JPH0149014B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は化合物半導体等の結晶基板に関するも
のである。

＜発明の概要＞ 本発明は、ボードグローン法等によつて作成さ
れた略三角形の結晶基板を、３点支持で垂直に保
持して液晶エピタキシヤル成長できるように、最
少の面積ロスで整形するものであり、完全な円形
の定形品と比べコストの点で非常に有利となる。

＜従来の技術＞ 従来、ボードグローン法等によつて作成された
化合物半導体結晶基板は、第３図に示すように略
三角形の非定形であり、一般的には正方形、長方
形、円形等に整形して使用されるのが現状であ
る。

ところで、定形基板と同様に結晶基板を３点支
持で垂直に保持して液相エピタキシヤル成長させ
るためには、結晶基板が円形であることが望まし
い。第４図は円形への整形例である。なお、第３
図、第４図において、１１はボードグローン法に
よる一般的な不定形結晶基板、１２はこの不定形
結晶基板から円形に整形した後の結晶基板を示し
ている。

＜発明が解決しようとする問題点＞ しかし第４図に明らかな如く、略三角形に内接
する円形で整形した場合、かなりの基板面積（斜
線部）が無駄となるため、結果的に基板コストが
高くなつた。

本発明は上記点に対処して、できるだけ少ない
面積ロスで、定形基板と同様の液相エピタキシヤ
ル成長に使用できる結晶基板を提供することを目
的とする。

＜問題点を解決するための手段＞ 本発明では、略三角形の非定形基板を、略三角
形の一頂点と接しかつ他の二頂点付近の基板部を
横切る円で整形することを特徴とする。

＜作 用＞ 上記整形で、ロスとなる基板面積は略三角形の
二頂点付近の基板部だけであり、ロスが少なくか
つこの整形によつて定形基板と同様の液相エピタ
キシヤル成長に使用できる。

＜実施例＞ 第２図ａ，ｂは定形基板の構相エピタキシヤル
成長に使用する基板保持具を示す側面図及び断面
図である。

この治具では、円板１の両面に結晶基板２，２
を配置して、３本の保持棒３，３，３で両者を一
体的に固定する。すなわち、このようにして結晶
基板２，２，…は３点支持で垂直に保持され、液
相エピタキシヤル成長に供される。

第１図はこの治具で保持される本発明による結
晶基板２の形状例を示すものである。図示のよう
に、本例の整形結晶基板２は、前述した略三角形
の非定形基板１１を、略三角形の一頂点と接し、
他の二頂点付近の基板部を横切る円で整形してな
る。斜線部がこの整形によりロスとなる部分であ
る。

更に具体的に言えば、治具に合わせて、例えば
直径51±１mmの円に３個所で内接するようにする
とともに、１頂点は点接触、他２頂点付近は少な
くとも10mm以上の円弧を形成するように整形す
る。また、円弧部は第１図の如く、l₁とl₂とl₃とl₄
が対称で、それぞれが５mm以上に分割されるよう
にするとよい。

これにより完全な円と同等に、治具に対する整
形結晶基板２の保持が容易で、かつ治具への固定
も正確に行なえるようになる。

＜発明の効果＞ 以上のように本発明は、面積ロスを少なくして
定形基板と同様の液相エピタキシヤル成長に使用
できる有用な結晶基板が提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２
図ａ，ｂは基板保時治具の構成例を示す側面図及
び断面図、第３図は非定形結晶基板の形状例を示
す平面図、第４図は従来の整形された結晶基板の
形状例を示す平面図である。 １１……不定形結晶基板、１……整形結晶基
板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 略三角形の非定形結晶基板を、略三角形の一
   頂点と接し、他の二頂点付近の基板部を横切る円
   で整形してなることを特徴とする結晶基板。