JPH02105489A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02105489A JPH02105489A JP25872988A JP25872988A JPH02105489A JP H02105489 A JPH02105489 A JP H02105489A JP 25872988 A JP25872988 A JP 25872988A JP 25872988 A JP25872988 A JP 25872988A JP H02105489 A JPH02105489 A JP H02105489A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの製造方法に関し、特に高効率で
動作する１ｎＧａＡｓ Ｐ／ Ｉｎ Ｐ系の半導体レー
ザの製造方法に関する。
動作する１ｎＧａＡｓ Ｐ／ Ｉｎ Ｐ系の半導体レー
ザの製造方法に関する。
近年光フアイバ通信は光源である半導体レーザの高性能
化と伝送媒体である光ファイバの低損失化の進展により
急速にその実用化が進んだ。特に、石英系光ファイバの
最低損失波長帯である１、５５μｍ帯で発振する！ｏＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ系の分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ
ＬＤ）の開発は、光フアイバ通信の長距離大容量化
の進展に拍車をかけた。ＤＦＢ ＬＤとは、光を発す
る活性層の近傍に回折格子が埋め込まれており、この回
折格子の波長選択性を利用して単一軸モードで発振する
ことを特徴としている。この単一スペクトル特性は、長
距離大容量伝送時の光ファイバの分散による波形劣化を
軽減できる利点を有している。
化と伝送媒体である光ファイバの低損失化の進展により
急速にその実用化が進んだ。特に、石英系光ファイバの
最低損失波長帯である１、５５μｍ帯で発振する！ｏＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ系の分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ
ＬＤ）の開発は、光フアイバ通信の長距離大容量化
の進展に拍車をかけた。ＤＦＢ ＬＤとは、光を発す
る活性層の近傍に回折格子が埋め込まれており、この回
折格子の波長選択性を利用して単一軸モードで発振する
ことを特徴としている。この単一スペクトル特性は、長
距離大容量伝送時の光ファイバの分散による波形劣化を
軽減できる利点を有している。
ところで、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系ＤＦＢ ＬＤで
は、発振閾値電流を小さく抑えるために、素子内部にス
トライプ状活性層と、この活性層に効果的に電流注入を
行うための電流狭窄構造とを有した、謂ゆる埋め込みへ
テロ構造が一般に採用さてえいる。第４図（ａ）に埋め
込みへテロ構造ＤＦＢＬＤの一例として、発振波長１．
５５μｍ帯のダブルチャンネル・プレーナ・ベリラドへ
テロ構造（ＤＣ−ＰＢＨ構造）ＤＦＢ ＬＤの構造図
を示す （Ｍ、Ｋｉｔａｍｕｒａ Ｉｔａｌ、ＩＥＥ
Ｅ Ｊ、Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅａｋ、。
は、発振閾値電流を小さく抑えるために、素子内部にス
トライプ状活性層と、この活性層に効果的に電流注入を
行うための電流狭窄構造とを有した、謂ゆる埋め込みへ
テロ構造が一般に採用さてえいる。第４図（ａ）に埋め
込みへテロ構造ＤＦＢＬＤの一例として、発振波長１．
５５μｍ帯のダブルチャンネル・プレーナ・ベリラドへ
テロ構造（ＤＣ−ＰＢＨ構造）ＤＦＢ ＬＤの構造図
を示す （Ｍ、Ｋｉｔａｍｕｒａ Ｉｔａｌ、ＩＥＥ
Ｅ Ｊ、Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅａｋ、。
ｖｏｌ、ＬＴ−２，ＰＰｊ６３−３６９．１９８４）
、回折格子１２が形成されたｎ −１ｎＰ基板１．その
上に形成された波長組成１．１５μｍのｎ −ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層２．波長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３．波長組成１．３μｍのｐ −１１ＧａＡ
ｓＰアンチメルトバック層４．ｐ−ｒｎＰクラッド層５
からなる多層構造半導体に、活性層３よりも深い２本の
溝１３と、それによって挟まれたメサストライプ１４が
形成されており、このメサストライプ１４の上部を除い
て、ｐ−ＩｎＰブロック層（電流狭窄層）６とｎ−１ｎ
ＰブロックＭ７が、更に全面にｐ −ＩｎＰ埋め込み層
８ 、 ｐ ” −１ｎＧａＡｓＰキャップ層９が積層
された構造を成している。各半導体層は、過飽度３〜７
°Ｃの過飽和溶液を用いたツーフェーズ液相エピタキシ
ャル成長法ＣＬＰＥ法〉により結晶成長される。アンチ
メルトバック層４の役目は、ＬＰＥ法により波長組成１
．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３の上に直接ＩｎＰ
クラッド層５を成長すると、活性層３がメルトバックし
てしまい、注入キャリアの非発光再結合過程が増大する
ため、これを防止することである。キャップ層９の上及
び基板１の下には、それぞれ電流注入のための電極１０
．１１が形成されている。このＤＦＢ ＬＤは波長１
．５５μｍ帯に限らず、波長１．３μｍ帯においても約
１５ｍＡ程度の低閾値で発振する。
、回折格子１２が形成されたｎ −１ｎＰ基板１．その
上に形成された波長組成１．１５μｍのｎ −ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層２．波長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３．波長組成１．３μｍのｐ −１１ＧａＡ
ｓＰアンチメルトバック層４．ｐ−ｒｎＰクラッド層５
からなる多層構造半導体に、活性層３よりも深い２本の
溝１３と、それによって挟まれたメサストライプ１４が
形成されており、このメサストライプ１４の上部を除い
て、ｐ−ＩｎＰブロック層（電流狭窄層）６とｎ−１ｎ
ＰブロックＭ７が、更に全面にｐ −ＩｎＰ埋め込み層
８ 、 ｐ ” −１ｎＧａＡｓＰキャップ層９が積層
された構造を成している。各半導体層は、過飽度３〜７
°Ｃの過飽和溶液を用いたツーフェーズ液相エピタキシ
ャル成長法ＣＬＰＥ法〉により結晶成長される。アンチ
メルトバック層４の役目は、ＬＰＥ法により波長組成１
．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３の上に直接ＩｎＰ
クラッド層５を成長すると、活性層３がメルトバックし
てしまい、注入キャリアの非発光再結合過程が増大する
ため、これを防止することである。キャップ層９の上及
び基板１の下には、それぞれ電流注入のための電極１０
．１１が形成されている。このＤＦＢ ＬＤは波長１
．５５μｍ帯に限らず、波長１．３μｍ帯においても約
１５ｍＡ程度の低閾値で発振する。
長距離光フアイバ通信においては、信号光を長距離に伝
送するために電流−光変換効率の高い半導体レーザが要
求される６例えば、波長１．５５帯で４００ Ｍ ｂ
／ ｓで１１００ｋの無中継伝送を実現しようとした場
合、光源には０．２ Ｗ／Ａ以上の電流−光変換効率が
要求される。ところが、上述のＤ Ｃ−Ｐ Ｂ Ｈ構造
ＤＦＢ ＬＤでは、波長１ｊμｍ帯の素子であれば変
換効率０．２７Ｗ／Ａの高効率動作が得られているが、
１．５５μｍ帯では平均で０．１５Ｗ／Ａと変換効率は
低いものであった。この波長の異なる同一構造のＤＦＢ
ＬＤのデバイスの基本定数を評価したところ、素子
内部の損失係数が、波長１．３μｍ帯の２０ｃｍ−’に
比べ、波長１．５５μｍ帯では４０ｃｍ−’と約２倍大
きいことが判明した。更に、１．５５μｍ帯にはおいて
は、メサストライプ１４内の活性層３の側面が、第４図
（ｂ＞に示す如く、ｐ −１ｎＰブロック層６をＬＰＥ
成長する際のメルトバックにより凹凸形状をなしており
、これが散乱損失の原因となって損失係数を大きくして
いることが判った。即ち、波長１．５５μｍ帯の埋め込
みへテロ構造ＤＦＢ ＬＤでは、メサストライプ１４
をＩｎＰからなる半導体でＬＰＥ埋め込み成長する際の
活性層３側面のメルトバックが散乱損失の原因となり、
電流−光変換効率が低いという問題があった。
送するために電流−光変換効率の高い半導体レーザが要
求される６例えば、波長１．５５帯で４００ Ｍ ｂ
／ ｓで１１００ｋの無中継伝送を実現しようとした場
合、光源には０．２ Ｗ／Ａ以上の電流−光変換効率が
要求される。ところが、上述のＤ Ｃ−Ｐ Ｂ Ｈ構造
ＤＦＢ ＬＤでは、波長１ｊμｍ帯の素子であれば変
換効率０．２７Ｗ／Ａの高効率動作が得られているが、
１．５５μｍ帯では平均で０．１５Ｗ／Ａと変換効率は
低いものであった。この波長の異なる同一構造のＤＦＢ
ＬＤのデバイスの基本定数を評価したところ、素子
内部の損失係数が、波長１．３μｍ帯の２０ｃｍ−’に
比べ、波長１．５５μｍ帯では４０ｃｍ−’と約２倍大
きいことが判明した。更に、１．５５μｍ帯にはおいて
は、メサストライプ１４内の活性層３の側面が、第４図
（ｂ＞に示す如く、ｐ −１ｎＰブロック層６をＬＰＥ
成長する際のメルトバックにより凹凸形状をなしており
、これが散乱損失の原因となって損失係数を大きくして
いることが判った。即ち、波長１．５５μｍ帯の埋め込
みへテロ構造ＤＦＢ ＬＤでは、メサストライプ１４
をＩｎＰからなる半導体でＬＰＥ埋め込み成長する際の
活性層３側面のメルトバックが散乱損失の原因となり、
電流−光変換効率が低いという問題があった。
本発明の目的は、活性層３の側面のメルトバックを軽減
し、散乱損失が小さく、高い電流−光変換効率が得られ
るＩｎＧａＡｓＰ活性層３系の半導体レーザの製造方法
を提供することにある。
し、散乱損失が小さく、高い電流−光変換効率が得られ
るＩｎＧａＡｓＰ活性層３系の半導体レーザの製造方法
を提供することにある。
本発明による半導体レーザの製造方法は、半導体基板上
に、少くとも光を発する活性層と、その上に前記活性層
よりもバンドギャップの大きなりラッド層とを形成する
工程と、ストライプ状の領域を除いて、少くとも前記ク
ラッド層及び活性層を除去することにより、ストライプ
状活性層を含むメサストライプを形成する工程と、前記
メサストライプの側面を液相エピタキシャル成長法によ
り前記活性層よりもバンドギャップの大きな電流狭窄層
で埋め込む工程とを含む埋め込み型半導体レーザの製造
方法において、前記液相エピタキシャル成長に用いる電
流狭窄層用混合溶液の過飽和度を１０℃以上としたこと
を特徴としている。
に、少くとも光を発する活性層と、その上に前記活性層
よりもバンドギャップの大きなりラッド層とを形成する
工程と、ストライプ状の領域を除いて、少くとも前記ク
ラッド層及び活性層を除去することにより、ストライプ
状活性層を含むメサストライプを形成する工程と、前記
メサストライプの側面を液相エピタキシャル成長法によ
り前記活性層よりもバンドギャップの大きな電流狭窄層
で埋め込む工程とを含む埋め込み型半導体レーザの製造
方法において、前記液相エピタキシャル成長に用いる電
流狭窄層用混合溶液の過飽和度を１０℃以上としたこと
を特徴としている。
〔実施例１〕
以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図に本発明の第１の実施例である半導体レーザの製
造方法を示す。レーザ構造は従来で示したものと同じ波
長１．５５μｍのＤＣ−ＰＢＨ構造ＤＦＢ ＬＤであ
る。まず、周期２４００人の回折格子１２を干渉露光法
によりｎ −１ｎＰ基板１に形成した後、その上に波長
組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２．波
長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３．波長組
成ＩＡμｍのｐ −ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
１４．ｐ−ＩｎＰクラッド層５をそれぞれ厚さ０．１
ｐ ｍ 、 ０．１ μｍ 、 ０．０２μｍ 。
造方法を示す。レーザ構造は従来で示したものと同じ波
長１．５５μｍのＤＣ−ＰＢＨ構造ＤＦＢ ＬＤであ
る。まず、周期２４００人の回折格子１２を干渉露光法
によりｎ −１ｎＰ基板１に形成した後、その上に波長
組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２．波
長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３．波長組
成ＩＡμｍのｐ −ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
１４．ｐ−ＩｎＰクラッド層５をそれぞれ厚さ０．１
ｐ ｍ 、 ０．１ μｍ 、 ０．０２μｍ 。
０．８μｒｎの順にツフエーズＬＰＥ成長する（第１図
（ａ））。それぞれの層に対する混合溶液の過飽和度は
５℃程度である。続いて、第１図（ｂ）に示す如く、活
性層３よりも深い２本の溝１３とそれによって挟まれる
メサスＩ・ライプ１４をエツチングにより形成する。溝
１３の幅は６μｍ、メサストライプ１４の幅は１．５μ
ｍである。次に、メサストライプ１４の上部を除いてｐ
−１ｎＰブロック層（電流狭窄層）６−、ｎ−ＩｎＰ
ブロック層７を、そして全面にｐ −ＩｎＰ埋め込み層
８．ｐ＋ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をそれぞれ溝１３
より外側の平坦部における厚さが０．５μｍ、１μｍ、
１μｍ、１μｍとなる様にＬＰＥ成長する（第１図
（Ｃ））。この時、ｐ −１ｎＰブロック層６に対して
は、スーパクールＬＰＥ法を適用し、混合溶液の過飽和
度を１８℃とした。その他の層に関してはラフニーズ法
を適用し、過飽和度は５〜７℃とした。ｐ−ＩｎＰブロ
ック層６の成長開始温度は６００℃である。最後にｐ＋
−１ｎＧａＡｓキャップ層９の上及びｎ −ＩｎＰ基板
１の下に電極１０．１１を形成する（第１図（ｄ））。
（ａ））。それぞれの層に対する混合溶液の過飽和度は
５℃程度である。続いて、第１図（ｂ）に示す如く、活
性層３よりも深い２本の溝１３とそれによって挟まれる
メサスＩ・ライプ１４をエツチングにより形成する。溝
１３の幅は６μｍ、メサストライプ１４の幅は１．５μ
ｍである。次に、メサストライプ１４の上部を除いてｐ
−１ｎＰブロック層（電流狭窄層）６−、ｎ−ＩｎＰ
ブロック層７を、そして全面にｐ −ＩｎＰ埋め込み層
８．ｐ＋ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をそれぞれ溝１３
より外側の平坦部における厚さが０．５μｍ、１μｍ、
１μｍ、１μｍとなる様にＬＰＥ成長する（第１図
（Ｃ））。この時、ｐ −１ｎＰブロック層６に対して
は、スーパクールＬＰＥ法を適用し、混合溶液の過飽和
度を１８℃とした。その他の層に関してはラフニーズ法
を適用し、過飽和度は５〜７℃とした。ｐ−ＩｎＰブロ
ック層６の成長開始温度は６００℃である。最後にｐ＋
−１ｎＧａＡｓキャップ層９の上及びｎ −ＩｎＰ基板
１の下に電極１０．１１を形成する（第１図（ｄ））。
こうして得られた１、５５μｍ帯ＤＣ−ＰＢＨ構造ＤＦ
Ｂ ＬＤでは、ｐ −１ｎＰブロック層（電流狭窄層
）６成長時の混合溶液の過飽和度が１８℃と高いため、
活性層３の側面のメルトバックが生じていない、第１図
（ｄ）には活性層３近傍の拡大図を示したが、活性層３
はメサストライプ１４形成後の台形型を維持しており、
且つメルトバックによる凹凸は観測されなかった。発振
閾値電流は１３ ｒｎ Ａと低く、電流−光変換効率と
して、０．２０５ Ｗ／Ａと従来よりも高い値を得た。
Ｂ ＬＤでは、ｐ −１ｎＰブロック層（電流狭窄層
）６成長時の混合溶液の過飽和度が１８℃と高いため、
活性層３の側面のメルトバックが生じていない、第１図
（ｄ）には活性層３近傍の拡大図を示したが、活性層３
はメサストライプ１４形成後の台形型を維持しており、
且つメルトバックによる凹凸は観測されなかった。発振
閾値電流は１３ ｒｎ Ａと低く、電流−光変換効率と
して、０．２０５ Ｗ／Ａと従来よりも高い値を得た。
第２図には実験的に得られた１、５５μｍ帯ＤＣＰＢＨ
構造ＤＦＢ ＬＤのｐ −１ｎＰブロック層（電流狭
窄層）６の混合溶液の過飽和度で電流−光変換効率との
関係を示す。過飽和度が１０°Ｃを越えるあたりから活
性層３側面のメルトバック防止効果が現れ、電流−光変
換効率は上昇した。
構造ＤＦＢ ＬＤのｐ −１ｎＰブロック層（電流狭
窄層）６の混合溶液の過飽和度で電流−光変換効率との
関係を示す。過飽和度が１０°Ｃを越えるあたりから活
性層３側面のメルトバック防止効果が現れ、電流−光変
換効率は上昇した。
従って、本発明による半導体レーザの製造方法は、活性
層３の側面を埋め込むＩｎＰ基板１上の過飽和度が１０
℃以上であれば有効である。
層３の側面を埋め込むＩｎＰ基板１上の過飽和度が１０
℃以上であれば有効である。
〔実施例２〕
第３図に本発明の第２の実施例である半導体レーザの製
造方法を示す。第３図にその製造方法を示した半導体レ
ーザは、発振波長１．５５μｍのフラット・ベリラドへ
テロ構造（ＦＢＨｙｉ造）ＤＦＢ ＬＤである。第３
図（ａ）においては、回折格子１２が形成されたＩｎＰ
基板１上に実施例１と同じく、活性層３を含む多層半導
体層をＬ Ｐ Ｅ法により形成する。続いて第３図（ｂ
）では、メサストライプ１４の領域を除いて、活性層３
よりも深くエツチングする。この時、エツチングマスク
として５ｆＯｚ膜２１を用いることにより、メサストラ
イプ１４の側面が逆メサ形状となる様にする。
造方法を示す。第３図にその製造方法を示した半導体レ
ーザは、発振波長１．５５μｍのフラット・ベリラドへ
テロ構造（ＦＢＨｙｉ造）ＤＦＢ ＬＤである。第３
図（ａ）においては、回折格子１２が形成されたＩｎＰ
基板１上に実施例１と同じく、活性層３を含む多層半導
体層をＬ Ｐ Ｅ法により形成する。続いて第３図（ｂ
）では、メサストライプ１４の領域を除いて、活性層３
よりも深くエツチングする。この時、エツチングマスク
として５ｆＯｚ膜２１を用いることにより、メサストラ
イプ１４の側面が逆メサ形状となる様にする。
メサストライプ１４の幅は２μｍである。第３図（ｃ）
において、メサストライプ１４を形成する時に用いた５
ｉ０２膜２１を残したまま、ｐ−１ｎＰブロック層６及
びｎ −ＩｎＰブロック層７をそれぞれ厚さ１．５ μ
ｍ、 ｌ ）ｔｒｒｌの順にＬＰＥ成長する。ｐ−Ｉｎ
Ｐブロック層６は過飽和度１８°Ｃの混合溶液を用いた
スーパークールＬＰＥ法を適用し、ｎ −ｒｎＰブロッ
ク層７に対しては過飽和度７°ＣのツーフェーズＬＰＥ
法とした。続いて第３図（ｄ）において、５ｉ０２膜２
１を除去した後、ｐ −１ｎＰ埋め込み層８ 、 ｐ
” −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をＬＰＥ成長する。
において、メサストライプ１４を形成する時に用いた５
ｉ０２膜２１を残したまま、ｐ−１ｎＰブロック層６及
びｎ −ＩｎＰブロック層７をそれぞれ厚さ１．５ μ
ｍ、 ｌ ）ｔｒｒｌの順にＬＰＥ成長する。ｐ−Ｉｎ
Ｐブロック層６は過飽和度１８°Ｃの混合溶液を用いた
スーパークールＬＰＥ法を適用し、ｎ −ｒｎＰブロッ
ク層７に対しては過飽和度７°ＣのツーフェーズＬＰＥ
法とした。続いて第３図（ｄ）において、５ｉ０２膜２
１を除去した後、ｐ −１ｎＰ埋め込み層８ 、 ｐ
” −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をＬＰＥ成長する。
更にＰ ” ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９の上部及び
ｎ −１ｎＰ基板１の下に電極１０．１１を形成する。
ｎ −１ｎＰ基板１の下に電極１０．１１を形成する。
こうして得られた１、５５μｍ帯ＦＢＨ−ＤＦＢ Ｌ
Ｄにおいても活性Ｍ３の側面のメルトバックは軽減され
、０．２０Ｗ／Ａの高効率動作を得ることができた。
Ｄにおいても活性Ｍ３の側面のメルトバックは軽減され
、０．２０Ｗ／Ａの高効率動作を得ることができた。
以上、本発明の実施例においては、ＤＣ−ＰＢＨＩＩＩ
造及びＦＢＨ構造の１．５５μｍ帯ＤＦＢ ＬＤの例
を示したが、本発明による半導体レーザの製造方法はメ
サストライプ１４を有する他の構造の埋め込み型半導体
レーザにも有効である。更にＤＦＢレーザに限らず、フ
ァブリペロ型半導体レーザにおいても有効である。
造及びＦＢＨ構造の１．５５μｍ帯ＤＦＢ ＬＤの例
を示したが、本発明による半導体レーザの製造方法はメ
サストライプ１４を有する他の構造の埋め込み型半導体
レーザにも有効である。更にＤＦＢレーザに限らず、フ
ァブリペロ型半導体レーザにおいても有効である。
本発明による半導体レーザの製造方法によれば、高効率
な光フアイバ通信用半導体レーザを提供することができ
る。更に、活性層３の側面のメルトバック防止により、
素子内部の散乱を低減することができ、これにより、レ
ーザ光の放射パターンがなめらかな単峰形状となるなめ
、本発明の製造方法によって製作した半導体レーザでは
光ファイバとの結合効率が極めて高いという利点も有し
ている。
な光フアイバ通信用半導体レーザを提供することができ
る。更に、活性層３の側面のメルトバック防止により、
素子内部の散乱を低減することができ、これにより、レ
ーザ光の放射パターンがなめらかな単峰形状となるなめ
、本発明の製造方法によって製作した半導体レーザでは
光ファイバとの結合効率が極めて高いという利点も有し
ている。
第１図及び第３図は本発明による第１．第２の実施例で
ある半導体レーザの製造方法を説明する図であり、第２
図は活性層側面を埋めるＩｎＰ層に対するＬＰＥ成長時
の混合溶液過飽和度と半導体レーザの電流−光変換効率
の関係を示した図で、第４図は従来の製造方法により作
製した半導体レーザの構造図である。 １−−− ｎ −１ｎＰ基板、２ ・・−ｎ −１ｎＧ
ａＡｓＰガイド層、３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ・
−ｐ −１ｎＧａＡｓＰアンチメルトバック層、５・・
・ｐ −１ｎＰクラッド層、６・・・ｐ −１ｎＰブロ
ック層、７・・・ｎ −ＩｎＰブロック層、８ ・−ｐ
−１ｎＰ埋め込み層、９ ・＝ ｐ ” −ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層、１０．１１・・電極、１２・・・回
折格子、１３・・・溝、１４・・・メサストライプ、２
１・・・ＳｉＯ膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 扁１図 ｒｔｊ、） とめ 第４図 ″′″″−込７
ある半導体レーザの製造方法を説明する図であり、第２
図は活性層側面を埋めるＩｎＰ層に対するＬＰＥ成長時
の混合溶液過飽和度と半導体レーザの電流−光変換効率
の関係を示した図で、第４図は従来の製造方法により作
製した半導体レーザの構造図である。 １−−− ｎ −１ｎＰ基板、２ ・・−ｎ −１ｎＧ
ａＡｓＰガイド層、３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ・
−ｐ −１ｎＧａＡｓＰアンチメルトバック層、５・・
・ｐ −１ｎＰクラッド層、６・・・ｐ −１ｎＰブロ
ック層、７・・・ｎ −ＩｎＰブロック層、８ ・−ｐ
−１ｎＰ埋め込み層、９ ・＝ ｐ ” −ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層、１０．１１・・電極、１２・・・回
折格子、１３・・・溝、１４・・・メサストライプ、２
１・・・ＳｉＯ膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 扁１図 ｒｔｊ、） とめ 第４図 ″′″″−込７
Claims (1)
- 半導体基板上に、少くとも光を発する活性層と、その上
に前記活性層よりもバンドギャップの大きなりラット層
を形成する工程と、ストライプ状の領域を残して、少く
とも前記クラッド層及び活性層を除去することにより、
ストライプ状活性層を含むメサストライプを形成する工
程と、前記メサストライプの側面を液相エピタキシャル
成長法により前記活性層よりもバンドギャップの大きな
電流狭窄層で埋め込む工程とを含む埋め込み型半導体レ
ーザの製造方法において、前記電流狭窄層は、過飽和度
が１０℃以上の混合溶液を用いた液相エピタキシャル成
長法により形成することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25872988A JPH02105489A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25872988A JPH02105489A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105489A true JPH02105489A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17324277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25872988A Pending JPH02105489A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105489A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543355A (en) * | 1994-04-18 | 1996-08-06 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser device having current blocking layers |
| US7824725B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-11-02 | The Coca-Cola Company | Methods for extending the shelf life of partially solidified flowable compositions |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25872988A patent/JPH02105489A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543355A (en) * | 1994-04-18 | 1996-08-06 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser device having current blocking layers |
| US7824725B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-11-02 | The Coca-Cola Company | Methods for extending the shelf life of partially solidified flowable compositions |
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