JPH0194322A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
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- JPH0194322A JPH0194322A JP62252783A JP25278387A JPH0194322A JP H0194322 A JPH0194322 A JP H0194322A JP 62252783 A JP62252783 A JP 62252783A JP 25278387 A JP25278387 A JP 25278387A JP H0194322 A JPH0194322 A JP H0194322A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光情報処理などにつかわれる、光信号を別の光
信号に変換する光書き込み型の液晶ライトパルプに関す
る。
信号に変換する光書き込み型の液晶ライトパルプに関す
る。
液晶ライトパルプは光投射型デイスプレィや光情報処理
等に使われる光学的スイッチング素子で光書き込み型の
デバイスとしては第６図（ａ）ＩＣＬめす様なものが知
られている。図に於て２９．３７は対向するガラス基板
、３０．３６は透明導電膜、３１はＣｄＳ （硫化カ
ドミウム）からなる光導電性膜、３２はＣｄＴｅ（テル
ル化カドミウム）からなる光吸収膜、３３は屈折率の異
なる絶縁膜を多層にした多層反射膜、３４は液晶、３５
はスペーサ、３８は偏光板、３９は信号光、４０は投射
光である。
等に使われる光学的スイッチング素子で光書き込み型の
デバイスとしては第６図（ａ）ＩＣＬめす様なものが知
られている。図に於て２９．３７は対向するガラス基板
、３０．３６は透明導電膜、３１はＣｄＳ （硫化カ
ドミウム）からなる光導電性膜、３２はＣｄＴｅ（テル
ル化カドミウム）からなる光吸収膜、３３は屈折率の異
なる絶縁膜を多層にした多層反射膜、３４は液晶、３５
はスペーサ、３８は偏光板、３９は信号光、４０は投射
光である。
この液晶ライトパルプの等価回路は第６図（ｂ）のよう
に彦る。図中、４１は液晶の等価容量、４２は多層反射
膜の等価容量： ４３．４４はそれぞれＣｄＴｅの等価
容量と等価抵抗、４５．４６はそれぞれＣｄＳの等価容
量と等価抵抗を示している。この装置の動作原理は以下
のとおり。
に彦る。図中、４１は液晶の等価容量、４２は多層反射
膜の等価容量： ４３．４４はそれぞれＣｄＴｅの等価
容量と等価抵抗、４５．４６はそれぞれＣｄＳの等価容
量と等価抵抗を示している。この装置の動作原理は以下
のとおり。
３０．３６の）・−導電膜には一定の交流電圧が印加さ
れておシ、３４の液晶には大体４１，４２，４３゜４５
の容量で分圧された電圧がかかる。なぜなら暗状態でＣ
ｄＴｅ３２．Ｃｄ５３１の抵抗、すなわち等価抵抗４４
．４６が非常に高いからである。ここで信号光３９が入
ってくると光の当たった部分のＣｄ５３１の抵抗が下が
る。等価回路では抵抗４６が小さくなるわけである。従
って容量４５がほぼ短絡されることになシ容量４１つ″
！、シ液晶３４へかかる電圧が増加することになる。′
この電圧の変化によシ液晶３４を制御して投射光４０を
変化させる。光吸収膜３２の役割は投射光４０を光導電
性膜であるＣｄ５３１まで届かせないことである。
れておシ、３４の液晶には大体４１，４２，４３゜４５
の容量で分圧された電圧がかかる。なぜなら暗状態でＣ
ｄＴｅ３２．Ｃｄ５３１の抵抗、すなわち等価抵抗４４
．４６が非常に高いからである。ここで信号光３９が入
ってくると光の当たった部分のＣｄ５３１の抵抗が下が
る。等価回路では抵抗４６が小さくなるわけである。従
って容量４５がほぼ短絡されることになシ容量４１つ″
！、シ液晶３４へかかる電圧が増加することになる。′
この電圧の変化によシ液晶３４を制御して投射光４０を
変化させる。光吸収膜３２の役割は投射光４０を光導電
性膜であるＣｄ５３１まで届かせないことである。
この従来型の液晶ライトパルプには少なくとも次ぎに示
す二つの問題がある。一つは作製が困難でかつ時間が掛
かることである。第６図（ｂ）の等価回路を見れば分か
るように液晶の容量４１にかかる電圧の変化を大きく取
ろうとすればＣｄＳの容量４５は液晶の容量４１に対し
て十分小さくなければならない、そのためにはＣｃｌＳ
３１の膜厚が十分厚くなくてはならない。しかしながら
厚いＣｄＳ膜を作ることは容量ではない。通常ＣｄＳの
膜厚は１５から２０ミクロン必要であシ、しかも雲シの
々い膜を作るために成膜の間に曇シを取るための研磨が
必要である。成膜は通常スパッタで行い、この厚さの成
膜に、研磨を含めて１０時間から２０時間を要する。こ
のうえさらに２ミクロン程度のＣｄＴｅと多層絶ＲＭの
形成が必要である。従って一つの素子を完成させるため
にはかなシの時間を要する。
す二つの問題がある。一つは作製が困難でかつ時間が掛
かることである。第６図（ｂ）の等価回路を見れば分か
るように液晶の容量４１にかかる電圧の変化を大きく取
ろうとすればＣｄＳの容量４５は液晶の容量４１に対し
て十分小さくなければならない、そのためにはＣｃｌＳ
３１の膜厚が十分厚くなくてはならない。しかしながら
厚いＣｄＳ膜を作ることは容量ではない。通常ＣｄＳの
膜厚は１５から２０ミクロン必要であシ、しかも雲シの
々い膜を作るために成膜の間に曇シを取るための研磨が
必要である。成膜は通常スパッタで行い、この厚さの成
膜に、研磨を含めて１０時間から２０時間を要する。こ
のうえさらに２ミクロン程度のＣｄＴｅと多層絶ＲＭの
形成が必要である。従って一つの素子を完成させるため
にはかなシの時間を要する。
第２の問題点はコントラストを大きく取れないことであ
る。動作原理で説明したように液晶の容量４１に掛かる
電圧はＣｄＳやＣｄＴｅ、多層反射膜の容量４２，４３
．４５で分圧されるため４５の容量が大きく変化しても
４１に掛かる電圧はそれほど大きく変化しない。この電
圧の変化が小さいため表示コントラストは５から８程度
しか取れていないのが実情である。
る。動作原理で説明したように液晶の容量４１に掛かる
電圧はＣｄＳやＣｄＴｅ、多層反射膜の容量４２，４３
．４５で分圧されるため４５の容量が大きく変化しても
４１に掛かる電圧はそれほど大きく変化しない。この電
圧の変化が小さいため表示コントラストは５から８程度
しか取れていないのが実情である。
本発明の目的は上記従来型液晶ライトパルプの欠点を除
去せしめ、作製が容易でしかも高コントラストな液晶ラ
イトバルブを提供することにある。
去せしめ、作製が容易でしかも高コントラストな液晶ラ
イトバルブを提供することにある。
本発明は、透明絶縁性基板上に、光によりスイッチング
動作を行う１次元或は２次元の光スイッチング動作イを
形成し、対向する透明電極付きガラス基板との間に液晶
を挾み込んだ液晶ライトバルブで、該光スイッチング素
子が光導電体と光感度を持たない抵抗素子とからなる分
圧回路とこの分圧回路で分圧された電圧を入力とするイ
ンバータ回路からなり、このインバータ回路の出力が液
晶にかかる一画素の信号となることを特徴とする構成と
なっている。
動作を行う１次元或は２次元の光スイッチング動作イを
形成し、対向する透明電極付きガラス基板との間に液晶
を挾み込んだ液晶ライトバルブで、該光スイッチング素
子が光導電体と光感度を持たない抵抗素子とからなる分
圧回路とこの分圧回路で分圧された電圧を入力とするイ
ンバータ回路からなり、このインバータ回路の出力が液
晶にかかる一画素の信号となることを特徴とする構成と
なっている。
以下、実施例の一例を示しながら本発明の液晶ライトバ
ルブについて説明する。第１図は本発明の液晶ライトバ
ルブの一例の等価回路を示している。図に於て１は光に
よって抵抗の変化する光導電体、２は光に感じない抵抗
体、３，４は薄膜トランジスタで、３は負荷用、４はス
イッチング用である。５は液晶１．６は低圧側電極、７
は高圧側電極、８は対向する基板上の対向電極である。
ルブについて説明する。第１図は本発明の液晶ライトバ
ルブの一例の等価回路を示している。図に於て１は光に
よって抵抗の変化する光導電体、２は光に感じない抵抗
体、３，４は薄膜トランジスタで、３は負荷用、４はス
イッチング用である。５は液晶１．６は低圧側電極、７
は高圧側電極、８は対向する基板上の対向電極である。
第２図に動作原理を示す。第１図に示すように光導電体
１と抵抗２からなる分圧回路には低圧側電極６と高圧側
電極７で決まる電圧が印加されてお）、光導電体１の抵
抗が入射する光の強度によって変化するためＸ点の電位
は第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように変化する。こ
のとき例えば暗状態で光導電体１の抵抗が抵抗２に比べ
て十分大きければ暗状態でＸ点の電位は低圧側電極の電
位ＶＬに近くなる。
１と抵抗２からなる分圧回路には低圧側電極６と高圧側
電極７で決まる電圧が印加されてお）、光導電体１の抵
抗が入射する光の強度によって変化するためＸ点の電位
は第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように変化する。こ
のとき例えば暗状態で光導電体１の抵抗が抵抗２に比べ
て十分大きければ暗状態でＸ点の電位は低圧側電極の電
位ＶＬに近くなる。
また、十分な光が当たったとき光導電体１の抵抗が抵抗
２に比べて十分小さくなればＸ点の電位は高圧側電極の
電位ＶＨに近くなる。Ｘ点の電位がこの点につながって
いるスイッチングトランジスタ４のしきい値電圧ＶＴを
通過するように上下することによシスイッチングトラン
ジスタ４を０Ｎ１０ＦＦ することができる。従って負
荷トランジスタ３とスイッチングトランジスタ４からな
るインバータの出力りまシＹ点の電位は第２図（Ｃ）に
示のトランジスタ４が０ＦＦｔ、ているときＹ点の電位
は高圧側電極の電位よりも負荷トランジスタ３のしきい
値電圧分だけ低くなる。ここで対向電極８に加える電圧
Ｖｃを（ＶＨ−ＶＴ）／２にしておけば５の液晶には光
の強さによりて正負にこの大きさの電圧を加えることが
できる。従って従来型液晶ライトパルプと異なシ大きな
電圧変化を液晶に与えることが出来ることになる。
２に比べて十分小さくなればＸ点の電位は高圧側電極の
電位ＶＨに近くなる。Ｘ点の電位がこの点につながって
いるスイッチングトランジスタ４のしきい値電圧ＶＴを
通過するように上下することによシスイッチングトラン
ジスタ４を０Ｎ１０ＦＦ することができる。従って負
荷トランジスタ３とスイッチングトランジスタ４からな
るインバータの出力りまシＹ点の電位は第２図（Ｃ）に
示のトランジスタ４が０ＦＦｔ、ているときＹ点の電位
は高圧側電極の電位よりも負荷トランジスタ３のしきい
値電圧分だけ低くなる。ここで対向電極８に加える電圧
Ｖｃを（ＶＨ−ＶＴ）／２にしておけば５の液晶には光
の強さによりて正負にこの大きさの電圧を加えることが
できる。従って従来型液晶ライトパルプと異なシ大きな
電圧変化を液晶に与えることが出来ることになる。
次に実施例として非晶質シリコンを使ったものを示す。
第３図はその平面図を示している。また、第４図（ａ）
、 （ｂ）は第３図のＡ−Ａ’−Ｂ−Ｂ’ の断面図
である。図に於て９はスイッチングトランジスタの活性
層、１０は負荷トランジスタの活性層、１１は光導電体
、１２は抵抗、１３はスイッチングトランジスタのゲー
ト電極、１４は負荷トランジスタのゲート電極、１５は
１２の抵抗を信号光から遮光するための遮光膜、１６は
高圧側電極、１７は低圧側電極、１８はスイッチングト
ランジスタと負荷トランス２夕を接続する電極、１９は
光導電体と抵抗を接続する電極、２０．２７はガラス基
板、２１は眉間絶縁膜を兼ねる薄膜トランジスタのゲー
ト絶縁膜、２２はｎ十型の非晶質シリコン、２３は２４
の画素電極と薄膜トランジスタなどを絶縁するための眉
間絶縁膜、２５は液晶、２６は透明導電膜である。
、 （ｂ）は第３図のＡ−Ａ’−Ｂ−Ｂ’ の断面図
である。図に於て９はスイッチングトランジスタの活性
層、１０は負荷トランジスタの活性層、１１は光導電体
、１２は抵抗、１３はスイッチングトランジスタのゲー
ト電極、１４は負荷トランジスタのゲート電極、１５は
１２の抵抗を信号光から遮光するための遮光膜、１６は
高圧側電極、１７は低圧側電極、１８はスイッチングト
ランジスタと負荷トランス２夕を接続する電極、１９は
光導電体と抵抗を接続する電極、２０．２７はガラス基
板、２１は眉間絶縁膜を兼ねる薄膜トランジスタのゲー
ト絶縁膜、２２はｎ十型の非晶質シリコン、２３は２４
の画素電極と薄膜トランジスタなどを絶縁するための眉
間絶縁膜、２５は液晶、２６は透明導電膜である。
非晶質シリコンは光導電性を持った半導体膜でそ゛の性
質をいかして光センサや液晶デイスプレィのスイッチン
グ素子として応用されている。ここでは一つの非晶質シ
リコン膜を、光導電体、抵抗、薄膜トランジスタの活性
層として利用している。
質をいかして光センサや液晶デイスプレィのスイッチン
グ素子として応用されている。ここでは一つの非晶質シ
リコン膜を、光導電体、抵抗、薄膜トランジスタの活性
層として利用している。
製造プロセスは以下に示す通シである。
先ず、ゲート電極１３，４、遮光膜１５を形成するため
２０００オングストロームのクロムをスパッタによシガ
ラス基板２０に形成し、第３図に示すようにパターンニ
ングする。つぎに、グロー放電によジシラン（ＳｉＨ４
）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素を混合分解し３０００
オングストロームの窒化シリコン膜を形成してゲート絶
縁膜２１とする。連続してシランを分解することによｆ
ｉ２０００オングストロームの非晶質シリコンを形成す
る。更に連続してシランと７オスフイン（ＰＨ３）を混
合分解してリンを多量に含んだ３００オングストローム
のｎ＋型非晶質シリコンを形成する。これをパターンニ
ングしてスイッチングトランジスタの活性層９、負荷ト
ランジスタの活性層１０、光導電体１１、抵抗１２を形
成する。２２のｎ＋形非晶質シリコンは後で更にパター
ンニングされるが、この膜は下地の非晶質シリコンとこ
の上にくる各電極との間にオーｌミック接触を取るため
の物である。次にゲート電極１４と高圧側電極１６との
間と、ゲート電極１３と１９の分圧回路の接続電極１９
との間にコンタクトをとるためのあなを窒化シリコン膜
２１に開ける。この上から２０００オングストロームの
クロムをスパッタ法で形成しパターンニングして高圧側
電極１６、低圧側電極１７、電極１８．１９を形成する
。次にこの上Ｋｍ化シリコン膜２１と同様な方法で形成
する窒化シリコン膜からなる層間Ｐ３緑膜２３を形成し
、電極１８と画素電極２４の間にコンタクトをとるため
のちなをあける。更にこの上に２０００オングストロー
ムのアルミを蒸着しパターンニングして画素電極２４と
する。とのようＫしてできた基板と透明１！極２６付き
のガラス基板２７で液晶を挾み、本発明の液晶ライトパ
ルプが完成する。この例では液晶として応答速度の速い
強ＰＪ電性液晶を用いた。なおこの図には示していない
がガラス基板２７の上には偏光板が設けられておシ、信
号光は２０のガラス基板側から、投射光は２７のガラス
基板側から入射する。
２０００オングストロームのクロムをスパッタによシガ
ラス基板２０に形成し、第３図に示すようにパターンニ
ングする。つぎに、グロー放電によジシラン（ＳｉＨ４
）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素を混合分解し３０００
オングストロームの窒化シリコン膜を形成してゲート絶
縁膜２１とする。連続してシランを分解することによｆ
ｉ２０００オングストロームの非晶質シリコンを形成す
る。更に連続してシランと７オスフイン（ＰＨ３）を混
合分解してリンを多量に含んだ３００オングストローム
のｎ＋型非晶質シリコンを形成する。これをパターンニ
ングしてスイッチングトランジスタの活性層９、負荷ト
ランジスタの活性層１０、光導電体１１、抵抗１２を形
成する。２２のｎ＋形非晶質シリコンは後で更にパター
ンニングされるが、この膜は下地の非晶質シリコンとこ
の上にくる各電極との間にオーｌミック接触を取るため
の物である。次にゲート電極１４と高圧側電極１６との
間と、ゲート電極１３と１９の分圧回路の接続電極１９
との間にコンタクトをとるためのあなを窒化シリコン膜
２１に開ける。この上から２０００オングストロームの
クロムをスパッタ法で形成しパターンニングして高圧側
電極１６、低圧側電極１７、電極１８．１９を形成する
。次にこの上Ｋｍ化シリコン膜２１と同様な方法で形成
する窒化シリコン膜からなる層間Ｐ３緑膜２３を形成し
、電極１８と画素電極２４の間にコンタクトをとるため
のちなをあける。更にこの上に２０００オングストロー
ムのアルミを蒸着しパターンニングして画素電極２４と
する。とのようＫしてできた基板と透明１！極２６付き
のガラス基板２７で液晶を挾み、本発明の液晶ライトパ
ルプが完成する。この例では液晶として応答速度の速い
強ＰＪ電性液晶を用いた。なおこの図には示していない
がガラス基板２７の上には偏光板が設けられておシ、信
号光は２０のガラス基板側から、投射光は２７のガラス
基板側から入射する。
第４図から分かるように画素ｉ電極：！４は二つの薄膜
トランジスタ３，４と光導電体１１及び抵抗１２を完全
に覆っておシ投射光がこれらの米子に当たることはない
。また、さきに述べたように抵抗１２の部分は遮光１炭
１５に覆われてお多信号光が入ることはない。更に、二
つの薄膜トランジスタはそれぞれゲート電極をもってい
るため同様に信号光の影響を受けない。なお、この例で
は横方向に隣合った画素電標の間に隙間が出来るが、こ
′−− の隙間による信号光の漏れ光が問題であれば１３、−７
・′ツ １４．１５の膜を形成するとき同時にこの隙間をうめる
遮光膜を形成しておけば良い。
トランジスタ３，４と光導電体１１及び抵抗１２を完全
に覆っておシ投射光がこれらの米子に当たることはない
。また、さきに述べたように抵抗１２の部分は遮光１炭
１５に覆われてお多信号光が入ることはない。更に、二
つの薄膜トランジスタはそれぞれゲート電極をもってい
るため同様に信号光の影響を受けない。なお、この例で
は横方向に隣合った画素電標の間に隙間が出来るが、こ
′−− の隙間による信号光の漏れ光が問題であれば１３、−７
・′ツ １４．１５の膜を形成するとき同時にこの隙間をうめる
遮光膜を形成しておけば良い。
この実施例では材料は非晶質シリコンであるが、他にＣ
ｄＳやＣｄＳｅ 、Ｓるいは石英基板やサファイア基板
上の単結晶シリコンでも形成可能である。また、ゲート
絶縁膜についても窒化シリコンだけでなく酸化シリコン
も用いることができる。更に、眉間絶縁膜にはこれらの
他にポリイミド等の有機性絶縁材料も用いることができ
る。
ｄＳやＣｄＳｅ 、Ｓるいは石英基板やサファイア基板
上の単結晶シリコンでも形成可能である。また、ゲート
絶縁膜についても窒化シリコンだけでなく酸化シリコン
も用いることができる。更に、眉間絶縁膜にはこれらの
他にポリイミド等の有機性絶縁材料も用いることができ
る。
第５図に本発明の液晶ライトバルブの等価回路の別の例
を示す。図に於て２８は光導電体１と抵抗２からなる分
圧回路に電圧を供給する電極を示している。第１図の回
路との違いは分圧回路とインバータの電源が別々になっ
たことで、こうするととＫよシ光信号のしきい値を液晶
にかける電圧と別々に制御することができる。
を示す。図に於て２８は光導電体１と抵抗２からなる分
圧回路に電圧を供給する電極を示している。第１図の回
路との違いは分圧回路とインバータの電源が別々になっ
たことで、こうするととＫよシ光信号のしきい値を液晶
にかける電圧と別々に制御することができる。
従来技術の問題点の一つである製造プロセスが長いと言
うことに関しては本発明を用いればこれが数分の−の長
さてすむ。実施例で説明したよりに本発明の液晶ライト
バルブの各々の構成要ネである絶膜は厚くとも３０００
オングストロ一ム程度でｓｂ絶対的な膜厚が薄いこと、
ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜、ｎ＋型非晶質シリコ
ン膜は連続形成できるためこの多層膜の形成時間は非常
に少なくて済むことなどによる。
うことに関しては本発明を用いればこれが数分の−の長
さてすむ。実施例で説明したよりに本発明の液晶ライト
バルブの各々の構成要ネである絶膜は厚くとも３０００
オングストロ一ム程度でｓｂ絶対的な膜厚が薄いこと、
ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜、ｎ＋型非晶質シリコ
ン膜は連続形成できるためこの多層膜の形成時間は非常
に少なくて済むことなどによる。
コントラストの問題は本発明によシ大幅に改善さ゛れる
。従来型は容量の分圧回路となっていたために液晶にか
かる電圧の変化が小さかったが本発明ではインバータ回
路を用いておシ薄膜トランジスタの耐圧が許す限り電圧
の振れ幅を幾らでも大きくとることができるからである
。実際の例として従来型のコントラストは１０以下であ
りたが本発明の液晶ライトバルブでは２０から３０は容
易にとることができた。
。従来型は容量の分圧回路となっていたために液晶にか
かる電圧の変化が小さかったが本発明ではインバータ回
路を用いておシ薄膜トランジスタの耐圧が許す限り電圧
の振れ幅を幾らでも大きくとることができるからである
。実際の例として従来型のコントラストは１０以下であ
りたが本発明の液晶ライトバルブでは２０から３０は容
易にとることができた。
以上説明したように本発明によれが製造が容易で高いコ
ントラ、％トを持った液晶ライドバルブを得ることがで
き、工業的に非常に有用である。
ントラ、％トを持った液晶ライドバルブを得ることがで
き、工業的に非常に有用である。
第１図は本発明の液晶ライトバルブの等価回路の一例を
示す図、第２図は第１図の回路の動作原理を示す図、第
３図、第４図は本発明の一実施例の概略図、第５図は本
発明の液晶ライレ（ルプの別の等価回路を示す図、第６
図は従来型の液晶ライトバルブを示す図である。 図に於て、１・・・・・・光導電体、２・・・・・・抵
抗、３・・・・・・負荷トランジスタ、４・・・・・・
スイッチングトランジスタ、５・・・・・・液晶、６・
・・・・・低圧側電極、７・・・・・・高圧側電極、８
・・・・・・対向電極、９・・・・・・スイッチングト
ランジスタの活性層、１０・・・・・・負荷トランジス
タの活性層、１１・・・・・・光導電体、１２・・・・
・・抵抗、１３．１４・・・・・・ゲート電極、１５・
・・・・・遮光膜、１６・−・・・高圧側電極、１７・
・・・・・低圧側電極、１８．１９・・・・・・接続用
電極、２０．２７・・・・・・ガラス基板、２１・・・
・・・ゲート絶縁膜、２２・・・・・・ｎ＋非晶質シリ
コン、２３・・・・・・層間絶縁膜、２４・・・・・・
画素電極、２５・・・・・・液晶、２６・・・・・・透
明絶縁膜である。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 時 間 時 間 慕 ３ 図
示す図、第２図は第１図の回路の動作原理を示す図、第
３図、第４図は本発明の一実施例の概略図、第５図は本
発明の液晶ライレ（ルプの別の等価回路を示す図、第６
図は従来型の液晶ライトバルブを示す図である。 図に於て、１・・・・・・光導電体、２・・・・・・抵
抗、３・・・・・・負荷トランジスタ、４・・・・・・
スイッチングトランジスタ、５・・・・・・液晶、６・
・・・・・低圧側電極、７・・・・・・高圧側電極、８
・・・・・・対向電極、９・・・・・・スイッチングト
ランジスタの活性層、１０・・・・・・負荷トランジス
タの活性層、１１・・・・・・光導電体、１２・・・・
・・抵抗、１３．１４・・・・・・ゲート電極、１５・
・・・・・遮光膜、１６・−・・・高圧側電極、１７・
・・・・・低圧側電極、１８．１９・・・・・・接続用
電極、２０．２７・・・・・・ガラス基板、２１・・・
・・・ゲート絶縁膜、２２・・・・・・ｎ＋非晶質シリ
コン、２３・・・・・・層間絶縁膜、２４・・・・・・
画素電極、２５・・・・・・液晶、２６・・・・・・透
明絶縁膜である。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 時 間 時 間 慕 ３ 図
Claims (1)
- 光によりスイッチング動作を行う光スイッチング素子を
１次元或は２次元に配列した光スイッチングアレイを備
えている透明絶縁性基板と、透明電極付きガラス基板と
の間に液晶を挾み込んだ構造を有し、該光スイッチング
素子が光導電体と光感度を持たない抵抗素子とからなる
分圧回路とこの分圧回路で分圧された電圧を入力とする
インバータ回路からなり、このインバータ回路の出力電
極が画素電極となっていることを特徴とする液晶ライト
パルプ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25278387A JPH0786615B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 液晶ライトバルブ |
| US07/254,022 US4884875A (en) | 1987-10-06 | 1988-10-06 | Liquid crystal light valve showing an improved display contrast |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25278387A JPH0786615B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 液晶ライトバルブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194322A true JPH0194322A (ja) | 1989-04-13 |
| JPH0786615B2 JPH0786615B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=17242209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25278387A Expired - Lifetime JPH0786615B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4884875A (ja) |
| JP (1) | JPH0786615B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323427A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Nec Corp | 液晶ライトバルブ |
| US5168382A (en) * | 1990-11-16 | 1992-12-01 | Nec Corporation | Optically addressed liquid crystal light valve and optical logic device using the same |
| US5461400A (en) * | 1992-01-24 | 1995-10-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| JP2011008173A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 光書き込み型表示装置とその駆動方法、及び電子機器 |
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| WO1990016057A1 (en) * | 1989-06-17 | 1990-12-27 | Glick William F | Color display system using thin film color control |
| GB2238644B (en) * | 1989-11-29 | 1994-02-02 | Gen Electric Co Plc | Matrix addressable displays |
| JPH07113533B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1995-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学的変形量測定装置 |
| JPH06342146A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-12-13 | Canon Inc | 画像表示装置、半導体装置及び光学機器 |
| US5594565A (en) * | 1994-12-02 | 1997-01-14 | General Electric Company | Programmable liquid crystal wavefront device |
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| US4693561A (en) * | 1985-12-23 | 1987-09-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Amorphous silicon spatial light modulator |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25278387A patent/JPH0786615B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-10-06 US US07/254,022 patent/US4884875A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2011008173A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 光書き込み型表示装置とその駆動方法、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4884875A (en) | 1989-12-05 |
| JPH0786615B2 (ja) | 1995-09-20 |
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