JPH0144492B2 - - Google Patents
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- JPH0144492B2 JPH0144492B2 JP9951180A JP9951180A JPH0144492B2 JP H0144492 B2 JPH0144492 B2 JP H0144492B2 JP 9951180 A JP9951180 A JP 9951180A JP 9951180 A JP9951180 A JP 9951180A JP H0144492 B2 JPH0144492 B2 JP H0144492B2
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- resin
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱可塑性樹脂の射出吹込成形（イン
ジエクシヨン−プローモールデイング）又は、射
出成形パリソンを用いる二軸延伸吹込成形により
中空体を成形するに際して、ポリエチレンテレフ
タレートのような易結晶性樹脂からパリソンを得
るに適した射出成形用金型装置に関する。
ジエクシヨン−プローモールデイング）又は、射
出成形パリソンを用いる二軸延伸吹込成形により
中空体を成形するに際して、ポリエチレンテレフ
タレートのような易結晶性樹脂からパリソンを得
るに適した射出成形用金型装置に関する。
ポリエチレンテレフタレート樹脂（PET樹脂）
を射出成形し、得られた有底円筒形状のパリソン
を、延伸ブロー成形することにより透明で種々の
物性に優れる容器を得ることができる。特に
PET延伸ブロー成形容器は、その透明性が、ポ
リ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン等
の他の熱可塑性樹脂では得られない程度に優れて
いるため、最近、食品容器、化粧品容器、家庭用
洗剤容器等への採用が急速に進んでいる。
を射出成形し、得られた有底円筒形状のパリソン
を、延伸ブロー成形することにより透明で種々の
物性に優れる容器を得ることができる。特に
PET延伸ブロー成形容器は、その透明性が、ポ
リ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン等
の他の熱可塑性樹脂では得られない程度に優れて
いるため、最近、食品容器、化粧品容器、家庭用
洗剤容器等への採用が急速に進んでいる。
しかしながらPET樹脂の射出吹込成形には、
その易結晶性に起因して、射出成形時にパリソン
のゲート付近の底部に白濁ムラが発生し、これが
製品容器の透明性ならびに美観を低下させ、製品
価値を低下させるという欠点がある。すなわち溶
融されたPET樹脂は、射出成形機のノズルから、
金型のスプルー、ランナー、ゲート等の樹脂通路
を経て冷却されたキヤビテイーに注入されるので
あるが、高温のノズルから低温のキヤビテイーに
至る樹脂通路では、その中心は高温の溶融樹脂が
流れるがノズルあるいは通路周囲の金型の表面近
傍ではキヤビテイーを構成する冷却された金型本
体への伝熱のため、結晶化温度以下に低下した部
分が生ずる。このため、この部分では通路内の樹
脂が結晶化して白濁樹脂（コールドスラツグ）が
生じ、成形サイクル中剥離しつつキヤビテイーに
流れ込んで不透明なパリソンを形成する。特にこ
のコールドスラツグによるパリソンの白化は、パ
リソンの底部でゲートに近い所に発生する。この
現象を防止するためにノズル温度を上昇させれ
ば、通路内での樹脂の白化は起りにくくなるが、
金型本体の底部付近の温度も上昇し、この部分で
はPET樹脂が徐冷され結晶化が進行するため、
パリソン底部の白化の程度は余り改良されない。
またこの場合冷却サイクルが長くなる欠点もあ
る。
その易結晶性に起因して、射出成形時にパリソン
のゲート付近の底部に白濁ムラが発生し、これが
製品容器の透明性ならびに美観を低下させ、製品
価値を低下させるという欠点がある。すなわち溶
融されたPET樹脂は、射出成形機のノズルから、
金型のスプルー、ランナー、ゲート等の樹脂通路
を経て冷却されたキヤビテイーに注入されるので
あるが、高温のノズルから低温のキヤビテイーに
至る樹脂通路では、その中心は高温の溶融樹脂が
流れるがノズルあるいは通路周囲の金型の表面近
傍ではキヤビテイーを構成する冷却された金型本
体への伝熱のため、結晶化温度以下に低下した部
分が生ずる。このため、この部分では通路内の樹
脂が結晶化して白濁樹脂（コールドスラツグ）が
生じ、成形サイクル中剥離しつつキヤビテイーに
流れ込んで不透明なパリソンを形成する。特にこ
のコールドスラツグによるパリソンの白化は、パ
リソンの底部でゲートに近い所に発生する。この
現象を防止するためにノズル温度を上昇させれ
ば、通路内での樹脂の白化は起りにくくなるが、
金型本体の底部付近の温度も上昇し、この部分で
はPET樹脂が徐冷され結晶化が進行するため、
パリソン底部の白化の程度は余り改良されない。
またこの場合冷却サイクルが長くなる欠点もあ
る。
このように、PET樹脂の射出成形によりパリ
ソンを得る際の底部近傍での白化は、ノズルから
キヤビテイー間での伝熱ならびに金型の熱容量の
ために、底部付近を含めて透明性に優れたパリソ
ンを得るための理想的な温度分布（すなわち、射
出成形機ノズルならびに樹脂通路では結晶化温度
以上であり、キヤビテイーを形成する金型本体は
急冷の可能な５〜20℃程度の温度に保つ）からは
程遠い温度分布しか得られないために起るもので
ある。
ソンを得る際の底部近傍での白化は、ノズルから
キヤビテイー間での伝熱ならびに金型の熱容量の
ために、底部付近を含めて透明性に優れたパリソ
ンを得るための理想的な温度分布（すなわち、射
出成形機ノズルならびに樹脂通路では結晶化温度
以上であり、キヤビテイーを形成する金型本体は
急冷の可能な５〜20℃程度の温度に保つ）からは
程遠い温度分布しか得られないために起るもので
ある。
上述した理想的な温度分布に付近けるため、通
常は10〜20mm程度と比較的短い、ノズルからパリ
ソンの底部キヤビテイまでの樹脂通路周囲の金型
の接触部分を狭くするかあるいは断熱シートを挾
む方法が採用されているが、いずれの方法でも十
分な効果が得られていないのが実情である。この
ような問題は、PET樹脂に限らず易結晶性樹脂
の射出成形によりパリソンを得る場合に共通であ
る。
常は10〜20mm程度と比較的短い、ノズルからパリ
ソンの底部キヤビテイまでの樹脂通路周囲の金型
の接触部分を狭くするかあるいは断熱シートを挾
む方法が採用されているが、いずれの方法でも十
分な効果が得られていないのが実情である。この
ような問題は、PET樹脂に限らず易結晶性樹脂
の射出成形によりパリソンを得る場合に共通であ
る。
本発明は、上述した易結晶性樹脂の射出成形に
よりパリソンを製造する際の問題に対する本質的
な改善を与えることを目的とする。
よりパリソンを製造する際の問題に対する本質的
な改善を与えることを目的とする。
本発明者の研究によれば、このような目的は半
導体接合部でのペルチエ効果を利用した層状加熱
冷却素子を射出成形機ノズルと金型キヤビテイー
の間に挿入することにより達成されることが見出
された。すなわち、本発明の結晶性樹脂製パリソ
ンの射出成形用金型装置は、射出成形機ノズルと
金型キヤビテイーとを連結する樹脂通路を包囲し
て、加熱面と冷却面とを有する層状加熱冷却素子
をその加熱面が射出成形機ノズルに向き且つ冷却
面が金型キヤビテイーに向くように配置してなる
金型装置であつて、前記層状加熱冷却素子が複数
のｎ型半導体とｐ型半導体を交互に平面的に並べ
その表裏面で交互に導電体により直列接合してな
る半導体接合体を一対の絶縁層で挾持してなるこ
とを特徴とするものである。
導体接合部でのペルチエ効果を利用した層状加熱
冷却素子を射出成形機ノズルと金型キヤビテイー
の間に挿入することにより達成されることが見出
された。すなわち、本発明の結晶性樹脂製パリソ
ンの射出成形用金型装置は、射出成形機ノズルと
金型キヤビテイーとを連結する樹脂通路を包囲し
て、加熱面と冷却面とを有する層状加熱冷却素子
をその加熱面が射出成形機ノズルに向き且つ冷却
面が金型キヤビテイーに向くように配置してなる
金型装置であつて、前記層状加熱冷却素子が複数
のｎ型半導体とｐ型半導体を交互に平面的に並べ
その表裏面で交互に導電体により直列接合してな
る半導体接合体を一対の絶縁層で挾持してなるこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例について図面を参照しつ
つ更に詳しく説明する。
つ更に詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例にかかる金型装置の
成形状態における要部断面図である。
成形状態における要部断面図である。
第１図を参照して、金型本体部Ａには、キヤビ
テイ型１とコア型２の組合せによりキヤビテイ３
が形成され、ここでパリソンが形成される。コア
型２の内部には冷却水通路４および冷却水パイプ
５が設けられ、またキヤビテイ型１には冷却水通
路６が設けられて、それぞれ冷却される。キヤビ
テイ型１の射出成形機側部分７にはパリソンの底
部キヤビテイ８が設けられ、またその上部にはゲ
ート部９が形成される。また金型部分７には、ゲ
ート部９を包囲する形態で層状加熱冷却素子１０
が、その冷却面１０ａをキヤビテイ３に向け、加
熱面１０ｂを射出成形機側あるいはランナー部Ｂ
側に向けて配置され、これにより金型部分７を低
温部分７ａと高温側部分７ｂに分けている。加熱
冷却素子１０は、その導線部分を内蔵した支持部
材１１により金型部分７ａ，７ｂ間に固定され、
また支持部材１１と高温側金側部分７ｂとの間に
は断熱シート１２が挿入されている。
テイ型１とコア型２の組合せによりキヤビテイ３
が形成され、ここでパリソンが形成される。コア
型２の内部には冷却水通路４および冷却水パイプ
５が設けられ、またキヤビテイ型１には冷却水通
路６が設けられて、それぞれ冷却される。キヤビ
テイ型１の射出成形機側部分７にはパリソンの底
部キヤビテイ８が設けられ、またその上部にはゲ
ート部９が形成される。また金型部分７には、ゲ
ート部９を包囲する形態で層状加熱冷却素子１０
が、その冷却面１０ａをキヤビテイ３に向け、加
熱面１０ｂを射出成形機側あるいはランナー部Ｂ
側に向けて配置され、これにより金型部分７を低
温部分７ａと高温側部分７ｂに分けている。加熱
冷却素子１０は、その導線部分を内蔵した支持部
材１１により金型部分７ａ，７ｂ間に固定され、
また支持部材１１と高温側金側部分７ｂとの間に
は断熱シート１２が挿入されている。
金型部分７の更に上流には、ランナー部Ｂが設
けられる。このランナー部Ｂは、射出成形機本体
（図示せず）のノズルに連なる樹脂通路１３（ラ
ンナー）を内に有し、その先端のノズル部１４ａ
を断熱シート１２を介して金型部分７ｂと当接さ
せたランナー筒を有する。ランナー筒１４の外周
には加熱用のバンドヒーター１５が設けられてい
る。
けられる。このランナー部Ｂは、射出成形機本体
（図示せず）のノズルに連なる樹脂通路１３（ラ
ンナー）を内に有し、その先端のノズル部１４ａ
を断熱シート１２を介して金型部分７ｂと当接さ
せたランナー筒を有する。ランナー筒１４の外周
には加熱用のバンドヒーター１５が設けられてい
る。
一方、層状加熱冷却素子１０は、その詳細構造
を第２図に断面図で示すように、複数のｎ型半導
体２１とｐ型半導体２２とを交互に平面的に並べ
その表裏面で交互に導電体２３により直列に接合
し、このようにして得られた半導体接合体を一対
の絶縁層２４で挾持した構造を有する。そしてこ
の層状加熱冷却素子１０を第２図に示すように導
線２５を介して直流電源２６に接続すると、それ
自体は良く知られているペルチエ効果が起り、接
点においてｎ型半導体２１からｐ型半導体２２へ
と電子の流れる面１０ｂでは発熱が起り、逆に流
れる面１０ａでは冷却が起る。この加熱面１０ｂ
と冷却面１０ａは、結線方向を逆にすれば、逆に
なる。そして個々の半導体２１，２２の厚みは１
mm以下であり、素子１０全体としても２〜５mm以
下に抑えられるのに対して、その加熱面１０ｂと
冷却面１０ａの間では約70℃もの温度差を与える
ことができ、しかもこの温度差はこの層状加熱・
冷却素子１０を重ねることにより更に増加するこ
とができる。したがつて、この加熱冷却素子１０
は前述したようにランナーノズル１４ａの先端か
らキヤビテイー底部８までの10〜20mmというよう
な狭い距離間にも一層ないし二層あるいはそれ以
上挿入することもでき、このような狭い距離の間
に大きな温度差の要求される本発明の用途に最適
である。なお、個々の半導体２１および２２を交
互に並べて平面状の広がりを与えるための並べ方
が任意であることは容易に理解できよう。
を第２図に断面図で示すように、複数のｎ型半導
体２１とｐ型半導体２２とを交互に平面的に並べ
その表裏面で交互に導電体２３により直列に接合
し、このようにして得られた半導体接合体を一対
の絶縁層２４で挾持した構造を有する。そしてこ
の層状加熱冷却素子１０を第２図に示すように導
線２５を介して直流電源２６に接続すると、それ
自体は良く知られているペルチエ効果が起り、接
点においてｎ型半導体２１からｐ型半導体２２へ
と電子の流れる面１０ｂでは発熱が起り、逆に流
れる面１０ａでは冷却が起る。この加熱面１０ｂ
と冷却面１０ａは、結線方向を逆にすれば、逆に
なる。そして個々の半導体２１，２２の厚みは１
mm以下であり、素子１０全体としても２〜５mm以
下に抑えられるのに対して、その加熱面１０ｂと
冷却面１０ａの間では約70℃もの温度差を与える
ことができ、しかもこの温度差はこの層状加熱・
冷却素子１０を重ねることにより更に増加するこ
とができる。したがつて、この加熱冷却素子１０
は前述したようにランナーノズル１４ａの先端か
らキヤビテイー底部８までの10〜20mmというよう
な狭い距離間にも一層ないし二層あるいはそれ以
上挿入することもでき、このような狭い距離の間
に大きな温度差の要求される本発明の用途に最適
である。なお、個々の半導体２１および２２を交
互に並べて平面状の広がりを与えるための並べ方
が任意であることは容易に理解できよう。
半導体材料としては、たとえばPbTe、HgTe、
Bi2Te3、PbSe、InAs、InP、Ge、Si、Sb2Te3等
が用いられ、なかでもBi−Te−Se−Sbの４元合
金が、電気抵抗、熱伝導度、ペルチエ効果を考慮
して最も好ましい。例えばBi2Te3をベースにし
た場合、これにCuI、AgI等を添加してｎ型半導
体２１を、またBiを添加してｐ型半導体２２を
得ることができる。
Bi2Te3、PbSe、InAs、InP、Ge、Si、Sb2Te3等
が用いられ、なかでもBi−Te−Se−Sbの４元合
金が、電気抵抗、熱伝導度、ペルチエ効果を考慮
して最も好ましい。例えばBi2Te3をベースにし
た場合、これにCuI、AgI等を添加してｎ型半導
体２１を、またBiを添加してｐ型半導体２２を
得ることができる。
ｎ型とｐ型の半導体を接続する導電体２３の材
料は、導電率の良いものであれば良く、金属一
般、たとえばCu、Ag、Au、Sn、Zn、等が用い
られ必要に応じて接合のために高温ハンダ、低温
ハンダ等の接合材が用いられる。また、半導体へ
の接続は半田付け、銀蝋付け、溶接、溶合いずれ
の方法でもよい。
料は、導電率の良いものであれば良く、金属一
般、たとえばCu、Ag、Au、Sn、Zn、等が用い
られ必要に応じて接合のために高温ハンダ、低温
ハンダ等の接合材が用いられる。また、半導体へ
の接続は半田付け、銀蝋付け、溶接、溶合いずれ
の方法でもよい。
絶縁層２４としては、電気絶縁性に優れるとと
もに好ましくは熱伝導性も良い材料が用いられ
る。例えば、プラスチツク、ゴム、セラミツクス
及びこれらの複合体が用いられ、なかでもその表
面の仕上りの滑らかさ、強度、熱伝導性が秀れた
セラミツクス、特にベリリアセラミツクスが最も
好ましい。絶縁層２４の表面には任意に更に金属
被覆層を形成して表面伝熱性を改善してもよい。
もに好ましくは熱伝導性も良い材料が用いられ
る。例えば、プラスチツク、ゴム、セラミツクス
及びこれらの複合体が用いられ、なかでもその表
面の仕上りの滑らかさ、強度、熱伝導性が秀れた
セラミツクス、特にベリリアセラミツクスが最も
好ましい。絶縁層２４の表面には任意に更に金属
被覆層を形成して表面伝熱性を改善してもよい。
第１図に図示の金型装置の作用・機能について
は自ずと理解できよう。すなわち、射出成形機の
ノズルから射出された樹脂は、バンドヒーター１
５で加熱されたランナー筒１４中のランナー部１
３を通り充分な溶融状態を保つて、ゲート部９に
入る。ここでゲート部９を囲む金型部分７ａと７
ｂとでは層状加熱冷却素子１０の存在により充分
な温度差が与えられるため急激な冷却を受けて、
キヤビテイー８および３に入りここで冷却固化す
る。すなわち、層状加熱冷却素子１０の上流と下
流とで急激な温度差が与られるため、従来、ラン
ナーノズル１４ａの内側部分１６が結晶化温度以
下に低下することにより生じたコールドスラツグ
現象を防止しつつキヤビテイー内での急冷も可能
となる。
は自ずと理解できよう。すなわち、射出成形機の
ノズルから射出された樹脂は、バンドヒーター１
５で加熱されたランナー筒１４中のランナー部１
３を通り充分な溶融状態を保つて、ゲート部９に
入る。ここでゲート部９を囲む金型部分７ａと７
ｂとでは層状加熱冷却素子１０の存在により充分
な温度差が与えられるため急激な冷却を受けて、
キヤビテイー８および３に入りここで冷却固化す
る。すなわち、層状加熱冷却素子１０の上流と下
流とで急激な温度差が与られるため、従来、ラン
ナーノズル１４ａの内側部分１６が結晶化温度以
下に低下することにより生じたコールドスラツグ
現象を防止しつつキヤビテイー内での急冷も可能
となる。
第３図は本発明の金型装置の他の実施例の第１
図に対応する断面図を示すものであり、この例で
は層上加熱冷却素子１０を金型部分７とランナー
ノズル１４ａの突き合せ部に直接設けている。
図に対応する断面図を示すものであり、この例で
は層上加熱冷却素子１０を金型部分７とランナー
ノズル１４ａの突き合せ部に直接設けている。
前述の例に示したように、本発明において層状
加熱冷却素子はゲート部（したがつてホツトラン
ナーノズルを用いる場合はホツトランナーノズル
と金型キヤビテイーとを連結する樹脂通路）の周
囲に設けるのが好ましいが、広い態様において
は、射出機ノズルと金型キヤビテイーを連結する
樹脂通路のいずれかの部分に設けられる。したが
つて場合によつては、ランナーあるいはスプルー
と考えられる樹脂通路部分の周囲に層状加熱冷却
素子が設けられることもある。また加熱冷却素子
による樹脂通路の包囲は完全なものである必要は
なく、一般には挾持といわれる態様をも含むもの
とする。
加熱冷却素子はゲート部（したがつてホツトラン
ナーノズルを用いる場合はホツトランナーノズル
と金型キヤビテイーとを連結する樹脂通路）の周
囲に設けるのが好ましいが、広い態様において
は、射出機ノズルと金型キヤビテイーを連結する
樹脂通路のいずれかの部分に設けられる。したが
つて場合によつては、ランナーあるいはスプルー
と考えられる樹脂通路部分の周囲に層状加熱冷却
素子が設けられることもある。また加熱冷却素子
による樹脂通路の包囲は完全なものである必要は
なく、一般には挾持といわれる態様をも含むもの
とする。
上述したように本発明の金型装置によれば
PET樹脂をはじめとする易結晶性熱可塑性樹脂
を射出成形してブロー成形用のパリソンを形成す
るに当り、代表的にはゲート部前後で顕著な温度
差を与えることにより、従来問題であつたコール
ドスラツグあるいは徐冷によるパリソン底部での
樹脂の白化を防止し透明性の全体として一層優れ
たブロー成形容器の製造が可能となる。
PET樹脂をはじめとする易結晶性熱可塑性樹脂
を射出成形してブロー成形用のパリソンを形成す
るに当り、代表的にはゲート部前後で顕著な温度
差を与えることにより、従来問題であつたコール
ドスラツグあるいは徐冷によるパリソン底部での
樹脂の白化を防止し透明性の全体として一層優れ
たブロー成形容器の製造が可能となる。
第１図は本発明の金型装置の一実施例の要部断
面図、第２図は層状加熱冷却素子の構成ならびに
機能を説明するためのその模式拡大断面図、第３
図は本発明の金型装置の他の実施例の要部断面図
である。 Ａ……金型本体、Ｂ……ランナー部、１……キ
ヤビテイ型、２……コア型、３……キヤビテイ
（パリソン）、７……キヤビテイ底部金型部分、８
……底部キヤビテイ、９……ゲート部、１０……
層状加熱冷却素子、１３……ランナー部、１４…
…ランナー筒（１４ａ……ランナーノズル）、１
５……バンドヒーター。
面図、第２図は層状加熱冷却素子の構成ならびに
機能を説明するためのその模式拡大断面図、第３
図は本発明の金型装置の他の実施例の要部断面図
である。 Ａ……金型本体、Ｂ……ランナー部、１……キ
ヤビテイ型、２……コア型、３……キヤビテイ
（パリソン）、７……キヤビテイ底部金型部分、８
……底部キヤビテイ、９……ゲート部、１０……
層状加熱冷却素子、１３……ランナー部、１４…
…ランナー筒（１４ａ……ランナーノズル）、１
５……バンドヒーター。
Claims (1)
- １ 射出成形機ノズルと金型キヤビテイーとを連
結する樹脂通路を含囲して、加熱面と冷却面とを
有する層状加熱冷却素子を、その加熱面が射出成
形機ノズルに向き且つ冷却面が金型キヤビテイー
に向くように配置してなる金型装置であつて、前
記層状加熱冷却素子が複数のｎ型半導体とｐ型半
導体を交互に平面的に並べその表裏面で交互に導
電体により直列接合してなる半導体接合体を一対
の絶縁層で挾持してなることを特徴とする、結晶
性樹脂製パリソンの射出成形用金型装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9951180A JPS5724220A (en) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | Mold device for injection molding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9951180A JPS5724220A (en) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | Mold device for injection molding |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5724220A JPS5724220A (en) | 1982-02-08 |
| JPH0144492B2 true JPH0144492B2 (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=14249275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9951180A Granted JPS5724220A (en) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | Mold device for injection molding |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5724220A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020162025A1 (ja) | 2019-02-04 | 2020-08-13 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2020166590A1 (ja) | 2019-02-14 | 2020-08-20 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021020074A1 (ja) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021246371A1 (ja) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021246372A1 (ja) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704800B1 (fr) * | 1993-05-06 | 1995-08-11 | Aerospatiale | Procede et installation de moulage par injection d'une piece en un materiau thermoplastique. |
| DE102006021229A1 (de) | 2006-05-06 | 2007-11-15 | Mht Mold & Hotrunner Technology Ag | Bodeneinsatz mit Wärmeisolation |
| US7914271B2 (en) * | 2007-11-29 | 2011-03-29 | Husky Injection Molding Systems Ltd. | Gate insert heating and cooling |
-
1980
- 1980-07-21 JP JP9951180A patent/JPS5724220A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020162025A1 (ja) | 2019-02-04 | 2020-08-13 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2020166590A1 (ja) | 2019-02-14 | 2020-08-20 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021020074A1 (ja) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021246371A1 (ja) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
| WO2021246372A1 (ja) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5724220A (en) | 1982-02-08 |
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