JPH0199575A - 半導体レーザ局処治療装置 - Google Patents

半導体レーザ局処治療装置

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Publication number
JPH0199575A
JPH0199575A JP62257566A JP25756687A JPH0199575A JP H0199575 A JPH0199575 A JP H0199575A JP 62257566 A JP62257566 A JP 62257566A JP 25756687 A JP25756687 A JP 25756687A JP H0199575 A JPH0199575 A JP H0199575A
Authority
JP
Japan
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base
laser
semiconductor laser
spring
case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62257566A
Other languages
English (en)
Inventor
Tokuo Saeki
徳夫 佐伯
Iwajiro Senbokutani
仙北谷 岩次郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62257566A priority Critical patent/JPH0199575A/ja
Publication of JPH0199575A publication Critical patent/JPH0199575A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)
  • Finger-Pressure Massage (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は治療部位に押圧しながら、レーザ光を照射し、
かつ半導体レーザの発熱による熱を付加することを可能
にした、半導体レーザによる局部治療装置に関するもの
である。
従来の技術 一般にレーザ光を圧痛点(いわゆるつぼと呼ばれるもの
)に照射することにより、神経部位に作用して肩こりな
どの痛みが緩解されることはよく知られている。
従来は実公昭61−29741号公報には装置の先端部
が球状のレンズを用い、レーザ光による治療に加え抑圧
効果もあると開示されている。
発明が解決しようとする問題点 前記装置では治療部位への押圧は施術者により異なり十
分な治療効果を得ることは難かしい。本発明は従来品に
見られる欠点をなくし、圧痛点に一定の抑圧を加えるこ
とを可能にし、さらに熱負荷をかけることを可能にした
半導体レーザ局部治療装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明は半導体レーザとレーザ光を集束するレンズとが
熱伝導性の高い材料で作られた基台に固定され、前記基
台が外ケースに摺動自在に固定され、ばねにより付勢さ
れてなる機構を具備した半導体レーザによる局部治療装
置である。
作用 治療部位に一定の力で押圧しながらレーザ光を照射し、
かつ熱負荷をかけることができる。すなわち押圧、レー
ザ光照射および熱負荷の3種類の治療が同時にでき、治
療効果を上げることができる。さらに押圧しないと、半
導体レーザが動作しないようにしているため、誤照射に
よる危険防止も計られる。
実施例 本発明の実施例について、以下図面に従って説明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ局部治療装置
1の断面図である。半導体レーザ4と、レーザ光を集束
するだめのレンズ5は、熱伝導性の高い材料で作られた
基台6に固定され、基台6は光軸方向に摺動自在に本体
ケース人2に固定され、本体ケース人2に設けられたキ
ー溝2aにより回転不能になっている。又、基台6はば
ね了により付勢され、本体ケースA2に設けられた先細
り部位2bで止められている。基台6の先端をバネ7の
圧力に逆らって治療部位に押圧することにより、基台6
はバネ7の方向に移動し、半導体レーザ4の1・駆動回
路のスイッチ8がオンされる。尚より安全を期するため
、ブツシュスイッチ9がスイッチ8とシリーズに接続さ
れている。
スイッチ8及びブツシュスイッチ9の両者がオン状態に
なると半導体レーザ、駆動装置10が電源11により動
作し、半導体レーザ4が動作する。
第2図は半導体レーザ駆動装置10の電気前略図である
。スイッチ8及びブツシュスイッチ9の両者がオンされ
ると、電源11により、半導体レーザ素子41Lに電力
が供給され、レーザが照射される。半導体レーザ4には
、ビンホトダイオード4bが内蔵されていてレーザ出力
に比例した電流が流れる。ビンホトダイオード4bK接
続された可変抵抗15を調整して、前記可変抵抗端の電
圧と電源11に抵抗16を介して接続されたツェナーダ
イオード17の電圧をコンパレータ14で比較し抵抗1
3を介し、前記半導体レーザ素子4aの駆動トランジス
ター12のベースに接続して一定のレーザ光を得るよう
にしている。
発明の効果 レーザ光による開始治療装置にあって、治療部位に、一
定の力で押圧し、半導体レーザの発熱を利用して熱負荷
をかけ、レーザ光を集束照射と3種類の治療が同時にか
つ簡便に施療することが可能となり、治療効果を飛躍的
に上げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ局部治療装置
の断面構成図、第2図は同装置における電気回路図であ
る。 1・・・・・・本体装置、2・・・・・・本体ケース人
、3・・・・・・本体ケースBq2a・・・・・・キー
溝、4・・・・・・半導体レーザ、6・・・・・・集束
レンズ、6・・・・・・基台、7・・・・・・ばね、8
・・・・・・スイッチ、9・・・・・・ブツシュスイッ
チ、10・・・・・・半導体レーザ、駆動装置、11・
・・・・・電源、2b・・・・・・先細り部位、42L
・・・・・・半導体レーザ素子、4b・・・・・・ビン
ホトダイオード、12・旧・・トランジスター、13.
16・・・・・・抵抗、14・・・・・・コンパレータ
、16・・・・・・可変抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 石 2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザと前記半導体レーザのレーザ光を集束する
    レンズとが熱伝導率の高い材料で作られた基台に固定し
    、前記基台をばねにより付勢された状態で摺動自在に外
    ケースに保持し、前記基台の一端に凸部を設け、前記基
    台を前記付勢力に抗して摺動させ、前記凸部を介して連
    動するレーザ光源駆動用スイッチを設けたことを特徴と
    する半導体レーザ局処治療装置。
JP62257566A 1987-10-13 1987-10-13 半導体レーザ局処治療装置 Pending JPH0199575A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0465459A2 (de) * 1990-06-29 1992-01-08 Helmut Dipl.-Ing.Dr. Walter Miniaturlaser für human- und veterinärmedizinische Anwendung
KR100457964B1 (ko) * 2001-06-22 2004-11-18 주식회사 메리디안 레이저빔 조사장치
US8636727B2 (en) 2007-06-29 2014-01-28 Alplight Portable irradiating arrangement

Cited By (4)

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AT403101B (de) * 1990-06-29 1997-11-25 Walter Helmut Dipl Ing Dr Miniaturlaser für human- und veterinärmedizinische anwendung
KR100457964B1 (ko) * 2001-06-22 2004-11-18 주식회사 메리디안 레이저빔 조사장치
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