JPH02105560A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02105560A JPH02105560A JP25848288A JP25848288A JPH02105560A JP H02105560 A JPH02105560 A JP H02105560A JP 25848288 A JP25848288 A JP 25848288A JP 25848288 A JP25848288 A JP 25848288A JP H02105560 A JPH02105560 A JP H02105560A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に外部リードが。
ピン・グリッド・アレイ形に配置される半導体装置に関
する。
する。
従来、この種の外部リードがピン・グリッド・アレイ形
(以下、PGAタイプと称す)をした半導体装置は、セ
ラミックWI層パッケージ基体に円柱形の外部リードが
基体底部から突出するように格子状に植立して取り付け
られている。この半導体装置は、セラミック基体中央の
窪んだキャビティ部に半導体素子を搭載し、その半導体
素子はキャビティ部周辺に設置されているメタライズド
内部リードパターン部に配線導通されるとともに、セラ
ミック基体内部の内部メタライズドパターンおよびメタ
ライズドスルーホールを通してセラミック基体底部にろ
う付けされた金属製円柱の外部リードと電気的導通され
ている。
(以下、PGAタイプと称す)をした半導体装置は、セ
ラミックWI層パッケージ基体に円柱形の外部リードが
基体底部から突出するように格子状に植立して取り付け
られている。この半導体装置は、セラミック基体中央の
窪んだキャビティ部に半導体素子を搭載し、その半導体
素子はキャビティ部周辺に設置されているメタライズド
内部リードパターン部に配線導通されるとともに、セラ
ミック基体内部の内部メタライズドパターンおよびメタ
ライズドスルーホールを通してセラミック基体底部にろ
う付けされた金属製円柱の外部リードと電気的導通され
ている。
第5図(a)、(b)はそれぞれ従来の一例を説明する
ための半導体装置の裏面図およびそのD−D’線断面図
である。
ための半導体装置の裏面図およびそのD−D’線断面図
である。
第5図(a)、(b)に示すように、この従来例は半導
体素子4をキャビティに収容しボンディングワイヤ5を
メタライズド内部リードパターン(図示省略)に接続し
たセラミック基体1の上面に封止剤7でキャップ6を固
着する一方、底面からは100ミルピツチの同形状の外
部リード2が突出するようにアレー状に配置されている
。
体素子4をキャビティに収容しボンディングワイヤ5を
メタライズド内部リードパターン(図示省略)に接続し
たセラミック基体1の上面に封止剤7でキャップ6を固
着する一方、底面からは100ミルピツチの同形状の外
部リード2が突出するようにアレー状に配置されている
。
かかる半導体装置は、プリント基板等に実装される際、
外部リードを予めプリント板に用意されているスルーポ
ールに差し込んではんだ付は実装することになる。従っ
て、プリント板の厚さ分およびセラミック基体とプリン
ト板との一定の距離が必要なことから、外部リードビン
はある所定以上の長さおよび径が要求される。一般的に
は、3.5〜6 mm程度の長さであり、′iを径は0
,35〜0.5朋程度必要である。一方、プリント板に
は半導体装置の外部リードに対応したスルーホールがら
導出された配線パターンを有しており、PGAタイプの
装置の様に外部リードが格子状に配列されている場合は
先のスルーホール間に何本ものプリント配線パターンを
設けなくてはならない。
外部リードを予めプリント板に用意されているスルーポ
ールに差し込んではんだ付は実装することになる。従っ
て、プリント板の厚さ分およびセラミック基体とプリン
ト板との一定の距離が必要なことから、外部リードビン
はある所定以上の長さおよび径が要求される。一般的に
は、3.5〜6 mm程度の長さであり、′iを径は0
,35〜0.5朋程度必要である。一方、プリント板に
は半導体装置の外部リードに対応したスルーホールがら
導出された配線パターンを有しており、PGAタイプの
装置の様に外部リードが格子状に配列されている場合は
先のスルーホール間に何本ものプリント配線パターンを
設けなくてはならない。
かかるPGAタイプの半導体装置は主にゲートアレイ等
の半導体素子を搭載することがら、年々歳々多くのゲー
ト数を有するものが開発され、信号および電源ビンもそ
れに応じて増加してくる。
の半導体素子を搭載することがら、年々歳々多くのゲー
ト数を有するものが開発され、信号および電源ビンもそ
れに応じて増加してくる。
このようなビン数の増加は半導体装置の大きさの増大を
招き、実装密度の向上を抑制している。
招き、実装密度の向上を抑制している。
最近では外部リードピッチが半分の50ミルピツチが出
現している。これはもはや従来の様なプリント板に差し
込む方式では対応できず、最近の主流となっている表面
実装で使用される。すなわち、外部リードの径は100
ミルピツチの外部リード径0.35〜0.5 amに対
し0.15〜0.3 mm程度、また長さは3.5〜6
+uに対し1〜3II111程度になっている。
現している。これはもはや従来の様なプリント板に差し
込む方式では対応できず、最近の主流となっている表面
実装で使用される。すなわち、外部リードの径は100
ミルピツチの外部リード径0.35〜0.5 amに対
し0.15〜0.3 mm程度、また長さは3.5〜6
+uに対し1〜3II111程度になっている。
第6図(a)、(b)はそれぞれかかる従来の他の例を
説明するための半導体装置の裏面図およびそのE−E’
線断面図である。
説明するための半導体装置の裏面図およびそのE−E’
線断面図である。
第6図(a)、(b)に示すように、セラミック基体l
の底部から突出する外部リード3は細いリードで且つ長
さが等しくそろっており、これにより実装密度を向上さ
せている。尚、第5図(b)と同一の番号を付与した部
材は同様の機能をはなすため、その説明を省略する。
の底部から突出する外部リード3は細いリードで且つ長
さが等しくそろっており、これにより実装密度を向上さ
せている。尚、第5図(b)と同一の番号を付与した部
材は同様の機能をはなすため、その説明を省略する。
上述した半導体装置は外部リードが細く多くなって来て
いるため、半導体装置の製造工程(組立〜仕上げ〜選別
)においてリード曲がりを起こし易いという欠点がある
。才な、プリント板配線もプリント板の表面だけでは足
りず、スルーホールを用いた多層配線にしなくてはなら
ないという欠点がある。更に、プリント板への表面実装
時における取り付けが難しく、固定が不備であるときに
は半田不足による浮きずれによってショートを引き起こ
し易いという欠点がある。
いるため、半導体装置の製造工程(組立〜仕上げ〜選別
)においてリード曲がりを起こし易いという欠点がある
。才な、プリント板配線もプリント板の表面だけでは足
りず、スルーホールを用いた多層配線にしなくてはなら
ないという欠点がある。更に、プリント板への表面実装
時における取り付けが難しく、固定が不備であるときに
は半田不足による浮きずれによってショートを引き起こ
し易いという欠点がある。
本発明の目的は、かかるリード曲りの発生を防止し、最
小限のスルーホーによる配線を行うだけで且つ取り付け
が容易であり、外部リードの浮きずれによってショート
を起しやすい点を解消する半導体装置を提供することに
ある。
小限のスルーホーによる配線を行うだけで且つ取り付け
が容易であり、外部リードの浮きずれによってショート
を起しやすい点を解消する半導体装置を提供することに
ある。
本発明の半導体装置は、半導体素子をセラミック基体に
搭載しその接続のための外部リードをピン・グリッド・
アレイ形に配列される半導体装置において、長さおよび
径の少なくとも一方が異なる円柱状の第一および第二の
外部リードを前記セラミック基体の底部から突出するよ
うに規則性をもって格子状に混在配列して構成される。
搭載しその接続のための外部リードをピン・グリッド・
アレイ形に配列される半導体装置において、長さおよび
径の少なくとも一方が異なる円柱状の第一および第二の
外部リードを前記セラミック基体の底部から突出するよ
うに規則性をもって格子状に混在配列して構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのA−A
’線断面図である。
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのA−A
’線断面図である。
第1図(a)、(b)に示すように、本実施例は半導体
素子4を搭載しボンディングワイヤ5で接続するととも
に上面に封止剤7を用いてキャップ6を固着したセラミ
ック基体1の底部に、格子状に太くて長い第一の外部リ
ード2と細くて短い外部リード3とを一つおきに配列し
、ろう付は部8で封止している。すなわち、太さの大き
く長い外部リード2は100ミルピツチで配列され、そ
の間に50ミルピツチで太さの小さく短い外部リード3
を配置している。この状態は、第1図(b)に示すよう
に、第1図(a)図のA−A’線断面からも理解できる
。
素子4を搭載しボンディングワイヤ5で接続するととも
に上面に封止剤7を用いてキャップ6を固着したセラミ
ック基体1の底部に、格子状に太くて長い第一の外部リ
ード2と細くて短い外部リード3とを一つおきに配列し
、ろう付は部8で封止している。すなわち、太さの大き
く長い外部リード2は100ミルピツチで配列され、そ
の間に50ミルピツチで太さの小さく短い外部リード3
を配置している。この状態は、第1図(b)に示すよう
に、第1図(a)図のA−A’線断面からも理解できる
。
第2図は第1図(a)に示す半導体装置をプリント基板
に実装した状態の縦断面図である。
に実装した状態の縦断面図である。
第2図に示すように、太く長い外部リード2はリード長
が3.5mm、太さは0.4關であり、また細く短い外
部リード3はリード長が1.5m+a、太さは0.2
mmである。この太く長い外部リード2はプリント基板
10のスルーホール11を通してはんだ付けされ、また
細く短い外部リード3はプリント基板10の電極パッド
上にそれぞれはんだ実装される。
が3.5mm、太さは0.4關であり、また細く短い外
部リード3はリード長が1.5m+a、太さは0.2
mmである。この太く長い外部リード2はプリント基板
10のスルーホール11を通してはんだ付けされ、また
細く短い外部リード3はプリント基板10の電極パッド
上にそれぞれはんだ実装される。
すなわち、本実施例はセラミック基体1の底部に格子状
に配列される外部リード2および3の長さおよび太さを
2種類以上に設けることにより、プリント基板10等へ
の実装密度を向上させながら実装時のプリント基板10
と外部リード2および3取り付は制度を高め、また簡易
にはんだ実装することが可能となる。これは太く長い外
部り−ド2をプリント基板10のスルーホール11に差
し込むことにより、位置決めおよび固着を優先的に行う
ことができ、しかも細く短かい外部リード3は位置決め
された対応するプリント基板10の電極パッド(図示省
略)に表面実装されるためである。従って、細く短い外
部リード3を溶融したはんだで取り付ける方法において
も、あるいはリフローする場合においても位置ずれを起
こすことなく、精度よく取り付けを行うことが可能にな
る。
に配列される外部リード2および3の長さおよび太さを
2種類以上に設けることにより、プリント基板10等へ
の実装密度を向上させながら実装時のプリント基板10
と外部リード2および3取り付は制度を高め、また簡易
にはんだ実装することが可能となる。これは太く長い外
部り−ド2をプリント基板10のスルーホール11に差
し込むことにより、位置決めおよび固着を優先的に行う
ことができ、しかも細く短かい外部リード3は位置決め
された対応するプリント基板10の電極パッド(図示省
略)に表面実装されるためである。従って、細く短い外
部リード3を溶融したはんだで取り付ける方法において
も、あるいはリフローする場合においても位置ずれを起
こすことなく、精度よく取り付けを行うことが可能にな
る。
また、太く長い外部リード2は細く短い外部リード3に
対する外部からの衝撃から保護する働きを有する。
対する外部からの衝撃から保護する働きを有する。
また、プリント基板10の裏面に貫通した太く長い外部
リード2はプリント基板10の裏面の配線パターンを有
効に活用することができ、従来の50ミルピツチのPG
Aの表面実装のみに比べ、プリント板の多層配線の程度
を少くすることができ、プリント基板10のコストダウ
ンに効果をもたらす。
リード2はプリント基板10の裏面の配線パターンを有
効に活用することができ、従来の50ミルピツチのPG
Aの表面実装のみに比べ、プリント板の多層配線の程度
を少くすることができ、プリント基板10のコストダウ
ンに効果をもたらす。
更には、実装後の固着強度を2倍以上に向上させること
ができ、耐久性も改善させることができる。
ができ、耐久性も改善させることができる。
第3図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二の実施例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのB−B
’線断面図である。
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのB−B
’線断面図である。
第3図(a)、(b)に示すように、本実施例はセラミ
ック基体1の底部に細く短い外部リード3を50ミルピ
ツチで配列し、その外周部に太く長い外部リード2を1
00ミルピツチで配列した例である。すなわち、本実施
例では外周部に太く長い外部リード2を配置したことに
より、細く短い外部リード3を外部の衝撃から保護する
働きが強く、しかも50ミルピツチに並べられた細く短
い外部リード3をセラミック基体1の裏面に数多く配置
することができる。従って、本実施例は高密度多ビン封
止を計ることができる。
ック基体1の底部に細く短い外部リード3を50ミルピ
ツチで配列し、その外周部に太く長い外部リード2を1
00ミルピツチで配列した例である。すなわち、本実施
例では外周部に太く長い外部リード2を配置したことに
より、細く短い外部リード3を外部の衝撃から保護する
働きが強く、しかも50ミルピツチに並べられた細く短
い外部リード3をセラミック基体1の裏面に数多く配置
することができる。従って、本実施例は高密度多ビン封
止を計ることができる。
尚、基体1の内部に設ける半導体素子4.ボンディング
ワイヤ5.封止剤7によって封止されるキャップ6およ
び基体1の底部に形成されるろう付は部8については前
述した第一の実施例と同様である。
ワイヤ5.封止剤7によって封止されるキャップ6およ
び基体1の底部に形成されるろう付は部8については前
述した第一の実施例と同様である。
第4図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第三の実施例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのc−c
’線断面図である。
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのc−c
’線断面図である。
第4図(a)、(b)に示すように、本実施例は太い外
部リード2をセラミック基板1の底部の四隅に配列した
ときの例である。この場合、太い外部リード2は細い外
部リード3と同じ長さを有しており、これはあくまでも
表面実装を前提としたときに有効である。この四隅に設
けた太い外部リード2は細い内部の外部リード3を外部
の衝撃から保護する働きを備えている。尚、この太い外
部リード2は電気的な端子として機能しなくても良い。
部リード2をセラミック基板1の底部の四隅に配列した
ときの例である。この場合、太い外部リード2は細い外
部リード3と同じ長さを有しており、これはあくまでも
表面実装を前提としたときに有効である。この四隅に設
けた太い外部リード2は細い内部の外部リード3を外部
の衝撃から保護する働きを備えている。尚、この太い外
部リード2は電気的な端子として機能しなくても良い。
以上説明したように、本発明の半導体装置は長さおよび
径の少なくとも一方が異なる円柱状の二種類の外部リー
ドを設は且つこれらを基本底部から突出するように規則
性(一つおき1周囲、四隅等)をもって格子状に混在配
列させることによリ、プリント板実装時の外部リード取
り付は精度を向上させ且つ簡単にはんだ実装することが
できるという効果がある。また、本発明は太い外部リー
ドを設けるので、外部からの衝撃に対し細い外部リード
を保護するという効果がある。更には、本発明はプリン
ト基板の裏面に貫通する太く長い外部リードがプリント
基板裏面の配線パターンを有効に活用するので、プリン
ト板の多層配線の程度を少くし且つ安価に製造できると
いう効果、および実装後の固着強度も二倍以上に向上さ
せ、また耐久性も改善できるという効果がある。
径の少なくとも一方が異なる円柱状の二種類の外部リー
ドを設は且つこれらを基本底部から突出するように規則
性(一つおき1周囲、四隅等)をもって格子状に混在配
列させることによリ、プリント板実装時の外部リード取
り付は精度を向上させ且つ簡単にはんだ実装することが
できるという効果がある。また、本発明は太い外部リー
ドを設けるので、外部からの衝撃に対し細い外部リード
を保護するという効果がある。更には、本発明はプリン
ト基板の裏面に貫通する太く長い外部リードがプリント
基板裏面の配線パターンを有効に活用するので、プリン
ト板の多層配線の程度を少くし且つ安価に製造できると
いう効果、および実装後の固着強度も二倍以上に向上さ
せ、また耐久性も改善できるという効果がある。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのA−A
’線断面図、第2図は第1図(a)に示す半導体装置を
プリント板に実装した状態の断面図、第3図(a)、(
b)はそれぞれ本発明の第二の実施例を説明するための
半導体装置の裏面図およびそのB−B’線断面図、第4
図(a>、(b)はそれぞれ本発明の第三の実施例を説
明するための半導体装置の裏面図およびそのc−c’線
断面図、第5図(a、)、(b)はそれぞれ従来の一例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのD−D
’線断面図、第6図(a)、(b)はそれぞれ従来の他
の例を説明するための半導体装置の裏面図およびそのE
−E’線断面図である。 1・・・セラミック基体、2・−・太い外部リード、3
・・・細い外部リード、4・・・半導体素子、5・・・
ボンディングワイヤ、6・・・キャップ、7・・・封止
剤、8・・・リードろう付部。 (a) 第2 辺 茅l 図 (a) 第 図 (a) 箒 凹 (a) 茅4 肥 (aり 箒 乙 回
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのA−A
’線断面図、第2図は第1図(a)に示す半導体装置を
プリント板に実装した状態の断面図、第3図(a)、(
b)はそれぞれ本発明の第二の実施例を説明するための
半導体装置の裏面図およびそのB−B’線断面図、第4
図(a>、(b)はそれぞれ本発明の第三の実施例を説
明するための半導体装置の裏面図およびそのc−c’線
断面図、第5図(a、)、(b)はそれぞれ従来の一例
を説明するための半導体装置の裏面図およびそのD−D
’線断面図、第6図(a)、(b)はそれぞれ従来の他
の例を説明するための半導体装置の裏面図およびそのE
−E’線断面図である。 1・・・セラミック基体、2・−・太い外部リード、3
・・・細い外部リード、4・・・半導体素子、5・・・
ボンディングワイヤ、6・・・キャップ、7・・・封止
剤、8・・・リードろう付部。 (a) 第2 辺 茅l 図 (a) 第 図 (a) 箒 凹 (a) 茅4 肥 (aり 箒 乙 回
Claims (1)
- 半導体素子をセラミック基体に搭載しその接続のための
外部リードをピン・グリッド・アレイ形に配列される半
導体装置において、長さおよび径の少なくとも一方が異
なる円柱状の第一および第二の外部リードを前記セラミ
ック基体の底部から突出するように規則性をもって格子
状に混在配列したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25848288A JPH02105560A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25848288A JPH02105560A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105560A true JPH02105560A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17320824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25848288A Pending JPH02105560A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105560A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5907187A (en) * | 1994-07-18 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and electronic component connecting structure |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25848288A patent/JPH02105560A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5907187A (en) * | 1994-07-18 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and electronic component connecting structure |
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