JPH0145897B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0145897B2 JPH0145897B2 JP56181748A JP18174881A JPH0145897B2 JP H0145897 B2 JPH0145897 B2 JP H0145897B2 JP 56181748 A JP56181748 A JP 56181748A JP 18174881 A JP18174881 A JP 18174881A JP H0145897 B2 JPH0145897 B2 JP H0145897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- image
- chelating agent
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 86
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 55
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Chemical class CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- -1 Phenol derivatives Anthraquinone Chemical class 0.000 description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MSSUFHMGCXOVBZ-UHFFFAOYSA-N anthraquinone-2,6-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 MSSUFHMGCXOVBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M alizarin red S Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(S([O-])(=O)=O)C(O)=C2O HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N Alizarin Natural products C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUDVPELGFZKOMD-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(C(C)C)C(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 SUDVPELGFZKOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLZVIIYRNMWPSN-UHFFFAOYSA-N 2-Amino-4-nitrophenol Chemical compound NC1=CC([N+]([O-])=O)=CC=C1O VLZVIIYRNMWPSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOPJTDJKZNWLRB-UHFFFAOYSA-N 2-Amino-5-nitrophenol Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1O DOPJTDJKZNWLRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-nitrophenol Chemical compound NC1=C(O)C=CC=C1[N+]([O-])=O KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)-(4-imino-3-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)methyl]aniline;hydron;chloride Chemical compound Cl.C1=CC(=N)C(C)=CC1=C(C=1C=CC(N)=CC=1)C1=CC=C(N)C=C1 AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDDZXHOCOKCNBM-UHFFFAOYSA-N 5-nitroquinoline Chemical compound C1=CC=C2C([N+](=O)[O-])=CC=CC2=N1 NDDZXHOCOKCNBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZTBHAGJSKTDGM-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1,5-disulfonic acid Chemical compound O=C1C=2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC=2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(O)(=O)=O OZTBHAGJSKTDGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJNPIHLZSZCGOC-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1,8-disulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O IJNPIHLZSZCGOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKONMFPEKSWGEU-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-2,7-disulfonic acid Chemical compound C1=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 OKONMFPEKSWGEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JROURLWMOZCGJV-UHFFFAOYSA-N alizarin blue Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C1=CC=CN=C1C(O)=C2O JROURLWMOZCGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKIBBIKDPHAFLN-UHFFFAOYSA-N boronium Chemical compound [H][B+]([H])([H])[H] ZKIBBIKDPHAFLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical group [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- VBHKTXLEJZIDJF-UHFFFAOYSA-N quinalizarin Chemical compound C1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1O VBHKTXLEJZIDJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属画像を形成させるための材料に
関し、特にハイコントラストの画像形成能を有
し、ラインワーク、網点用に適した金属画像形成
材料に関する。
関し、特にハイコントラストの画像形成能を有
し、ラインワーク、網点用に適した金属画像形成
材料に関する。
金属画像形成材料においては、一般に金属薄層
（蒸着層やラミネート箔層など）を用いた場合の
欠点として、レジストが浸されない程度の弱いエ
ツチング液ではエツチングされにくいことが挙げ
られる。そのため、通常エツチング時間が長くか
かり、したがつてレジストとしては耐蝕性の極め
て強いものを用いなければならず、しかも鮮鋭な
画像が得にくく、さらに画像のエツヂの乱れを生
ずる欠点がみられる。
（蒸着層やラミネート箔層など）を用いた場合の
欠点として、レジストが浸されない程度の弱いエ
ツチング液ではエツチングされにくいことが挙げ
られる。そのため、通常エツチング時間が長くか
かり、したがつてレジストとしては耐蝕性の極め
て強いものを用いなければならず、しかも鮮鋭な
画像が得にくく、さらに画像のエツヂの乱れを生
ずる欠点がみられる。
一方、これを改良する手段として特開昭56−
9736号公報に、アルミニウムと蒸着可能な有機物
質とが混在する蒸着層が開示されている。しか
し、ここに開示された有機物質は、レジストを浸
さない程度の弱い現像液を用いたのでは、いまだ
十分短かいエツチング時間でエツチングすること
ができず実用的でない。
9736号公報に、アルミニウムと蒸着可能な有機物
質とが混在する蒸着層が開示されている。しか
し、ここに開示された有機物質は、レジストを浸
さない程度の弱い現像液を用いたのでは、いまだ
十分短かいエツチング時間でエツチングすること
ができず実用的でない。
他方、金属キレート化剤をエツチング処理液中
に含有せしめエツチング時間の短縮をはかる技術
が知られているが（英国特許第1434894号及び同
第1562586号、英国特許出願公開第2067958号明細
書参照）、特定のキレート化剤でもエツチング処
理液中に含有せしめた場合には解像力が劣る欠点
がある（比較例２参照）。
に含有せしめエツチング時間の短縮をはかる技術
が知られているが（英国特許第1434894号及び同
第1562586号、英国特許出願公開第2067958号明細
書参照）、特定のキレート化剤でもエツチング処
理液中に含有せしめた場合には解像力が劣る欠点
がある（比較例２参照）。
そこで、本発明の目的は、金属薄層を短時間に
エツチングするための強力なエツチング液を使用
するまでもなく、解像力を低下せしめることなく
短時間に金属薄層をエツチングすることが可能で
あり、しかも鮮鋭な画像を得ることができる金属
画像形成材料を提供するにある。
エツチングするための強力なエツチング液を使用
するまでもなく、解像力を低下せしめることなく
短時間に金属薄層をエツチングすることが可能で
あり、しかも鮮鋭な画像を得ることができる金属
画像形成材料を提供するにある。
本発明の目的は、支持体上に感光性樹脂層が設
けられており、かつ該支持体と該感光性樹脂層と
の間に、金属と下記金属キレート化剤の群から選
ばれた少なくとも１種の化合物とが混在する蒸着
層が設けられていることを特徴とする金属画像形
成材料によつて達成される。
けられており、かつ該支持体と該感光性樹脂層と
の間に、金属と下記金属キレート化剤の群から選
ばれた少なくとも１種の化合物とが混在する蒸着
層が設けられていることを特徴とする金属画像形
成材料によつて達成される。
［金属キレート化剤］
オキシ酸類
フエノール誘導体類
アントラキノン誘導体類
以下本発明について詳述する。
本発明に係る金属画像形成材料の層構成の具体
例としては、支持体上に金属と蒸着可能な金属キ
レート化剤とが混在する蒸着層（以下金属―金属
キレート化剤混在蒸着層と記する）が設けられ、
その上に感光性樹脂層が設けられてなるものであ
るが、上記構成に他の付加的構成要素をもたせた
態様、たとえば支持体と金属―金属キレート化剤
混在蒸着層または金属―金属キレート化剤混在蒸
着層と感光性樹脂層との間など支持体上に設けら
れている各種の層の間に、下引層や中間層が設け
られた態様、さらに感光性樹脂層上にたとえば保
護層が設けられた態様などがあり、本発明の金属
画像形成材料はきわめて多種多様な態様の層構成
とすることができるものである。
例としては、支持体上に金属と蒸着可能な金属キ
レート化剤とが混在する蒸着層（以下金属―金属
キレート化剤混在蒸着層と記する）が設けられ、
その上に感光性樹脂層が設けられてなるものであ
るが、上記構成に他の付加的構成要素をもたせた
態様、たとえば支持体と金属―金属キレート化剤
混在蒸着層または金属―金属キレート化剤混在蒸
着層と感光性樹脂層との間など支持体上に設けら
れている各種の層の間に、下引層や中間層が設け
られた態様、さらに感光性樹脂層上にたとえば保
護層が設けられた態様などがあり、本発明の金属
画像形成材料はきわめて多種多様な態様の層構成
とすることができるものである。
本発明の金属―金属キレート化剤混在蒸着層に
用いられる金属は、従来公知のエツチング処理液
によつてエツチングされ得る金属であり、該金属
としてはたとえば特開昭50−139720号公報に記載
されているアルミニウムを主体とする金属や特開
昭48−65927号、同48−65928号、同50−2925号及
び同50−14161号の各公報に記載されているごと
きテルル、モリブテン、ボロニウム、コバルト、
亜鉛、銅、ニツケル、鉄、錫、パナジウム、ゲル
マニウム、銀及び銀エマルジヨンなどを挙げるこ
とができる。
用いられる金属は、従来公知のエツチング処理液
によつてエツチングされ得る金属であり、該金属
としてはたとえば特開昭50−139720号公報に記載
されているアルミニウムを主体とする金属や特開
昭48−65927号、同48−65928号、同50−2925号及
び同50−14161号の各公報に記載されているごと
きテルル、モリブテン、ボロニウム、コバルト、
亜鉛、銅、ニツケル、鉄、錫、パナジウム、ゲル
マニウム、銀及び銀エマルジヨンなどを挙げるこ
とができる。
本発明に用いられる金属キレート化剤としては
前記のものがある。それらの金属キレート化剤と
して必要な条件は、少なくとも常温で固体で真空
蒸着が可能な性質を有することである。融点、昇
華温度などは可能な限り低いことが好ましいが、
その物質の蒸着前あるいは蒸着後の安定性のよい
ものが好ましい。
前記のものがある。それらの金属キレート化剤と
して必要な条件は、少なくとも常温で固体で真空
蒸着が可能な性質を有することである。融点、昇
華温度などは可能な限り低いことが好ましいが、
その物質の蒸着前あるいは蒸着後の安定性のよい
ものが好ましい。
本発明における金属キレート化剤は、前述の通
り、オキシ酸類、フエノール誘導体類およびアン
トラキノン誘導体類でありこれ以外の化合物は、
本発明の前記目的を達成できないために本発明か
らは除外される。
り、オキシ酸類、フエノール誘導体類およびアン
トラキノン誘導体類でありこれ以外の化合物は、
本発明の前記目的を達成できないために本発明か
らは除外される。
以下に、本発明の金属キレート化剤の具体的代
表例を挙げるが、これらによつて本発明が限定さ
れるものではない。
表例を挙げるが、これらによつて本発明が限定さ
れるものではない。
オキシ酸類としては、クエン酸、酒石酸及びそ
れらの塩、フエノール誘導体類としては８―オキ
シキノリン、オルトオキシキノリン、２，４―ジ
オキシキノリン、５―ニトロキノリン、５―ニト
ロ―２―アミノフエノール、４―ニトロ―２―ア
ミノフエノール及びそれらの塩、アントラキノン
誘導体としてはアリザリン、アリザリンレツド
Ｓ、アリザリンブルーＳ、アリザリンサフイロー
ルSE、モノゾールフクシンRS、アリザリンボル
ドー、アントラキノン―α―スルホン酸、アント
ラキノン―β―スルホン酸、アントラキノン―
１，５―ジスルホン酸、アントラキノン―１，８
―ジスルホン酸、アントラキノン―２，６―ジス
ルホン酸、アントラキノン―２，７―ジスルホン
酸、及びそれらの塩、がある。
れらの塩、フエノール誘導体類としては８―オキ
シキノリン、オルトオキシキノリン、２，４―ジ
オキシキノリン、５―ニトロキノリン、５―ニト
ロ―２―アミノフエノール、４―ニトロ―２―ア
ミノフエノール及びそれらの塩、アントラキノン
誘導体としてはアリザリン、アリザリンレツド
Ｓ、アリザリンブルーＳ、アリザリンサフイロー
ルSE、モノゾールフクシンRS、アリザリンボル
ドー、アントラキノン―α―スルホン酸、アント
ラキノン―β―スルホン酸、アントラキノン―
１，５―ジスルホン酸、アントラキノン―１，８
―ジスルホン酸、アントラキノン―２，６―ジス
ルホン酸、アントラキノン―２，７―ジスルホン
酸、及びそれらの塩、がある。
上記金属キレート化剤は単独であるいは適当な
組み合せで本発明に用いられる。
組み合せで本発明に用いられる。
本発明の金属画像形成材料は上述の金属と、金
属キレート化剤とが支持体上に真空蒸着法によつ
て混在層が形成されたものであるが、この真空蒸
着法はいわゆる同時蒸着と称せられる方法を用い
ればよい。すなわち蒸着すべき金属と金属キレー
ト化剤とをそれぞれ真空蒸着装置の別個の蒸発源
に配置し、それぞれの加熱装置によつてそれぞれ
蒸発温度にまで加熱しておき、それらの蒸発源か
ら蒸着すべき位置に配置された支持体に同時に蒸
発をおこなえばよい。場合によつては２種以上の
蒸発物質を同一蒸発源から蒸発させてもよい。い
ずれの場合でも蒸着された層は金属と金属キレー
ト化剤とが同時に蒸着されるので、金属と金属キ
レート化剤とが混合した状態で形成される。この
混合の割合および層厚は目的に応じて任意に選ぶ
ことができる。混合の割合は金属と金属キレート
化剤とをそれぞれ単独に蒸着して層を形成した場
合の層厚比に換算すると、金属キレート化剤の比
率は金属に対して0.01〜５倍の範囲がよく、特に
0.1〜２倍が好ましい。また本発明の金属画像形
成材料においては混在層の厚さは一般に20nmか
ら3000nm程度であるが、蒸着物質の光学的性質
やその他の物理的あるいは化学的性質によつてあ
るいは金属画像形成材料の用途に応じて、適当に
層厚を決めることができる。
属キレート化剤とが支持体上に真空蒸着法によつ
て混在層が形成されたものであるが、この真空蒸
着法はいわゆる同時蒸着と称せられる方法を用い
ればよい。すなわち蒸着すべき金属と金属キレー
ト化剤とをそれぞれ真空蒸着装置の別個の蒸発源
に配置し、それぞれの加熱装置によつてそれぞれ
蒸発温度にまで加熱しておき、それらの蒸発源か
ら蒸着すべき位置に配置された支持体に同時に蒸
発をおこなえばよい。場合によつては２種以上の
蒸発物質を同一蒸発源から蒸発させてもよい。い
ずれの場合でも蒸着された層は金属と金属キレー
ト化剤とが同時に蒸着されるので、金属と金属キ
レート化剤とが混合した状態で形成される。この
混合の割合および層厚は目的に応じて任意に選ぶ
ことができる。混合の割合は金属と金属キレート
化剤とをそれぞれ単独に蒸着して層を形成した場
合の層厚比に換算すると、金属キレート化剤の比
率は金属に対して0.01〜５倍の範囲がよく、特に
0.1〜２倍が好ましい。また本発明の金属画像形
成材料においては混在層の厚さは一般に20nmか
ら3000nm程度であるが、蒸着物質の光学的性質
やその他の物理的あるいは化学的性質によつてあ
るいは金属画像形成材料の用途に応じて、適当に
層厚を決めることができる。
上記のごとき同時蒸着法により形成された金属
―金属キレート化剤混在蒸着層の構造は明らかで
はない。金属と金属キレート化剤とが互に反応し
て別の化合物を生成する。単に均一な分子状分散
である、粒状の混合物である。一方が他方の母体
中に粒状に分散している、など種々の構造が考え
られるが、本発明においては、いずれの構造であ
るにせよ、所望の光学濃度及び後述する腐蝕性、
接着性等が満足すべき条件を持つならば構造は制
限されるものではない。なお、本発明において蒸
着とは、通常の抵抗加熱方式の真空蒸着法はもち
ろん、電子ビーム加熱蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法等を含むものであ
る。
―金属キレート化剤混在蒸着層の構造は明らかで
はない。金属と金属キレート化剤とが互に反応し
て別の化合物を生成する。単に均一な分子状分散
である、粒状の混合物である。一方が他方の母体
中に粒状に分散している、など種々の構造が考え
られるが、本発明においては、いずれの構造であ
るにせよ、所望の光学濃度及び後述する腐蝕性、
接着性等が満足すべき条件を持つならば構造は制
限されるものではない。なお、本発明において蒸
着とは、通常の抵抗加熱方式の真空蒸着法はもち
ろん、電子ビーム加熱蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法等を含むものであ
る。
本発明において、前述の金属―金属キレート化
剤混在蒸着層を設けるための支持体は、その上に
直接あるいは間接（他の層を介して）に設けられ
る画像形成層としての金属―金属キレート化剤混
在蒸着層を保持するものであつて、それを用いて
構成される本発明の金属画像形成材料の用途を考
慮して各種の形態のものとすることができる。そ
して、板状、シート状またはフイルム状といつた
形態のものが好適であり、その用途によつて透明
なもの、半透明なものあるいは不透明なものとす
ることができる。そして支持体は金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層を腐蝕させるエツチング液に
侵されず、かつエツチングによりその上に設けら
れている層が剥離したり剥離し易くなつたりする
ような層に対する接着力が劣化してしまうもので
あつてはならない。
剤混在蒸着層を設けるための支持体は、その上に
直接あるいは間接（他の層を介して）に設けられ
る画像形成層としての金属―金属キレート化剤混
在蒸着層を保持するものであつて、それを用いて
構成される本発明の金属画像形成材料の用途を考
慮して各種の形態のものとすることができる。そ
して、板状、シート状またはフイルム状といつた
形態のものが好適であり、その用途によつて透明
なもの、半透明なものあるいは不透明なものとす
ることができる。そして支持体は金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層を腐蝕させるエツチング液に
侵されず、かつエツチングによりその上に設けら
れている層が剥離したり剥離し易くなつたりする
ような層に対する接着力が劣化してしまうもので
あつてはならない。
支持体の素材としては、従来公知の多くのもの
が用いられ、たとえば陶磁器、無定形ガラス、結
晶性ガラス、金属、合金、プラスチツク及びこれ
らの複合材料などを挙げることができる。これら
の素材は不透明なものや透明なものもあるが、必
要によつては透明なものに着色剤や不透明化剤を
加えて半透明化あるいは不透明化させることがで
きる。
が用いられ、たとえば陶磁器、無定形ガラス、結
晶性ガラス、金属、合金、プラスチツク及びこれ
らの複合材料などを挙げることができる。これら
の素材は不透明なものや透明なものもあるが、必
要によつては透明なものに着色剤や不透明化剤を
加えて半透明化あるいは不透明化させることがで
きる。
前述のごとくして、支持体上に金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層を設けたのち、その上に塗設
される感光性樹脂層は、従来公知の種々のレジス
ト形成用感光性樹脂を利用して形成できる。この
感光性樹脂は輻射線（近紫外線または可視光）の
照射を受けると短時間のうちにその分子構造が化
学的に変化し、それに伴なつて溶媒に対する溶解
性または粘着性といつた物理的性質が変化するモ
ノマー、プレポリマー、及びポリマーなどの化合
物及び組成物をすべて包含する。（なお、「感光性
樹脂」の概念中に上記のごときモノマーやプレポ
リマーが含まれることは当業界においては常識で
ある。）そして上記の感光性樹脂はその現像の態
様から溶媒（溶剤）による溶解型と剥離型のもの
に大別され、さらにそれぞれポジテイブワーキン
グ型とネガテイブワーキング型に分類されること
ができ、さらに化学変化の内容から、輻射線の照
射を受けると金属イオンを介して架橋反応をする
ものや、それ自体が二量化する光架橋型感光性樹
脂：輻射線の照射を受けると、共に存在する光分
解性物質が分解し、その分解物を介して架橋反応
をするもの、及び輻射線の照射を受けると重合を
開始するものに分類されることができ、これらは
本発明の金属画像形成材料を調製するために用い
られる。これらの感光性樹脂はそれぞれ公知の多
くのものがあるが、感光性レジスト膜を形成し得
る今後開発される感光性樹脂もその区分を問わず
公知のものの場合と全く同様にして本発明の金属
画像形成材料に適用され得ることは言うまでもな
い。
ート化剤混在蒸着層を設けたのち、その上に塗設
される感光性樹脂層は、従来公知の種々のレジス
ト形成用感光性樹脂を利用して形成できる。この
感光性樹脂は輻射線（近紫外線または可視光）の
照射を受けると短時間のうちにその分子構造が化
学的に変化し、それに伴なつて溶媒に対する溶解
性または粘着性といつた物理的性質が変化するモ
ノマー、プレポリマー、及びポリマーなどの化合
物及び組成物をすべて包含する。（なお、「感光性
樹脂」の概念中に上記のごときモノマーやプレポ
リマーが含まれることは当業界においては常識で
ある。）そして上記の感光性樹脂はその現像の態
様から溶媒（溶剤）による溶解型と剥離型のもの
に大別され、さらにそれぞれポジテイブワーキン
グ型とネガテイブワーキング型に分類されること
ができ、さらに化学変化の内容から、輻射線の照
射を受けると金属イオンを介して架橋反応をする
ものや、それ自体が二量化する光架橋型感光性樹
脂：輻射線の照射を受けると、共に存在する光分
解性物質が分解し、その分解物を介して架橋反応
をするもの、及び輻射線の照射を受けると重合を
開始するものに分類されることができ、これらは
本発明の金属画像形成材料を調製するために用い
られる。これらの感光性樹脂はそれぞれ公知の多
くのものがあるが、感光性レジスト膜を形成し得
る今後開発される感光性樹脂もその区分を問わず
公知のものの場合と全く同様にして本発明の金属
画像形成材料に適用され得ることは言うまでもな
い。
感光性樹脂の実際の使用上からは、化学変化の
内容からの分類よりはその現像の態様からの分類
に着目して、用いられる感光性樹脂をみることが
よい。順に説明すると、溶剤溶解型の層をつくる
感光性樹脂の場合、ポジテイブワーキング型は例
えばｏ―キノンジアジド類にみられるように光照
射により分解してカルボキシ基を有する五員環化
合物を生成してアルカリ液に可溶型となり、アル
カリ液による現像によつて露光部分の樹脂層が除
去され、未露光部分の感光性樹脂層が所望の画線
部を形成して残留するように作用する型であり、
一方、ネガテイブワーキング型はシンナモイル
基、ジアゾニウム基等で代表される光架橋、およ
びアクリルアミド、アクリル酸エステルで代表さ
れる光重合に見られるように光照射により、分子
の巨大化や網目構造の形成によつて不溶化するも
のであつて、適当な現像液を用いることによつ
て、感光性樹脂層の未露光部分を除去し、不溶化
した露光部分が所望の画線部を形成して残留する
ように作用する型である。
内容からの分類よりはその現像の態様からの分類
に着目して、用いられる感光性樹脂をみることが
よい。順に説明すると、溶剤溶解型の層をつくる
感光性樹脂の場合、ポジテイブワーキング型は例
えばｏ―キノンジアジド類にみられるように光照
射により分解してカルボキシ基を有する五員環化
合物を生成してアルカリ液に可溶型となり、アル
カリ液による現像によつて露光部分の樹脂層が除
去され、未露光部分の感光性樹脂層が所望の画線
部を形成して残留するように作用する型であり、
一方、ネガテイブワーキング型はシンナモイル
基、ジアゾニウム基等で代表される光架橋、およ
びアクリルアミド、アクリル酸エステルで代表さ
れる光重合に見られるように光照射により、分子
の巨大化や網目構造の形成によつて不溶化するも
のであつて、適当な現像液を用いることによつ
て、感光性樹脂層の未露光部分を除去し、不溶化
した露光部分が所望の画線部を形成して残留する
ように作用する型である。
本発明に用いられる感光性樹脂の例は、前記し
た特開昭56−9736号公報に記載のもの等があり、
それらの特性の程度を考慮して適宜選択すること
ができる。
た特開昭56−9736号公報に記載のもの等があり、
それらの特性の程度を考慮して適宜選択すること
ができる。
これらの感光性樹脂は、通常は他の成分と組合
せられて組成物として液体または固体のものとな
つているが、液体のものはあらかじめ調製してお
いた支持体上に設けられている金属―金属キレー
ト化剤混在蒸着層または該層上に設けられた中間
補助層の上に塗布し、乾燥せしめ、通常フイルム
状に加工してある固体のものは同様にそれらの上
に重ね合せ、必要により加熱して圧着するのであ
る。また他の形態の固体のものは有機溶剤に溶解
して溶液となし、これを塗布する。これらの感光
性樹脂層の形成方法としては、従来公知のものを
同様に適用すればよい。
せられて組成物として液体または固体のものとな
つているが、液体のものはあらかじめ調製してお
いた支持体上に設けられている金属―金属キレー
ト化剤混在蒸着層または該層上に設けられた中間
補助層の上に塗布し、乾燥せしめ、通常フイルム
状に加工してある固体のものは同様にそれらの上
に重ね合せ、必要により加熱して圧着するのであ
る。また他の形態の固体のものは有機溶剤に溶解
して溶液となし、これを塗布する。これらの感光
性樹脂層の形成方法としては、従来公知のものを
同様に適用すればよい。
本発明の金属画像形成材料には、必要によりハ
レーシヨン防止層や保護層を設けるなど、写真感
光材料において通常施されているような処理を施
しておくこともできる。
レーシヨン防止層や保護層を設けるなど、写真感
光材料において通常施されているような処理を施
しておくこともできる。
以上のように製造された本発明の金属画像形成
材料に画像を形成させるには、所望の画像を有す
るマスクを原稿として用いて金属画像形成材料に
像露光を行ない、該材料の感光性樹脂層を上記の
画像に対応して画像状に潜像を生ぜしめ、これを
現像して樹脂層の易溶部分を溶解して除去し、あ
るいは現像後剥離可能な部分を剥離して除去し、
それによつて生じたレジストのない内部が露出し
た部分からエツチングによりその部分に存在する
金属―金属キレート化剤混在蒸着層を溶解して除
去し、最後にレジストとして存在する樹脂層を除
去してもよい。
材料に画像を形成させるには、所望の画像を有す
るマスクを原稿として用いて金属画像形成材料に
像露光を行ない、該材料の感光性樹脂層を上記の
画像に対応して画像状に潜像を生ぜしめ、これを
現像して樹脂層の易溶部分を溶解して除去し、あ
るいは現像後剥離可能な部分を剥離して除去し、
それによつて生じたレジストのない内部が露出し
た部分からエツチングによりその部分に存在する
金属―金属キレート化剤混在蒸着層を溶解して除
去し、最後にレジストとして存在する樹脂層を除
去してもよい。
この画像形成方法において所望の画像を有する
マスク原稿を用いて像露光行なうには、従来写真
処理において通常行なわれているように暗室内に
おいてネガ原稿またはポジ原稿を通過した光を画
像形成材料の感光層に照射する。多くの感光性樹
脂は特に紫外線に対して高い感度を有するので、
その際の光源としては超高圧水銀灯、キセノンラ
ンプ、カーボンアーク灯、あるいはケミカルラン
プなど紫外線を多量に含むものが適当であり、室
内の安全灯としては黄色灯を使用することができ
る。
マスク原稿を用いて像露光行なうには、従来写真
処理において通常行なわれているように暗室内に
おいてネガ原稿またはポジ原稿を通過した光を画
像形成材料の感光層に照射する。多くの感光性樹
脂は特に紫外線に対して高い感度を有するので、
その際の光源としては超高圧水銀灯、キセノンラ
ンプ、カーボンアーク灯、あるいはケミカルラン
プなど紫外線を多量に含むものが適当であり、室
内の安全灯としては黄色灯を使用することができ
る。
像露光によつて感光性樹脂層に潜像が形成さ
れ、この潜像は感光性樹脂が溶剤溶解性のものの
場合、ポジテイブワーキング型では非露光部分の
樹脂層は溶剤に対して不溶性のまま残存するが、
露光部分は溶剤に対して易溶性になり、一方、ネ
ガテイブワーキング型では非露光部分の樹脂層は
溶剤に対して溶解する性質を保持し、露光部分が
硬化して不活性になるという樹脂層の露光部分と
非露光部分の溶剤に対する溶解性の差異によつて
形成されているものである。ここで溶剤としては
水、水性溶媒及び有機溶媒を含めている。
れ、この潜像は感光性樹脂が溶剤溶解性のものの
場合、ポジテイブワーキング型では非露光部分の
樹脂層は溶剤に対して不溶性のまま残存するが、
露光部分は溶剤に対して易溶性になり、一方、ネ
ガテイブワーキング型では非露光部分の樹脂層は
溶剤に対して溶解する性質を保持し、露光部分が
硬化して不活性になるという樹脂層の露光部分と
非露光部分の溶剤に対する溶解性の差異によつて
形成されているものである。ここで溶剤としては
水、水性溶媒及び有機溶媒を含めている。
一般にポジテイブワーキング型の露光部分はア
ルカリ可溶性になり、ネガテイブワーキング型の
露光部分は、水または有機溶剤に不溶性になる。
従つてこの潜像を現像するには、潜像の露光部分
を非露光部分についてそれぞれ溶解性の有無の相
違を示す溶剤に潜像面を接触させる。市販の感光
性樹脂を用いる場合は指定の現像液があるので、
それを使用すればよい。するとポジテイブワーキ
ング型の場合は、非露光部分に感光性樹脂層が残
留し、ネガテイブワーキング型の場合は露光部分
に硬化した樹脂層が残留して画線部を形成し、溶
解された部分の非画線部には金属―金属キレート
化剤混在蒸着層が露出する。他方、感光性樹脂層
を剥離する型のものの場合の潜像は、ポジテイブ
ワーキング型であると非露光部分の樹脂層はその
上層として設けられている剥離材料に対する接着
力よりも支持体上に設けられている金属―金属キ
レート化剤混在蒸着層に対する接着力の方が大き
いという性質を保持し、露光部分の樹脂層は上記
の後者の接着力よりも前者の接着力の方が大きい
という性質に変化し、ネガテイブワーキング型で
あると、非露光部分の樹脂層はそれ自体が有する
剥離材料に対する接着力よりも金属―金属キレー
ト化剤混在蒸着層あるいはそれらの上に設けられ
た補助層に対する接着力の方が大きいという性質
を保持し、露光部分の樹脂層は、上記の後者の接
着力よりも前者の接着力の方が大きいという性質
に変化するという感光性樹脂層の隣接する層に対
する接着性の差異によつて形成されたものであ
る。従つてこの潜像を現像するには感光性樹脂層
上に密着させた剥離材料を感光性樹脂層から剥離
すればよい。その剥離後は、金属―金属キレート
化剤混在蒸着層またはそれらの上に設けられた補
助層上に感光性樹脂層が画像状に残存し、これが
レジストを構成する。
ルカリ可溶性になり、ネガテイブワーキング型の
露光部分は、水または有機溶剤に不溶性になる。
従つてこの潜像を現像するには、潜像の露光部分
を非露光部分についてそれぞれ溶解性の有無の相
違を示す溶剤に潜像面を接触させる。市販の感光
性樹脂を用いる場合は指定の現像液があるので、
それを使用すればよい。するとポジテイブワーキ
ング型の場合は、非露光部分に感光性樹脂層が残
留し、ネガテイブワーキング型の場合は露光部分
に硬化した樹脂層が残留して画線部を形成し、溶
解された部分の非画線部には金属―金属キレート
化剤混在蒸着層が露出する。他方、感光性樹脂層
を剥離する型のものの場合の潜像は、ポジテイブ
ワーキング型であると非露光部分の樹脂層はその
上層として設けられている剥離材料に対する接着
力よりも支持体上に設けられている金属―金属キ
レート化剤混在蒸着層に対する接着力の方が大き
いという性質を保持し、露光部分の樹脂層は上記
の後者の接着力よりも前者の接着力の方が大きい
という性質に変化し、ネガテイブワーキング型で
あると、非露光部分の樹脂層はそれ自体が有する
剥離材料に対する接着力よりも金属―金属キレー
ト化剤混在蒸着層あるいはそれらの上に設けられ
た補助層に対する接着力の方が大きいという性質
を保持し、露光部分の樹脂層は、上記の後者の接
着力よりも前者の接着力の方が大きいという性質
に変化するという感光性樹脂層の隣接する層に対
する接着性の差異によつて形成されたものであ
る。従つてこの潜像を現像するには感光性樹脂層
上に密着させた剥離材料を感光性樹脂層から剥離
すればよい。その剥離後は、金属―金属キレート
化剤混在蒸着層またはそれらの上に設けられた補
助層上に感光性樹脂層が画像状に残存し、これが
レジストを構成する。
次いでこの金属画像形成材料を金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層の腐蝕液中にこれを浸漬する
ことにより露出した金属―金属キレート化剤混在
蒸着層を腐蝕すると、その部分の金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層は除去されて支持体が露出す
るが、一方残留した樹脂層はこの腐蝕に対するレ
ジストになり、その下部の金属―金属キレート化
剤混在蒸着層は腐蝕されずに残留し、金属―金属
キレート化剤混在蒸着層の厚さによつて定まる光
学濃度を保有した画線部が形成される。なお、金
属―金属キレート化剤混在蒸着層の腐蝕液として
は従来公知のアルカリ、酸、酸化剤水溶液等が用
いられる。
ート化剤混在蒸着層の腐蝕液中にこれを浸漬する
ことにより露出した金属―金属キレート化剤混在
蒸着層を腐蝕すると、その部分の金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層は除去されて支持体が露出す
るが、一方残留した樹脂層はこの腐蝕に対するレ
ジストになり、その下部の金属―金属キレート化
剤混在蒸着層は腐蝕されずに残留し、金属―金属
キレート化剤混在蒸着層の厚さによつて定まる光
学濃度を保有した画線部が形成される。なお、金
属―金属キレート化剤混在蒸着層の腐蝕液として
は従来公知のアルカリ、酸、酸化剤水溶液等が用
いられる。
以上は感光性樹脂を露光現像して耐蝕膜を形成
した後に露出した金属―金属キレート化剤混在蒸
着層をさらに腐蝕する二段の工程を必要とするプ
ロセスである。
した後に露出した金属―金属キレート化剤混在蒸
着層をさらに腐蝕する二段の工程を必要とするプ
ロセスである。
しかし、すでに述べたごとく感光性樹脂の中に
は露光後、例えばアルカリによる現像が可能なも
のもあり、この様な感光性樹脂を利用する場合は
露光後の感光性樹脂の現像により耐蝕性パターン
を形成すると同時に、金属―金属キレート化剤混
在蒸着層を腐蝕して画像を得る一段の工程、すな
わち一浴の現像腐蝕が可能である。
は露光後、例えばアルカリによる現像が可能なも
のもあり、この様な感光性樹脂を利用する場合は
露光後の感光性樹脂の現像により耐蝕性パターン
を形成すると同時に、金属―金属キレート化剤混
在蒸着層を腐蝕して画像を得る一段の工程、すな
わち一浴の現像腐蝕が可能である。
本発明の金属画像形成材料は、金属―金属キレ
ート化剤混在蒸着層が設けられているので、初め
から所定の光学濃度を有し、かつ画像形成には優
れた解像性を現出する感光性樹脂層の腐蝕（エツ
チング）が利用されるので、得られる画像は高度
のコントラストと解像性を有し、また金属単独層
に比較して金属―金属キレート化剤混在蒸着層の
方がはるかに良好な腐蝕性を示す。ここで、腐蝕
性とは腐蝕に要する時間と腐蝕された部分のシヤ
ープネスを意味している。
ート化剤混在蒸着層が設けられているので、初め
から所定の光学濃度を有し、かつ画像形成には優
れた解像性を現出する感光性樹脂層の腐蝕（エツ
チング）が利用されるので、得られる画像は高度
のコントラストと解像性を有し、また金属単独層
に比較して金属―金属キレート化剤混在蒸着層の
方がはるかに良好な腐蝕性を示す。ここで、腐蝕
性とは腐蝕に要する時間と腐蝕された部分のシヤ
ープネスを意味している。
以下、実施例を挙げて本発明を例証するが、本
発明の実施態様はこれらに限定されない。
発明の実施態様はこれらに限定されない。
実施例 １
真空蒸着装置内の互に区画された位置に設定さ
れた２つの蒸発源に、それぞれアルミニウムとア
ントラキノン―２，６―ジスルホン酸とを配置
し、真空度５×10-5Torrのもとで、厚さ100μｍ
のポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に、膜厚にしてアルミニウム600Å、アン
トラキノン―２，６―ジスルホン酸600Åの混在
蒸着層を形成した。
れた２つの蒸発源に、それぞれアルミニウムとア
ントラキノン―２，６―ジスルホン酸とを配置
し、真空度５×10-5Torrのもとで、厚さ100μｍ
のポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に、膜厚にしてアルミニウム600Å、アン
トラキノン―２，６―ジスルホン酸600Åの混在
蒸着層を形成した。
この蒸着膜上に下記の感光性樹脂組成物を乾燥
後の膜厚が2.0μｍとなるようにホワラー塗布し、
100℃乾燥器中で５分間乾燥した。
後の膜厚が2.0μｍとなるようにホワラー塗布し、
100℃乾燥器中で５分間乾燥した。
スチレンとメタクリル酸共重合体 ５ｇ
（スチレン／メタクリル酸＝70／30）
ペンタエリスリトールトリアクリレート ５ｇ
ジイソプロピルチオキサントン １ｇ
メチルセロソルブ 100ml
このようにして得られた金属画像形成材料の試
料を明室プリンターUP―６（3kwメタルハライド
ランプ、上野化学製）を用い、網点原稿を通して
20秒間パターン露光し、0.1Nの水酸化ナトリウ
ム水溶液中に浸漬したところ、液温25℃、浸漬時
間15秒において、未露光部の蒸着層は完全に除去
される一方、露出部の金属層は原稿とほぼ完全に
明暗が逆転し、エツヂのシヤープネスが良好な画
像が得られた。
料を明室プリンターUP―６（3kwメタルハライド
ランプ、上野化学製）を用い、網点原稿を通して
20秒間パターン露光し、0.1Nの水酸化ナトリウ
ム水溶液中に浸漬したところ、液温25℃、浸漬時
間15秒において、未露光部の蒸着層は完全に除去
される一方、露出部の金属層は原稿とほぼ完全に
明暗が逆転し、エツヂのシヤープネスが良好な画
像が得られた。
本実施例によつて得られた画像の光学濃度は
3.0以上であり、解像力は100本／mm以上であつ
た。
3.0以上であり、解像力は100本／mm以上であつ
た。
実施例 ２
実施例１と同様の方法によりアルミニウムと４
―ニトロ―２―アミノフエノールを、厚さ100μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に、膜厚にしてアルミニウム600Å、４―
ニトロ―２―アミノフエノール400Åの混在蒸着
層を形成した。
―ニトロ―２―アミノフエノールを、厚さ100μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に、膜厚にしてアルミニウム600Å、４―
ニトロ―２―アミノフエノール400Åの混在蒸着
層を形成した。
この蒸着膜上にAZ―1350ポジテイブワーキン
グ型フオトレジスト（Shipley社製感光液）をホ
ワラーによつて塗布乾燥した。
グ型フオトレジスト（Shipley社製感光液）をホ
ワラーによつて塗布乾燥した。
このようにして得た試料を実施例１と同様に露
光し、AZ―1350用現像液で現像すると、感光性
樹脂層にはポジ原稿に対応した画像レジストが形
成された。
光し、AZ―1350用現像液で現像すると、感光性
樹脂層にはポジ原稿に対応した画像レジストが形
成された。
次いで、この試料を0.1Nの水酸化ナトリウム
水溶液中に浸漬したところ、液温25℃、浸漬時間
10秒でレジストのない非画像部分の蒸着層が腐蝕
し除去された。得られた画像の光学濃度は3.0以
上であり、解像力は100本／mm以上であつて、画
像エツヂのシヤープネスも良好であつた。
水溶液中に浸漬したところ、液温25℃、浸漬時間
10秒でレジストのない非画像部分の蒸着層が腐蝕
し除去された。得られた画像の光学濃度は3.0以
上であり、解像力は100本／mm以上であつて、画
像エツヂのシヤープネスも良好であつた。
実施例 ３
実施例１と同様の方法によりビスマスとクエン
酸を、厚さ100μｍのポリエチレンテレフタレー
トフイルム（支持体）上に、膜厚にしてビスマス
1500Å、クエン酸700Åの混在蒸着層を形成した。
酸を、厚さ100μｍのポリエチレンテレフタレー
トフイルム（支持体）上に、膜厚にしてビスマス
1500Å、クエン酸700Åの混在蒸着層を形成した。
この蒸着膜上に実施例２と同様に感光性樹脂層
を設け、露光、現像し、画像レジストを形成し
た。
を設け、露光、現像し、画像レジストを形成し
た。
次いで、この試料を６％塩化第２鉄水溶液に浸
漬したところ、液温25℃、浸漬時間10秒において
レジストのない非画像部分の蒸着層が腐蝕し除去
された。得られた画像の光学濃度は3.0以上であ
り、解像力は100本／mm以上であつて、画像エツ
ヂのシヤープネスも良好であつた。
漬したところ、液温25℃、浸漬時間10秒において
レジストのない非画像部分の蒸着層が腐蝕し除去
された。得られた画像の光学濃度は3.0以上であ
り、解像力は100本／mm以上であつて、画像エツ
ヂのシヤープネスも良好であつた。
比較例 １
実施例１と同様にして、厚さ100μｍのポリエ
チレンテレフタレートフイルム（支持体）上に、
膜厚にしてアルミニウム600Å、ベヘン酸600Åの
混在蒸着層を形成し、感光性樹脂組成物を塗設し
た金属画像形成材料を得た。
チレンテレフタレートフイルム（支持体）上に、
膜厚にしてアルミニウム600Å、ベヘン酸600Åの
混在蒸着層を形成し、感光性樹脂組成物を塗設し
た金属画像形成材料を得た。
次いで、実施例１と同様に露光し、0.1Nの水
酸化ナトリウム水溶液中に浸漬したところ、液温
25℃、浸漬時間90秒で画像が得られたが、画像に
はサイドエツチ現像がみられた。
酸化ナトリウム水溶液中に浸漬したところ、液温
25℃、浸漬時間90秒で画像が得られたが、画像に
はサイドエツチ現像がみられた。
比較例 ２
実施例１において蒸着層からアントラキノン―
２，６―ジスルホン酸を除いて金属画像形成材料
を得、この材料に同様に露光後、下記の処理液中
に液温25℃で15秒間浸漬した。
２，６―ジスルホン酸を除いて金属画像形成材料
を得、この材料に同様に露光後、下記の処理液中
に液温25℃で15秒間浸漬した。
（処理液）
水酸化ナトリウム ２ｇ
アントラキノン―２，６―ジスルホン酸 ６ｇ
水 １
この結果画像の解像力が70本／mmと実施例１に
比べ劣つていた。
比べ劣つていた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体上に感光性樹脂層が設けられており、
かつ該支持体と該感光性樹脂層との間に、金属と
下記金属キレート化剤の群から選ばれた少なくと
も１種の化合物とが混在する蒸着層が設けられて
いることを特徴とする金属画像形成材料。 ［金属キレート化剤］ オキシ酸類 フエノール誘導体類 アントラキノン誘導体類。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181748A JPS5883843A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | 金属画像形成材料 |
| US06/439,427 US4455364A (en) | 1981-11-14 | 1982-11-05 | Process for forming metallic image, composite material for the same |
| GB08232192A GB2113152B (en) | 1981-11-14 | 1982-11-11 | Process for forming metallic image composite material for the same and treating solution for the same( |
| DE19823241980 DE3241980A1 (de) | 1981-11-14 | 1982-11-12 | Verfahren zur erzeugung eines metallischen bildes sowie verbundmaterial und behandlungsloesung dafuer |
| GB8428641A GB2156088B (en) | 1981-11-14 | 1984-11-13 | A composite material for forming metallic images |
| GB08428642A GB2155861A (en) | 1981-11-14 | 1984-11-13 | A treating solution for use in forming metallic images |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181748A JPS5883843A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | 金属画像形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883843A JPS5883843A (ja) | 1983-05-19 |
| JPH0145897B2 true JPH0145897B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=16106187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56181748A Granted JPS5883843A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | 金属画像形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883843A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50139720A (ja) * | 1974-04-25 | 1975-11-08 | ||
| GB1434894A (en) * | 1974-03-01 | 1976-05-05 | Pennwalt Corp | Aluminium etching |
| GB1562586A (en) * | 1978-05-12 | 1980-03-12 | Pennwalt Corp | Aluminium etching |
| JPS569736A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive image forming material |
| GB2067958A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-05 | Albright & Wilson | Etching composition |
-
1981
- 1981-11-14 JP JP56181748A patent/JPS5883843A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1434894A (en) * | 1974-03-01 | 1976-05-05 | Pennwalt Corp | Aluminium etching |
| JPS50139720A (ja) * | 1974-04-25 | 1975-11-08 | ||
| GB1562586A (en) * | 1978-05-12 | 1980-03-12 | Pennwalt Corp | Aluminium etching |
| JPS569736A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive image forming material |
| GB2067958A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-05 | Albright & Wilson | Etching composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5883843A (ja) | 1983-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4356255A (en) | Photosensitive members and a process for forming patterns using the same | |
| US4008084A (en) | Metallic image forming material | |
| US4104070A (en) | Method of making a negative photoresist image | |
| US4196003A (en) | Light-sensitive o-quinone diazide copying composition | |
| US4455364A (en) | Process for forming metallic image, composite material for the same | |
| US4506006A (en) | Process for preparing relief images in imaged irradiated light-sensitive material having acid-cleavable compound by hot air treatment, overall irradiation and alkaline development | |
| EP0067001B1 (en) | Developer composition | |
| JPS60212395A (ja) | 照射および現像せるオフセツト印刷版の焼付けに使用するガム化液 | |
| JPS6151311B2 (ja) | ||
| US4292388A (en) | Image-forming material of aluminum-iron alloy | |
| DE2202360A1 (de) | Lichthaertbares material | |
| JPS6024461B2 (ja) | ステツプタブレツト | |
| US4419438A (en) | Image forming material and method | |
| GB2087580A (en) | Photosensitive composition and pattern forming process | |
| US4292395A (en) | Photographic process of developing and etching an element containing a tin sulfide | |
| JPH06273867A (ja) | 画像形成材料及びそれを使用する画像形成方法 | |
| JPS6249613B2 (ja) | ||
| JP3870385B2 (ja) | 水溶性フォトレジスト組成物 | |
| US3837944A (en) | Selective etching of metal oxides of tin or indium | |
| US4292393A (en) | Photosensitive image forming materials | |
| JPH0145897B2 (ja) | ||
| US3620735A (en) | Relief image process utilizing a simple and a complex ferric salt | |
| US4142892A (en) | Method of reducing the defect density in a positive-working photoresist layer using a salt of imidazolinium | |
| JP2000098630A (ja) | 水溶性フォトレジスト組成物のパターン形成方法 | |
| US3992208A (en) | Photo-sensitive etchant and method for forming metal image using same |