JPH0152858B2 - - Google Patents
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- JPH0152858B2 JPH0152858B2 JP55075119A JP7511980A JPH0152858B2 JP H0152858 B2 JPH0152858 B2 JP H0152858B2 JP 55075119 A JP55075119 A JP 55075119A JP 7511980 A JP7511980 A JP 7511980A JP H0152858 B2 JPH0152858 B2 JP H0152858B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/126—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using line sources
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平板型の画像表示装置、特にその電
極構体に関し、熱歪を除去したより精度の高い電
極構体を備えた画像表示装置を提供することを目
的とするものである。
極構体に関し、熱歪を除去したより精度の高い電
極構体を備えた画像表示装置を提供することを目
的とするものである。
従来、平板型の画像表示装置の電極構体として
は、第１図に示すような構成の電極構体が用いら
れてきた。
は、第１図に示すような構成の電極構体が用いら
れてきた。
１，３は金属基板または半導体基板からなる発
光制御電極手段、２は、電極間を一定の間隔に保
持しつ隣接する、発光制御電極手段１，３間を電
気的に絶縁する絶縁体からなるスペーサである。
よく用いられるスペーサ２としては、ガラス、セ
ラミツク等が挙げられる。電極手段である金属基
板または半導体基板は、エツチング等にて十分な
加工精度が得られる。例えば、厚さ200μの金属
板の貫通孔の孔径のバラツキ、および貫通孔のピ
ツチずれ等は、±20μ程度の誤差で加工出来る。
しかし、ガラス、セラミツク等のエツチング或は
機械加工での誤差は、±50μ〜100μ程度生じる。
そのために、電極手段、スペーサ等を積層して構
成される電極構体は精度が悪くなり、良質な画像
が得られない問題点があつた。
光制御電極手段、２は、電極間を一定の間隔に保
持しつ隣接する、発光制御電極手段１，３間を電
気的に絶縁する絶縁体からなるスペーサである。
よく用いられるスペーサ２としては、ガラス、セ
ラミツク等が挙げられる。電極手段である金属基
板または半導体基板は、エツチング等にて十分な
加工精度が得られる。例えば、厚さ200μの金属
板の貫通孔の孔径のバラツキ、および貫通孔のピ
ツチずれ等は、±20μ程度の誤差で加工出来る。
しかし、ガラス、セラミツク等のエツチング或は
機械加工での誤差は、±50μ〜100μ程度生じる。
そのために、電極手段、スペーサ等を積層して構
成される電極構体は精度が悪くなり、良質な画像
が得られない問題点があつた。
第２図はプラズマデイスプレイ装置の概略構成
図を示すもので、背面基板２１に多数の走査陽極
２２が平行設置され、さらに背面基板２１上に走
査陽極２２と直交するように多数の走査陰極２３
が平行装置され、走査陰極２３上にスペーサ２４
を介して多数の表示陰極２５が走査陰極２３に対
して直交配置され、表示陰極２５上にスペーサ６
を介して、多数の表示陽極２７が内面に付された
ガラス板２８を、表示陽極２７が表示陰極２５と
直交するように設置したものである。そして、走
査陽極２２と走査陰極２３との間で走査放電を行
ないつつ、表示陰極２５と表示陽極２７との間で
選択的に表示放電を行なうものであつて、各電極
間にスペーサが介在されて電極構体が構成され、
ガラス板内面に塗布されたけい光体（図示せず）
からなる発光手段により発光表示が行なわれる。
図を示すもので、背面基板２１に多数の走査陽極
２２が平行設置され、さらに背面基板２１上に走
査陽極２２と直交するように多数の走査陰極２３
が平行装置され、走査陰極２３上にスペーサ２４
を介して多数の表示陰極２５が走査陰極２３に対
して直交配置され、表示陰極２５上にスペーサ６
を介して、多数の表示陽極２７が内面に付された
ガラス板２８を、表示陽極２７が表示陰極２５と
直交するように設置したものである。そして、走
査陽極２２と走査陰極２３との間で走査放電を行
ないつつ、表示陰極２５と表示陽極２７との間で
選択的に表示放電を行なうものであつて、各電極
間にスペーサが介在されて電極構体が構成され、
ガラス板内面に塗布されたけい光体（図示せず）
からなる発光手段により発光表示が行なわれる。
第３図は平板型の陰極線管画像表示装置の概略
構成図を示すもので、背面電極３１と線状熱陰極
３２とで電子放射体が、構成され、電子放射体か
ら放射される電子ビームを電子ビーム取り出し電
極３３により取り出し、この電極３３にスペーサ
３４を介して設置された第１の制御電極３５、お
よびこの電極３５にスペーサ３６を介して設置さ
れた第２の制御電極３７により電子ビームの偏向
量等を制御し、蛍光体面３８に電子ビームを射突
させることにより画像表示を行なうものである。
構成図を示すもので、背面電極３１と線状熱陰極
３２とで電子放射体が、構成され、電子放射体か
ら放射される電子ビームを電子ビーム取り出し電
極３３により取り出し、この電極３３にスペーサ
３４を介して設置された第１の制御電極３５、お
よびこの電極３５にスペーサ３６を介して設置さ
れた第２の制御電極３７により電子ビームの偏向
量等を制御し、蛍光体面３８に電子ビームを射突
させることにより画像表示を行なうものである。
このように、第２図、第３図に示すようなプラ
ズマデイスプレイ装置、平板型射極線管画像表示
装置等の電極構体においては、画素の解像度を上
げると顕著に精度が悪くなる欠点があつた。さら
に、上記の積層されて構成される電極構体は、フ
リツトガラス等を塗布し、500℃程度に温度を上
昇、下降して固定するか、或は位置合せ用ピンを
用いて固定する等の法にて製作し、ガラス容器等
に入れて再度400℃程度に温度を上昇、下降する。
この時、固定された電極構体を構成している電極
手段とスペーサとの材質が異るため、熱膨張係数
が異り、熱歪が発生する。この熱歪のために、電
極手段、スペーサ等の位置ずれ、クラツク等が起
り、精度をより十分上げることが出来ない欠点が
あつた。
ズマデイスプレイ装置、平板型射極線管画像表示
装置等の電極構体においては、画素の解像度を上
げると顕著に精度が悪くなる欠点があつた。さら
に、上記の積層されて構成される電極構体は、フ
リツトガラス等を塗布し、500℃程度に温度を上
昇、下降して固定するか、或は位置合せ用ピンを
用いて固定する等の法にて製作し、ガラス容器等
に入れて再度400℃程度に温度を上昇、下降する。
この時、固定された電極構体を構成している電極
手段とスペーサとの材質が異るため、熱膨張係数
が異り、熱歪が発生する。この熱歪のために、電
極手段、スペーサ等の位置ずれ、クラツク等が起
り、精度をより十分上げることが出来ない欠点が
あつた。
本発明は以上のような欠点をなくすためになさ
れたもので、高精度孔の形成が可能でかつ熱歪の
発生することのない電極構体を提供するものであ
つて、以下に本発明を図面を用いて実施例と共に
説明する。
れたもので、高精度孔の形成が可能でかつ熱歪の
発生することのない電極構体を提供するものであ
つて、以下に本発明を図面を用いて実施例と共に
説明する。
画像表示装置、特に平板型の画像表示装置にお
ける各種制御電極手段は、一般的にマトリツクス
状に構成され、その交叉箇所にて画素の発光を制
御する事になる。このマトリツクス状に構成され
る電極手段はある一定間隔に離間して設置され
る。その間に、下記の如く各電極手段と同一材質
の薄板表面を、化学的な方法などにより絶縁物化
して、絶縁膜を形成したスペーサを挿入する事に
より、電極間を一定間隔を保持して電極構体が構
成される。すなわち、この電極構体は、電極手段
とスペーサが密着して構成される。上記の化学的
表面処理方法としては、硫酸、硝酸、リン酸等の
酸性水溶液、或は、水酸化ナトリウム溶液等のア
ルカリ性水溶液にて、酸化膜を形成し絶縁膜を作
る方法がある。別の方法として、高温処理にて、
熱的酸化を行い酸化膜を形成し絶縁膜を作る方法
がある。さらに別の方法として、高温に窒素雰囲
気中にて、窒化膜を形成し絶縁膜を作る方法もあ
る。以上の様に構成される電極構体は、スペーサ
自身に金属基板或は半導体基板を使用している為
に、エツチング精度がガラス、セラミツク基板に
比し極めて高く、かつ、スペーサとしての絶縁を
保つ為にフリツトガラス等の電着塗布を行つたス
ペーサに比してもその表面凹凸状態は、1μ以下
の状態が維持出来、はるかに精度のよいスペーサ
が得られる。また、前記電極構体の電極手段とス
ペーサを同一材質にて構成すると、熱的歪が殆ど
除かれる為に、極めて精度の高い電極構体を製造
することが出来、画像表示装置の解像度を飛躍的
に高くすることが出来る効果がある。
ける各種制御電極手段は、一般的にマトリツクス
状に構成され、その交叉箇所にて画素の発光を制
御する事になる。このマトリツクス状に構成され
る電極手段はある一定間隔に離間して設置され
る。その間に、下記の如く各電極手段と同一材質
の薄板表面を、化学的な方法などにより絶縁物化
して、絶縁膜を形成したスペーサを挿入する事に
より、電極間を一定間隔を保持して電極構体が構
成される。すなわち、この電極構体は、電極手段
とスペーサが密着して構成される。上記の化学的
表面処理方法としては、硫酸、硝酸、リン酸等の
酸性水溶液、或は、水酸化ナトリウム溶液等のア
ルカリ性水溶液にて、酸化膜を形成し絶縁膜を作
る方法がある。別の方法として、高温処理にて、
熱的酸化を行い酸化膜を形成し絶縁膜を作る方法
がある。さらに別の方法として、高温に窒素雰囲
気中にて、窒化膜を形成し絶縁膜を作る方法もあ
る。以上の様に構成される電極構体は、スペーサ
自身に金属基板或は半導体基板を使用している為
に、エツチング精度がガラス、セラミツク基板に
比し極めて高く、かつ、スペーサとしての絶縁を
保つ為にフリツトガラス等の電着塗布を行つたス
ペーサに比してもその表面凹凸状態は、1μ以下
の状態が維持出来、はるかに精度のよいスペーサ
が得られる。また、前記電極構体の電極手段とス
ペーサを同一材質にて構成すると、熱的歪が殆ど
除かれる為に、極めて精度の高い電極構体を製造
することが出来、画像表示装置の解像度を飛躍的
に高くすることが出来る効果がある。
以下に本発明の具体的な実施例を示す。
一つの実施例として、平板型陰極線表示装置に
ついて述べる。他の平板型プラズマデイスプレイ
装置等の画像表示装置の電極構体にても同様にし
て構成出来る。平板型陰極線表示装置の一実施例
の部分的な構造を第４図に示す。陰極線４１は、
10〜20μφのタングステン線にバリウム酸化物等
が電着され、ここから電子ビームが放出される。
メツシユ電極４２は陰極線４１から数mm離間して
おかれ30〜100μ程度の厚さのステンレス薄板を
エツチングにてメツシユ状に形成したもので電子
ビームをシヤワー状に均一に取り出すための電極
である。第１グリツド電極４３は、メツシユ電極
４２から数mm離間しておかれ、板厚が50〜200μ
程度の42−６合金（Ni……42％、Cr……６％、
Fe……52％）板で200〜250μφの穴が400〜500μピ
ツチで穿設されており、メツシユ電極４２からの
シヤワー状の電子ビームを各穴（電子ビーム通過
孔）に集束するための電極である。第１スペーサ
４４は、第１グリツト電極４３と、第１電子ビー
ム制御電極４５との間に密着して設置され、周囲
の数ケ所を部分的にフリツトガラスにて固定して
ある。この第１スペーサ４４は、第１グリツト電
極４３と同様、４２−６合金でできており、
100μ程度の厚さの板に250〜350μφの穴を400〜
500μピツチでエツチングにて穿設し、その後、
800〜900℃の高温に熱し、酸化膜を形成した板を
２枚用いている。この時のエツチングによる穴径
のバラツキは数μ〜数十μ以内である。このよう
なスペーサは絶縁耐圧が低いため、２枚に重ねて
用いている。第１電子ビーム制御電極４５は、板
厚70〜100μ程度の４２−６合金で、短冊状に置
かれている。突径、ピツチは、第１グリツト電極
４３とほぼ同程度である。この短冊状の電極４５
の各片にそれぞれ信号電圧を印加することにより
電子ビームの通過量を制御することができる。信
号電圧としては、−30〜100V程度である。さらに
第２スペーサ４６は、第１電子ビーム制御電極４
５と第２電子ビーム制御電極４７との間に設置
し、それぞれに密着して、第１スペーサ４４と同
様に固定されている。この第２スペーサ４６の形
状、製法等は第１スペーサ４４と同一である。ま
た、第２電子ビーム制御電極４７も、第１電子ビ
ーム制御電極４５と同様な形状であり、材質も４
２−６合金である。この第１および第２の電子ビ
ーム制御電極４５，４７にて、各電子ビーム通過
する電子ビームを制御して、蛍光体４８を発光さ
せ表示する。４９は蛍光体４８が表面に塗布され
た透明電極、５０は透明電極４９が形成されたガ
ラス容器である。各電極手段は、製造過程時に、
400〜500℃近く温度を上昇させるため、各金属表
面は薄く酸化される。これを防ぐために金、或は
銀メツキを施している。た温度上昇に伴う熱的歪
は熱膨張係数が同一なため殆ど起らない。
ついて述べる。他の平板型プラズマデイスプレイ
装置等の画像表示装置の電極構体にても同様にし
て構成出来る。平板型陰極線表示装置の一実施例
の部分的な構造を第４図に示す。陰極線４１は、
10〜20μφのタングステン線にバリウム酸化物等
が電着され、ここから電子ビームが放出される。
メツシユ電極４２は陰極線４１から数mm離間して
おかれ30〜100μ程度の厚さのステンレス薄板を
エツチングにてメツシユ状に形成したもので電子
ビームをシヤワー状に均一に取り出すための電極
である。第１グリツド電極４３は、メツシユ電極
４２から数mm離間しておかれ、板厚が50〜200μ
程度の42−６合金（Ni……42％、Cr……６％、
Fe……52％）板で200〜250μφの穴が400〜500μピ
ツチで穿設されており、メツシユ電極４２からの
シヤワー状の電子ビームを各穴（電子ビーム通過
孔）に集束するための電極である。第１スペーサ
４４は、第１グリツト電極４３と、第１電子ビー
ム制御電極４５との間に密着して設置され、周囲
の数ケ所を部分的にフリツトガラスにて固定して
ある。この第１スペーサ４４は、第１グリツト電
極４３と同様、４２−６合金でできており、
100μ程度の厚さの板に250〜350μφの穴を400〜
500μピツチでエツチングにて穿設し、その後、
800〜900℃の高温に熱し、酸化膜を形成した板を
２枚用いている。この時のエツチングによる穴径
のバラツキは数μ〜数十μ以内である。このよう
なスペーサは絶縁耐圧が低いため、２枚に重ねて
用いている。第１電子ビーム制御電極４５は、板
厚70〜100μ程度の４２−６合金で、短冊状に置
かれている。突径、ピツチは、第１グリツト電極
４３とほぼ同程度である。この短冊状の電極４５
の各片にそれぞれ信号電圧を印加することにより
電子ビームの通過量を制御することができる。信
号電圧としては、−30〜100V程度である。さらに
第２スペーサ４６は、第１電子ビーム制御電極４
５と第２電子ビーム制御電極４７との間に設置
し、それぞれに密着して、第１スペーサ４４と同
様に固定されている。この第２スペーサ４６の形
状、製法等は第１スペーサ４４と同一である。ま
た、第２電子ビーム制御電極４７も、第１電子ビ
ーム制御電極４５と同様な形状であり、材質も４
２−６合金である。この第１および第２の電子ビ
ーム制御電極４５，４７にて、各電子ビーム通過
する電子ビームを制御して、蛍光体４８を発光さ
せ表示する。４９は蛍光体４８が表面に塗布され
た透明電極、５０は透明電極４９が形成されたガ
ラス容器である。各電極手段は、製造過程時に、
400〜500℃近く温度を上昇させるため、各金属表
面は薄く酸化される。これを防ぐために金、或は
銀メツキを施している。た温度上昇に伴う熱的歪
は熱膨張係数が同一なため殆ど起らない。
これと同様な構成にて、別の実施例を示す。
電極手段および、スペーサをアルミニウム板に
て構成する場合には、そのスペーサの製法とし
て、酸性溶液、或は、アルカリ性溶液にて、酸化
膜を形成し、スペーサとして使用できる。例え
ば、15％硫酸溶液にて、アルミニウム板を陽極
に、導電性基板を陰極にして、4A／ｄm2の電流
密度の電流を20〜30分流すことにより数μの膜厚
のAl2O3が形成される。この時の絶縁耐圧は100
〜200V位得ることが出来る。電極手段にアルミ
ニウム板を用いた場合にても上記同様、表面に薄
い酸化膜が形成されるのを防ぐため、金、或は、
銀等の酸化しにくい物質をメツキする。
て構成する場合には、そのスペーサの製法とし
て、酸性溶液、或は、アルカリ性溶液にて、酸化
膜を形成し、スペーサとして使用できる。例え
ば、15％硫酸溶液にて、アルミニウム板を陽極
に、導電性基板を陰極にして、4A／ｄm2の電流
密度の電流を20〜30分流すことにより数μの膜厚
のAl2O3が形成される。この時の絶縁耐圧は100
〜200V位得ることが出来る。電極手段にアルミ
ニウム板を用いた場合にても上記同様、表面に薄
い酸化膜が形成されるのを防ぐため、金、或は、
銀等の酸化しにくい物質をメツキする。
さらに、上記と同様の構成にて、別の実施例を
示す。電極手段にシリコン基板を用いた場合のス
ペーサとして窒化膜を形成したシリコン基板にて
も十分その目的を達成することができる。例え
ば、CVD法にて、SiH4またはSiCl4とNH3または
N2との反応を800〜1000℃の高温にて行わせるこ
とにより十分な絶縁膜を得ることができる。
示す。電極手段にシリコン基板を用いた場合のス
ペーサとして窒化膜を形成したシリコン基板にて
も十分その目的を達成することができる。例え
ば、CVD法にて、SiH4またはSiCl4とNH3または
N2との反応を800〜1000℃の高温にて行わせるこ
とにより十分な絶縁膜を得ることができる。
以上の様に表面を絶縁物化したスペーサを用い
た電極構体は何れも金属基板ある半導体基板を用
いているため電子ビーム通過孔の孔径のバラツキ
は、数μ〜数十μ程度の高精度に加工でき、孔の
ピツチずれ等も極めて改善され得る。さらに、電
極手段とスペーサの材質が同一であるために製造
過程での熱的歪は殆どなく電子ビーム通過孔の位
置ズレは極めて少くすることができる。この様に
して画像表示装置の解像度を飛躍的に高くするこ
とができる。
た電極構体は何れも金属基板ある半導体基板を用
いているため電子ビーム通過孔の孔径のバラツキ
は、数μ〜数十μ程度の高精度に加工でき、孔の
ピツチずれ等も極めて改善され得る。さらに、電
極手段とスペーサの材質が同一であるために製造
過程での熱的歪は殆どなく電子ビーム通過孔の位
置ズレは極めて少くすることができる。この様に
して画像表示装置の解像度を飛躍的に高くするこ
とができる。
第１図は従来の一般的なスペーサを用いた電極
構体の基本的構成図、第２図及び第３図は従来の
プラズマデイスプレイ装置及び平板型陰極線管画
像表示装置の部分的な電極構体構成図、第４図は
本発明の一実施例を示す平板型陰極線管画像表示
装置の電極構体構成図である。 ４１……陰極線、４２……メツシユ電極、４３
……第１グリツド電極、４４……第１スペーサ、
４５……第１電子ビーム制御電極、４６……第２
スペーサ、４７……第２電子ビーム制御電極、４
８……蛍光体、４９……透明電極、５０……ガラ
ス容器。
構体の基本的構成図、第２図及び第３図は従来の
プラズマデイスプレイ装置及び平板型陰極線管画
像表示装置の部分的な電極構体構成図、第４図は
本発明の一実施例を示す平板型陰極線管画像表示
装置の電極構体構成図である。 ４１……陰極線、４２……メツシユ電極、４３
……第１グリツド電極、４４……第１スペーサ、
４５……第１電子ビーム制御電極、４６……第２
スペーサ、４７……第２電子ビーム制御電極、４
８……蛍光体、４９……透明電極、５０……ガラ
ス容器。
Claims (1)
- １ 封止された容器内に、画像の発光表示をなす
発光手段と、前記発光手段での発光量を制御する
複数の制御電極から構成される電極構体とを具備
した画像表示装置において、前記電極構体は、複
数の前記制御電極と、これらの制御電極の間に介
在設置される表面が絶縁物化された金属基板また
は半導体基板とから構成され、前記表面が絶縁物
化された金属基板または半導体基板と、この基板
を間に介在させる制御電極とが同一物質からなる
ことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7511980A JPS57835A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Picture image indicator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7511980A JPS57835A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Picture image indicator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57835A JPS57835A (en) | 1982-01-05 |
| JPH0152858B2 true JPH0152858B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=13566981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7511980A Granted JPS57835A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Picture image indicator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57835A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041742A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
| DE19523338A1 (de) * | 1994-06-29 | 1996-02-01 | Okaya Electric Industry Co | Überspannungsschutzelement vom Entladungstyp und Verfahren zu dessen Herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4733454U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-14 | ||
| JPS4822704B1 (ja) * | 1964-12-07 | 1973-07-07 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4822704U (ja) * | 1971-07-23 | 1973-03-15 |
-
1980
- 1980-06-03 JP JP7511980A patent/JPS57835A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4822704B1 (ja) * | 1964-12-07 | 1973-07-07 | ||
| JPS4733454U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57835A (en) | 1982-01-05 |
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