JPH0210822A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
- Publication number
- JPH0210822A JPH0210822A JP63161638A JP16163888A JPH0210822A JP H0210822 A JPH0210822 A JP H0210822A JP 63161638 A JP63161638 A JP 63161638A JP 16163888 A JP16163888 A JP 16163888A JP H0210822 A JPH0210822 A JP H0210822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- stripes
- stage
- movement
- stripe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子ビーム描画方法に関するもので、特に、パ
ターンつなぎ精度の高い描画方法に関するものである。
ターンつなぎ精度の高い描画方法に関するものである。
従来の技術
電子ビーム描画方法において、ステージを連続移動させ
ながらチップ内をステージの移動方向と平行な方向に分
割されたストライプを順次描画していく方法は、描画時
間が速く、特にベクタ走査の場合には有効である。
ながらチップ内をステージの移動方向と平行な方向に分
割されたストライプを順次描画していく方法は、描画時
間が速く、特にベクタ走査の場合には有効である。
第３図ａ −ｂは従来の連続ステージ移動による電子ビ
ーム描画方法を説明する概念図である。ステージ上に置
かれたウェハ１０１内に配置された各チップ１ｏ２は、
チップをステージの移動方向と平行な方向に分割された
ストライプを順次電子ビーム１０３で描画していく。チ
ップ内で分割された各ス）う４プ（１０４Ａ、１０４Ｂ
、１０４Ｃ。
ーム描画方法を説明する概念図である。ステージ上に置
かれたウェハ１０１内に配置された各チップ１ｏ２は、
チップをステージの移動方向と平行な方向に分割された
ストライプを順次電子ビーム１０３で描画していく。チ
ップ内で分割された各ス）う４プ（１０４Ａ、１０４Ｂ
、１０４Ｃ。
１０４Ｄ ）の描画方向は、それぞれ隣り合うストライ
プで逆方向である。
プで逆方向である。
電子ビーム描画において、隣シ合うストライプ間のパタ
ーンのつなぎ精度が重要な性能の一つである。このつな
ぎ精度を決める主要なパラメータの一つに、ステージの
移動精度がある。通常、速度と移動方向に対する補正を
行っているが、それでも精度として±０．０１〜±０．
０６μｍ程度の誤差量がある。
ーンのつなぎ精度が重要な性能の一つである。このつな
ぎ精度を決める主要なパラメータの一つに、ステージの
移動精度がある。通常、速度と移動方向に対する補正を
行っているが、それでも精度として±０．０１〜±０．
０６μｍ程度の誤差量がある。
前述の従来例においては、隣シ合うストライプの描画方
向（すなわち、ステージ移動方向）が逆方向であるため
、パターンのつなぎ精度が悪くなるという欠点があった
。
向（すなわち、ステージ移動方向）が逆方向であるため
、パターンのつなぎ精度が悪くなるという欠点があった
。
発明が解決しようとする課題
このように、隣り合うストライプの描画方向が異なると
パターンのつなぎ精度が悪くなるという欠点があり、本
発明はこのような従来の課題を解決すべく、パターンつ
なぎ精度の良い電子ビーム描画方法を提供するものであ
る。
パターンのつなぎ精度が悪くなるという欠点があり、本
発明はこのような従来の課題を解決すべく、パターンつ
なぎ精度の良い電子ビーム描画方法を提供するものであ
る。
課題を解決するだめの手段
本発明は、複数のチップの分割されたストライプの描画
方向が、少なくとも１つのチップ内のストライプにおい
て全て同一方向になるように描画するものである。
方向が、少なくとも１つのチップ内のストライプにおい
て全て同一方向になるように描画するものである。
作 用
少なくとも１つのチップ内の全てのストライプの描画方
向を同一にすることにより、ステージの移動方向の違い
によるステージ移動誤差を除くことができ、パターンつ
なぎ精度が向上できる。
向を同一にすることにより、ステージの移動方向の違い
によるステージ移動誤差を除くことができ、パターンつ
なぎ精度が向上できる。
実施例
以下に本発明の一実施例について図面とともに説明する
。第１図ａ、ｂは、ウェハ１内にレイアウトされたチッ
プ２の描画方法を説明するものである。第１図すに示す
ようにチップ内を分割された各ストライプ（４Ａ、４Ｂ
、４Ｃ，４Ｄ）の電子ビーム３の描画方向は全て同一方
向で描画を行う。同じストライプを横並びのチップ全て
の描画を行った後、再び最初のチップに戻って次のスト
ライプの描画を行う為、ステージ移動の効率の悪さはあ
るが、全てのチップ内のストライプの描画方向が同一で
あるため、パターンつなぎ精度は向上する。
。第１図ａ、ｂは、ウェハ１内にレイアウトされたチッ
プ２の描画方法を説明するものである。第１図すに示す
ようにチップ内を分割された各ストライプ（４Ａ、４Ｂ
、４Ｃ，４Ｄ）の電子ビーム３の描画方向は全て同一方
向で描画を行う。同じストライプを横並びのチップ全て
の描画を行った後、再び最初のチップに戻って次のスト
ライプの描画を行う為、ステージ移動の効率の悪さはあ
るが、全てのチップ内のストライプの描画方向が同一で
あるため、パターンつなぎ精度は向上する。
第２図ａ、ｂは他の実施例を説明する概念図である。ウ
ェハ１１上にレイアウトされたチップ１２において、チ
ップ内を分割したストライプ（１４Ａ。
ェハ１１上にレイアウトされたチップ１２において、チ
ップ内を分割したストライプ（１４Ａ。
１４Ｂ、１４Ｃ，１４Ｄ）のうち、最初のストライプ１
４Ａを順次ウェハの端のチップの列から電子ビーム１３
にて描画していく。隣シのチップの列はストライプ１４
Ａを逆方向に順次描画していく。これを繰シ返して、最
初のストライプ１４Ａを全てのチップに対して描画を終
了する。次に、最初のチップに戻って、２番目のストラ
イプ１４Ｂを同様の方法で全てのチップを描画する。こ
れを全てのストライプに対して繰り返し描画を行うこと
により、チップ内のストライプは全て同一方向で描画で
きる（ただし、隣シの列のチップ内のストライプは反対
方向）。また、ステージの移動も無駄がなく、描画時間
に影響も少ない。
４Ａを順次ウェハの端のチップの列から電子ビーム１３
にて描画していく。隣シのチップの列はストライプ１４
Ａを逆方向に順次描画していく。これを繰シ返して、最
初のストライプ１４Ａを全てのチップに対して描画を終
了する。次に、最初のチップに戻って、２番目のストラ
イプ１４Ｂを同様の方法で全てのチップを描画する。こ
れを全てのストライプに対して繰り返し描画を行うこと
により、チップ内のストライプは全て同一方向で描画で
きる（ただし、隣シの列のチップ内のストライプは反対
方向）。また、ステージの移動も無駄がなく、描画時間
に影響も少ない。
発明の効果
以上のように本発明は、チップ内を分割されたストライ
プの描画方向を同一方向にすることにより、パターンつ
なぎ精度を向上することができる。
プの描画方向を同一方向にすることにより、パターンつ
なぎ精度を向上することができる。
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例における描画方法を説
明する概念図、第２図ａ、ｂは他の実施例における描画
方法を説明する概念図、第３図ａ。 ｂは従来の描画方法を説明する概念図である。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・チップ、３・・
・・・・電子ビーム、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄ・・・・
・・ストライプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 図 第 図
明する概念図、第２図ａ、ｂは他の実施例における描画
方法を説明する概念図、第３図ａ。 ｂは従来の描画方法を説明する概念図である。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・チップ、３・・
・・・・電子ビーム、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄ・・・・
・・ストライプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 図 第 図
Claims (1)
- 連続ステージ移動を用いた電子ビーム描画装置を用い、
複数のチップをステージの移動方向と平行な方向に分割
された各ストライプの描画方向が、少なくとも１つのチ
ップ内のストライプにおいて全て同一方向であることを
特徴とする電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161638A JPH0210822A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161638A JPH0210822A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210822A true JPH0210822A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15738994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161638A Pending JPH0210822A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 電子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210822A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110514A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP2002531171A (ja) * | 1998-12-01 | 2002-09-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 濡れた皮膚に対する接着物品 |
| KR20160113005A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 아게 | 양방향 더블 패스 멀티빔 기록 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161638A patent/JPH0210822A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002531171A (ja) * | 1998-12-01 | 2002-09-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 濡れた皮膚に対する接着物品 |
| JP2002110514A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| KR20160113005A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 아게 | 양방향 더블 패스 멀티빔 기록 |
| JP2016178300A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 双方向ダブルパス方式によるマルチビーム描画 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4789945A (en) | Method and apparatus for charged particle beam exposure | |
| EP0298275B1 (en) | Pattern splicing system and method for scanning of electron beam system | |
| US5399872A (en) | Charged-particle beam exposure method | |
| JPH0620931A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPH0210822A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| US6040583A (en) | Electron beam exposure method using a moving stage | |
| JPH1140475A (ja) | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP2781787B2 (ja) | 半導体チップのボンディングパッド配置構成及びその最適化方法 | |
| US6610988B1 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
| JPH0341974B2 (ja) | ||
| JP2871617B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| JPS6381570A (ja) | 電子ビ−ム装置に用いるデ−タ処理方法及びデ−タ処理装置 | |
| JP2824304B2 (ja) | 図形処理方法 | |
| US10444622B2 (en) | Method for generating masks for manufacturing of a semiconductor structure | |
| JPS63272094A (ja) | プリント基板の自動配線方法 | |
| JP3453344B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、および写真製版用マスクの製造方法 | |
| JPS6320829A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPH0815138B2 (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPH11329958A (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
| JPH02299220A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH0822937A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPH02226744A (ja) | 半導体集積回路のレイアウト方法 | |
| JPH0116007B2 (ja) | ||
| JPS57109333A (en) | Patterning method by radiant ray beam | |
| JPS63299127A (ja) | 可変成形型電子線描画装置 |