JPH02107577A - 接合フェライトの製造方法 - Google Patents
接合フェライトの製造方法Info
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- JPH02107577A JPH02107577A JP63258291A JP25829188A JPH02107577A JP H02107577 A JPH02107577 A JP H02107577A JP 63258291 A JP63258291 A JP 63258291A JP 25829188 A JP25829188 A JP 25829188A JP H02107577 A JPH02107577 A JP H02107577A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば複合型の磁気ヘッドに用いられる単結
晶フェライトと多結晶フェライトからなる接合フェライ
トの製造方法に関する。
晶フェライトと多結晶フェライトからなる接合フェライ
トの製造方法に関する。
本発明は、単結晶フェライトと多結晶フェライトからな
る接合フェライトの製造方法において、多結晶フェライ
トの単結晶フェライトに接していない部分にに＋ Ｒｂ
、 Ｃｓから選ばれる少なくとも１種の炭酸化合物の懸
濁液を塗布した状態で加熱圧着することにより、熱処理
時の多結晶フェライトの単結晶化及び粒成長を抑えて良
好な接合フェライトを製造できるようにしたものである
。
る接合フェライトの製造方法において、多結晶フェライ
トの単結晶フェライトに接していない部分にに＋ Ｒｂ
、 Ｃｓから選ばれる少なくとも１種の炭酸化合物の懸
濁液を塗布した状態で加熱圧着することにより、熱処理
時の多結晶フェライトの単結晶化及び粒成長を抑えて良
好な接合フェライトを製造できるようにしたものである
。
近時、磁気ヘッド例えばビデオヘッドにおいては、摺動
ノイズを低減させ、Ｃ／Ｎを良（するために、これまで
の単結晶フェライトヘッドから、単結晶フェライトと多
結晶フェライトとの接合フェライトによる複合型ヘッド
に切換えられつつある。又、この接合フェライトのコス
ト低減が求められている。
ノイズを低減させ、Ｃ／Ｎを良（するために、これまで
の単結晶フェライトヘッドから、単結晶フェライトと多
結晶フェライトとの接合フェライトによる複合型ヘッド
に切換えられつつある。又、この接合フェライトのコス
ト低減が求められている。
これに対応するため、接合フェライトは、鏡面研磨した
単結晶フェライトと、同じく鏡面研磨した多結晶フェラ
イトを水（ＨｔＯ）又は硝酸（ＨＮＯｚ）で仮接着した
後、ホットプレスにより即ちＮ２等の還元雰囲気中で加
圧しながら１２２０℃、２時間の条件で加熱処理して製
造されていた。
単結晶フェライトと、同じく鏡面研磨した多結晶フェラ
イトを水（ＨｔＯ）又は硝酸（ＨＮＯｚ）で仮接着した
後、ホットプレスにより即ちＮ２等の還元雰囲気中で加
圧しながら１２２０℃、２時間の条件で加熱処理して製
造されていた。
上述の接合フェライトの製法において、１２２０°Ｃを
越える温度で接合すると単結晶フェライトと多結晶フェ
ライトの界面（以下単結晶−多結晶フェライト界面とい
う）から多結晶フェライトの単結晶化が始まり、単結晶
−多結晶フェライト界面がランダムに動く。また多結晶
フェライトの粒成長が起る。これらは極力、抑制する必
要がある。
越える温度で接合すると単結晶フェライトと多結晶フェ
ライトの界面（以下単結晶−多結晶フェライト界面とい
う）から多結晶フェライトの単結晶化が始まり、単結晶
−多結晶フェライト界面がランダムに動く。また多結晶
フェライトの粒成長が起る。これらは極力、抑制する必
要がある。
しかし、従来の接合フェライトの製法では、次のような
問題点があった。
問題点があった。
（ｉ）接合温度が１２２０°Ｃ程度であるため接合強度
が上がらない。即ち接合温度を上げれば接合強度は良く
なるが、逆に多結晶フェライトの単結晶化１粒成長が生
じるため、従来の接合温度１２２０″Ｃは接合強度と単
結晶化等との兼ね合いのぎりぎり限界の温度である。
が上がらない。即ち接合温度を上げれば接合強度は良く
なるが、逆に多結晶フェライトの単結晶化１粒成長が生
じるため、従来の接合温度１２２０″Ｃは接合強度と単
結晶化等との兼ね合いのぎりぎり限界の温度である。
（１１）ホットプレスによって作製されるため、生産性
が悪く、コスト高となる。
が悪く、コスト高となる。
（ｉｉｉ ）接合温度１２２０°Ｃで多結晶フェライト
の単結晶化は約１０μｍ程度であるが、将来的には更に
制御する必要がある。
の単結晶化は約１０μｍ程度であるが、将来的には更に
制御する必要がある。
一方、多結晶フェライトの単結晶化及び粒成長を抑制す
る方法として、単結晶フェライトと多結晶フェライトが
互に接合する面の少（とも一方の面に鉄の酸化物等を薄
くスパッターしてお（方法も考えられているが、この場
合には小孔１点はがれ（界面において一様に接合されず
、点状のはがれが生ずる）が生じること、生産性が悪く
なりコスト高になること等の問題がある。
る方法として、単結晶フェライトと多結晶フェライトが
互に接合する面の少（とも一方の面に鉄の酸化物等を薄
くスパッターしてお（方法も考えられているが、この場
合には小孔１点はがれ（界面において一様に接合されず
、点状のはがれが生ずる）が生じること、生産性が悪く
なりコスト高になること等の問題がある。
本発明は、上述の点に鑑み、多結晶フェライトの単結晶
化及び粒成長を抑制し、より高温での接合を可能にし、
品質の良い接合フェライトを安価に得られるようにした
接合フェライトの製造方法を提供するものである。
化及び粒成長を抑制し、より高温での接合を可能にし、
品質の良い接合フェライトを安価に得られるようにした
接合フェライトの製造方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、単結晶フェライト（１）と多結晶フェライト
（２）からなる接合フェライトの製造方法において、多
結晶フェライト（２）の単結晶フェライト（１）に接し
ていない部分にに、 Ｒｂ、 Ｃｓから選ばれる少なく
とも１種（即ち１種又は複数種）の炭酸化合物の懸濁液
（３）を塗布した状態で加熱圧着して接合フェライトを
製造する。
（２）からなる接合フェライトの製造方法において、多
結晶フェライト（２）の単結晶フェライト（１）に接し
ていない部分にに、 Ｒｂ、 Ｃｓから選ばれる少なく
とも１種（即ち１種又は複数種）の炭酸化合物の懸濁液
（３）を塗布した状態で加熱圧着して接合フェライトを
製造する。
接合時の熱処理温度としては１２２０″Ｃ〜１３３０°
Ｃ１好ましくは１２５０°Ｃ〜１３００°Ｃとするを可
とし、その加圧力としては０．１〜１０ｋｇ／ｃＪとす
るを可とする。
Ｃ１好ましくは１２５０°Ｃ〜１３００°Ｃとするを可
とし、その加圧力としては０．１〜１０ｋｇ／ｃＪとす
るを可とする。
Ｋ、 Ｒｂ、 Ｃｓの炭酸化合物としては、Ｋ２ＣＯ３
，ＲｔｌｚＣ０３゜Ｃ５ｚＣＯ３の炭酸塩、 ＫＨＣＯ
３，ＲｂＨＣＯ：＋、 Ｃｓ１ｌＣ（ｈの炭酸水素塩等
を用いることができる。
，ＲｔｌｚＣ０３゜Ｃ５ｚＣＯ３の炭酸塩、 ＫＨＣＯ
３，ＲｂＨＣＯ：＋、 Ｃｓ１ｌＣ（ｈの炭酸水素塩等
を用いることができる。
（作用）
多結晶フェライト（２）にに、 Ｒｂ、 Ｃｓから選ば
れた少なくとも１種の炭酸化合物の懸濁液（３）を塗布
することにより、接合時（即ち熱処理時）にに、 ｌ？
ｂ。
れた少なくとも１種の炭酸化合物の懸濁液（３）を塗布
することにより、接合時（即ち熱処理時）にに、 ｌ？
ｂ。
Ｃｓ等が界面を含んで拡散し、多結晶フェライト（２）
の単結晶化及び粒成長が抑制される。
の単結晶化及び粒成長が抑制される。
多結晶フェライト（２）の単結晶化が少ないため、単結
晶−多結晶フェライト界面の動きが少ない。
晶−多結晶フェライト界面の動きが少ない。
即ち接合温度１３３０″Ｃ以下では多結晶フェライト（
２）の単結晶化はなく単結晶−多結晶フェライト界面は
全く動かない。１３３０°Ｃを越えると多結晶フェライ
ト（２）の単結晶化によって単結晶−多結晶フェライト
界面は動く。
２）の単結晶化はなく単結晶−多結晶フェライト界面は
全く動かない。１３３０°Ｃを越えると多結晶フェライ
ト（２）の単結晶化によって単結晶−多結晶フェライト
界面は動く。
上記抑制効果は従来よりも高い接合温度１２２０°Ｃ〜
１３３０°Ｃにおいても顕著であるため接合強度も上が
る。
１３３０°Ｃにおいても顕著であるため接合強度も上が
る。
又、特に０．１〜１ｋｇ／ｃ＋ｆｌ程度の低加圧で接合
が可能なためにホットプレスでなくても通常の雰囲気炉
での接合フェライトの製造が可能となり、生産性が向上
し、コスト低減が図れる。勿論本発明はホットプレスで
も接合フェライトの製造が可能である。
が可能なためにホットプレスでなくても通常の雰囲気炉
での接合フェライトの製造が可能となり、生産性が向上
し、コスト低減が図れる。勿論本発明はホットプレスで
も接合フェライトの製造が可能である。
以下、本発明による接合フェライトの製造方法の実施例
を説明する。
を説明する。
実施例１
第１図に示すように鏡面研磨したＭｎ−Ｚｎフェライト
による単結晶フェライト（１）と多結晶フェライト（２
）とを、その界面に水（＋１２０）又は硝酸（ＨＮＯり
を介して仮接着した後、単結晶フェライト（１）に接し
ていない多結晶フェライト（２）の部分、例えば多結晶
フェライト（２）の一方の相対向する端面にＫｚＣＯ３
をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を塗布する。塗布後
の本試料（４）に対して、０．１ ｋｇ ／ ｃｉ 〜
ｌ 、 Ｏｋｇ ／ ＣＵＴの圧力を加えつつ、Ｎ２雰
囲気中で１３００″Ｃ，２時間の熱処理を行い、接合フ
ェライトを作製した。尚比較のため単結晶フェライト（
１）及び多結晶フェライト（２）の界面に水（）１２０
）を塗布して仮接着しただけの比較試料（５）を−緒に
熱処理をした。
による単結晶フェライト（１）と多結晶フェライト（２
）とを、その界面に水（＋１２０）又は硝酸（ＨＮＯり
を介して仮接着した後、単結晶フェライト（１）に接し
ていない多結晶フェライト（２）の部分、例えば多結晶
フェライト（２）の一方の相対向する端面にＫｚＣＯ３
をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を塗布する。塗布後
の本試料（４）に対して、０．１ ｋｇ ／ ｃｉ 〜
ｌ 、 Ｏｋｇ ／ ＣＵＴの圧力を加えつつ、Ｎ２雰
囲気中で１３００″Ｃ，２時間の熱処理を行い、接合フ
ェライトを作製した。尚比較のため単結晶フェライト（
１）及び多結晶フェライト（２）の界面に水（）１２０
）を塗布して仮接着しただけの比較試料（５）を−緒に
熱処理をした。
接合装置としては、第２図に示すように構成され、アル
ミナ（Ａ Ｉ！、ｚ（ｈ）の型（７）に夫々本試料（４
）及び比較試料（５）を配置し、白金（Ｐｔ）（加圧力
１ｋｇ／ｃ＋ｆｌ）又はアルミナ（加圧力０．１ｋｇ／
ｃ＋ｆｌ）の重しく８）を載せて両試料（４）及び（５
）に対して０．１〜１ ｋｇ ／ ｃ＋ｆｉの圧力をか
けつつ熱処理を行なった。
ミナ（Ａ Ｉ！、ｚ（ｈ）の型（７）に夫々本試料（４
）及び比較試料（５）を配置し、白金（Ｐｔ）（加圧力
１ｋｇ／ｃ＋ｆｌ）又はアルミナ（加圧力０．１ｋｇ／
ｃ＋ｆｌ）の重しく８）を載せて両試料（４）及び（５
）に対して０．１〜１ ｋｇ ／ ｃ＋ｆｉの圧力をか
けつつ熱処理を行なった。
多結晶フェライト（２）の端面にＫｚＣＯｘのアルコー
ル懸濁液（３）を塗布した本試料（４）の熱処理後の接
合状態を第３図の写真に示す。又、比較試料（５）の接
合状態を第６図の写真に示す。
ル懸濁液（３）を塗布した本試料（４）の熱処理後の接
合状態を第３図の写真に示す。又、比較試料（５）の接
合状態を第６図の写真に示す。
比較試料（５）では単結晶−多結晶フェライトの界面か
ら多結晶フェライトの単結晶化が進み、また多結晶フェ
ライト部分は異常粒成長（〜５００μｍ程度の粒径）し
ているのが認められる。多結晶フェライト（２）の端面
にＫｚＣＯｚのアルコール懸濁液（３）を塗布した本試
料（４）では、多結晶フェライト（２）の単結晶化及び
異常粒成長はなく、多結晶フェライト（２）の粒径は５
〜１０μｍ程度であり、きれいに接合している。接合フ
ェライトにおけるに、ＣＯ３のアルコール懸濁液塗布の
単結晶化防止効果及び粒成長抑制効果は顕著である。
ら多結晶フェライトの単結晶化が進み、また多結晶フェ
ライト部分は異常粒成長（〜５００μｍ程度の粒径）し
ているのが認められる。多結晶フェライト（２）の端面
にＫｚＣＯｚのアルコール懸濁液（３）を塗布した本試
料（４）では、多結晶フェライト（２）の単結晶化及び
異常粒成長はなく、多結晶フェライト（２）の粒径は５
〜１０μｍ程度であり、きれいに接合している。接合フ
ェライトにおけるに、ＣＯ３のアルコール懸濁液塗布の
単結晶化防止効果及び粒成長抑制効果は顕著である。
実施例２
鏡面研磨したＭｎ−Ｚｎフェライトの単結晶フェライト
（１）と多結晶フェライト（２）の界面を水（Ｈ２Ｏ）
又は硝酸（ＨＮＯりで仮接着した後、単結晶フェライト
（１）に接していない多結晶フェライト（２）の端面に
ＲｂｚＣＯ’＋をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を塗
布した（第１図参照）。塗布後の本試料（４）に対して
０．１〜１．０ｋｇ ／ ｃ＋＋！の圧力を加えつつ、
Ｎ２雰囲気中で１３００″Ｃ，２時間の熱処理を行い接
合フェライトを作製した。
（１）と多結晶フェライト（２）の界面を水（Ｈ２Ｏ）
又は硝酸（ＨＮＯりで仮接着した後、単結晶フェライト
（１）に接していない多結晶フェライト（２）の端面に
ＲｂｚＣＯ’＋をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を塗
布した（第１図参照）。塗布後の本試料（４）に対して
０．１〜１．０ｋｇ ／ ｃ＋＋！の圧力を加えつつ、
Ｎ２雰囲気中で１３００″Ｃ，２時間の熱処理を行い接
合フェライトを作製した。
尚、比較のため実施例１と同様に単結晶−多結晶フェラ
イトの界面に水（ＨｚＯ）を塗布して仮接着しただけの
比較試料（５）を−緒に熱処理した。接合装置は第２図
と同様である。
イトの界面に水（ＨｚＯ）を塗布して仮接着しただけの
比較試料（５）を−緒に熱処理した。接合装置は第２図
と同様である。
多結晶フェライト（２）の端面にＲｂｚＣＯ：＋のアル
コール懸濁液を塗布した本試料（４）の熱処理後の接合
状態を第４図の写真に示す。
コール懸濁液を塗布した本試料（４）の熱処理後の接合
状態を第４図の写真に示す。
比較試料（５）は、実施例Ｉと同様に単結晶−多結晶フ
ェライトの界面から多結晶フェライトの単結晶化が進み
、また多結晶フェライト部分は異常粒成長がみられる（
第６図の写真参照）。
ェライトの界面から多結晶フェライトの単結晶化が進み
、また多結晶フェライト部分は異常粒成長がみられる（
第６図の写真参照）。
多結晶フェライト（２）の端面にＲｂｚＣＯ３のアルコ
ール懸濁液（３）を塗布した本試料（４）では多結晶フ
ェライトの単結晶化及び異常粒成長はなく、多結晶フェ
ライト（２）の粒径は５〜１０μｍ程度であり、きれい
に接合している。接合フェライトにおけるＩ？ｂｚＣＯ
３のアルコール懸濁液塗布の単結晶化防止効果及び粒成
長抑制効果は顕著である。
ール懸濁液（３）を塗布した本試料（４）では多結晶フ
ェライトの単結晶化及び異常粒成長はなく、多結晶フェ
ライト（２）の粒径は５〜１０μｍ程度であり、きれい
に接合している。接合フェライトにおけるＩ？ｂｚＣＯ
３のアルコール懸濁液塗布の単結晶化防止効果及び粒成
長抑制効果は顕著である。
実施例３
鏡面研磨したＭｎ−Ｚｎフェライトの単結晶フェライト
（１）と多結晶フェライト（２）の界面を水（＋（２０
）又は硝酸（ＨＮＯ３）で仮接着した後、単結晶フェラ
イト（１）に接していない多結晶フェライト（２）の端
面にＣ５ｚＣＯ３をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を
塗布した（第１図参照）。塗布後の本試料（４）に対し
て、０．１−１．０ｋｇ／ｃｄの圧力を加えつつ、Ｎ２
雰囲気中でｌ３００°Ｃ，２時間の熱処理を行ない接合
フェライトを作製した。尚、比較のため実施例１と同様
に単結晶−多結晶フェライトの界面に水（）１２０）を
塗布して仮接着しただけの比較試料（５）を−緒に熱処
理した。接合装置は第２１；と同様である。
（１）と多結晶フェライト（２）の界面を水（＋（２０
）又は硝酸（ＨＮＯ３）で仮接着した後、単結晶フェラ
イト（１）に接していない多結晶フェライト（２）の端
面にＣ５ｚＣＯ３をアルコールで混ぜた懸濁液（３）を
塗布した（第１図参照）。塗布後の本試料（４）に対し
て、０．１−１．０ｋｇ／ｃｄの圧力を加えつつ、Ｎ２
雰囲気中でｌ３００°Ｃ，２時間の熱処理を行ない接合
フェライトを作製した。尚、比較のため実施例１と同様
に単結晶−多結晶フェライトの界面に水（）１２０）を
塗布して仮接着しただけの比較試料（５）を−緒に熱処
理した。接合装置は第２１；と同様である。
多結晶フェライト（２）の端面にＣ５ｚＣ（ｈのアルコ
ール懸濁液を塗布した本試料（４）の熱処理後の接合状
態を第５図の写真に示す。
ール懸濁液を塗布した本試料（４）の熱処理後の接合状
態を第５図の写真に示す。
比較試料（５）は、実施例１と同様に単結晶−多結晶フ
ェライトの界面に多結晶フェライトの単結晶化が進み、
また多結晶フェライト部分は異常粒成長がみられる（第
６図の写真参照）。
ェライトの界面に多結晶フェライトの単結晶化が進み、
また多結晶フェライト部分は異常粒成長がみられる（第
６図の写真参照）。
多結晶フェライト（２）の端面にＣ３ＺＣＯ：ｌのアル
コール懸濁液（３）を塗布した本試料（４）では、多結
晶フェライトの単結晶化及び異常粒成長はなく、多結晶
フェライト（２）の粒径は５〜１０μｍ程度であり、き
れいに接合している。接合フェライトにおけるＣ５２Ｃ
Ｏ１のアルコール懸濁液塗布の単結晶化防止効果及び粒
成長抑制効果は顕著である。
コール懸濁液（３）を塗布した本試料（４）では、多結
晶フェライトの単結晶化及び異常粒成長はなく、多結晶
フェライト（２）の粒径は５〜１０μｍ程度であり、き
れいに接合している。接合フェライトにおけるＣ５２Ｃ
Ｏ１のアルコール懸濁液塗布の単結晶化防止効果及び粒
成長抑制効果は顕著である。
尚、上側では多結晶フェライト（２）の端面にに２ＣＯ
，。
，。
ＲｂＨＣＯ３＋ Ｃ５ｚＣＯ：＋等の懸濁液を塗布して
加熱圧着したが、その他ＫＨＣＯ３，ＲｂＨＣＯ３，Ｃ
５ＨＣＯ３等の懸濁液を塗布して加熱圧着してもよい。
加熱圧着したが、その他ＫＨＣＯ３，ＲｂＨＣＯ３，Ｃ
５ＨＣＯ３等の懸濁液を塗布して加熱圧着してもよい。
この場合にも、接合温度１３３０″Ｃまで多結晶フェラ
イトの単結晶化及び粒成長を抑制して良好な接合フェラ
イトを作製することができる。
イトの単結晶化及び粒成長を抑制して良好な接合フェラ
イトを作製することができる。
上述のに、 Ｒｈ、 Ｃｓ等の炭酸化合物の懸濁液を用
いる技術は接合フェライトの作製に限らず、所謂多結晶
フェライトの粒成長の制御にも適用できる。
いる技術は接合フェライトの作製に限らず、所謂多結晶
フェライトの粒成長の制御にも適用できる。
上述した本発明による接合フェライトの製法によれば、
次のような効果を有する。
次のような効果を有する。
ホットプレス等の特殊な炉を使用することなく、通常の
雰囲気炉での接合フェライトの製造が可能なために接合
フェライトの生産性が高くなりコスト低減ができる。
雰囲気炉での接合フェライトの製造が可能なために接合
フェライトの生産性が高くなりコスト低減ができる。
単結晶−多結晶フェライトの界面となる少なくとも一方
に鉄の酸化物等をスパッター等により薄い成膜を行う必
要がなく、この点でも生産性が高く、且つコスト低減が
可能になる。
に鉄の酸化物等をスパッター等により薄い成膜を行う必
要がなく、この点でも生産性が高く、且つコスト低減が
可能になる。
多結晶フェライトの粒成長及び単結晶化が抑制されるの
で、接合温度を従来温度より高く即ち１２２０°Ｃ〜１
３３０°Ｃまで上げられる。従って作業温度範囲が広く
なり、歩留りの向上、生産性の向上が図られ、且つ接合
強度も向上する。
で、接合温度を従来温度より高く即ち１２２０°Ｃ〜１
３３０°Ｃまで上げられる。従って作業温度範囲が広く
なり、歩留りの向上、生産性の向上が図られ、且つ接合
強度も向上する。
単結晶−多結晶フェライトの接合面はきれいで小孔等の
発生も少なく、点はがれの発生も少ない。
発生も少なく、点はがれの発生も少ない。
特に多結晶フェライトの単結晶化が少ないため、単結晶
−多結晶フェライト界面の動きが少なく、従って、その
後の接合フェライトによる複合型の磁気ヘッドの作製が
有利になる。
−多結晶フェライト界面の動きが少なく、従って、その
後の接合フェライトによる複合型の磁気ヘッドの作製が
有利になる。
第１図は本発明に係るフェライト試料の斜視図、第２図
は本発明に係る接合装置の断面図、第３図は実施例１
（Ｋ２ＣＯ２の懸濁液を塗布した）の熱処理後の接合フ
ェライトの接合状態（結晶の構造）を示す写真、第４図
は実施例２ （ＲｂＨＣＯ３の懸濁液を塗布した）の熱
処理後の接合フェライトの接合状態（結晶の構造）を示
す写真、第５図は実施例３ （Ｃ３２ＣＯ３の懸濁液を
塗布した）の熱処理後の接合フェライトの接合状態（結
晶の構造）を示す写真、第６図は比較例（Ｈ２Ｏによる
仮接着のみ）の熱処理後の接合フェライトの接合状態（
結晶の構造）を示す写真である。 （１）は単結晶フェライト、（２）は多結晶フェライト
、（３）はに、Ｃ０３（又はＲｂｚｃＯｉ又はＣ５ｚＣ
Ｏ３）の懸濁液である。 第１図
は本発明に係る接合装置の断面図、第３図は実施例１
（Ｋ２ＣＯ２の懸濁液を塗布した）の熱処理後の接合フ
ェライトの接合状態（結晶の構造）を示す写真、第４図
は実施例２ （ＲｂＨＣＯ３の懸濁液を塗布した）の熱
処理後の接合フェライトの接合状態（結晶の構造）を示
す写真、第５図は実施例３ （Ｃ３２ＣＯ３の懸濁液を
塗布した）の熱処理後の接合フェライトの接合状態（結
晶の構造）を示す写真、第６図は比較例（Ｈ２Ｏによる
仮接着のみ）の熱処理後の接合フェライトの接合状態（
結晶の構造）を示す写真である。 （１）は単結晶フェライト、（２）は多結晶フェライト
、（３）はに、Ｃ０３（又はＲｂｚｃＯｉ又はＣ５ｚＣ
Ｏ３）の懸濁液である。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶フェライトと多結晶フェライトからなる接合フ
ェライトの製造方法において、 前記多結晶フェライトの前記単結晶フェライトに接して
いない部分にＫ，Ｒｂ，Ｃｓから選ばれる少なくとも１
種の炭酸化合物の懸濁液を塗布した状態で加熱圧着する
ことを特徴とする接合フェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258291A JPH02107577A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 接合フェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258291A JPH02107577A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 接合フェライトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107577A true JPH02107577A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17318214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258291A Pending JPH02107577A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 接合フェライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150022057A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Piezoelectric device, method for manufacturing the same, and driven assembly with the same |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258291A patent/JPH02107577A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150022057A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Piezoelectric device, method for manufacturing the same, and driven assembly with the same |
| US9257630B2 (en) * | 2013-07-16 | 2016-02-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer piezoelectric device with polycrystalline and single crystal members and intermediate member provided between the polycrystalline member and the single crystal member |
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