JPH0151121B2 - - Google Patents
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- JPH0151121B2 JPH0151121B2 JP58073727A JP7372783A JPH0151121B2 JP H0151121 B2 JPH0151121 B2 JP H0151121B2 JP 58073727 A JP58073727 A JP 58073727A JP 7372783 A JP7372783 A JP 7372783A JP H0151121 B2 JPH0151121 B2 JP H0151121B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、例えば多層LSIウエハの表面に形成
されたアルミ配線パターンなどのように、ウエハ
表面に形成された特定の配線パターンを観察する
ための照明方法、及び照明装置に係り、特に、特
定の配線パターンの反射像を他の構成部分の反射
像と明瞭に識別し易いように改良した照明方法、
及び照明装置に関するものである。
されたアルミ配線パターンなどのように、ウエハ
表面に形成された特定の配線パターンを観察する
ための照明方法、及び照明装置に係り、特に、特
定の配線パターンの反射像を他の構成部分の反射
像と明瞭に識別し易いように改良した照明方法、
及び照明装置に関するものである。
例えばアルミ配線パターンのシヨート、断線、
凹凸などの欠陥を検出するためには、アルミパタ
ーンを他のパターンと区別して検出しなければな
らない。このため、従来一般に、第１図Ａに示す
ような落射照明、若しくは同図Ｂに示すような暗
視野照明が用いられている。
凹凸などの欠陥を検出するためには、アルミパタ
ーンを他のパターンと区別して検出しなければな
らない。このため、従来一般に、第１図Ａに示す
ような落射照明、若しくは同図Ｂに示すような暗
視野照明が用いられている。
観察対象物であるパターンを形成したウエハ１
に対物レンズ２が対向せしめられる。落射照明
（第１図）においては、半透鏡３で反射させた照
明光４を対物レンズ２を介してウエハ１の表面に
ほぼ垂直に投射し、その反射光を対物レンズ２に
より検出器５の受光面に結像させる。また、暗視
野照明（第２図）においては、ウエハ１の表面に
照明光４′を斜に投射し、その反射光を対物レン
ズ２により検出器５の受光面に結像させる。
に対物レンズ２が対向せしめられる。落射照明
（第１図）においては、半透鏡３で反射させた照
明光４を対物レンズ２を介してウエハ１の表面に
ほぼ垂直に投射し、その反射光を対物レンズ２に
より検出器５の受光面に結像させる。また、暗視
野照明（第２図）においては、ウエハ１の表面に
照明光４′を斜に投射し、その反射光を対物レン
ズ２により検出器５の受光面に結像させる。
観察の対象物であるウエハパターンは、第２図
に示すような断面形状をなしている。８は検出目
的のアルミ部、６はその段差部、７は同平坦部で
ある。このような形状のアルミパターンに、矢印
４のごとく落射照明光を投射すると平坦部７が明
るく、段差部６が暗く見える。また、矢印４′の
ごとく暗視野照明光を投射すると段差部６が明る
く、平坦部７が暗く見える。
に示すような断面形状をなしている。８は検出目
的のアルミ部、６はその段差部、７は同平坦部で
ある。このような形状のアルミパターンに、矢印
４のごとく落射照明光を投射すると平坦部７が明
るく、段差部６が暗く見える。また、矢印４′の
ごとく暗視野照明光を投射すると段差部６が明る
く、平坦部７が暗く見える。
第３図は、このアルミパターンを図の左右方向
に走査したときの検出信号の説明図である。
に走査したときの検出信号の説明図である。
第３図Ｃは第２図と同様のアルミパターンを対
比のために示したもので、同図Ａは落射照明を用
いたときの検出信号を上記のＣに対応せしめて描
いた図表、同図Ｂは同様に暗視野照明を用いたと
きの検出信号を描いた図表である。
比のために示したもので、同図Ａは落射照明を用
いたときの検出信号を上記のＣに対応せしめて描
いた図表、同図Ｂは同様に暗視野照明を用いたと
きの検出信号を描いた図表である。
暗視野照明と落射照明とを併用すると同図Ｄの
ような検出信号が得られる。第４図はパターン形
状と検出信号との関係を更に詳しく解析して示し
た説明図である。
ような検出信号が得られる。第４図はパターン形
状と検出信号との関係を更に詳しく解析して示し
た説明図である。
アルミパターンには、第２図について説明した
ように段差部６と平坦部７とを有するアルミ部８
もあり、また、平坦部の無い強いカマボコ形の断
面を有する微細アルミパターン８ａもある（第４
図Ｂ参照）。このようなウエハ面に落射照明光４
と暗視野照明光４′とを投射すると、微細アルミ
パターン８ａは落射照明光４に対しては低い反射
率を示す。また一方、アルミ以外の平坦な構成部
分１１（例えばSiO2など）は落射照明光４に対し
て比較的高い反射率を示す。この結果、同図Ａに
示すような検出信号が得られ、これによつてはア
ルミパターンを識別することが困難である。従つ
て当然に、アルミパターンの欠陥の検出ができな
い。
ように段差部６と平坦部７とを有するアルミ部８
もあり、また、平坦部の無い強いカマボコ形の断
面を有する微細アルミパターン８ａもある（第４
図Ｂ参照）。このようなウエハ面に落射照明光４
と暗視野照明光４′とを投射すると、微細アルミ
パターン８ａは落射照明光４に対しては低い反射
率を示す。また一方、アルミ以外の平坦な構成部
分１１（例えばSiO2など）は落射照明光４に対し
て比較的高い反射率を示す。この結果、同図Ａに
示すような検出信号が得られ、これによつてはア
ルミパターンを識別することが困難である。従つ
て当然に、アルミパターンの欠陥の検出ができな
い。
第５図は、ウエハパターンの反射画像の説明図
である。同図Ａはパターンの一部の平面図で、７
はアルミパターンの平坦部、鎖線で示したＦは平
坦な区域である。１０は微細パターンの頂部、１
１は非アルミ平坦部である。
である。同図Ａはパターンの一部の平面図で、７
はアルミパターンの平坦部、鎖線で示したＦは平
坦な区域である。１０は微細パターンの頂部、１
１は非アルミ平坦部である。
通常用いられる暗視野照明よりも格段に強い暗
視野照明を用いると、第５図Ｂの如く平坦区域Ｆ
に相当する区域の一部も若干明るく映る。これは
アルミの表面にヒロツクと呼ばれる細かい結晶が
析出しているため、斜方向に投射された暗視野照
明光を乱反射させ、その一部が対物レンズに入射
するからである。しかし、平坦な区域Ｆの中央に
当たる箇所は反射光量が小さいので、検出した反
射光を２値化してテレビ画像にすると同図Ｂのよ
うに、平坦区域Ｆの中央に暗い部分９を生じる。
視野照明を用いると、第５図Ｂの如く平坦区域Ｆ
に相当する区域の一部も若干明るく映る。これは
アルミの表面にヒロツクと呼ばれる細かい結晶が
析出しているため、斜方向に投射された暗視野照
明光を乱反射させ、その一部が対物レンズに入射
するからである。しかし、平坦な区域Ｆの中央に
当たる箇所は反射光量が小さいので、検出した反
射光を２値化してテレビ画像にすると同図Ｂのよ
うに、平坦区域Ｆの中央に暗い部分９を生じる。
また、第５図Ａのパターンに強い落射照明を施
して、その反射光を検出して２値化すると、同図
Ｃのような映像が得られる。１１′は非アルミ平
坦面１１の映像、７′はアルミ平坦部７の映像１
０′は微細パターン頂点部１０の映像である。
して、その反射光を検出して２値化すると、同図
Ｃのような映像が得られる。１１′は非アルミ平
坦面１１の映像、７′はアルミ平坦部７の映像１
０′は微細パターン頂点部１０の映像である。
上述の第５図Ｂ、第５図Ｃ、いずれの映像もア
ルミパターンを認識してその欠陥を検出するには
不適である。最も望ましいのは第５図Ｄのように
アルミパターンのみを顕在化させて他との識別を
可能ならしめる映像である。
ルミパターンを認識してその欠陥を検出するには
不適である。最も望ましいのは第５図Ｄのように
アルミパターンのみを顕在化させて他との識別を
可能ならしめる映像である。
本発明の目的は、特定のパターン（前例におい
てはアルミパターン）を、他の構成部分から識別
できるような反射像が得られる照明方法、および
照明装置を提供することを目的とする。
てはアルミパターン）を、他の構成部分から識別
できるような反射像が得られる照明方法、および
照明装置を提供することを目的とする。
次に、本発明の基本的な原理について略述す
る。本発明者らは、前記の目的を達成するため、
暗視野照明の光量と落射照明の光量とを種々に変
化させて実験、研究を行つた。
る。本発明者らは、前記の目的を達成するため、
暗視野照明の光量と落射照明の光量とを種々に変
化させて実験、研究を行つた。
第６図Ａは、暗視野照明の光量を一定に保つた
状態で落射照明の強度を変化させた場合、前述の
平坦部や微細パターンが良好に検出できるエリア
を表わした図表である。
状態で落射照明の強度を変化させた場合、前述の
平坦部や微細パターンが良好に検出できるエリア
を表わした図表である。
横軸は落射照明の強度を、縦軸は２値化レベル
をそれぞれ表わしている。この座標面上におい
て、アルミの平坦部を良好に検出できるエリアは
Ａの区域となる。また、微細アルミパターンを良
好に検出できるエリアはＢの区域となる。従つ
て、上記のＡ，Ｂ両区域の重なる部分Ｃにおいて
は、平坦なアルミ部と微細なアルミパターンとの
両方を良好に検出できることになる。
をそれぞれ表わしている。この座標面上におい
て、アルミの平坦部を良好に検出できるエリアは
Ａの区域となる。また、微細アルミパターンを良
好に検出できるエリアはＢの区域となる。従つ
て、上記のＡ，Ｂ両区域の重なる部分Ｃにおいて
は、平坦なアルミ部と微細なアルミパターンとの
両方を良好に検出できることになる。
第６図Ｂは、同図Ａにおける横軸と、アルミパ
ターン部のビデオ信号明るさとの比率を示す図表
で、カーブＥは暗視野照明による微細アルミパタ
ーンの明部信号レベル、カーブＤは落射照明によ
る微細アルミパターンの明部信号レベルである。
本図表に表われているように、暗視野照明による
アルミ部の明部信号レベルが大きいときに良好な
検出２値化画像が得られることが判明した。
ターン部のビデオ信号明るさとの比率を示す図表
で、カーブＥは暗視野照明による微細アルミパタ
ーンの明部信号レベル、カーブＤは落射照明によ
る微細アルミパターンの明部信号レベルである。
本図表に表われているように、暗視野照明による
アルミ部の明部信号レベルが大きいときに良好な
検出２値化画像が得られることが判明した。
上述の原理に基づいて、特定のパターン（例え
ば前例におけるアルミパターン）を他の構成部分
から区別して検出するため、本発明のウエハ照明
方法は、ウエハ表面に形成された特定の配線パタ
ーンの像を検出するため該ウエハ表面を照射する
照明方法において、特定の配線パターンの表面平
坦部からの反射光を検出し得る程度の光量で暗視
野照明を施し、かつ、落射照明を併用して上記平
坦部からの光反射レベルを増加せしめることを特
徴とする。そして、本発明方法における実施の態
様としては、暗視野照明の光量を、落射照明の光
量よりも大きくして、その検出レベルを高くする
ことが、映像の質を良くするために望ましい。
ば前例におけるアルミパターン）を他の構成部分
から区別して検出するため、本発明のウエハ照明
方法は、ウエハ表面に形成された特定の配線パタ
ーンの像を検出するため該ウエハ表面を照射する
照明方法において、特定の配線パターンの表面平
坦部からの反射光を検出し得る程度の光量で暗視
野照明を施し、かつ、落射照明を併用して上記平
坦部からの光反射レベルを増加せしめることを特
徴とする。そして、本発明方法における実施の態
様としては、暗視野照明の光量を、落射照明の光
量よりも大きくして、その検出レベルを高くする
ことが、映像の質を良くするために望ましい。
また、本発明のウエハ照明装置は上記の方法を
容易に実施してその効果を充分に発揮せしめるた
め、落射照明用ランプと暗視野照明用ランプとを
別個に設けるとともに、上記の落射照明ランプに
よる落射照明光量を調節する手段を設けて、落射
照明光量と暗視野照明光量との比を調整し得るよ
うに構成し、かつ上記の暗視野照明用ランプの光
を対物レンズの光軸と平行に反射する放物面鏡を
設けると共に、上記対物レンズの先端付近の周囲
に上記と別体の放物面鏡を設け、対物レンズの光
軸と平行に入射した暗視野照明光を被照明部に向
けて反射し得べくなしたることを特徴とする。
容易に実施してその効果を充分に発揮せしめるた
め、落射照明用ランプと暗視野照明用ランプとを
別個に設けるとともに、上記の落射照明ランプに
よる落射照明光量を調節する手段を設けて、落射
照明光量と暗視野照明光量との比を調整し得るよ
うに構成し、かつ上記の暗視野照明用ランプの光
を対物レンズの光軸と平行に反射する放物面鏡を
設けると共に、上記対物レンズの先端付近の周囲
に上記と別体の放物面鏡を設け、対物レンズの光
軸と平行に入射した暗視野照明光を被照明部に向
けて反射し得べくなしたることを特徴とする。
次に、本発明の実施例を第７図乃至第９図につ
いて説明する。
いて説明する。
第７図は本発明方法を実施するために構成した
本発明装置の１例の斜視図である。
本発明装置の１例の斜視図である。
１はウエハ、２は対物レンズである。
暗視野照明用のランプ１３Ａを対物レンズ２の
光軸上に設置し、上記のランプ１３Ａと別個に落
射照明用のランプ１３Ｂを設ける。
光軸上に設置し、上記のランプ１３Ａと別個に落
射照明用のランプ１３Ｂを設ける。
３は、落射照明用ランプ１３Ｂの光束４を、反
射鏡２０に向けて反射させるように設けた半透鏡
である。
射鏡２０に向けて反射させるように設けた半透鏡
である。
１４は落射照明用の集光レンズ、１５は同フイ
ールドレンズである。この落射照明系の光路中
に、落射照明の光量を調節するための絞り１６を
設ける。
ールドレンズである。この落射照明系の光路中
に、落射照明の光量を調節するための絞り１６を
設ける。
一方、暗視野照明用のランプ１３Ａの光を対物
レンズ２の光軸と平行に矢印４′のごとく反射さ
せる放物凹面鏡１９を設けるとともに、対物レン
ズ２の先端付近に放物凹面鏡１８を設け、上記の
矢印４′方向の光をウエハ１の表面に向けて斜に
入射するように反射させる。
レンズ２の光軸と平行に矢印４′のごとく反射さ
せる放物凹面鏡１９を設けるとともに、対物レン
ズ２の先端付近に放物凹面鏡１８を設け、上記の
矢印４′方向の光をウエハ１の表面に向けて斜に
入射するように反射させる。
５は反射光を検出するための検出器である。
第８図は、上に述べた第７図の実施例の構成部
材の中から、暗視野照明系を抽出して模式的に描
いた説明図、第９図は対比のために掲げた従来の
照明装置の１例である。
材の中から、暗視野照明系を抽出して模式的に描
いた説明図、第９図は対比のために掲げた従来の
照明装置の１例である。
従来装置（第９図）においては、落射照明、暗
視野照明に兼用するランプ１３Ｃを設け、半透鏡
３の周囲に鏡１７を配設すると共に、対物レンズ
２の先端付近に放物凹面鏡１８を設けているのに
比して、本例（第８図）においては暗視野照明専
用のランプ１３Ａを設け、このランプ１３Ａの光
を放物凹面鏡１９，１８によりウエハ１の表面に
斜に投射する構成である。このように構成する
と、本発明方法を実施するために必要な強い暗視
野照明光を得やすい。
視野照明に兼用するランプ１３Ｃを設け、半透鏡
３の周囲に鏡１７を配設すると共に、対物レンズ
２の先端付近に放物凹面鏡１８を設けているのに
比して、本例（第８図）においては暗視野照明専
用のランプ１３Ａを設け、このランプ１３Ａの光
を放物凹面鏡１９，１８によりウエハ１の表面に
斜に投射する構成である。このように構成する
と、本発明方法を実施するために必要な強い暗視
野照明光を得やすい。
第７図に示したウエハ照明装置を用いて本発明
の照明方法を実施する１例を次に述べる。
の照明方法を実施する１例を次に述べる。
この照明装置は、第８図について説明したよう
に、強い暗視野照明を行うことができるので、こ
れを用いて特定の配線パターン（例えばアルミパ
ターン）の平坦部からの反射光を検出し得る程度
の暗視野照明を施す。
に、強い暗視野照明を行うことができるので、こ
れを用いて特定の配線パターン（例えばアルミパ
ターン）の平坦部からの反射光を検出し得る程度
の暗視野照明を施す。
すなわち、第５図Ｂに示したように、平坦区域
Ｆに相当する部分の中央付近に暗い部分９を残し
ているが、その周辺に明るい部分９′もあるとい
う状態にする。これと併行して落射照明用ランプ
１３Ｂの光４を、半透鏡３、反射鏡２０、対物レ
ンズ２を介してウエハ１の表面に投射する。この
落射照明光は絞り１６によつて光量を調節し、前
記の暗い部分９が明るく見える程度の最少限に調
整する。これにより、第５図Ｂに示した映像から
暗い部分９が消去される。しかも、上述のごとく
落射照明が必要最少限に抑制してあるので、第５
図Ｃ（強い落射照明の映像）のように非アルミ平
坦部の映像１１′が現われる虞れが無い。この場
合、第５図Ｃに示したような非アルミ平坦部の明
るい像１１′が現われないように、落射照明によ
る検出レベルを暗視野照明による検出レベルより
も低くする。
Ｆに相当する部分の中央付近に暗い部分９を残し
ているが、その周辺に明るい部分９′もあるとい
う状態にする。これと併行して落射照明用ランプ
１３Ｂの光４を、半透鏡３、反射鏡２０、対物レ
ンズ２を介してウエハ１の表面に投射する。この
落射照明光は絞り１６によつて光量を調節し、前
記の暗い部分９が明るく見える程度の最少限に調
整する。これにより、第５図Ｂに示した映像から
暗い部分９が消去される。しかも、上述のごとく
落射照明が必要最少限に抑制してあるので、第５
図Ｃ（強い落射照明の映像）のように非アルミ平
坦部の映像１１′が現われる虞れが無い。この場
合、第５図Ｃに示したような非アルミ平坦部の明
るい像１１′が現われないように、落射照明によ
る検出レベルを暗視野照明による検出レベルより
も低くする。
このようにして、第５図Ｂの映像から暗い部分
９が消去されると、第５図Ｄのようにアルミパタ
ーンの形状のみを顕在化した映像が得られる。
９が消去されると、第５図Ｄのようにアルミパタ
ーンの形状のみを顕在化した映像が得られる。
以上詳述したように、本発明の照明方法によれ
ば、ウエハ面上に形成された特定のパターンを、
その他の構成部分から容易に識別できるような反
射像が得られる。また、本発明の装置によれば、
上記の本発明方法を容易に実施することができ
る。
ば、ウエハ面上に形成された特定のパターンを、
その他の構成部分から容易に識別できるような反
射像が得られる。また、本発明の装置によれば、
上記の本発明方法を容易に実施することができ
る。
第１図Ａは落射照明の説明図、第１図Ｂは暗視
野照明の説明図、第２図はウエハパターンの１例
の拡大断面図である。第３図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはウ
エハパターンと検出信号との関係を示し、Ａは落
射照明による検出信号を示す図表、Ｂは暗視野照
明による検出信号を示す図表、Ｃはウエハパター
ンの断面図、Ｄは落射照明と暗視野照明とを併用
した場合の検出信号を示す図表である。第４図
Ａ，Ｂはウエハパターンと検出信号との関係を示
し、Ａは検出信号の図表、Ｂはウエハ表面付近の
断面図である。第５図はウエハパターンと検出画
像とを対比した説明図で、同図Ａはウエハパター
ンの平面図、同図Ｂは強い暗視野照明による検出
画像、同図Ｃは強い落射照明による検出画像、同
図Ｄは望ましい検出画像である。第６図Ａ，Ｂは
それぞれ良好な検出画像が得られる照明条件を説
明する図表である。第７図は本発明のウエハの照
明装置の１実施例の斜視図、第８図は同じく暗視
野照明系の光路図、第９図は対比のために掲げた
従来の暗視野、落射照明兼用の照明系の光路図で
ある。 １……ウエハ、２……対物レンズ、３……半透
鏡、４，４′……照明光、５……検出器、７……
アルミ平坦部、７′……アルミ平坦部の映像、８，
８′……アルミ部、８ａ……微細アルミパターン、
９……暗い部分、１０……頂点部分、１０′……
頂点部分の映像、１１……非アルミ平坦部、１
１′……非アルミ平坦部の映像、１３Ａ……暗視
野照明用ランプ、１３Ｂ……落射照明用ランプ、
１４，１４′……集光レンズ、１６……絞り、１
７……鏡、１８，１９……放物凹面鏡、２０……
反射鏡。
野照明の説明図、第２図はウエハパターンの１例
の拡大断面図である。第３図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはウ
エハパターンと検出信号との関係を示し、Ａは落
射照明による検出信号を示す図表、Ｂは暗視野照
明による検出信号を示す図表、Ｃはウエハパター
ンの断面図、Ｄは落射照明と暗視野照明とを併用
した場合の検出信号を示す図表である。第４図
Ａ，Ｂはウエハパターンと検出信号との関係を示
し、Ａは検出信号の図表、Ｂはウエハ表面付近の
断面図である。第５図はウエハパターンと検出画
像とを対比した説明図で、同図Ａはウエハパター
ンの平面図、同図Ｂは強い暗視野照明による検出
画像、同図Ｃは強い落射照明による検出画像、同
図Ｄは望ましい検出画像である。第６図Ａ，Ｂは
それぞれ良好な検出画像が得られる照明条件を説
明する図表である。第７図は本発明のウエハの照
明装置の１実施例の斜視図、第８図は同じく暗視
野照明系の光路図、第９図は対比のために掲げた
従来の暗視野、落射照明兼用の照明系の光路図で
ある。 １……ウエハ、２……対物レンズ、３……半透
鏡、４，４′……照明光、５……検出器、７……
アルミ平坦部、７′……アルミ平坦部の映像、８，
８′……アルミ部、８ａ……微細アルミパターン、
９……暗い部分、１０……頂点部分、１０′……
頂点部分の映像、１１……非アルミ平坦部、１
１′……非アルミ平坦部の映像、１３Ａ……暗視
野照明用ランプ、１３Ｂ……落射照明用ランプ、
１４，１４′……集光レンズ、１６……絞り、１
７……鏡、１８，１９……放物凹面鏡、２０……
反射鏡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエハ表面に形成された特定の配線パターン
の像を検出するため該ウエハ表面を照射する照明
方法において、特定の配線パターンの表面平坦部
からの反射光を検出し得る程度の光量で暗視野照
明を施すと共に、前記特定の配線パターン以外の
平坦部からの反射光が検出されない程度の光量で
落射照明を併用して、前記特定の配線パターンの
表面平坦部からの反射光量を増加せしめ、かつ、 前記の落射照明によるパターン検出レベルを、
前記の暗視野照明によるパターン検出レベル以下
にすることを特徴とするウエハの照明方法。 ２ 落射照明用ランプと暗視野照明用ランプとを
別個に設けるとともに、上記の落射照明ランプに
よる落射照明光量を調節する手段を設けて、落射
照明光量と暗視野照明光量との比を調整し得るよ
うに構成し、かつ上記の暗視野照明用ランプの光
を対物レンズの光軸と平行に反射する放物面鏡を
設けると共に、上記対物レンズの先端付近に上記
と別個に放物面鏡を設け、対物レンズの光軸と平
行に入射した暗視野照明光を被照明部に向けて斜
に反射し得べくなしたることを特徴とするウエハ
照明装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7372783A JPS59200908A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエハの照明方法およびその装置 |
| DE8484104785T DE3476916D1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-27 | Method of detecting pattern defect and its apparatus |
| US06/604,998 US4614430A (en) | 1983-04-28 | 1984-04-27 | Method of detecting pattern defect and its apparatus |
| EP84104785A EP0124113B1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-27 | Method of detecting pattern defect and its apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7372783A JPS59200908A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエハの照明方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200908A JPS59200908A (ja) | 1984-11-14 |
| JPH0151121B2 true JPH0151121B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=13526546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7372783A Granted JPS59200908A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエハの照明方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200908A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61169708A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検知方法とその装置 |
| JPS6285809A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン認識用照明装置 |
| JPS62156507A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-07-11 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | 三次元物体の表面を検査する光学的検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5719647A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Hitachi Ltd | Inspecting device for sample of face plate |
| JPS5767844A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Surface inspecting device |
| JPS57208153A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Inspecting method for defective aluminum pattern of semiconductor or the like |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7372783A patent/JPS59200908A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5719647A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Hitachi Ltd | Inspecting device for sample of face plate |
| JPS5767844A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Surface inspecting device |
| JPS57208153A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Inspecting method for defective aluminum pattern of semiconductor or the like |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59200908A (ja) | 1984-11-14 |
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