JPH02106960A - Ｌｃｄ駆動回路内蔵半導体装置 - Google Patents
Ｌｃｄ駆動回路内蔵半導体装置Info
- Publication number
- JPH02106960A JPH02106960A JP26188488A JP26188488A JPH02106960A JP H02106960 A JPH02106960 A JP H02106960A JP 26188488 A JP26188488 A JP 26188488A JP 26188488 A JP26188488 A JP 26188488A JP H02106960 A JPH02106960 A JP H02106960A
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- JP
- Japan
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- built
- semiconductor device
- lcd drive
- drive circuit
- transistor
- Prior art date
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- Pending
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この自明はＬＣＤ駆動用端子のサージ保護回路を内蔵し
次半導体装置に関するものである。
次半導体装置に関するものである。
第３図は従来のＬＣＤｇＩｌ１１１回路内賦の半導体装
置のＪｆ４成構成図で、図において、（１）は第１のエ
ンハンスメント型ＭＯＳトランジスタ、（２］は第２の
エンへンスメント型ＭＯ８トランジスタ、（３）ｔｉ抵
抗、（４）は出力端子である。
置のＪｆ４成構成図で、図において、（１）は第１のエ
ンハンスメント型ＭＯＳトランジスタ、（２］は第２の
エンへンスメント型ＭＯ８トランジスタ、（３）ｔｉ抵
抗、（４）は出力端子である。
従来のＬＣＤ駆動用端子のサージ保護は抵抗（３）で行
っていたため、サージ耐ｔは抵抗（３）の酸断する電圧
で規定式れており、例えば２００ｐＰのコンデンサにチ
ャージした電圧をＯＲのインピーダンスで端子に印加す
る試験方法では３００Ｖ程度の耐滑しかなかった〇 この自明はサージ耐量をさらに上げることを目的として
いる。
っていたため、サージ耐ｔは抵抗（３）の酸断する電圧
で規定式れており、例えば２００ｐＰのコンデンサにチ
ャージした電圧をＯＲのインピーダンスで端子に印加す
る試験方法では３００Ｖ程度の耐滑しかなかった〇 この自明はサージ耐量をさらに上げることを目的として
いる。
半導体素子を人が取り扱うときに手の触れ易い４隅の端
子について従来の回路に加えて、ドレインを端子に、ゲ
ートおよびソースを電源に接続したエンハンスメント型
ＭＯＳトランジスタを内蔵し九〇 〔作用〕 この自明におけるＬＣＤ駆動回路内蔵半導体装置は上述
のような構成にしたので、問題となるサージを吸収する
。
子について従来の回路に加えて、ドレインを端子に、ゲ
ートおよびソースを電源に接続したエンハンスメント型
ＭＯＳトランジスタを内蔵し九〇 〔作用〕 この自明におけるＬＣＤ駆動回路内蔵半導体装置は上述
のような構成にしたので、問題となるサージを吸収する
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は第１のエンハンスメン）ＱＭＯＳ
トランジスタ、（２）ハ第２＋７）エンハンスメント型
ＭＯＳトランジスタ、（３）は抵抗、（４）は出、り端
子、（５）は第３のエンハンスメン）ＱＭＯＳトランジ
スタである。また、１１ｇ２図はｗｃ１図の構造をもつ
端子の割υ付は位置を示す端子配置図で、図において、
（６）は第１図の構造をもつ端子でろる０次に動作につ
いて説明する。
図において、（１）は第１のエンハンスメン）ＱＭＯＳ
トランジスタ、（２）ハ第２＋７）エンハンスメント型
ＭＯＳトランジスタ、（３）は抵抗、（４）は出、り端
子、（５）は第３のエンハンスメン）ＱＭＯＳトランジ
スタである。また、１１ｇ２図はｗｃ１図の構造をもつ
端子の割υ付は位置を示す端子配置図で、図において、
（６）は第１図の構造をもつ端子でろる０次に動作につ
いて説明する。
＠１図においてサージが印加されると、第３のエン・・
／スメントＩＭＭＯＳトランジスタ（５）のトランジス
タａ力作またはブレークダクンによって、第３のエンハ
ンスメント型トランジスタ（５）のドレイ／からソース
またはソースからドレインに電流が流れてサージが吸収
される。第３のエンハンスメントｇｎｏｓトランジスタ
（５）のトランジスタ！ＩＪｆ’Ｄｉたはグレークダク
ンする電圧は抵抗（３ンが溶断する電圧よシ低いため、
第３のエンハンスメント型ＭＯ３トランジスタ（５）の
サイズを適当に選ぶことによシ、例えは６００ｖ以上の
サージ耐ｔｆ：得ることができる。この第３のエンハン
スメント型ＭＯＳトランジスタ（５）は第１のエンハン
スメント型ＭＯＳトランジスタ（１）−？第２のエンハ
ンスメント型ＭＯＳトランジスタ（２）よシ大きなパタ
ーン面積を必要とするため、この構造を全部のＬＣＤＭ
ｊｌ、ｗＪ用端子に適用するのは不経済となる。
／スメントＩＭＭＯＳトランジスタ（５）のトランジス
タａ力作またはブレークダクンによって、第３のエンハ
ンスメント型トランジスタ（５）のドレイ／からソース
またはソースからドレインに電流が流れてサージが吸収
される。第３のエンハンスメントｇｎｏｓトランジスタ
（５）のトランジスタ！ＩＪｆ’Ｄｉたはグレークダク
ンする電圧は抵抗（３ンが溶断する電圧よシ低いため、
第３のエンハンスメント型ＭＯ３トランジスタ（５）の
サイズを適当に選ぶことによシ、例えは６００ｖ以上の
サージ耐ｔｆ：得ることができる。この第３のエンハン
スメント型ＭＯＳトランジスタ（５）は第１のエンハン
スメント型ＭＯＳトランジスタ（１）−？第２のエンハ
ンスメント型ＭＯＳトランジスタ（２）よシ大きなパタ
ーン面積を必要とするため、この構造を全部のＬＣＤＭ
ｊｌ、ｗＪ用端子に適用するのは不経済となる。
以上のようにこの発明によれば、人の手に触れ易いパッ
ケージの４隅の端子だけにこの構造を適用しているので
、経済的に実用上問題のない高いサージ耐量を得ること
が可能となる０
ケージの４隅の端子だけにこの構造を適用しているので
、経済的に実用上問題のない高いサージ耐量を得ること
が可能となる０
第１図はこの発明の一夾五例によるＬＣＤ駆動回路内蔵
半導体装置の構成回路図、第２図（ａ） （ｂ）は第１
図の構造をもつ１．ＣＤ駆動用端子のそれぞれ端子配置
図、第３図は従来のＬＣＤ駆動回路内蔵の半導体装置の
構成回路図である。 図において、（１）Ｆｉ纂１のエンハンスメン型ｆｆｉ
Ｍ０８トランジスタ、（２）は第２のエンハンスメント
型ＭＯ８）う／ジスタ、（３〕は抵抗、（４］は出力端
子、５）Ｖｉｉ３のエンハンスメント型ＭＯＳトランジ
スタ、（６）はこの発明の構造をもつ端子を示す。 々お、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
半導体装置の構成回路図、第２図（ａ） （ｂ）は第１
図の構造をもつ１．ＣＤ駆動用端子のそれぞれ端子配置
図、第３図は従来のＬＣＤ駆動回路内蔵の半導体装置の
構成回路図である。 図において、（１）Ｆｉ纂１のエンハンスメン型ｆｆｉ
Ｍ０８トランジスタ、（２）は第２のエンハンスメント
型ＭＯ８）う／ジスタ、（３〕は抵抗、（４］は出力端
子、５）Ｖｉｉ３のエンハンスメント型ＭＯＳトランジ
スタ、（６）はこの発明の構造をもつ端子を示す。 々お、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- ＬＣＤ駆動回路を内蔵し、デュアルインラインパッケー
ジまたはフラットパッケージに封入された半導体装置に
おいて、パッケージの４隅に割り付けられたＬＣＤ駆動
用端子のみ、端子にドレイン、電源にゲートとソースを
接続したエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタを内蔵
したことを特徴とするＬＣＤ駆動回路内蔵半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26188488A JPH02106960A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Ｌｃｄ駆動回路内蔵半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26188488A JPH02106960A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Ｌｃｄ駆動回路内蔵半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106960A true JPH02106960A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17368103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26188488A Pending JPH02106960A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Ｌｃｄ駆動回路内蔵半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040777A (ja) * | 2010-10-07 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2013084992A (ja) * | 2013-01-21 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26188488A patent/JPH02106960A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040777A (ja) * | 2010-10-07 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2013084992A (ja) * | 2013-01-21 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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