JPH0160960B2 - - Google Patents
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- JPH0160960B2 JPH0160960B2 JP57093977A JP9397782A JPH0160960B2 JP H0160960 B2 JPH0160960 B2 JP H0160960B2 JP 57093977 A JP57093977 A JP 57093977A JP 9397782 A JP9397782 A JP 9397782A JP H0160960 B2 JPH0160960 B2 JP H0160960B2
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
本発明はメツキ浴で直接電気メツキ可能な導電
性材料と他の電気絶縁性樹脂とを組合せ、導電性
材料側に金属メツキを施してなる電磁遮蔽物に関
するものである。 近年、コンピユーター機器を筆頭に電子技術の
発展には驚くべきものがある。これと同時に電子
装置から広範囲の周波数の電磁波が発生しそのお
互いの他機器へ及ぼす影響が年々社会問題化しつ
つある。またもうひとつの原因として電子機器を
囲むハウジング、シヤーシ等が年々量産化と軽量
化のためプラスチツク化へ急速に進んだこともあ
げられる。これら電磁波を発生する機器を金属で
覆つてしまえば、完全な遮蔽が得られ、発生源を
そのハウジング内で抑えることができ、また外か
らの電磁波もハウジング内へ伝播できなくなる。
しかし金属で覆つてしまうことは、量産化と軽量
化を目指してプラスチツク化へ進んでいる波と逆
行することになる。また人間への感電防止のため
プラスチツク等の絶縁層が外側になることが望ま
しく、現在ではプラスチツク内面へ金属亜鉛溶射
を行い、内面を導電化して電磁波遮蔽に対応して
いる。けれども亜鉛溶射は装置が高価なため、国
内では普及しておらず量産性に乏しく、騒音、亜
鉛蒸気ガスの発生など労働環境が悪くまた価格も
高い。 これに対してプラスチツクのメツキは国内には
数千社もあり、自動車、家電を問わず一般雑貨へ
も普及しており、非常にメツキ屋とのつながりも
深い関係にある。このプラスチツクメツキを利用
すれば所望の金属厚みを電着させることが可能
で、電磁波遮蔽に充分に対応し得る。しかし前述
したように全面メツキしたのではプラスチツクの
絶縁層が外側になることが不可能となりコストも
高くなる。それ故内側の必要な個所にメツキを施
すことが嘱望されていた。これを可能にしたのが
直接電気メツキ可能な熱可塑性樹脂からなる導電
性材料である。直接電気メツキ可能な樹脂として
はカーボンブラツクを添加することにより導電性
とし、且メツキにより電着した金属との密着力を
向上させるために硫黄または硫黄供与体を添加し
たものである。 即ち本発明に使用する直接電気メツキ可能な樹
脂は、ハウジング及びシヤーシ等への適用を考慮
して、熱可塑性樹脂100重量部に対して、カーボ
ンブラツク15〜130重量部並びに0.05〜15重量部
の硫黄含有量に等しい量の硫黄及び/又は硫黄供
与体を少なくとも含む組成物であることを見出し
たのである。 こゝで使用される熱可塑性樹脂は硫黄との関係
で加工温度250℃以下のものが望ましくポリエチ
レン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレンプ
ロピレン共重合体(EP)、エチレンプロピレンジ
エン三元共重合体(EPDM)、ポリスチレン
(PS)、ポリ塩化ビニル(PVC)、6−ナイロン
(6−Ny)、ABS、AS、スチレンエチレンブチ
レンスチレン共重合体(SEBS)等が含まれる。 又硫黄系物質としては硫黄単体及びジブチルキ
サントゲンジスルフイド(DBS)、テトラメチル
チウラムジスルフイド(TMTS)、ジペンタメチ
レンチウラムヘキサスルフイド(DPTH)、メル
カプトベンゾチアジルスルフイド(MBTS)等
の硫黄供与体が含まれる。 これら直接電気メツキ可能な熱可塑性樹脂から
なる導電性材料を他の電気絶縁性の良好な樹脂で
あるPE、PP、EP、EPDM、PVC、PS、6−
Ny、6−Ny、PPS、ノリル、PET、PBT、
ABS、AS、ポリカーボネート(PC)、ポリアリ
レート等のフイルム又はシート(多層フイルム又
はシートも含む)と加熱圧着もしくは適する接着
剤を用いて貼り合わせ又は最初から各樹脂を共押
出し成形し、一方の表面層が導電性材料、他方の
表面層が電気絶縁性樹脂からなる2層以上のシー
トを得る。得られた該シートを真空成形、圧空成
形又は圧縮成形し所定の形状物を形成する。又導
電性材料と電気絶縁性とを組合せて二色又は三色
の射出成形によつて多色成形し所望の形状のもの
を得てもよい。該成形物をメツキ浴へ浸漬して電
圧を印加することによつてこれら直接電気メツキ
可能な導電性材料上にのみ選択的に又は部分的に
Ni、Co、Fe、Ni−Fe、Ni−Co等の周期律表第
族の金属及びその合金を均一に電着することが
できる。更にNi等がメツキされた後Niのみでは
なく他の金属例えばCr、Cu、Zn、Sn、Ag、Au、
Pt、Pd、Cd等を電磁波の遮蔽波長、遮蔽強度に
合わせてメツキ膜厚及びその金属の種類を変えて
希望の減衰が得られるようにメツキできる。 このように該導電性材料と電気絶縁性良好な樹
脂とを組合わせて真空成形、圧縮成形、二色射出
成形等により希望のハウジングボツクスやシヤー
シ等の物を成形し、メツキ浴中で電気メツキする
ことにより、露出している導電性材料の部分のみ
がメツキされ目的物が得られる。導電性材料を使
用しない場合は直接電気メツキできないため、プ
ラスチツクメツキ樹脂で代表的なABS樹脂であ
つても必ず化学メツキ工程を通して化学メツキを
施さなければならず他の樹脂と組合せても全で化
学メツキがのつてしまい、必要な個所のみ即ち部
分的にメツキができないという欠点がある。 本発明はこのように直接電気メツキ可能な導電
性材料を用いて、これと他の電気絶縁性樹脂とを
組合せて2層乃至2色以上として真空成形、圧縮
成形、二色射出成形によつて成形し、直接電気メ
ツキを施こしてその必要な個所である該導電性材
料のみに金属を電着させ、電磁波遮蔽を目的とす
る電磁遮蔽物を提供するものである。 尚直接電気メツキ可能な導電性材料としては熱
可塑性樹脂100重量部にカーボンブラツク15〜130
重量部を添加し導電化する。更にメツキの密着力
を増すために0.05〜15重量部の硫黄含有量に等し
い硫黄及び/又は硫黄供与体を添加する。これは
アセチレン、ケツチユン等の幾種のカーボンブラ
ツクを添加しても導電性は向上するがメツキの密
着力は向上しない。硫黄系物質を添加することに
よりメツキにより電着した金属と該導電性材料と
の密着力が向上されるのである。添加量は使用す
る熱可塑性樹脂の種類、カーボンブラツクの種
類、硫黄系物質の種類によつて異なるが熱可塑性
樹脂100重量部に対してカーボンブラツク15〜130
重量部添加によりメツキ可能な導電性となり、導
電性材料とメツキ金属との密着力は0.05〜15重量
部の硫黄含有量で所定の密着力が得られる。 以下実施例にて詳細に説明する。 実施例 1 直接電気メツキ可能な導電性材料として住友化
学工業製住友ノーブレンD501のポリプロピレン
100重量部に対して、バルカンC−72カーボンブ
ラツク(Cabot Corp製)及び硫黄を第1表のよ
うな組成とし、混練温度200℃でバンバリーミキ
サーで混練し各樹脂組成物を得た。次いで電気絶
縁性樹脂として宇部サイコン(株)サイコラツク
ABSを使用して前記各導電性材料とを組合わせ
て次の如く真空成形、圧縮成形、二色射出成形を
行つた。 (1) 真空成形の場合、各導電性材料を1mmの厚み
に、ABSは2mmの厚みに押出成形しシート状
として接着剤でラミネツトし複合シートを作成
した。これを内側が導電性材料になるようにし
て真空成形して20cm×20cm×3cm(肉厚2〜3
mm)のボツクスに成形した。 (2) 圧縮成形の場合、真空成形と同様にし作成し
た複合シートを内側が導電性材料になるように
して25cm×20cm×4cm(肉厚2〜3mm)のボツ
クスを成形した。 (3) 二色射出成形の場合、導電性材料とABSを
それぞれ別々のホツパー内に投入して、二色成
形を行い20cm×20cm×3cm(肉厚3mm)のボツ
クスを得た。(1)、(2)、(3)の各成形品を同一条件
で各種金属電気メツキ浴中でNi→Cu→Ni→Cr
の順でメツキを行い、第1表のような層厚を有
する電着層が得られた。これを20cm角に切り出
して、メツキ面を発振器側へ向けてタケダ理研
製のTR4172スペクトルアメライザーを使用し
て0〜1000MHzまでの発振周波数のシールド効
果を測定した。その結果、高インピーダンス電
界及び低インピーダンス磁界での減衰値が第1
表のように得られた。 第1表に示されたように、本発明である実施No.
3、4、5及び6は全て各種成形法において成形
性、メツキ性はいずれも良好で且つメツキ密着力
(90゜剥離強度)は1Kg/cm以上と非常に良好で、
減衰値も問題はなかつた。本発明以外の実施No.1
はメツキ密着力が剥離強度0.2Kg/cmと低く、メ
ツキはできるがすぐはがれて実用上使用できな
い。No.2はカーボンブラツクが少ないため、導電
性が低く、試験的にメツキは長時間の電圧印加を
行えばメツキできその他の遮蔽特性も問題ないが
メツキ工程における量産性に欠ける。No.7及びNo.
8は成形性以外のメツキ特性、遮蔽特性は問題な
いがNo.7はカーボンが多すぎて流動性が悪く、真
空成形の場合、表面上にムラができて好ましくな
い。No.8は硫黄が多すぎて、シーテイング時及び
複合シートにしてからの真空成形で硫黄臭気が急
激に増加し、作業環境上好ましくない。
性材料と他の電気絶縁性樹脂とを組合せ、導電性
材料側に金属メツキを施してなる電磁遮蔽物に関
するものである。 近年、コンピユーター機器を筆頭に電子技術の
発展には驚くべきものがある。これと同時に電子
装置から広範囲の周波数の電磁波が発生しそのお
互いの他機器へ及ぼす影響が年々社会問題化しつ
つある。またもうひとつの原因として電子機器を
囲むハウジング、シヤーシ等が年々量産化と軽量
化のためプラスチツク化へ急速に進んだこともあ
げられる。これら電磁波を発生する機器を金属で
覆つてしまえば、完全な遮蔽が得られ、発生源を
そのハウジング内で抑えることができ、また外か
らの電磁波もハウジング内へ伝播できなくなる。
しかし金属で覆つてしまうことは、量産化と軽量
化を目指してプラスチツク化へ進んでいる波と逆
行することになる。また人間への感電防止のため
プラスチツク等の絶縁層が外側になることが望ま
しく、現在ではプラスチツク内面へ金属亜鉛溶射
を行い、内面を導電化して電磁波遮蔽に対応して
いる。けれども亜鉛溶射は装置が高価なため、国
内では普及しておらず量産性に乏しく、騒音、亜
鉛蒸気ガスの発生など労働環境が悪くまた価格も
高い。 これに対してプラスチツクのメツキは国内には
数千社もあり、自動車、家電を問わず一般雑貨へ
も普及しており、非常にメツキ屋とのつながりも
深い関係にある。このプラスチツクメツキを利用
すれば所望の金属厚みを電着させることが可能
で、電磁波遮蔽に充分に対応し得る。しかし前述
したように全面メツキしたのではプラスチツクの
絶縁層が外側になることが不可能となりコストも
高くなる。それ故内側の必要な個所にメツキを施
すことが嘱望されていた。これを可能にしたのが
直接電気メツキ可能な熱可塑性樹脂からなる導電
性材料である。直接電気メツキ可能な樹脂として
はカーボンブラツクを添加することにより導電性
とし、且メツキにより電着した金属との密着力を
向上させるために硫黄または硫黄供与体を添加し
たものである。 即ち本発明に使用する直接電気メツキ可能な樹
脂は、ハウジング及びシヤーシ等への適用を考慮
して、熱可塑性樹脂100重量部に対して、カーボ
ンブラツク15〜130重量部並びに0.05〜15重量部
の硫黄含有量に等しい量の硫黄及び/又は硫黄供
与体を少なくとも含む組成物であることを見出し
たのである。 こゝで使用される熱可塑性樹脂は硫黄との関係
で加工温度250℃以下のものが望ましくポリエチ
レン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレンプ
ロピレン共重合体(EP)、エチレンプロピレンジ
エン三元共重合体(EPDM)、ポリスチレン
(PS)、ポリ塩化ビニル(PVC)、6−ナイロン
(6−Ny)、ABS、AS、スチレンエチレンブチ
レンスチレン共重合体(SEBS)等が含まれる。 又硫黄系物質としては硫黄単体及びジブチルキ
サントゲンジスルフイド(DBS)、テトラメチル
チウラムジスルフイド(TMTS)、ジペンタメチ
レンチウラムヘキサスルフイド(DPTH)、メル
カプトベンゾチアジルスルフイド(MBTS)等
の硫黄供与体が含まれる。 これら直接電気メツキ可能な熱可塑性樹脂から
なる導電性材料を他の電気絶縁性の良好な樹脂で
あるPE、PP、EP、EPDM、PVC、PS、6−
Ny、6−Ny、PPS、ノリル、PET、PBT、
ABS、AS、ポリカーボネート(PC)、ポリアリ
レート等のフイルム又はシート(多層フイルム又
はシートも含む)と加熱圧着もしくは適する接着
剤を用いて貼り合わせ又は最初から各樹脂を共押
出し成形し、一方の表面層が導電性材料、他方の
表面層が電気絶縁性樹脂からなる2層以上のシー
トを得る。得られた該シートを真空成形、圧空成
形又は圧縮成形し所定の形状物を形成する。又導
電性材料と電気絶縁性とを組合せて二色又は三色
の射出成形によつて多色成形し所望の形状のもの
を得てもよい。該成形物をメツキ浴へ浸漬して電
圧を印加することによつてこれら直接電気メツキ
可能な導電性材料上にのみ選択的に又は部分的に
Ni、Co、Fe、Ni−Fe、Ni−Co等の周期律表第
族の金属及びその合金を均一に電着することが
できる。更にNi等がメツキされた後Niのみでは
なく他の金属例えばCr、Cu、Zn、Sn、Ag、Au、
Pt、Pd、Cd等を電磁波の遮蔽波長、遮蔽強度に
合わせてメツキ膜厚及びその金属の種類を変えて
希望の減衰が得られるようにメツキできる。 このように該導電性材料と電気絶縁性良好な樹
脂とを組合わせて真空成形、圧縮成形、二色射出
成形等により希望のハウジングボツクスやシヤー
シ等の物を成形し、メツキ浴中で電気メツキする
ことにより、露出している導電性材料の部分のみ
がメツキされ目的物が得られる。導電性材料を使
用しない場合は直接電気メツキできないため、プ
ラスチツクメツキ樹脂で代表的なABS樹脂であ
つても必ず化学メツキ工程を通して化学メツキを
施さなければならず他の樹脂と組合せても全で化
学メツキがのつてしまい、必要な個所のみ即ち部
分的にメツキができないという欠点がある。 本発明はこのように直接電気メツキ可能な導電
性材料を用いて、これと他の電気絶縁性樹脂とを
組合せて2層乃至2色以上として真空成形、圧縮
成形、二色射出成形によつて成形し、直接電気メ
ツキを施こしてその必要な個所である該導電性材
料のみに金属を電着させ、電磁波遮蔽を目的とす
る電磁遮蔽物を提供するものである。 尚直接電気メツキ可能な導電性材料としては熱
可塑性樹脂100重量部にカーボンブラツク15〜130
重量部を添加し導電化する。更にメツキの密着力
を増すために0.05〜15重量部の硫黄含有量に等し
い硫黄及び/又は硫黄供与体を添加する。これは
アセチレン、ケツチユン等の幾種のカーボンブラ
ツクを添加しても導電性は向上するがメツキの密
着力は向上しない。硫黄系物質を添加することに
よりメツキにより電着した金属と該導電性材料と
の密着力が向上されるのである。添加量は使用す
る熱可塑性樹脂の種類、カーボンブラツクの種
類、硫黄系物質の種類によつて異なるが熱可塑性
樹脂100重量部に対してカーボンブラツク15〜130
重量部添加によりメツキ可能な導電性となり、導
電性材料とメツキ金属との密着力は0.05〜15重量
部の硫黄含有量で所定の密着力が得られる。 以下実施例にて詳細に説明する。 実施例 1 直接電気メツキ可能な導電性材料として住友化
学工業製住友ノーブレンD501のポリプロピレン
100重量部に対して、バルカンC−72カーボンブ
ラツク(Cabot Corp製)及び硫黄を第1表のよ
うな組成とし、混練温度200℃でバンバリーミキ
サーで混練し各樹脂組成物を得た。次いで電気絶
縁性樹脂として宇部サイコン(株)サイコラツク
ABSを使用して前記各導電性材料とを組合わせ
て次の如く真空成形、圧縮成形、二色射出成形を
行つた。 (1) 真空成形の場合、各導電性材料を1mmの厚み
に、ABSは2mmの厚みに押出成形しシート状
として接着剤でラミネツトし複合シートを作成
した。これを内側が導電性材料になるようにし
て真空成形して20cm×20cm×3cm(肉厚2〜3
mm)のボツクスに成形した。 (2) 圧縮成形の場合、真空成形と同様にし作成し
た複合シートを内側が導電性材料になるように
して25cm×20cm×4cm(肉厚2〜3mm)のボツ
クスを成形した。 (3) 二色射出成形の場合、導電性材料とABSを
それぞれ別々のホツパー内に投入して、二色成
形を行い20cm×20cm×3cm(肉厚3mm)のボツ
クスを得た。(1)、(2)、(3)の各成形品を同一条件
で各種金属電気メツキ浴中でNi→Cu→Ni→Cr
の順でメツキを行い、第1表のような層厚を有
する電着層が得られた。これを20cm角に切り出
して、メツキ面を発振器側へ向けてタケダ理研
製のTR4172スペクトルアメライザーを使用し
て0〜1000MHzまでの発振周波数のシールド効
果を測定した。その結果、高インピーダンス電
界及び低インピーダンス磁界での減衰値が第1
表のように得られた。 第1表に示されたように、本発明である実施No.
3、4、5及び6は全て各種成形法において成形
性、メツキ性はいずれも良好で且つメツキ密着力
(90゜剥離強度)は1Kg/cm以上と非常に良好で、
減衰値も問題はなかつた。本発明以外の実施No.1
はメツキ密着力が剥離強度0.2Kg/cmと低く、メ
ツキはできるがすぐはがれて実用上使用できな
い。No.2はカーボンブラツクが少ないため、導電
性が低く、試験的にメツキは長時間の電圧印加を
行えばメツキできその他の遮蔽特性も問題ないが
メツキ工程における量産性に欠ける。No.7及びNo.
8は成形性以外のメツキ特性、遮蔽特性は問題な
いがNo.7はカーボンが多すぎて流動性が悪く、真
空成形の場合、表面上にムラができて好ましくな
い。No.8は硫黄が多すぎて、シーテイング時及び
複合シートにしてからの真空成形で硫黄臭気が急
激に増加し、作業環境上好ましくない。
【表】
【表】
実施例 2
導電性材料に使用する熱可塑性樹脂及び電気絶
縁性樹脂を各種変えて第2表ように組合せて、実
施例1と同様にして検討した。 尚樹脂の組合せについては異種のプラスチツク
の場合、接着性のよい同種組成系統の樹脂の組合
せをして行つている。又実施No.11及びNo.12はメツ
キ層をニツケル鉄合金のみとした。 使用樹脂は、ポリエチレン(PE)は住友化学
工業(株)のスミカセンF208−1、ポリスチレン
(PS)は住友化学工業(株)のエスブライト4、ABS
は宇部サイコン(株)のサイコラツク、変性PPO(ノ
リル)はエンジニアリングプラスチツク(株)のノリ
ル731J、ASは三井東圧(株)のライタツクA100PC、
ナイロン(Ny)は宇部興産(株)の宇部ナイロン
1013B等を使用した。DPTH(ジペンタメチレン
チウラムヘキサスルフイド)は住友化学工業(株)の
ソクシノールTRA、MBTS(メルカプトベンゾ
チアジルジスルフイド)は大内新興化学(株)のノク
セラーDMを使用した。 結果は第2表に示めされているように全て目的
を達している。
縁性樹脂を各種変えて第2表ように組合せて、実
施例1と同様にして検討した。 尚樹脂の組合せについては異種のプラスチツク
の場合、接着性のよい同種組成系統の樹脂の組合
せをして行つている。又実施No.11及びNo.12はメツ
キ層をニツケル鉄合金のみとした。 使用樹脂は、ポリエチレン(PE)は住友化学
工業(株)のスミカセンF208−1、ポリスチレン
(PS)は住友化学工業(株)のエスブライト4、ABS
は宇部サイコン(株)のサイコラツク、変性PPO(ノ
リル)はエンジニアリングプラスチツク(株)のノリ
ル731J、ASは三井東圧(株)のライタツクA100PC、
ナイロン(Ny)は宇部興産(株)の宇部ナイロン
1013B等を使用した。DPTH(ジペンタメチレン
チウラムヘキサスルフイド)は住友化学工業(株)の
ソクシノールTRA、MBTS(メルカプトベンゾ
チアジルジスルフイド)は大内新興化学(株)のノク
セラーDMを使用した。 結果は第2表に示めされているように全て目的
を達している。
【表】
Claims (1)
- 1 熱可塑性樹脂100重量部にカーボンブラツク
15〜130重量部並びに0.05〜15重量部の硫黄含有
量に等しい量の硫黄及び/又は硫黄供与体を少な
くとも含む樹脂組成物を中間層とし、電気絶縁性
樹脂を外層及び金属メツキ層を内層としてなるこ
とを特徴する電磁遮蔽物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9397782A JPS58212198A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 電磁遮蔽物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9397782A JPS58212198A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 電磁遮蔽物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58212198A JPS58212198A (ja) | 1983-12-09 |
JPH0160960B2 true JPH0160960B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=14097457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9397782A Granted JPS58212198A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 電磁遮蔽物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58212198A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0799796B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1995-10-25 | 電気化学工業株式会社 | 電磁波遮蔽用複合板 |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP9397782A patent/JPS58212198A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58212198A (ja) | 1983-12-09 |
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