JPH0195766U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0195766U JPH0195766U JP19241287U JP19241287U JPH0195766U JP H0195766 U JPH0195766 U JP H0195766U JP 19241287 U JP19241287 U JP 19241287U JP 19241287 U JP19241287 U JP 19241287U JP H0195766 U JPH0195766 U JP H0195766U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- collector
- isolation region
- element isolation
- emitter
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図ａ及びｂはそれぞれ本考案の実施例の平
面図及びＡ―Ａ′線断面図、第２図は本考案の実
施例のコレクタ電流Ｉｃ―直流電流増幅率（ｈＦ
Ｅ）特性図、第３図ａ及びｂはそれぞれ従来の半
導体装置の一例の平面図及びＢ―Ｂ′線断面図で
ある。 １……半導体基板、２……ベース、３……素子
分離領域、４……エミツタ、５，５ａ……コレク
タ。
面図及びＡ―Ａ′線断面図、第２図は本考案の実
施例のコレクタ電流Ｉｃ―直流電流増幅率（ｈＦ
Ｅ）特性図、第３図ａ及びｂはそれぞれ従来の半
導体装置の一例の平面図及びＢ―Ｂ′線断面図で
ある。 １……半導体基板、２……ベース、３……素子
分離領域、４……エミツタ、５，５ａ……コレク
タ。
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板上の第１導電型の素子
分離領域により仕切られた第２導電型の不純物層
からなるベース表面に互いに対向して形成された
第１導電型のコレクタ及びエミツタを有し、前記
コレクタが前記素子分離領域に接していることを
特徴とするラテラル型の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19241287U JPH0195766U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19241287U JPH0195766U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195766U true JPH0195766U (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=31483272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19241287U Pending JPH0195766U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195766U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124872A (ja) * | 1974-08-23 | 1976-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS61208871A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nec Corp | 横型トランジスタ装置 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP19241287U patent/JPH0195766U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124872A (ja) * | 1974-08-23 | 1976-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS61208871A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nec Corp | 横型トランジスタ装置 |