JPH0157845B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0157845B2 JPH0157845B2 JP56079170A JP7917081A JPH0157845B2 JP H0157845 B2 JPH0157845 B2 JP H0157845B2 JP 56079170 A JP56079170 A JP 56079170A JP 7917081 A JP7917081 A JP 7917081A JP H0157845 B2 JPH0157845 B2 JP H0157845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 21
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14597—Matching SAW transducers to external electrical circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広帯域にわたつて信号源あるいは負
荷抵抗との間の整合がとれるように構成した表面
弾性波素子用整合回路に関するものである。
荷抵抗との間の整合がとれるように構成した表面
弾性波素子用整合回路に関するものである。
表面弾性波素子の代表的なものとして第1図の
ような構造が知られている。同図において1は圧
電基板で例えばニオブ酸リチウム(LiNbO3)単
結晶、2,3はこの表面に形成された電極で例え
ばすだれ状電極、4,5は不要な波を防止するた
めの吸音材、6は入力端子、7は出力端子であ
る。
ような構造が知られている。同図において1は圧
電基板で例えばニオブ酸リチウム(LiNbO3)単
結晶、2,3はこの表面に形成された電極で例え
ばすだれ状電極、4,5は不要な波を防止するた
めの吸音材、6は入力端子、7は出力端子であ
る。
以上のような表面弾性波素子を回路コンポーネ
ントとして、単独の電気部品として用いる場合は
その入力端子6および出力端子7に接続される部
品との間で整合をとる必要がある。しかしながら
表面弾性波素子の伝送特性上トリプルトランジツ
トエコー(T.T.E.)の影響を考慮すると、完全
に整合をとることは都合が悪くなるため適当なと
ころで妥協せざるを得なかつた。この結果不整合
損失が大きくなり、また不整合による反射に基い
て定在波が生じるため外部回路に悪影響を与える
等総合的な電気的特性を低下させる欠点が生じ
た。
ントとして、単独の電気部品として用いる場合は
その入力端子6および出力端子7に接続される部
品との間で整合をとる必要がある。しかしながら
表面弾性波素子の伝送特性上トリプルトランジツ
トエコー(T.T.E.)の影響を考慮すると、完全
に整合をとることは都合が悪くなるため適当なと
ころで妥協せざるを得なかつた。この結果不整合
損失が大きくなり、また不整合による反射に基い
て定在波が生じるため外部回路に悪影響を与える
等総合的な電気的特性を低下させる欠点が生じ
た。
第1図のようなすだれ状電極2,3を有する表
面弾性波素子のインピーダンスZ(=R+jx)の
周波数特性は第2図のように示され、同図におい
て横軸は周波数、左縦軸は抵抗R、右縦軸はリ
アクタンスXである。また第3図は第2図のイン
ピーダンス特性に対応したアドミツタンスY(=
G+jB)の周波数特性を示すもので、横軸は周
波数、左縦軸はコンダクタンスG、右縦軸はサ
セプタンスBである。このような周波数特性を示
す表面弾性波素子に対し、第4図のように一つの
すだれ状電極2に中心周波数において、すだれ状
電極の呈する容量性リアクタンスと直列共振する
ようなインダクタンスL0を直列に接続するとそ
のインピーダンス特性およびアドミツタンス特性
は各々第5図および第6図のように変化させるこ
とができる。なお第2図、第3図および第5図、
第6図において0は中心周波数である。
面弾性波素子のインピーダンスZ(=R+jx)の
周波数特性は第2図のように示され、同図におい
て横軸は周波数、左縦軸は抵抗R、右縦軸はリ
アクタンスXである。また第3図は第2図のイン
ピーダンス特性に対応したアドミツタンスY(=
G+jB)の周波数特性を示すもので、横軸は周
波数、左縦軸はコンダクタンスG、右縦軸はサ
セプタンスBである。このような周波数特性を示
す表面弾性波素子に対し、第4図のように一つの
すだれ状電極2に中心周波数において、すだれ状
電極の呈する容量性リアクタンスと直列共振する
ようなインダクタンスL0を直列に接続するとそ
のインピーダンス特性およびアドミツタンス特性
は各々第5図および第6図のように変化させるこ
とができる。なお第2図、第3図および第5図、
第6図において0は中心周波数である。
第2図および第5図の比較から明らかなよう
に、初め第2図のように容量性(−jx)のリアク
タンスを呈していた表面弾性波素子のインピーダ
ンスは、インダクタンスL0が接続されることに
より中心周波数0でその容量性リアクタンスは共
振作用を受けるようになつて、第5図のように中
心周波数0近傍では純抵抗Rのみを、それ以下で
は容量性(−jx)を、それ以上では誘導性(+
jx)を示すように変化させられる。したがつてこ
のように第1図の表面弾性波素子にインダクタン
スL0を直列に接続すれば、前記のような欠点を
生ずることなく整合をとることができるようにな
る。
に、初め第2図のように容量性(−jx)のリアク
タンスを呈していた表面弾性波素子のインピーダ
ンスは、インダクタンスL0が接続されることに
より中心周波数0でその容量性リアクタンスは共
振作用を受けるようになつて、第5図のように中
心周波数0近傍では純抵抗Rのみを、それ以下で
は容量性(−jx)を、それ以上では誘導性(+
jx)を示すように変化させられる。したがつてこ
のように第1図の表面弾性波素子にインダクタン
スL0を直列に接続すれば、前記のような欠点を
生ずることなく整合をとることができるようにな
る。
しかし、第5図のインピーダンス特性は整合が
とれている範囲が中心周波数0の近傍のみと制限
されるために、回路コンポーネントとして用いる
場合用途が挟ばめられ狭帯域用にしか使用できな
いという欠点があつた。
とれている範囲が中心周波数0の近傍のみと制限
されるために、回路コンポーネントとして用いる
場合用途が挟ばめられ狭帯域用にしか使用できな
いという欠点があつた。
本発明は以上の欠点を除去するためなされたも
ので、容量性リアクタンスを呈する表面弾性波素
子の電極に中心周波数で上記容量性リアクタンス
と共振するインダクタンスが直列に直接接続さ
れ、このインダクタンスの入力側にインダクタン
スを含む表面弾性波素子のサセプタンスの周波数
特性が呈する傾きとほぼ逆の傾きを呈するサセプ
タンス周波数特性を有するリアクタンス回路を接
続することにより広帯域にわたり整合がとれるよ
うに構成した表面弾性波素子用整合回路を提供す
るものである。
ので、容量性リアクタンスを呈する表面弾性波素
子の電極に中心周波数で上記容量性リアクタンス
と共振するインダクタンスが直列に直接接続さ
れ、このインダクタンスの入力側にインダクタン
スを含む表面弾性波素子のサセプタンスの周波数
特性が呈する傾きとほぼ逆の傾きを呈するサセプ
タンス周波数特性を有するリアクタンス回路を接
続することにより広帯域にわたり整合がとれるよ
うに構成した表面弾性波素子用整合回路を提供す
るものである。
以下図面を参照し本発明実施例を説明する。第
7図は本発明実施例による整合回路を示すもの
で、L1はインダクタンス、C1はキヤパシタンス
である。この整合回路は第8図のようなインダク
タンスL1とキヤパシタンスC1との並列共振回路
を第4図のインダクタンスL0に接続したもので
ある。
7図は本発明実施例による整合回路を示すもの
で、L1はインダクタンス、C1はキヤパシタンス
である。この整合回路は第8図のようなインダク
タンスL1とキヤパシタンスC1との並列共振回路
を第4図のインダクタンスL0に接続したもので
ある。
第8図の並列共振回路におけるインダクタンス
L1およびキヤパシタンスC1の値は中心周波数0に
対して(L1C1)‐1=(2π0)2の共振条件を満足す
るように選ばれる。すなわち第6図におけるサセ
プタンス特性の近似の直線aが呈する傾きθとほ
ぼ逆の傾きθ′を呈するような第9図の直線bを有
するように、第8図の並列共振回路は構成され
る。
L1およびキヤパシタンスC1の値は中心周波数0に
対して(L1C1)‐1=(2π0)2の共振条件を満足す
るように選ばれる。すなわち第6図におけるサセ
プタンス特性の近似の直線aが呈する傾きθとほ
ぼ逆の傾きθ′を呈するような第9図の直線bを有
するように、第8図の並列共振回路は構成され
る。
第10図は第7図の整合回路によつて得られた
電圧定在波比の周波数特性を示すもので、横軸は
周波数、縦軸は電圧定在波比VSWRである。
電圧定在波比の周波数特性を示すもので、横軸は
周波数、縦軸は電圧定在波比VSWRである。
第11図は第7図の整合回路によつて得られた
インピーダンス特性を示すもので、横軸は周波数
、縦軸はサセプタンスBである。第10図およ
び第11図の特性はLiNbO3基板上4対、アパー
チヤmmのすだれ状電極に対し第7図の整合回路に
おいてインダクタンスL0=0.5μH、キヤパシタン
スC1=100PFの条件に設定した場合の結果であ
る。インダクタンスL1の値は前記した共振条件
に基いて周波数の決定により自動的に決定され
る。またいずれにおいても信号源(あるいは負
荷)抵抗の値は50Ωに選んだ。
インピーダンス特性を示すもので、横軸は周波数
、縦軸はサセプタンスBである。第10図およ
び第11図の特性はLiNbO3基板上4対、アパー
チヤmmのすだれ状電極に対し第7図の整合回路に
おいてインダクタンスL0=0.5μH、キヤパシタン
スC1=100PFの条件に設定した場合の結果であ
る。インダクタンスL1の値は前記した共振条件
に基いて周波数の決定により自動的に決定され
る。またいずれにおいても信号源(あるいは負
荷)抵抗の値は50Ωに選んだ。
なお第10図および第11図の特性において、
点線の特性は比較のため一つのインダクタンス
L0のみを接続した場合(L0=0.5μH)の整合回路
により得られた特性を示す。
点線の特性は比較のため一つのインダクタンス
L0のみを接続した場合(L0=0.5μH)の整合回路
により得られた特性を示す。
以上の構成によれば、共振条件を満足させる範
囲内でインダクタンスL1あるいはキヤパシタン
スC1を適宜可変することにより第6図における
サセプタンス特性曲線の傾きを自由に選ぶことが
できるので、第11図のように広帯域にわたつて
インピーダンスの整合をとることができるように
なる。また種々のすだれ状電極の形状、寸法に対
しても上記整合回路を適用して同様な効果が得ら
れるものである。
囲内でインダクタンスL1あるいはキヤパシタン
スC1を適宜可変することにより第6図における
サセプタンス特性曲線の傾きを自由に選ぶことが
できるので、第11図のように広帯域にわたつて
インピーダンスの整合をとることができるように
なる。また種々のすだれ状電極の形状、寸法に対
しても上記整合回路を適用して同様な効果が得ら
れるものである。
以上説明して明らかなように本発明によれば、
容量性リアクタンスを呈する表面弾性波素子の電
極に対し上記容量性リアクタンスと中心周波数で
共振するインダクタンスを直列に接続し、このイ
ンダクタンスを含む表面弾性波素子のサセプタン
ス特性の呈する傾きとほぼ逆の傾きを呈するサセ
プタンス特性を有するリアクタンス回路を上記イ
ンダクタンスに接続するように構成したので、中
心周波数の上下にわたり広帯域に整合をとること
ができるようになる。したがつて本発明によれば
広帯域に亘り不整合損失を小さく抑える事ができ
るので、不整合による反射波が外部回路や総合的
電気特性に与える影響を小さくできる。また、各
種の表面弾性波素子に対する適用が可能である。
容量性リアクタンスを呈する表面弾性波素子の電
極に対し上記容量性リアクタンスと中心周波数で
共振するインダクタンスを直列に接続し、このイ
ンダクタンスを含む表面弾性波素子のサセプタン
ス特性の呈する傾きとほぼ逆の傾きを呈するサセ
プタンス特性を有するリアクタンス回路を上記イ
ンダクタンスに接続するように構成したので、中
心周波数の上下にわたり広帯域に整合をとること
ができるようになる。したがつて本発明によれば
広帯域に亘り不整合損失を小さく抑える事ができ
るので、不整合による反射波が外部回路や総合的
電気特性に与える影響を小さくできる。また、各
種の表面弾性波素子に対する適用が可能である。
第1図は一般の表面弾性波素子を示す斜視図、
第4図は従来例を示す回路、第2図、第3図、第
5図、第6図は共に従来例によつて得られた結果
を示す特性図、第7図および第8図は本発明の実
施例を示す回路図、第9図は本発明を説明するた
めの特性図、第10図および第11図は共に本発
明によつて得られた結果を示す特性図である。 1……基板、2,3……すだれ状電極、4,5
……吸音材、6……入力端子、7……出力端子、
L0,L1……インダクタンス、C1……キヤパシタ
ンス。
第4図は従来例を示す回路、第2図、第3図、第
5図、第6図は共に従来例によつて得られた結果
を示す特性図、第7図および第8図は本発明の実
施例を示す回路図、第9図は本発明を説明するた
めの特性図、第10図および第11図は共に本発
明によつて得られた結果を示す特性図である。 1……基板、2,3……すだれ状電極、4,5
……吸音材、6……入力端子、7……出力端子、
L0,L1……インダクタンス、C1……キヤパシタ
ンス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 容量性リアクタンスを呈する表面弾性波素子
の電極に中心周波数で上記容量性リアクタンスと
共振するインダクタンスが直列に直接接続され、
このインダクタンスの入力側にインダクタンスを
含む表面弾性波素子のサセプタンスの周波数特性
が呈する傾きとほぼ逆の傾きを呈するサセプタン
ス周波数特性を有するリアクタンス回路が接続さ
れて成ることを特徴とする表面弾性波素子用整合
回路。 2 上記電極がすだれ状電極から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の表面弾性波素
子用整合回路。 3 上記すだれ状電極にインダクタンスが直列に
接続され、このインダクタンスに他のインダクタ
ンスとキヤパシタンスとから成る並列回路が接続
されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第2
項記載の表面弾性波素子用整合回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7917081A JPS57194615A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Matching circuit for surface acoustic wave |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7917081A JPS57194615A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Matching circuit for surface acoustic wave |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57194615A JPS57194615A (en) | 1982-11-30 |
JPH0157845B2 true JPH0157845B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=13682492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7917081A Granted JPS57194615A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Matching circuit for surface acoustic wave |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57194615A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3409927A1 (de) * | 1984-03-17 | 1985-09-26 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Breitbandiges anpassungsnetzwerk |
JP2691203B2 (ja) * | 1984-04-02 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波フィルタ |
JPS61127220A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH0831770B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 周波数弁別装置 |
US5077545A (en) * | 1990-05-02 | 1991-12-31 | Sawtek, Inc. | Surface acoustic wave waveguide-coupled resonator notch filter |
JPH066111A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 複合デュプレックスフィルタ |
US6426683B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-07-30 | Motorola, Inc. | Integrated filter with improved I/O matching and method of fabrication |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105428A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 | Murata Mfg Co Ltd | Matching method for elastic surface wave element |
-
1981
- 1981-05-27 JP JP7917081A patent/JPS57194615A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105428A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 | Murata Mfg Co Ltd | Matching method for elastic surface wave element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57194615A (en) | 1982-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021060523A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
US4196407A (en) | Piezoelectric ceramic filter | |
KR100196292B1 (ko) | 표면 음향파 필터 | |
JPH01260911A (ja) | 弾性表面波共振器複合形フィルタ | |
US5936483A (en) | Surface acoustic wave device with two filters each having capacitive impedance in the other's passband | |
US4602228A (en) | Surface acoustic wave filter | |
JPH0213488B2 (ja) | ||
JP2986036B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JPH0157845B2 (ja) | ||
JPS5835404B2 (ja) | 弾性表面波パラメトリック装置 | |
JPH0353802B2 (ja) | ||
KR100232752B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
JPH0546344Y2 (ja) | ||
US5914645A (en) | Surface acoustic wave device with optimized ratio of film thickness to electrode period | |
US6291923B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2002185284A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JP2562321B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH0526822Y2 (ja) | ||
JPS58131810A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPS60140918A (ja) | 弾性表面波共振子 | |
JPS63131710A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3035085B2 (ja) | 一方向性弾性表面波変換器 | |
JP2605002B2 (ja) | 弾性表面波フイルタ | |
JP2853094B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH025328B2 (ja) |