JPH0195403A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0195403A JPH0195403A JP62252900A JP25290087A JPH0195403A JP H0195403 A JPH0195403 A JP H0195403A JP 62252900 A JP62252900 A JP 62252900A JP 25290087 A JP25290087 A JP 25290087A JP H0195403 A JPH0195403 A JP H0195403A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は1000℃以下で焼成される高誘電率系誘電体
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成でき、
高い抵抗率の得られる組成物に関する。
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成でき、
高い抵抗率の得られる組成物に関する。
従来の技゛術
近年セラミックコンデンサにおいては素子の小型化、大
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPt、Pdなどの高価な金属を用いる必要があっ
た。
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPt、Pdなどの高価な金属を用いる必要があっ
た。
これに対し、空気中1100℃以下で焼成でき内部電極
として安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲気中で焼成でき
Niなどの卑金属材料を内部電極として使用できるチタ
ン酸バリウム系材料が開発されている。前者については
、特公昭60−18085号公報に記載された、Pb(
Mgs、3Nbz2)Os −Pb(Zn5t3Nb2
ts )03を含む誘電体磁器組成物が知られている。
として安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲気中で焼成でき
Niなどの卑金属材料を内部電極として使用できるチタ
ン酸バリウム系材料が開発されている。前者については
、特公昭60−18085号公報に記載された、Pb(
Mgs、3Nbz2)Os −Pb(Zn5t3Nb2
ts )03を含む誘電体磁器組成物が知られている。
また、Pb(Mg1zs Nb*zs ) 03− P
b (Mgtz* Wl/2 )03を含む磁器組成物
が特開昭55−144470号公報や特開昭55−14
4610号公報に開示されている。後者については、特
公昭56−46641号公報に記載の材料などが知られ
ている。Pb (Mgt、s Nb2,2)OCI
Pb (Zntz* Nb2/3)OG系固溶体やPb
(Mgt、s Nbqta )03−Pb(Mgtz2
W11 )03系固溶体は1100℃以下の温度で焼成
でき、高い誘電率が得られる。
b (Mgtz* Wl/2 )03を含む磁器組成物
が特開昭55−144470号公報や特開昭55−14
4610号公報に開示されている。後者については、特
公昭56−46641号公報に記載の材料などが知られ
ている。Pb (Mgt、s Nb2,2)OCI
Pb (Zntz* Nb2/3)OG系固溶体やPb
(Mgt、s Nbqta )03−Pb(Mgtz2
W11 )03系固溶体は1100℃以下の温度で焼成
でき、高い誘電率が得られる。
従ってこの誘電体磁器組成物とAg系内部電極からなる
積層コンデンサは素子の大容量、小型化、低コスト化が
図れる利点を有している。しかし近年さらに内部電極材
料の低コスト化が図れるCuなどの卑金属を内部電極と
して用いることが求められており、このため、同時焼成
したときCuなどの金属が酸化しないような低酸素分圧
雰囲気で焼成でき、高い抵抗率が得られる材料が必要と
されている。
積層コンデンサは素子の大容量、小型化、低コスト化が
図れる利点を有している。しかし近年さらに内部電極材
料の低コスト化が図れるCuなどの卑金属を内部電極と
して用いることが求められており、このため、同時焼成
したときCuなどの金属が酸化しないような低酸素分圧
雰囲気で焼成でき、高い抵抗率が得られる材料が必要と
されている。
発明が解決しようとする問題点
Pb (Mg*t2 Nb2ts )03− Pb
(ZnxtsNbqts ) 03− Pb (M
gtz* Wl/2 ) 03系固溶体は低酸素分圧雰
囲気で焼成すると緻密に焼結せず、また抵抗率が小さ(
なる傾向がある。
(ZnxtsNbqts ) 03− Pb (M
gtz* Wl/2 ) 03系固溶体は低酸素分圧雰
囲気で焼成すると緻密に焼結せず、また抵抗率が小さ(
なる傾向がある。
本発明は、Pb(Mgt、5Nb2/3)Os pb
(Zn1ts Nt+z3) 03 Pb (Mg!
z2Wl/2 )03系のもつ高い誘電率と低温焼結性
をそこなわず、低酸素分圧雰囲気で焼成したとき抵抗値
が高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
(Zn1ts Nt+z3) 03 Pb (Mg!
z2Wl/2 )03系のもつ高い誘電率と低温焼結性
をそこなわず、低酸素分圧雰囲気で焼成したとき抵抗値
が高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
問題点を解決するための手段
P bI+a (Mgtl* Nb2/s )x
(Z n5zs Nb*zs )y(Mgt、
2Wl/2 )、Z、03+aで表される組成式におい
てaを0.001≦a≦0.15の範囲にする。
(Z n5zs Nb*zs )y(Mgt、
2Wl/2 )、Z、03+aで表される組成式におい
てaを0.001≦a≦0.15の範囲にする。
作用
本発明の組成物においてはAサイト成分を過剰にするこ
とにより、低酸素分圧雰囲気、1000℃以下で焼成物
が得られ、高い抵抗率を有する信頼性の高い素子かえら
れる。
とにより、低酸素分圧雰囲気、1000℃以下で焼成物
が得られ、高い抵抗率を有する信頼性の高い素子かえら
れる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なPbO,MgO。
Nb2O5、ZnO,WO2、BaCO3,5rCOa
。
。
CaC0aを用いた。これらを純度補正をおこなったう
えで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒と
しボールミルで、17時時間式混合した。これを吸引ろ
過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ
機で充分解砕した後粉体量の5wt%の水分を加え、直
径60m高さ約5On++の円柱状に成形圧力500k
g/cw+2 で成形した。これをアルミナルツボ中
に入れ同質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮
焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメ
ノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時
間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾
燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回(りかえした後
この粉末にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体
量の6wt%加え、32メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力1000kg/cm2で直径13wll11
厚さ約1mmの円板状に成形した。成形物は空気中で7
00℃まで昇温し1時間保持しポリビルアルコール分を
バーンアウトした。これを上述の仮焼粉を体積の1zs
程度敷ぎつめた上に200メツシj Z r O2粉を
約1am敷いたマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、管状電気炉の炉心管内に挿入し、炉心管内をロー
タリーポンプで脱気したのちN11−H2混合ガスで置
換し、酸素分圧(PO2)が1.oxlo−eatmに
なるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら混合ガ
スを流し所定温度まで400℃/ h rで昇温し2時
間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPo2
は挿入した安定化ジルコニア酸素センサーにより測定し
た。
えで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒と
しボールミルで、17時時間式混合した。これを吸引ろ
過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ
機で充分解砕した後粉体量の5wt%の水分を加え、直
径60m高さ約5On++の円柱状に成形圧力500k
g/cw+2 で成形した。これをアルミナルツボ中
に入れ同質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮
焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメ
ノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時
間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾
燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回(りかえした後
この粉末にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体
量の6wt%加え、32メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力1000kg/cm2で直径13wll11
厚さ約1mmの円板状に成形した。成形物は空気中で7
00℃まで昇温し1時間保持しポリビルアルコール分を
バーンアウトした。これを上述の仮焼粉を体積の1zs
程度敷ぎつめた上に200メツシj Z r O2粉を
約1am敷いたマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、管状電気炉の炉心管内に挿入し、炉心管内をロー
タリーポンプで脱気したのちN11−H2混合ガスで置
換し、酸素分圧(PO2)が1.oxlo−eatmに
なるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら混合ガ
スを流し所定温度まで400℃/ h rで昇温し2時
間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPo2
は挿入した安定化ジルコニア酸素センサーにより測定し
た。
焼成した円板の両面にCr−Auを蒸着し、誘電率、t
anδを1kHz 、 I V/m+nの電界下で測定
した。また抵抗率は1 k V / mmの電圧を印加
後1分値から求めた。
anδを1kHz 、 I V/m+nの電界下で測定
した。また抵抗率は1 k V / mmの電圧を印加
後1分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
図に本発明の組成範囲を示し、表1および表2に、本発
明の組成範囲および周辺組成の成分(a、x、y、zは
、組成を Pb、+、(Mgs、2NbI2z* )X(、Znt
、s Nbat3)y(Mg*t* Wets ) 2
o3アと表したときの値)、低酸素分圧雰囲気で焼成し
たときの焼成温度、誘電率、tanδ、抵抗率、を示し
た。
明の組成範囲および周辺組成の成分(a、x、y、zは
、組成を Pb、+、(Mgs、2NbI2z* )X(、Znt
、s Nbat3)y(Mg*t* Wets ) 2
o3アと表したときの値)、低酸素分圧雰囲気で焼成し
たときの焼成温度、誘電率、tanδ、抵抗率、を示し
た。
(以下余白)
発明範囲外の組成物では、aが1.001より小さいと
低酸素分圧雰囲気で焼成したとき緻密な焼結物が得られ
ない、もしくは抵抗率が低(なる難点を有しており、1
.150より太き(なると誘電率および抵抗率が低下す
る難点を有する。またX、、VsZが限定の範囲外の組
成物はキュリー点が室温から太き(はずれ誘電率が低く
なる。特許請求の範囲内の組成物では前記の問題がいず
れも克服されている。
低酸素分圧雰囲気で焼成したとき緻密な焼結物が得られ
ない、もしくは抵抗率が低(なる難点を有しており、1
.150より太き(なると誘電率および抵抗率が低下す
る難点を有する。またX、、VsZが限定の範囲外の組
成物はキュリー点が室温から太き(はずれ誘電率が低く
なる。特許請求の範囲内の組成物では前記の問題がいず
れも克服されている。
なお焼成雰囲気として選択した低酸素分圧雰囲気PO2
; 1. OX 10−eatmは焼成温度におケル銅
の平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸化しないと考
えられる。
; 1. OX 10−eatmは焼成温度におケル銅
の平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸化しないと考
えられる。
発明の効果
本発明によれば、低酸素分圧雰囲気1000℃以下の焼
成で積層コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻
密で抵抗率の高い焼結体が得られ、内部電極としてCu
などの卑金属材料を用いることが可能になる優れた誘電
体磁器組成物を得ることができる。
成で積層コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻
密で抵抗率の高い焼結体が得られ、内部電極としてCu
などの卑金属材料を用いることが可能になる優れた誘電
体磁器組成物を得ることができる。
図は、本発明の実施例における誘電体磁器組成物の組成
範囲を示す図である。
範囲を示す図である。
Claims (2)
- (1)Pb_1_+_2(Mg_1_/_3Nb_2_
/_3)_x(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)_
y(Mg_1_/_2W_1_/_2)_zO_3_+
_aで表される組成式(ただしx+y+z=1)におい
て、aは0.001≦a≦0.15の範囲にあり、この
範囲内の各aの値に対し、 Pb_1_+_a(Mg_1_/_3Nb_2_/_3
)O_3_+_a、Pb_1_+_a(Zn_1_/_
3Nb_2_/_3)O_3_+_a、Pb_1_+_
a(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3_+_a
を頂点とする三角座標において、下記組成点A,B,C
,Dを頂点とする四角形の領域内の組成物からなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 A;x=0.875y=0.10z=0.025B;x
=0.60y=0.20z=0.20C;x=0.50
y=0.30z=0.20D;x=0.50y=0.4
75z=0.025 - (2)Ba,Sr,Caよりなる群から選ばれた一つ以
上の元素により、Pbを15mol%以下置換したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62252900A JPH0195403A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62252900A JPH0195403A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0195403A true JPH0195403A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17243736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62252900A Pending JPH0195403A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0195403A (ja) |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62252900A patent/JPH0195403A/ja active Pending
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