位置検出対象チツプの2つのセ
ル群のコーナの位置検出毎に該コーナの間隔と該
基準間隔とを比較して両者が等しい場合に該コー
ナが該チツプの位置検出基準であると判定するこ
とを特徴とする半導体チツプの位置検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11125584A JPS60254743A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体チツプの位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11125584A JPS60254743A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体チツプの位置検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60254743A JPS60254743A (ja) | 1985-12-16 |
JPH0211018B2 true JPH0211018B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=14556546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11125584A Granted JPS60254743A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体チツプの位置検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60254743A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652755B2 (ja) * | 1986-04-01 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法 |
JPS63196056A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体組立装置 |
JPS63204153A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11125584A patent/JPS60254743A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60254743A (ja) | 1985-12-16 |
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