JPH0149023B2 - - Google Patents

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JPH0149023B2
JPH0149023B2 JP15447385A JP15447385A JPH0149023B2 JP H0149023 B2 JPH0149023 B2 JP H0149023B2 JP 15447385 A JP15447385 A JP 15447385A JP 15447385 A JP15447385 A JP 15447385A JP H0149023 B2 JPH0149023 B2 JP H0149023B2
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JP
Japan
Prior art keywords
hole
recess
stage
punch
recess part
Prior art date
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Expired
Application number
JP15447385A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6215845A (ja
Inventor
Teruo Saito
Sugio Uchida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP15447385A priority Critical patent/JPS6215845A/ja
Publication of JPS6215845A publication Critical patent/JPS6215845A/ja
Publication of JPH0149023B2 publication Critical patent/JPH0149023B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は特にステージ部の表面に多数の凹部を
形成するようにしたリードフレームの製造方法に
関する。
(従来の技術) LSI等の半導体デバイスに用いるリードフレー
ムは、例えば第5図符号50で示すように構成さ
れている。ところで、半導体デバイスは多機能
化、大容量化が進み、使用するリードフレーム5
0におけるステージ部51も、その面積が大きく
なる傾向がある。
このように、ステージ部51の面積が大きくな
ると、熱膨張によるステージ部51と封止用樹脂
(モールド)間の密着性が損なわれる問題が生ず
る。つまり、ステージ部51の素材は通常42アロ
イ材を用いるが、熱膨張係数は50程度であり、他
方モールドにおける同係数は200以上に及ぶ。こ
のためステージ部51の端側では熱膨張によるず
れ等が生じステージ部裏面とモールド間の密着性
が悪くなる。
そこで、従来においてはかかる密着性を良好に
するため第6図に示すようにステージ部51の裏
面51aにくさび形パンチにより断面V形の凹部
52……を多数形成したり、或いはハーフエツチ
ング処理により裏面51aの一部を化学的に欠く
ことにより凹部を形成していた。
(発明が解決使用とする問題点) しかし、従来の製造方法は次のような問題点が
ある。
先ず、パンチにより打ち込む方法は第6図に示
すように、凹部52によつてステージ部の裏面5
1bや凹部52の周りに逃肉による塑性変形xが
生じるとともに、反りyが生じ平坦性を著しく損
なつてしまう。また、ハーフエツチング処理の場
合は製造工程が煩雑化し、しかもコストが高くな
つてしまう問題点がある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上述した従来の製造方法のもつ問題点
を解決したもので、次のようなリードフレームの
製造方法によつて達成される。つまり、本発明に
係るリードフレームの製造方法は、先ず、第1図
Aに示すようにステージ部1に多数の貫通孔2…
…を形成し、この後同図Cに示すように貫通孔2
……の一端2a側(又は両側端)から当該貫通孔
2よりも大径のパンチを一定深さ打ち込むことに
より凹部3を形成し、且つ塑性変形により前記貫
通孔2……を閉塞するようにしたことを特徴とす
る。
(作用) 本発明に係る製造方法により、最初にステージ
部1に貫通孔2……が設けられる。一方、当該貫
通孔2……の一端2a側から貫通孔よりも大径の
パンチを打ち込むと、このパンチによる逃肉はパ
ンチ前方に位置する貫通孔2……内に入り込み、
結局凹部3……に存在する肉部がほぼそのまま塑
性変形によつて貫通孔2……内へ移動し、当該貫
通孔2……を閉塞する。
(実施例) 以下には本発明をさらに具体化した好適な実施
例を挙げ、図面を参照して詳述する。
第1実施例 先ず、第1図を参照して第1実施例について説
明する。同図A〜Cは各工程別におけるステージ
部の縦断面図である。
第1図Aは例えば平板状のステージ部1に表裏
に貫通する貫通孔2……を形成した状態を示す。
このような貫通孔2……は例えば断面円形で比較
的小径に形成したパンチによるプレス成形で打ち
抜かれる。
次いで、同図Bに示すように貫通孔2……の一
端2a側から当該貫通孔2よりも大径のパンチに
より一定の深さ打ち込み、第1凹部3aを形成す
る。第1凹部3aは断面円形に形成し、貫通孔2
に対し同軸的となる。なお、第1凹部3aはあま
り深くならないように考慮する。これにより貫通
孔2内に逃肉が入り込み、小径になるも完全には
閉塞されない(同図B参照)。
次いで、同図Cに示すように第1凹部3aから
当該凹部3aよりも小径で貫通孔2よりも大径の
パンチにより一定の深さ打ち込み、第2凹部3b
を形成する。第2凹部3bは断面円形に形成し第
1凹部3bに対し同軸的となる。これにより、貫
通孔2内にさらに逃肉が入り込み貫通孔2は完全
に閉塞される。
よつて、第1凹部3aと第2凹部3bからなる
凹部3が形成される。この場合凹部3を形成する
際に生ずる逃肉は全て貫通孔2内に入り込み、他
の部分に逃げることはない。したがつてステージ
部1の表裏面における平坦性は何ら損なわれず、
また、反り等の弊害は生じない。なお、ここで貫
通孔2が閉塞されるとは完全に空間が遮断される
場合は勿論であるが、製造工程上必要なペースト
等が通らないほどに実用的に支障がない程度に小
径化された場合も含む概念である。
第2実施例 次に、第2実施例について第2図を参照して説
明する。同図A,Bは各工程におけるステージ部
の縦断面図である。
第2図Aは第1図Aと同じであり、貫通孔2…
…を形成した状態を示す。
このように形成したステージ部1は第2図Bに
示すように、貫通孔2の一端2a側から当該貫通
孔2よりも大径のパンチにより一定の深さだけ打
ち込む。この場合、一回の打ち込みにより凹部3
を形成し、これにより貫通孔2を閉塞する。つま
り、第2実施例と第1実施例の異なる点は第1実
施例が2段階の打ち込みにより凹部3の形成及び
貫通孔2の閉塞を達成しているのに対し、第2実
施例は一回(1段階)の打ち込みのみで凹部3の
形成と貫通孔2の閉塞を達成している点が異な
る。なお、このため打ち込み深さ及び凹部3の径
を適宜選択する。
第3実施例 次に、第3実施例について第3図を参照して説
明する。同図A,Bは各工程におけるステージ部
の縦断面図である。
第3図Aは第1図Aと同じであり、貫通孔2…
…を形成した状態を示す。
このように形成したステージ部1は第3図に示
すように貫通孔2の両端2a及び2b側から当該
貫通孔2よりも大径のパンチにより夫々一定の深
さだけ打ち込み凹部3c,3d間に挟まれた貫通
孔2を閉塞する。各凹部3cと3dの深さは略同
じであり、且つ第2実施例における凹部3の略半
分程度とする。第3実施例は貫通孔2の両端側か
ら一回(1段階)の打ち込みを行う場合を示すも
ので、その他第1実施例のように2段階の打ち込
みを両側から行つても勿論よい。
第4図は上述した第1実施例から第3実施例に
おける凹部3の形成位置を示し、例えば熱膨張係
数の違いによる部材間のずれが大きいステージ部
1の外側周りに亘つて形成することが望ましい。
このように凹部3を形成することにより、モー
ルドは凹部3内に浸入し固化する。したがつて、
膨張時においてもモールドは凹部3に係止しモー
ルドとステージ部の相対的ずれは生ぜず両者の密
着性はきわめて高くなる。
以上、実施例について詳細に説明したが、本発
明はこのような実施例に限定されるものではな
い。例えば凹部3を形成するための打ち込み段階
数は何段階でもよい。また凹部3の形成位置はス
テージ部1の任意の位置でよい。その他細部の形
状、寸法、手法、数量、素材等において、本発明
の精神を逸脱しない範囲で任意に実施できる。
(発明の効果) このように、本発明に係るリードフレームの製
造方法は、ステージ部に複数の貫通孔を形成し、
この後貫通孔の一端側又は両端側から当該貫通孔
よりも大径のパンチを一定深さ打ち込むことによ
り凹部を形成し、且つ塑性変形により前記貫通孔
を閉塞するようにしたため凹部形成時に生ずる逃
肉がステージ部の表面に表れることはなく、しか
も反りは生じない。これによりステージ部の平坦
性を何ら損なうことなく凹部を形成できる。ま
た、凹部は筒状に形成できるため、従来のV状ノ
ツチに比べ膨張に伴う相対的ずれを確実に防止で
き、前記平坦性維持と併せて格段と密着性向上を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図A〜Cは本発明の第1実施例に係る各工
程別におけるステージ部の縦断面図、第2図A,
Bは本発明の第2実施例に係る各工程別における
ステージ部の縦断面図、第3図A,Bは本発明の
第3実施例に係る各工程別におけるステージ部の
縦断面図、第4図は本発明により製造されたステ
ージ部の底面図、第5図はリードフレームを示す
底面図、第6図は従来方法によつて製造されたス
テージ部の縦断面図。 尚図面中、1……ステージ部、2……貫通孔、
2a……一端、3……凹部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ステージ部の表面に多数の凹部を形成するよ
    うにしたリードフレームの製造方法において、前
    記ステージ部に複数の貫通孔を形成し、この貫通
    孔の一端側又は両端側から当該貫通孔よりも大径
    のパンチを一定深さ打ち込むことによりも前記凹
    部を形成し、且つ塑性変形により前記貫通孔を閉
    塞することを特徴とするリードフレームの製造方
    法。 2 前記パンチは順次小径となる二以上のパンチ
    を用いて、複数段階の打ち込みを行うようにしこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリー
    ドフレームの製造方法。
JP15447385A 1985-07-12 1985-07-12 リ−ドフレ−ムの製造方法 Granted JPS6215845A (ja)

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JP15447385A JPS6215845A (ja) 1985-07-12 1985-07-12 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPS6215845A JPS6215845A (ja) 1987-01-24
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JPH0680760B2 (ja) * 1987-03-13 1994-10-12 株式会社日立製作所 リ−ドフレ−ム並びに半導体装置
USRE37690E1 (en) 1987-02-25 2002-05-07 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device
JPH0793399B2 (ja) * 1989-10-09 1995-10-09 日立電線株式会社 リードフレーム用溝成形加工法
JP2957335B2 (ja) * 1991-10-29 1999-10-04 ローム株式会社 リードフレームの製造方法
JP2001024137A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及び半導体装置

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