JPH0160876B2 - - Google Patents
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- JPH0160876B2 JPH0160876B2 JP524881A JP524881A JPH0160876B2 JP H0160876 B2 JPH0160876 B2 JP H0160876B2 JP 524881 A JP524881 A JP 524881A JP 524881 A JP524881 A JP 524881A JP H0160876 B2 JPH0160876 B2 JP H0160876B2
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- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は燃料を燃焼するバーナの燃焼状態を温
度や圧力、ガス濃度、酸素濃度等で検出して、燃
料の供給を制御するバーナの燃焼状態検知回路に
関する。
度や圧力、ガス濃度、酸素濃度等で検出して、燃
料の供給を制御するバーナの燃焼状態検知回路に
関する。
従来、状態検知回路は種々あつたが簡単な回路
構成で幅広く応用できる構成を可能とし、安全性
が高く乾電池等の小パワーで駆動可能なものはな
かつたため、例えば家庭用のガス燃焼機器や石油
燃焼機器の温度安全器、燃焼安全器、ガス漏れ安
全器、酸欠安全器等に応用することは困難であつ
た。本発明の状態検知器はこれ等全てを満足し幅
広い応用を可能としたものである。
構成で幅広く応用できる構成を可能とし、安全性
が高く乾電池等の小パワーで駆動可能なものはな
かつたため、例えば家庭用のガス燃焼機器や石油
燃焼機器の温度安全器、燃焼安全器、ガス漏れ安
全器、酸欠安全器等に応用することは困難であつ
た。本発明の状態検知器はこれ等全てを満足し幅
広い応用を可能としたものである。
以下図に従つて本発明状態検知回路を具体的に
説明してゆく。
説明してゆく。
第1図は本発明の応用例を示すシステム図であ
る。図はガス燃焼機器における燃焼検知回路に応
用した例を示す。ガス配管1のガスバーナ2に至
る中間部に電磁弁3を有する。4はバーナ2の燃
焼熱を検知するセンサでここでは負特性感温抵抗
素子を使用している。5はセンサ4の信号に応じ
た周波数で発振する検知発振回路、6は検知発振
回路5の発振周波数に応じた直流電圧は発生し電
磁弁3を駆動するFV変換回路を示す。
る。図はガス燃焼機器における燃焼検知回路に応
用した例を示す。ガス配管1のガスバーナ2に至
る中間部に電磁弁3を有する。4はバーナ2の燃
焼熱を検知するセンサでここでは負特性感温抵抗
素子を使用している。5はセンサ4の信号に応じ
た周波数で発振する検知発振回路、6は検知発振
回路5の発振周波数に応じた直流電圧は発生し電
磁弁3を駆動するFV変換回路を示す。
第2図にその具体回路例を示す。7は直流電源
で8は通常ガスコツク(図示せず)等と連動して
投入される電源スイツチである。検知発振回路5
は直流電源7およびスイツチ8で駆動される
CMOSインバータゲート9,10とコンデンサ
11、抵抗12,13とセンサ4により無安定マ
ルチバイブレータ回路を構成している。この回路
は一般周知の方形波発振回路でコンデンサ11と
抵抗12、センサ4の抵抗値により決定される充
放電時間により発振周波数が定められる。13
は発振安定用の抵抗を示す。以上によりセンサ4
の温度が低い場合はその抵抗値が大きくこのため
発振周波数は低く、センサ4の温度が上昇するに
伴ない周波数が高くなつてゆく。
で8は通常ガスコツク(図示せず)等と連動して
投入される電源スイツチである。検知発振回路5
は直流電源7およびスイツチ8で駆動される
CMOSインバータゲート9,10とコンデンサ
11、抵抗12,13とセンサ4により無安定マ
ルチバイブレータ回路を構成している。この回路
は一般周知の方形波発振回路でコンデンサ11と
抵抗12、センサ4の抵抗値により決定される充
放電時間により発振周波数が定められる。13
は発振安定用の抵抗を示す。以上によりセンサ4
の温度が低い場合はその抵抗値が大きくこのため
発振周波数は低く、センサ4の温度が上昇するに
伴ない周波数が高くなつてゆく。
6はFV変換回路を示し、検知発振回路5の出
力に応じてオンオフ動作するNPNトランジスタ
14を有しそのコレクタは抵抗15を介して電源
のに接続されると共に微分コンデンサ16の一
端に接続されている。トランジスタ14のエミツ
タは電源7のに接続されている。微分コンデン
サ16の他端はダイオード17,18のアノード
およびカソードに各々接続されている。ダイオー
ド17のカソードは積分コンデンサ19および電
磁弁3を並列に介して電源のに、またダイオー
ド18のアノードは抵抗20を介して電源のに
接続されている。21はトランジスタ14のベー
ス抵抗22はベースエミツタ抵抗を示す。
力に応じてオンオフ動作するNPNトランジスタ
14を有しそのコレクタは抵抗15を介して電源
のに接続されると共に微分コンデンサ16の一
端に接続されている。トランジスタ14のエミツ
タは電源7のに接続されている。微分コンデン
サ16の他端はダイオード17,18のアノード
およびカソードに各々接続されている。ダイオー
ド17のカソードは積分コンデンサ19および電
磁弁3を並列に介して電源のに、またダイオー
ド18のアノードは抵抗20を介して電源のに
接続されている。21はトランジスタ14のベー
ス抵抗22はベースエミツタ抵抗を示す。
今発振回路5がある周波数pで発振している時
トランジスタ14もそれと同期してオンオフをく
り返す。これにより電位eaはトランジスタ14が
導通の時は零、遮断の時は電源電圧と抵抗15に
よる電圧降下の差の電位が発生する。トランジス
タ14が遮断の時に抵抗15を通してコンデンサ
16に充電されるため、電位ebは正の微分出力と
なる。これはダイオード17を通してコンデンサ
19に充電される。次にトランジスタ14が導通
したときコンデンサ16の電荷はトランジスタ1
4および抵抗20、ダイオード18を通して放電
するため電位ebは負の微分出力を出す。このとき
ダイオード17は逆バイアスとなりコンデンサ1
9の電荷は弁3の抵抗値で決まる時定数で放電し
てゆくがこのとき次の正の微分パルスが印加され
るため電位ecはある電位で釣合つた直流電圧とな
る。
トランジスタ14もそれと同期してオンオフをく
り返す。これにより電位eaはトランジスタ14が
導通の時は零、遮断の時は電源電圧と抵抗15に
よる電圧降下の差の電位が発生する。トランジス
タ14が遮断の時に抵抗15を通してコンデンサ
16に充電されるため、電位ebは正の微分出力と
なる。これはダイオード17を通してコンデンサ
19に充電される。次にトランジスタ14が導通
したときコンデンサ16の電荷はトランジスタ1
4および抵抗20、ダイオード18を通して放電
するため電位ebは負の微分出力を出す。このとき
ダイオード17は逆バイアスとなりコンデンサ1
9の電荷は弁3の抵抗値で決まる時定数で放電し
てゆくがこのとき次の正の微分パルスが印加され
るため電位ecはある電位で釣合つた直流電圧とな
る。
第3図にこの特性を示し横軸に発振回路5の発
振周波数、縦軸に出力電圧ecを示す。発振周波
数が低い場合はeaがローからハイになる時間が
長いためコンデンサ19の電荷が弁3を通して放
電する量が多いため電位ecは低く、が高くなる
に従つてecも高くなる。がpよりも高くなりea
がハイになつたときに抵抗15をコンデンサ16
の充電時定数よりも短かくなると電位ebに発生す
る正の微分出力が小さくなるためコンデンサ19
に充電する量が減少して電位ecは低下してくる。
今電磁弁3の開閉動作電圧がec′であるとすれば
周波数が1と2の間にある場合のみ電磁弁3は開
きガスが流通する。以上によりセンサ4の抵抗値
がある範囲になつた場合にのみ電磁弁3が開きそ
れよりも大きな抵抗値あるいは小さな抵抗値にな
つた場合には電磁弁が閉じる。センサ4の抵抗値
と発振周波数はコンデンサ11により決定でき
る。また1とecの関係は電磁弁3の抵抗値とコン
デンサ19により、2は抵抗15とコンデンサ1
6により決定できる。このため第3図の0より右
の特性のみを利用するように設計することも可能
であり、この場合はセンサ4部の温度を一定に保
つ温度制御回路となる。また0より左の特性を利
用することにより何等かの原因により炎が消えた
場合に電磁弁3を閉じて生ガスの流出を防止する
安全器として動作させることができる。
振周波数、縦軸に出力電圧ecを示す。発振周波
数が低い場合はeaがローからハイになる時間が
長いためコンデンサ19の電荷が弁3を通して放
電する量が多いため電位ecは低く、が高くなる
に従つてecも高くなる。がpよりも高くなりea
がハイになつたときに抵抗15をコンデンサ16
の充電時定数よりも短かくなると電位ebに発生す
る正の微分出力が小さくなるためコンデンサ19
に充電する量が減少して電位ecは低下してくる。
今電磁弁3の開閉動作電圧がec′であるとすれば
周波数が1と2の間にある場合のみ電磁弁3は開
きガスが流通する。以上によりセンサ4の抵抗値
がある範囲になつた場合にのみ電磁弁3が開きそ
れよりも大きな抵抗値あるいは小さな抵抗値にな
つた場合には電磁弁が閉じる。センサ4の抵抗値
と発振周波数はコンデンサ11により決定でき
る。また1とecの関係は電磁弁3の抵抗値とコン
デンサ19により、2は抵抗15とコンデンサ1
6により決定できる。このため第3図の0より右
の特性のみを利用するように設計することも可能
であり、この場合はセンサ4部の温度を一定に保
つ温度制御回路となる。また0より左の特性を利
用することにより何等かの原因により炎が消えた
場合に電磁弁3を閉じて生ガスの流出を防止する
安全器として動作させることができる。
第4図は他の実施例を示す回路図で検知発振回
路5からFV変換回路6に至る信号線の途中にパ
ルス変換回路23が接続されている。発振回路5
およびFV変換回路6は第2図と同じであるため
説明は省く。パルス変換回路23はCMOSイン
バータ24,25、コンデンサ26,27、抵抗
28,29により一般周知の単安定マルチバイブ
レータを構成しておりその出力edはその入力ef
(発振回路5の出力)がハイの時にローを保持し
ており、電位efがハイからローに切替つた時にed
はハイとなりコンデンサ26と抵抗29およびコ
ンデンサ27と抵抗28により決定される時間の
後再度ローに保持される。トランジスタ14は出
力edによりオンオフ駆動されedがハイの場合にト
ランジスタ14が導通しedがローの場合に遮断す
る。
路5からFV変換回路6に至る信号線の途中にパ
ルス変換回路23が接続されている。発振回路5
およびFV変換回路6は第2図と同じであるため
説明は省く。パルス変換回路23はCMOSイン
バータ24,25、コンデンサ26,27、抵抗
28,29により一般周知の単安定マルチバイブ
レータを構成しておりその出力edはその入力ef
(発振回路5の出力)がハイの時にローを保持し
ており、電位efがハイからローに切替つた時にed
はハイとなりコンデンサ26と抵抗29およびコ
ンデンサ27と抵抗28により決定される時間の
後再度ローに保持される。トランジスタ14は出
力edによりオンオフ駆動されedがハイの場合にト
ランジスタ14が導通しedがローの場合に遮断す
る。
第5図、第6図に発振回路5の出力efおよびト
ランジスタ14のコレクタ電位eaの状態を印すタ
イムチヤートを示し横軸tは時間である。今発振
回路5がある周波数で動作している時にその振幅
が第5図aに示すt1であつたとする。このときパ
ルス変換回路23の単安定マルチバイブレータ動
作時間がtaであるとその出力edは電位efのローに
なつた時からtaの時間だけハイとなる。このため
トランジスタ14のコレクタ電位eaはedの反転出
力となる。(第5図b)第6図aのように発振周
波数が変化してt2となつた場合でもトランジス
タ14の導通時間taは変化しない。トランジスタ
14が導通すれば第2図で説明したようにコンデ
ンサ16の放電電流icが流れると同時に抵抗15
を通して電源からの電流iaが流れる。このiaは実
用上不要な電流でありia分だけ消費電力をロスす
ることになりiaをなるべく少なくする方が望まし
い。通常の場合FV変換回路6は第6図aのよう
に発振周波数が低くなつた場合トランジスタ14
の導通時間はt2/2となりiaの流れる時間が増加
する。これを防ぐため、パルス変換回路23によ
りt2が長くてもトランジスタ14の導通時間はta
一定となりiaの流れる時間は必要最少限に保つこ
とが可能となる。
ランジスタ14のコレクタ電位eaの状態を印すタ
イムチヤートを示し横軸tは時間である。今発振
回路5がある周波数で動作している時にその振幅
が第5図aに示すt1であつたとする。このときパ
ルス変換回路23の単安定マルチバイブレータ動
作時間がtaであるとその出力edは電位efのローに
なつた時からtaの時間だけハイとなる。このため
トランジスタ14のコレクタ電位eaはedの反転出
力となる。(第5図b)第6図aのように発振周
波数が変化してt2となつた場合でもトランジス
タ14の導通時間taは変化しない。トランジスタ
14が導通すれば第2図で説明したようにコンデ
ンサ16の放電電流icが流れると同時に抵抗15
を通して電源からの電流iaが流れる。このiaは実
用上不要な電流でありia分だけ消費電力をロスす
ることになりiaをなるべく少なくする方が望まし
い。通常の場合FV変換回路6は第6図aのよう
に発振周波数が低くなつた場合トランジスタ14
の導通時間はt2/2となりiaの流れる時間が増加
する。これを防ぐため、パルス変換回路23によ
りt2が長くてもトランジスタ14の導通時間はta
一定となりiaの流れる時間は必要最少限に保つこ
とが可能となる。
第4図のような構成により回路全体の消費電力
が節減でき、乾電池などで駆動する回路も実現で
きる。
が節減でき、乾電池などで駆動する回路も実現で
きる。
第7図は他の実施例を示す。この例ではセンサ
4′は酸化スズ(SnO2)あるいは酸化チタン
(TiO2)等の金属酸化物で構成した酸素濃度検知
センサを使用している。センサ4′は第1図と同
様に燃焼機器の火炎により加熱して使用してい
る。今、酸素濃度が低くなつた場合火炎は酸化物
のO2を吸収するためセンサ4′の抵抗値は小さく
なる。またこのセンサには負の温度特性を有しバ
ーナ2によりセンサが一定温度に加熱されていな
い場合は抵抗値が大きい。以上からバーナ2の着
火後センサ4′の温度が安定するまでは抵抗値が
大きく例えば第3図の1よりも右にあるため出力
ecが小さいため電磁弁3を開くことができない。
このため第7図では点火後一定時間疑似的に周波
数0を発生するタイマ回路30を有する。タイマ
回路30はコンデンサ31,32抵抗33,34
とCMOSインバータ回路35,36により構成
される単安定マルチバイブレータ回路と、抵抗3
7,38コンデンサ39、CMOSインバータ回
路40とNANDゲート41により構成される無
安定マルチバイブレータ回路により構成されてい
る。
4′は酸化スズ(SnO2)あるいは酸化チタン
(TiO2)等の金属酸化物で構成した酸素濃度検知
センサを使用している。センサ4′は第1図と同
様に燃焼機器の火炎により加熱して使用してい
る。今、酸素濃度が低くなつた場合火炎は酸化物
のO2を吸収するためセンサ4′の抵抗値は小さく
なる。またこのセンサには負の温度特性を有しバ
ーナ2によりセンサが一定温度に加熱されていな
い場合は抵抗値が大きい。以上からバーナ2の着
火後センサ4′の温度が安定するまでは抵抗値が
大きく例えば第3図の1よりも右にあるため出力
ecが小さいため電磁弁3を開くことができない。
このため第7図では点火後一定時間疑似的に周波
数0を発生するタイマ回路30を有する。タイマ
回路30はコンデンサ31,32抵抗33,34
とCMOSインバータ回路35,36により構成
される単安定マルチバイブレータ回路と、抵抗3
7,38コンデンサ39、CMOSインバータ回
路40とNANDゲート41により構成される無
安定マルチバイブレータ回路により構成されてい
る。
第8図に第7図の回路動作を説明するタイムチ
ヤートを示し、第7図と共に説明してゆく。
ヤートを示し、第7図と共に説明してゆく。
今、時間t0で点火装置と連動する点火スイツチ
を投入すると電位egがローになる(第8図a)こ
の電位egが単安定マルチバイブレータ回路を起動
させる。単安定マルチバイブレータ回路は一般周
知の回路構成であり、その出力ehは入力egがロー
になつた瞬間にハイとなり抵抗33とコンデンサ
31および抵抗34とコンデンサ32により決定
される瞬間txの後にローに戻る。(第8図b)こ
の時間txはバーナの燃焼が安定してセンサ4′の
出力RTが所定の値になる時間tyよりも長く設計さ
れている。(第8図c)出力ehはCMOSインバー
タ42の入力に接続されている。つまりehがハイ
の時には出力eiはローとなるため検知発振回路5
は発振しない。ehがローになつたときeiはハイと
なり検知発振回路5がセンサ4′の抵抗値に応じ
た発振周波数で発振し始める。(第8図d)。一方
ehがハイの時には疑似発振回路37とコンデンサ
39で定まる周波数で発振しehがローになつたと
き発振は停止する(第8図e)。両方の発振回路
の出力ei,ekはCMOSNORゲート43に入力さ
れるためその出力enは第8図fのように時間txの
間は出力ehで発振しその後は出力ejで発振する。
を投入すると電位egがローになる(第8図a)こ
の電位egが単安定マルチバイブレータ回路を起動
させる。単安定マルチバイブレータ回路は一般周
知の回路構成であり、その出力ehは入力egがロー
になつた瞬間にハイとなり抵抗33とコンデンサ
31および抵抗34とコンデンサ32により決定
される瞬間txの後にローに戻る。(第8図b)こ
の時間txはバーナの燃焼が安定してセンサ4′の
出力RTが所定の値になる時間tyよりも長く設計さ
れている。(第8図c)出力ehはCMOSインバー
タ42の入力に接続されている。つまりehがハイ
の時には出力eiはローとなるため検知発振回路5
は発振しない。ehがローになつたときeiはハイと
なり検知発振回路5がセンサ4′の抵抗値に応じ
た発振周波数で発振し始める。(第8図d)。一方
ehがハイの時には疑似発振回路37とコンデンサ
39で定まる周波数で発振しehがローになつたと
き発振は停止する(第8図e)。両方の発振回路
の出力ei,ekはCMOSNORゲート43に入力さ
れるためその出力enは第8図fのように時間txの
間は出力ehで発振しその後は出力ejで発振する。
時間tx後にセンサ4′が正常にない場合は出力
enの発振は停止して電磁弁3を閉止する。また時
間txが終了後に酸欠その他の異常が発生してその
抵抗値が変化した場合(第8図cのRta,Rtb)
出力ejの発振周波数が変化して前述のようにFV
変換回路の出力がなくなり電磁弁3を閉止する。
enの発振は停止して電磁弁3を閉止する。また時
間txが終了後に酸欠その他の異常が発生してその
抵抗値が変化した場合(第8図cのRta,Rtb)
出力ejの発振周波数が変化して前述のようにFV
変換回路の出力がなくなり電磁弁3を閉止する。
第7図で説明した構成によりバーナに点火初期
に燃焼状態が安定するまでの間タイマ回路の出力
で疑似的に保持するために誤動作がなく安定した
状態検知が可能となる。
に燃焼状態が安定するまでの間タイマ回路の出力
で疑似的に保持するために誤動作がなく安定した
状態検知が可能となる。
以上の回路はセンサが酸欠センサ4′以外の例
えば第2図のように感温素子であつてもよくまた
それ以外の可変抵抗素子であればよく種々の物理
量の検知、制御に応用できる。また電磁弁3もこ
れに限らず種々のアクチユエータを使用すること
も可能である。
えば第2図のように感温素子であつてもよくまた
それ以外の可変抵抗素子であればよく種々の物理
量の検知、制御に応用できる。また電磁弁3もこ
れに限らず種々のアクチユエータを使用すること
も可能である。
以上に説明したように本発明の状態検知回路は
下のような効果を有する。
下のような効果を有する。
(1) 燃焼状態を検知するセンサの出力を一度周波
数に変換した後に、その周波数が一定の範囲に
あるときにのみ直流信号を出力して駆動部を駆
動するFV変換回路を有する構成であるために、
センサの破損やその他の回路部品の破損が発生
しても全て発振周波数が停止するために、燃料
を停止する方向に作用し、安全でフエールセー
フな燃焼状態検知回路を実現できる。これは燃
焼機器では部品の破損により必ず燃焼が停止す
るように動作しない場合には火炎や人身事故の
原因につながり非常に重要である。
数に変換した後に、その周波数が一定の範囲に
あるときにのみ直流信号を出力して駆動部を駆
動するFV変換回路を有する構成であるために、
センサの破損やその他の回路部品の破損が発生
しても全て発振周波数が停止するために、燃料
を停止する方向に作用し、安全でフエールセー
フな燃焼状態検知回路を実現できる。これは燃
焼機器では部品の破損により必ず燃焼が停止す
るように動作しない場合には火炎や人身事故の
原因につながり非常に重要である。
(2) FV変換回路は入力された周波数が一定の範
囲にあるときだけ直流電圧出力を発生する構成
であるために、周波数が高周波側に変化する異
常と低周波側に変化する異常のいずれの異常が
発生しても燃焼を停止する。このために2つの
状態の判定にも応用できる。例えば第2図では
バーナの失火異常とバーナ部の異常温度上昇異
常の判定が一つの回路で実現できる。
囲にあるときだけ直流電圧出力を発生する構成
であるために、周波数が高周波側に変化する異
常と低周波側に変化する異常のいずれの異常が
発生しても燃焼を停止する。このために2つの
状態の判定にも応用できる。例えば第2図では
バーナの失火異常とバーナ部の異常温度上昇異
常の判定が一つの回路で実現できる。
(3) 検知センサの抵抗変化を発振周波数に変換す
る検知発振回路を設けたために、検知センサは
可変抵抗素子であればどの様なセンサにでも応
用可能であり、使用する燃焼機器に最適なセン
サを使用した回路を実現できる。
る検知発振回路を設けたために、検知センサは
可変抵抗素子であればどの様なセンサにでも応
用可能であり、使用する燃焼機器に最適なセン
サを使用した回路を実現できる。
第1図は本発明の状態検知回路をガス燃焼検出
に応用した例を示す制御システム図、第2図はそ
の具体回路図、第3図はその出力特性図、第4図
は他の実施例を示す回路図、第5図、第6図はそ
の動作を説明するタイムチヤート、第7図はさら
に他の実施例を示す回路図、第8図はその動作を
説明するタイムチヤートである。 3…電磁弁(駆動部)、4,4′…検知センサ、
5…検知発振回路、6…FV変換回路、23…パ
ルス変換回路、30…タイマ回路、43…NOR
ゲート(OR回路)、9,10,17,24,2
5,35,41,40…CMOS集積回路。
に応用した例を示す制御システム図、第2図はそ
の具体回路図、第3図はその出力特性図、第4図
は他の実施例を示す回路図、第5図、第6図はそ
の動作を説明するタイムチヤート、第7図はさら
に他の実施例を示す回路図、第8図はその動作を
説明するタイムチヤートである。 3…電磁弁(駆動部)、4,4′…検知センサ、
5…検知発振回路、6…FV変換回路、23…パ
ルス変換回路、30…タイマ回路、43…NOR
ゲート(OR回路)、9,10,17,24,2
5,35,41,40…CMOS集積回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 燃料を燃焼するバーナの燃焼状態を検知して
電気信号に変換する検知センサと、前記検知セン
サの信号に応じて発振周波数を可変する検知発振
回路と、前記検知発振回路の発振周波数が予め定
められた周波数範囲にはいつたときにのみ前記発
振周波数に応じた直流出力電圧を出すFV変換回
路と、前記FV変換回路により前記バーナへの燃
料の供給を駆動制御される駆動部とからなる構成
のバーナの燃焼状態検知回路。 2 FV変換回路は、検知発振回路の発振周波数
に応じた発振パルス信号のハイ時間あるいはロー
時間のいずれかを一定に保ち、パルスのデユーテ
イ比を変えるパルス変換回路を通して駆動する構
成とした特許請求の範囲第1項記載のバーナの燃
焼状態検知回路。 3 FV変換回路は、検知発振回路からの出力信
号と、検知センサの出力が安定に至るまでの一定
時間疑似状態を出力するタイマ回路とのOR回路
により駆動する構成とした特許請求の範囲第1項
記載のバーナの燃焼状態検知回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP524881A JPS57120192A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Status detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP524881A JPS57120192A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Status detection circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57120192A JPS57120192A (en) | 1982-07-27 |
JPH0160876B2 true JPH0160876B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=11605898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP524881A Granted JPS57120192A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Status detection circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57120192A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2070340T3 (es) | 1989-11-01 | 1995-06-01 | Schering Corp | Lentes de contacto coloreadas que tienen una apariencia muy natural. |
US6827440B2 (en) | 2000-01-03 | 2004-12-07 | Wesley Jessen Company | Colored contact lens with a more natural appearance |
-
1981
- 1981-01-16 JP JP524881A patent/JPS57120192A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57120192A (en) | 1982-07-27 |
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