JPH0150007B2 - - Google Patents
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- JPH0150007B2 JPH0150007B2 JP58242882A JP24288283A JPH0150007B2 JP H0150007 B2 JPH0150007 B2 JP H0150007B2 JP 58242882 A JP58242882 A JP 58242882A JP 24288283 A JP24288283 A JP 24288283A JP H0150007 B2 JPH0150007 B2 JP H0150007B2
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- film
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- forming
- mask
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Y10T29/49062—Multilayered winding
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、特
に磁気コアを形成する磁性体のパターンニング方
法を改良した薄膜磁気ヘツドの製造方法に関する
ものである。
に磁気コアを形成する磁性体のパターンニング方
法を改良した薄膜磁気ヘツドの製造方法に関する
ものである。
薄膜磁気ヘツドの素子部は、概略、第１図に示
す如き構造になつており、その製造方法は、通
常、次の如き方法となつている。
す如き構造になつており、その製造方法は、通
常、次の如き方法となつている。
すなわち、基板１上に下地膜２を形成し、下部
磁性体３、ギヤツプ材４、導体コイル５、層間絶
縁体６、上部磁性体７を順次成膜とエツチングを
繰り返しながら積層形成して行き、最後に保護膜
８を形成した後、ブロツク状に切出して必要な成
形加工を行い、薄膜磁気ヘツドを得るという方法
である。
磁性体３、ギヤツプ材４、導体コイル５、層間絶
縁体６、上部磁性体７を順次成膜とエツチングを
繰り返しながら積層形成して行き、最後に保護膜
８を形成した後、ブロツク状に切出して必要な成
形加工を行い、薄膜磁気ヘツドを得るという方法
である。
上記製造プロセスの中で、下部磁性体３および
上部磁性体７のパターンニングを行う工程は、パ
ターンニング時の寸法精度が良好であること、ま
た、磁気ヘツドに加工後、媒体対向面に現われる
上下磁性体のトラツク幅寸法をできるだけ一致さ
せて、なおかつ、下部磁性体３上に上部磁性体７
が完全に乗る如く位置合わせ精度も良好に形成す
ることが必要である。特に、記録トラツク密度を
向上させた高密度記録用磁気ヘツドにおいては、
これらの精度向上が必要である。
上部磁性体７のパターンニングを行う工程は、パ
ターンニング時の寸法精度が良好であること、ま
た、磁気ヘツドに加工後、媒体対向面に現われる
上下磁性体のトラツク幅寸法をできるだけ一致さ
せて、なおかつ、下部磁性体３上に上部磁性体７
が完全に乗る如く位置合わせ精度も良好に形成す
ることが必要である。特に、記録トラツク密度を
向上させた高密度記録用磁気ヘツドにおいては、
これらの精度向上が必要である。
従来用いられている磁性体のパターンニング方
法は、上下磁性体を個別にパターンニングして積
層形成する方法であつたため、第２図に示すフロ
ントギヤツプ部の媒体対向面に相当する個所で
は、下部磁性体３の上側トラツク幅寸法W1は上
部磁性体７の下側トラツク幅寸法W2に対し、位
置合わせ誤差と寸法誤差を加味して３〜4μ程度
大きく設計し、上部磁性体７が下部磁性体３上に
完全に乗るようにしていた。
法は、上下磁性体を個別にパターンニングして積
層形成する方法であつたため、第２図に示すフロ
ントギヤツプ部の媒体対向面に相当する個所で
は、下部磁性体３の上側トラツク幅寸法W1は上
部磁性体７の下側トラツク幅寸法W2に対し、位
置合わせ誤差と寸法誤差を加味して３〜4μ程度
大きく設計し、上部磁性体７が下部磁性体３上に
完全に乗るようにしていた。
しかしながら、上述の如き方法で製造した磁気
ヘツドでは、有効トラツク幅寸法W2に対して下
部磁性体３のトラツク幅が大きいため、例えば、
磁気デイスク用磁気ヘツドとして用いた場合、こ
の下部磁性体３を介して隣接トラツクの記録信号
をノイズとして拾い、Ｓ／Ｎが悪化するという問
題があつた。
ヘツドでは、有効トラツク幅寸法W2に対して下
部磁性体３のトラツク幅が大きいため、例えば、
磁気デイスク用磁気ヘツドとして用いた場合、こ
の下部磁性体３を介して隣接トラツクの記録信号
をノイズとして拾い、Ｓ／Ｎが悪化するという問
題があつた。
この問題を解消する方法として、上下磁性体を
個別に形成した後、イオンミリング時のマスク材
としてイオンミリング速度の低いTi，Cr等の金
属マスクを用いて、O2ガスを添加したArガスに
よりイオンミリングを行い、フロントギヤツプ部
の磁性体幅が目標トラツク幅寸法になるように一
括トリミング加工する方法も提案されているが、
この方法は、マスク材として用いるTi，Cr等を
トリミング加工後除去する際に用いるエツチヤン
トにより磁性体を浸蝕し劣化させ易い等の別の問
題を有するものであつた。
個別に形成した後、イオンミリング時のマスク材
としてイオンミリング速度の低いTi，Cr等の金
属マスクを用いて、O2ガスを添加したArガスに
よりイオンミリングを行い、フロントギヤツプ部
の磁性体幅が目標トラツク幅寸法になるように一
括トリミング加工する方法も提案されているが、
この方法は、マスク材として用いるTi，Cr等を
トリミング加工後除去する際に用いるエツチヤン
トにより磁性体を浸蝕し劣化させ易い等の別の問
題を有するものであつた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、従来の薄膜磁気ヘツドの
製造方法における上述の如き問題を解消し、磁性
体を劣化させることなく、上下磁性体のトラツク
幅寸法を同一寸法に加工し、高品質、高性能の薄
膜磁気ヘツドを容易に製造することが可能な薄膜
磁気ヘツドの製造方法を提供することにある。
の目的とするところは、従来の薄膜磁気ヘツドの
製造方法における上述の如き問題を解消し、磁性
体を劣化させることなく、上下磁性体のトラツク
幅寸法を同一寸法に加工し、高品質、高性能の薄
膜磁気ヘツドを容易に製造することが可能な薄膜
磁気ヘツドの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明による薄膜
磁気ヘツドの製造方法は、磁気記録媒体に情報を
記録する薄膜磁気ヘツドの製造方法において、(a)
非磁性体の基板上に第１の磁性膜を形成し、(b)該
第１の磁性膜上にギヤツプ膜を形成し、(c)該ギヤ
ツプ膜上に絶縁体で覆われた導体コイルを形成
し、(d)前記ギヤツプ膜および絶縁膜上に、記録媒
体と対向する先端部分で前記第１の磁性膜との間
で磁気ギヤツプを構成し、前記先端部分と反対側
の後部で前記第１の磁性膜と接続される第２の磁
性膜を形成し、(e)該第２の磁性膜上に金属酸化物
のマスクを形成し、(f)前記第２の磁性膜を前記マ
スクを用いてエツチングにより所定の形状に形成
し、(g)該第２の磁性膜の先端部分を除いた部分を
フオトレジストで覆つた後、先端部分のギヤツプ
膜、前記第１の磁性膜を前記マスクを用いてエツ
チングにより所定の形状に形成する、の各ステツ
プを含むことに特徴がある。
磁気ヘツドの製造方法は、磁気記録媒体に情報を
記録する薄膜磁気ヘツドの製造方法において、(a)
非磁性体の基板上に第１の磁性膜を形成し、(b)該
第１の磁性膜上にギヤツプ膜を形成し、(c)該ギヤ
ツプ膜上に絶縁体で覆われた導体コイルを形成
し、(d)前記ギヤツプ膜および絶縁膜上に、記録媒
体と対向する先端部分で前記第１の磁性膜との間
で磁気ギヤツプを構成し、前記先端部分と反対側
の後部で前記第１の磁性膜と接続される第２の磁
性膜を形成し、(e)該第２の磁性膜上に金属酸化物
のマスクを形成し、(f)前記第２の磁性膜を前記マ
スクを用いてエツチングにより所定の形状に形成
し、(g)該第２の磁性膜の先端部分を除いた部分を
フオトレジストで覆つた後、先端部分のギヤツプ
膜、前記第１の磁性膜を前記マスクを用いてエツ
チングにより所定の形状に形成する、の各ステツ
プを含むことに特徴がある。
すなわち、本発明は上部磁性体のパターンニン
グ工程で、一旦、上部磁性体をイオンミリングに
よりパターンニングした後、引続いて同一のエツ
チングマスクを利用してギヤツプ材および下部磁
性体のフロントギヤツプ部をトリミング加工して
上部磁性体のトラツク幅に一致させるものであ
り、更に、上記イオンミリングに用いるマスク材
にはイオンミリング速度が特に遅く、しかも、化
学的に安定で、薄膜磁気ヘツド内に残留させ得
る、金属酸化物の如き材料を用いて、トリミング
加工後のマスク材の除去工程を省略するととも
に、マスク除去時の磁性体劣化を防止する点に特
徴を有するものである。
グ工程で、一旦、上部磁性体をイオンミリングに
よりパターンニングした後、引続いて同一のエツ
チングマスクを利用してギヤツプ材および下部磁
性体のフロントギヤツプ部をトリミング加工して
上部磁性体のトラツク幅に一致させるものであ
り、更に、上記イオンミリングに用いるマスク材
にはイオンミリング速度が特に遅く、しかも、化
学的に安定で、薄膜磁気ヘツド内に残留させ得
る、金属酸化物の如き材料を用いて、トリミング
加工後のマスク材の除去工程を省略するととも
に、マスク除去時の磁性体劣化を防止する点に特
徴を有するものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘツ
ドの素子部の縦断面図である。図において、記号
１〜６は第１図に示したと同じ構成要素を示して
おり、７Ａは基板全面に設けられている上部磁性
体膜を示している。
ドの素子部の縦断面図である。図において、記号
１〜６は第１図に示したと同じ構成要素を示して
おり、７Ａは基板全面に設けられている上部磁性
体膜を示している。
本実施例においては、まず、従来と同様の方法
で基板１上に下地膜２、下部磁性体３、ギヤツプ
材４、導体コイル５および層間絶縁体６を順次積
層形成し、基板全面に亘つて上部磁性体膜７Ａを
形成する。ここで下地膜２およびギヤツプ材４に
はアルミナ等の安定な金属酸化物を用い、磁性体
にはパーマロイ等の高透磁率磁性材料を用いる。
で基板１上に下地膜２、下部磁性体３、ギヤツプ
材４、導体コイル５および層間絶縁体６を順次積
層形成し、基板全面に亘つて上部磁性体膜７Ａを
形成する。ここで下地膜２およびギヤツプ材４に
はアルミナ等の安定な金属酸化物を用い、磁性体
にはパーマロイ等の高透磁率磁性材料を用いる。
第４図は上記上部磁性体膜７Ａ上にイオンミリ
ング時のマスク材となる金属酸化物膜９Ａを形成
した状態を示している。なお、第４図Ａは素子部
平面図、Ｂは同ＡのＡ―Ａ断面図で磁気ヘツドに
加工した後の媒体対向面に相当するフロントギヤ
ツプ部の横断面を示す図である。
ング時のマスク材となる金属酸化物膜９Ａを形成
した状態を示している。なお、第４図Ａは素子部
平面図、Ｂは同ＡのＡ―Ａ断面図で磁気ヘツドに
加工した後の媒体対向面に相当するフロントギヤ
ツプ部の横断面を示す図である。
ここで、金属酸化物膜９Ａにはイオンミリング
速度の遅いアルミナあるいはチタニアを用いるこ
とが好ましく、特にアルミナはイオンミリング速
度が極端に遅いため最適な材料ということができ
る。なお、上記金属酸化物膜９Ａを形成する際に
は、段差部における付着率が小さいため、これを
考慮して形成することが必要である。
速度の遅いアルミナあるいはチタニアを用いるこ
とが好ましく、特にアルミナはイオンミリング速
度が極端に遅いため最適な材料ということができ
る。なお、上記金属酸化物膜９Ａを形成する際に
は、段差部における付着率が小さいため、これを
考慮して形成することが必要である。
次に上記金属酸化物膜９Ａをエツチングして第
５図に示す如き金属酸化物マスク９を得る。な
お、第５図Ａは素子部平面図、Ｂは同ＡのＢ―Ｂ
断面図である。ところで、上記金属酸化物膜９Ａ
として用いられる前記アルミナあるいはチタニア
は、プラズマエツチングあるいは反応性スパツタ
エツチング等のドライエツチングでは良好なエツ
チングが困難であるため、例えば、CF4ガス100
％を用いた反応性イオンミリング法を用いるのが
良い。
５図に示す如き金属酸化物マスク９を得る。な
お、第５図Ａは素子部平面図、Ｂは同ＡのＢ―Ｂ
断面図である。ところで、上記金属酸化物膜９Ａ
として用いられる前記アルミナあるいはチタニア
は、プラズマエツチングあるいは反応性スパツタ
エツチング等のドライエツチングでは良好なエツ
チングが困難であるため、例えば、CF4ガス100
％を用いた反応性イオンミリング法を用いるのが
良い。
この反応性イオンミリング法についての詳細に
ついては、特願昭58−144962号「薄膜のパターニ
ング方法」の明細書中の記載を参照されたい。
ついては、特願昭58−144962号「薄膜のパターニ
ング方法」の明細書中の記載を参照されたい。
本実施例においては、上記金属酸化物膜９Ａの
エツチングに、マスク材としてノボラツク樹脂系
のフオトレジストか、パーマロイ、クロム等の金
属膜を用い、下記の如〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
エツチングに、マスク材としてノボラツク樹脂系
のフオトレジストか、パーマロイ、クロム等の金
属膜を用い、下記の如〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘツ
ドの素子部の縦断面図である。図において、記号
１〜６は第１図に示したと同じ構成要素を示して
おり、７Ａは基板全面に設けられている上部磁性
体膜を示している。
ドの素子部の縦断面図である。図において、記号
１〜６は第１図に示したと同じ構成要素を示して
おり、７Ａは基板全面に設けられている上部磁性
体膜を示している。
本実施例においては、まず、従来と同様の方法
で基板１上に下地膜２、下部磁性体３、ギヤツプ
材４、導体コイル５および層間絶縁体６を順次積
層形成し、基板全面に亘つて上部磁性体膜７Ａを
形成する。ここで下地膜２およびギヤツプ材４に
はアルミナ等の安定な金属酸化物を用い、磁性体
にはパーマロイ等の高透磁率磁性材料を用いる。
で基板１上に下地膜２、下部磁性体３、ギヤツプ
材４、導体コイル５および層間絶縁体６を順次積
層形成し、基板全面に亘つて上部磁性体膜７Ａを
形成する。ここで下地膜２およびギヤツプ材４に
はアルミナ等の安定な金属酸化物を用い、磁性体
にはパーマロイ等の高透磁率磁性材料を用いる。
第４図は上記上部磁性体膜７Ａ上にイオンミリ
ング時のマスク材となる金属酸化物膜９Ａを形成
した状態を示している。なお、第４図Ａは素子部
平面図、Ｂは同ＡのＡ―Ａ断面図で磁気ヘツドに
加工した後の媒体対向面に相当するフロントギヤ
ツプ部の横断面を示す図である。
ング時のマスク材となる金属酸化物膜９Ａを形成
した状態を示している。なお、第４図Ａは素子部
平面図、Ｂは同ＡのＡ―Ａ断面図で磁気ヘツドに
加工した後の媒体対向面に相当するフロントギヤ
ツプ部の横断面を示す図である。
ここで、金属酸化物膜９Ａにはイオンミリング
速度の遅いアルミナあるいはチタニアを用いるこ
とが好ましく、特にアルミナはイオンミリング速
度が極端に遅いため最適な材料ということができ
る。なお、上記金属酸化物膜９Ａを形成する際に
は、段差部における付着率が小さいため、これを
考慮して形成することが必要である。
速度の遅いアルミナあるいはチタニアを用いるこ
とが好ましく、特にアルミナはイオンミリング速
度が極端に遅いため最適な材料ということができ
る。なお、上記金属酸化物膜９Ａを形成する際に
は、段差部における付着率が小さいため、これを
考慮して形成することが必要である。
次に上記金属酸化物膜９Ａをエツチングして第
５図に示す如き金属酸化物マスク９を得る。な
お、第５図Ａは素子部平面図、Ｂは同ＡのＢ―Ｂ
断面図である。ところで、上記金属酸化物膜９Ａ
として用いられる前記アルミナあるいはチタニア
は、プラズマエツチングあるいは反応性スパツタ
エツチング等のドライエツチングでは良好なエツ
チングが困難であるため、例えば、CF4ガス100
％を用いた反応性イオンミリング法を用いるのが
良い。
５図に示す如き金属酸化物マスク９を得る。な
お、第５図Ａは素子部平面図、Ｂは同ＡのＢ―Ｂ
断面図である。ところで、上記金属酸化物膜９Ａ
として用いられる前記アルミナあるいはチタニア
は、プラズマエツチングあるいは反応性スパツタ
エツチング等のドライエツチングでは良好なエツ
チングが困難であるため、例えば、CF4ガス100
％を用いた反応性イオンミリング法を用いるのが
良い。
この反応性イオンミリング法についての詳細に
ついては、特願昭58−144962号「薄膜のパターニ
ング方法」の明細書中の記載を参照されたい。
ついては、特願昭58−144962号「薄膜のパターニ
ング方法」の明細書中の記載を参照されたい。
本実施例においては、上記金属酸化物膜９Ａの
エツチングに、マスク材としてノボラツク樹脂系
のフオトレジストか、パーマロイ、クロム等の金
属膜を用い、下記の如き条件で反応性イオンミリ
ングを行うものとする。
エツチングに、マスク材としてノボラツク樹脂系
のフオトレジストか、パーマロイ、クロム等の金
属膜を用い、下記の如き条件で反応性イオンミリ
ングを行うものとする。
例えばアルミナ膜のエツチング条件としては、
CF4ガス圧：２×10 Torr、加速電圧：800V、イ
オン入射角：０度が最適条件の１つである。反応
性イオンビームエツチングによつて前記金属酸化
物膜９Ａをエツチングすると、フオトレジストあ
るいは前記金属マスクとの間のエツチング選択比
が大きくなり、また、サイドエツチングも殆んど
生じないため、パターン端面のテーパ角が急峻に
なつて寸法精度が得易いという利点がある。
CF4ガス圧：２×10 Torr、加速電圧：800V、イ
オン入射角：０度が最適条件の１つである。反応
性イオンビームエツチングによつて前記金属酸化
物膜９Ａをエツチングすると、フオトレジストあ
るいは前記金属マスクとの間のエツチング選択比
が大きくなり、また、サイドエツチングも殆んど
生じないため、パターン端面のテーパ角が急峻に
なつて寸法精度が得易いという利点がある。
次に、アルゴンガスを用いたイオンミリングに
より前記上部磁性体膜７Ａをドライエツチングし
第６図に示す如き形状にする。この状態から、続
いて下部磁性体３のフロントギヤツプ部をドライ
エツチングしてトリミング加工するが、このとき
フロントギヤツプ部以外の素子部はエツチングを
防止するため、第７図に示す如く、フオトレジス
トで覆い、通常有機樹脂で形成されている層間絶
縁体６の一部とフロントギヤツプ部のみが露出さ
れる如く、フオトレジストマスク１０を形成す
る。
より前記上部磁性体膜７Ａをドライエツチングし
第６図に示す如き形状にする。この状態から、続
いて下部磁性体３のフロントギヤツプ部をドライ
エツチングしてトリミング加工するが、このとき
フロントギヤツプ部以外の素子部はエツチングを
防止するため、第７図に示す如く、フオトレジス
トで覆い、通常有機樹脂で形成されている層間絶
縁体６の一部とフロントギヤツプ部のみが露出さ
れる如く、フオトレジストマスク１０を形成す
る。
第７図Ａは素子部平面図、Ｂは同ＡのＣ―Ｃ断
面図である。第７図の状態から再度イオンミリン
グを行うと、露出部分だけがエツチングされて、
ギヤツプ材４、下部磁性体３が金属酸化物マスク
９によりトリミング加工される。
面図である。第７図の状態から再度イオンミリン
グを行うと、露出部分だけがエツチングされて、
ギヤツプ材４、下部磁性体３が金属酸化物マスク
９によりトリミング加工される。
第８図は上記トリミング加工の後、フオトレジ
ストを除去した素子部断面形状を示すものであ
り、Ａは縦断面図、Ｂは同ＡのＤ―Ｄ断面図であ
る。図に示される如く、下部磁性体３と上部磁性
体７とは、概略同一寸法のトラツク幅にすること
が可能である。以後は、金属酸化物マスク９を除
去せずに、従来と同様の方法で保護膜８を形成
し、該保護膜８面を平滑になるように加工すると
第９図に示す如き形状が得られ、これを切断、成
形加工して磁気ヘツドとする。なお、第９図Ａは
素子部縦断面図、Ｂは同ＡのＥ―Ｅ断面図であ
る。
ストを除去した素子部断面形状を示すものであ
り、Ａは縦断面図、Ｂは同ＡのＤ―Ｄ断面図であ
る。図に示される如く、下部磁性体３と上部磁性
体７とは、概略同一寸法のトラツク幅にすること
が可能である。以後は、金属酸化物マスク９を除
去せずに、従来と同様の方法で保護膜８を形成
し、該保護膜８面を平滑になるように加工すると
第９図に示す如き形状が得られ、これを切断、成
形加工して磁気ヘツドとする。なお、第９図Ａは
素子部縦断面図、Ｂは同ＡのＥ―Ｅ断面図であ
る。
なお、上記実施例において、下地膜２、ギヤツ
プ材４、方護膜８、金属酸化物マスク９のすべて
に安定な金属酸化物であるアルミナを使用した場
合には、磁気ヘツドに加工した後の媒体対向面に
は磁性体がアルミナ膜中に完全に埋込まれた形で
現われ、腐蝕、摩耗等に対しても安定度の高い、
高信頼性磁気ヘツドが製造可能になるという効果
がある。
プ材４、方護膜８、金属酸化物マスク９のすべて
に安定な金属酸化物であるアルミナを使用した場
合には、磁気ヘツドに加工した後の媒体対向面に
は磁性体がアルミナ膜中に完全に埋込まれた形で
現われ、腐蝕、摩耗等に対しても安定度の高い、
高信頼性磁気ヘツドが製造可能になるという効果
がある。
また、上記金属酸化物マスクの代りに、磁気ヘ
ツド中に残留しても支障にならない他の物質を用
いることも可能であることは言うまでもない。
ツド中に残留しても支障にならない他の物質を用
いることも可能であることは言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、(a)非磁性体
の基板上に第１の磁性膜を形成し、(b)該第１の磁
性膜上にギヤツプ膜を形成し、(c)該ギヤツプ膜上
に絶縁体で覆われた導体コイルを形成し、(d)前記
ギヤツプ膜および絶縁膜上に、記録媒体と対向す
る先端部分で前記第１の磁性膜との間で磁気ギヤ
ツプを構成し、前記先端部分と反対側の後部で前
記第１の磁性膜と接続される第２の磁性膜を形成
し、(e)該第２の磁性膜上に金属酸化物のマスクを
形成し、(f)前記第２の磁性膜を前記マスクを用い
てエツチングにより所定の形状に形成し、(g)該第
２の磁性膜の先端部分を除いた部分をフオトレジ
ストで覆つた後、先端部分のギヤツプ膜、前記第
１の磁性膜を前記マスクを用いてエツチングによ
り所定の形状に形成するので、製造上下部磁性体
と上部磁性体の位置合わせ精度が悪くても、最終
的に媒体対向面側に現われる上下磁性体幅が位置
ずれなく、しかも同一寸法に加工できることによ
り、高品質、高性能の磁気ヘツドを容易に製造す
ることが可能になるという顕著な効果を奏する。
の基板上に第１の磁性膜を形成し、(b)該第１の磁
性膜上にギヤツプ膜を形成し、(c)該ギヤツプ膜上
に絶縁体で覆われた導体コイルを形成し、(d)前記
ギヤツプ膜および絶縁膜上に、記録媒体と対向す
る先端部分で前記第１の磁性膜との間で磁気ギヤ
ツプを構成し、前記先端部分と反対側の後部で前
記第１の磁性膜と接続される第２の磁性膜を形成
し、(e)該第２の磁性膜上に金属酸化物のマスクを
形成し、(f)前記第２の磁性膜を前記マスクを用い
てエツチングにより所定の形状に形成し、(g)該第
２の磁性膜の先端部分を除いた部分をフオトレジ
ストで覆つた後、先端部分のギヤツプ膜、前記第
１の磁性膜を前記マスクを用いてエツチングによ
り所定の形状に形成するので、製造上下部磁性体
と上部磁性体の位置合わせ精度が悪くても、最終
的に媒体対向面側に現われる上下磁性体幅が位置
ずれなく、しかも同一寸法に加工できることによ
り、高品質、高性能の磁気ヘツドを容易に製造す
ることが可能になるという顕著な効果を奏する。
第１図は従来の製造方法で製造された磁気ヘツ
ドの素子部を示す斜視図、第２図はそのフロント
ギヤツプ部の横断面図、第３図は本発明の一実施
例を示す磁気ヘツドの素子部の縦断面図、第４図
はこれに金属酸化物膜を形成した状態を示す平面
図および断面図、第５図は金属酸化物マスクを形
成した状態を示す平面図および断面図、第６図は
上部磁性体膜をエツチングした状態を示す断面
図、第７図、第８図はトリミング加工法を説明す
るための平面図および断面図、第９図は保護膜を
形成した状態を示す断面図である。 １：基板、２：下地膜、３：下部磁性体、４：
ギヤツプ材、５：導体コイル、６：層間絶縁体、
７：上部磁性体、８：保護膜、９：金属酸化物マ
スク、１０：フオトレジスト。
ドの素子部を示す斜視図、第２図はそのフロント
ギヤツプ部の横断面図、第３図は本発明の一実施
例を示す磁気ヘツドの素子部の縦断面図、第４図
はこれに金属酸化物膜を形成した状態を示す平面
図および断面図、第５図は金属酸化物マスクを形
成した状態を示す平面図および断面図、第６図は
上部磁性体膜をエツチングした状態を示す断面
図、第７図、第８図はトリミング加工法を説明す
るための平面図および断面図、第９図は保護膜を
形成した状態を示す断面図である。 １：基板、２：下地膜、３：下部磁性体、４：
ギヤツプ材、５：導体コイル、６：層間絶縁体、
７：上部磁性体、８：保護膜、９：金属酸化物マ
スク、１０：フオトレジスト。
Claims (1)
- １ 磁気記録媒体に情報を記録する薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法において、(a)非磁性体の基板上に第
１の磁性膜を形成し、(b)該第１の磁性膜上にギヤ
ツプ膜を形成し、(c)該ギヤツプ膜上に絶縁体で覆
われた導体コイルを形成し、(d)前記ギヤツプ膜お
よび絶縁膜上に、記録媒体と対向する先端部分で
前記第１の磁性膜との間で磁気ギヤツプを構成
し、前記先端部分と反対側の後部で前記第１の磁
性膜と接続される第２の磁性膜を形成し、(e)該第
２の磁性膜上に金属酸化物のマスクを形成し、(f)
前記第２の磁性膜を前記マスクを用いてエツチン
グにより所定の形状に形成し、(g)該第２の磁性膜
の先端部分を除いた部分をフオトレジストで覆つ
た後、先端部分のギヤツプ膜、前記第１の磁性膜
を前記マスクを用いてエツチングにより所定の形
状に形成する、の各ステツプを含むことを特徴と
する薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242882A JPS60133516A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US07/001,440 US4791719A (en) | 1983-12-22 | 1987-01-08 | Method of manufacturing a thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242882A JPS60133516A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133516A JPS60133516A (ja) | 1985-07-16 |
| JPH0150007B2 true JPH0150007B2 (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=17095630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242882A Granted JPS60133516A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4791719A (ja) |
| JP (1) | JPS60133516A (ja) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173607A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH06101098B2 (ja) * | 1987-06-02 | 1994-12-12 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| FR2619457B1 (fr) * | 1987-08-14 | 1989-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un motif notamment en materiau ferromagnetique ayant des flancs de pente differente et tete magnetique comportant un tel motif |
| CA2009504A1 (en) * | 1989-02-10 | 1990-08-10 | Hideki Yoshikawa | Magnetic head and process for producing same |
| US4878290A (en) * | 1989-02-13 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Method for making thin film magnetic head |
| US5116719A (en) * | 1990-02-15 | 1992-05-26 | Seagate Technology, Inc. | Top pole profile for pole tip trimming |
| US5141623A (en) * | 1990-02-15 | 1992-08-25 | Seagate Technology, Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
| US5200056A (en) * | 1990-02-15 | 1993-04-06 | Seagate Technology Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
| US4992901A (en) * | 1990-02-15 | 1991-02-12 | Seagate Technology, Inc. | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
| JPH0410208A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5059278A (en) * | 1990-09-28 | 1991-10-22 | Seagate Technology | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer |
| US5472736A (en) * | 1991-06-03 | 1995-12-05 | Read-Rite Corporation | Method of making a bi-level coil for a thin film magnetic transducer |
| US5256249A (en) * | 1991-09-17 | 1993-10-26 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor |
| US5820770A (en) * | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
| US5326429A (en) * | 1992-07-21 | 1994-07-05 | Seagate Technology, Inc. | Process for making studless thin film magnetic head |
| EP0635821A1 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | International Business Machines Corporation | A process for the fabrication of thin film magnetic heads |
| EP0640955B1 (en) * | 1993-08-27 | 1999-05-19 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with write pole/shield structure |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| US6195232B1 (en) | 1995-08-24 | 2001-02-27 | Torohead, Inc. | Low-noise toroidal thin film head with solenoidal coil |
| US5703740A (en) * | 1995-08-24 | 1997-12-30 | Velocidata, Inc. | Toroidal thin film head |
| US5874010A (en) * | 1996-07-17 | 1999-02-23 | Headway Technologies, Inc. | Pole trimming technique for high data rate thin film heads |
| JP2953401B2 (ja) * | 1996-10-04 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 |
| US5966800A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Read-Rite Corporation | Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material |
| US6074566A (en) * | 1997-09-16 | 2000-06-13 | International Business Machines Corporation | Thin film inductive write head with minimal organic insulation material and method for its manufacture |
| JP3305244B2 (ja) * | 1997-12-10 | 2002-07-22 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US5867890A (en) * | 1997-12-17 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip |
| JP3576783B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2004-10-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6464891B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-10-15 | Veeco Instruments, Inc. | Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam |
| US6417998B1 (en) | 1999-03-23 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Ultra small advanced write transducer and method for making same |
| US6238582B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Veeco Instruments, Inc. | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method |
| US6317290B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-11-13 | Read-Rite Corporation | Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle |
| US6452247B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-09-17 | Intel Corporation | Inductor for integrated circuit |
| US6856228B2 (en) * | 1999-11-23 | 2005-02-15 | Intel Corporation | Integrated inductor |
| US6870456B2 (en) * | 1999-11-23 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US6891461B2 (en) | 1999-11-23 | 2005-05-10 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US6815220B2 (en) | 1999-11-23 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Magnetic layer processing |
| JP3539630B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2004-07-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2002015405A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6850390B2 (en) | 2000-11-10 | 2005-02-01 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP3943337B2 (ja) | 2000-11-10 | 2007-07-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7852185B2 (en) * | 2003-05-05 | 2010-12-14 | Intel Corporation | On-die micro-transformer structures with magnetic materials |
| JP2004342210A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Tdk Corp | 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 |
| JP4028476B2 (ja) | 2003-11-28 | 2007-12-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7139153B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic pole tip for perpendicular magnetic recording |
| US7444739B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-11-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method for fabricating improved sensor for a magnetic head utilizing reactive ion milling process |
| US8134548B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | DC-DC converter switching transistor current measurement technique |
| TWM339193U (en) * | 2008-01-31 | 2008-08-21 | Hipro Electronics Taiwan Co Ltd | Water-proof structure of electronic device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139515A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Siemens Ag | Method of making integrated magnetic head structure |
| JPS5744217A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-12 | Nec Corp | Production of thin film magnetic head |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4422117A (en) * | 1980-04-11 | 1983-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head and method of making it |
| US4317149A (en) * | 1980-06-02 | 1982-02-23 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having static discharge means |
| DE3102647A1 (de) * | 1981-01-27 | 1982-08-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Strukturierung von metalloxidmasken, insbesondere durch reaktives ionenstrahlaetzen |
| US4436593A (en) * | 1981-07-13 | 1984-03-13 | Memorex Corporation | Self-aligned pole tips |
| JPH061769B2 (ja) * | 1983-08-10 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | アルミナ膜のパターニング方法 |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242882A patent/JPS60133516A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-08 US US07/001,440 patent/US4791719A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139515A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Siemens Ag | Method of making integrated magnetic head structure |
| JPS5744217A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-12 | Nec Corp | Production of thin film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60133516A (ja) | 1985-07-16 |
| US4791719A (en) | 1988-12-20 |
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