JPH0143940B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0143940B2 JPH0143940B2 JP56094120A JP9412081A JPH0143940B2 JP H0143940 B2 JPH0143940 B2 JP H0143940B2 JP 56094120 A JP56094120 A JP 56094120A JP 9412081 A JP9412081 A JP 9412081A JP H0143940 B2 JPH0143940 B2 JP H0143940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- layer
- parts
- acid
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 41
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 11
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002084 enol ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- -1 ortho-ester compound Chemical class 0.000 description 20
- 238000011161 development Methods 0.000 description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- PYOKUURKVVELLB-UHFFFAOYSA-N trimethyl orthoformate Chemical compound COC(OC)OC PYOKUURKVVELLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- QFVDKARCPMTZCS-UHFFFAOYSA-N methylrosaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(O)(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 QFVDKARCPMTZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229960003926 methylrosaniline Drugs 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 7
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 7
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 150000002905 orthoesters Chemical class 0.000 description 5
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 description 5
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 4
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001710 Polyorthoester Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 2
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000002745 poly(ortho ester) Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 2
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical class OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOC=C SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWDQYHPOSSHSAW-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanatooctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN=C=O QWDQYHPOSSHSAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZZJTWAHFMBFSX-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 QZZJTWAHFMBFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPUQWCPXNUGDML-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dihydroacenaphthylen-5-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=2C=3C=CC=C4CCC(C=34)=CC=2)=N1 VPUQWCPXNUGDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLNVSTLNDJGLTL-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethoxynaphthalen-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 NLNVSTLNDJGLTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNNGUFMVYQJGTD-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanal Chemical compound CCC(CC)C=O UNNGUFMVYQJGTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CABKQQBRYNTBPN-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-ethoxyethoxy)naphthalen-1-yl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCCOCC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 CABKQQBRYNTBPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCGQLJGLQCHMW-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(4-hydroxybutan-2-yloxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COC(C)CCO CBCGQLJGLQCHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEAGXQUAKGSSHK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxypropane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)OC1=CC=CC=C1 IEAGXQUAKGSSHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUZKMWAPWDOZEU-UHFFFAOYSA-N 4-[1,6-bis(3,4-dihydronaphthalen-1-yloxy)hexan-2-yloxy]-1,2-dihydronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OCCCCC(COC=3C4=CC=CC=C4CCC=3)OC=3C4=CC=CC=C4CCC=3)=CCCC2=C1 DUZKMWAPWDOZEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZROEXJYYSDPMY-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethyl-2-naphthalen-2-yloxy-1,3-oxazol-4-one Chemical compound O=C1C(C)(C)OC(OC=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=N1 VZROEXJYYSDPMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXVPJVKJUOONPX-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-[2-[[5-ethyl-5-(methoxymethyl)-1,3-dioxan-2-yl]oxymethyl]-2-(methoxymethyl)butoxy]-5-(methoxymethyl)-1,3-dioxane Chemical compound C(C)C1(COC(OC1)OCC(COC1OCC(CO1)(COC)CC)(COC)CC)COC JXVPJVKJUOONPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIDVNMPNBSDMRT-UHFFFAOYSA-N 5-phenoxy-2-[(5-phenoxy-1,3-dioxan-2-yl)oxy]-1,3-dioxane Chemical compound O1CC(OC=2C=CC=CC=2)COC1OC(OC1)OCC1OC1=CC=CC=C1 IIDVNMPNBSDMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical group O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- MEASSMVBISQVKZ-UHFFFAOYSA-N O(C1=CC=CC=C1)C(N1C(CCCCC1N)=O)OC1=CC=CC=C1 Chemical compound O(C1=CC=CC=C1)C(N1C(CCCCC1N)=O)OC1=CC=CC=C1 MEASSMVBISQVKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004146 Propane-1,2-diol Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N Solvent yellow 56 Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001106476 Violaceae Species 0.000 description 1
- MNSVWGJSHNVIGC-UHFFFAOYSA-N [2-[2-[2-(diphenoxymethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy-phenoxymethoxy]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(OC=1C=CC=CC=1)OCCOCCOCCOC(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MNSVWGJSHNVIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 1
- VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diol Chemical compound OC1CCC(O)CC1 VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- SXCBDZAEHILGLM-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diol Chemical compound OCCCCCCCO SXCBDZAEHILGLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011008 sodium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
- Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジチブに作用する放射線に敏感な混
合物、換言すれば照射により可溶性になりかつ主
要成分として (a) 酸により開裂され得るＣ―Ｏ―Ｃ結合少なく
とも１個を有する化合物、 (b) 照射の際に強酸を形成する化合物及び (c) 水に不溶でありかつ水性アルカリ性溶液には
可溶である結合剤 を含有しかつ印刷版及びフオトレジストを製造す
るのに好適である混合物に関する。この組成の混
合物は、例えば米国特許第3779778号明細書、同
第4101323号明細書及び同第4189323号明細書、西
ドイツ国特許公開第2718254号明細書及び同第
2928636号明細書並びにヨーロツパ特許出願公開
第0006626号明細書及び同第0006627号明細書に記
載されている。
合物、換言すれば照射により可溶性になりかつ主
要成分として (a) 酸により開裂され得るＣ―Ｏ―Ｃ結合少なく
とも１個を有する化合物、 (b) 照射の際に強酸を形成する化合物及び (c) 水に不溶でありかつ水性アルカリ性溶液には
可溶である結合剤 を含有しかつ印刷版及びフオトレジストを製造す
るのに好適である混合物に関する。この組成の混
合物は、例えば米国特許第3779778号明細書、同
第4101323号明細書及び同第4189323号明細書、西
ドイツ国特許公開第2718254号明細書及び同第
2928636号明細書並びにヨーロツパ特許出願公開
第0006626号明細書及び同第0006627号明細書に記
載されている。
これらの印刷物にはアルカリ可溶性結合剤に加
えて他の重合体物質を添加することもできること
が述べられているが、実際にはアルカリ可溶性結
合剤、殊にフエノール樹脂ノボラツクが専ら実施
例に記載されている。
えて他の重合体物質を添加することもできること
が述べられているが、実際にはアルカリ可溶性結
合剤、殊にフエノール樹脂ノボラツクが専ら実施
例に記載されている。
ところがｏ―キノン―ジアジドをベースとする
ポジチブに作用する放射線に敏感な又は感光性の
混合物の添加物として他の結合剤又は樹脂が既に
公知である。例えば西ドイツ国特許第1622301号
明細書にはポリビニルアルキルエーテルの添加が
記載されており、西ドイツ国特許公開第2236941
号明細書にはアクリル樹脂の添加が記載されてお
り、西ドイツ国特許公開第2733267号明細書には
テルペン樹脂の添加が記載されておりかつ西ドイ
ツ国特許公開第2617088号明細書には付加的にア
ルカリ可溶性ノボラツクを含有していてもよいｏ
―キノンジアジド層に有機イソシアネートとノボ
ラツクとの反応生成物を添加することが記載され
ている。
ポジチブに作用する放射線に敏感な又は感光性の
混合物の添加物として他の結合剤又は樹脂が既に
公知である。例えば西ドイツ国特許第1622301号
明細書にはポリビニルアルキルエーテルの添加が
記載されており、西ドイツ国特許公開第2236941
号明細書にはアクリル樹脂の添加が記載されてお
り、西ドイツ国特許公開第2733267号明細書には
テルペン樹脂の添加が記載されておりかつ西ドイ
ツ国特許公開第2617088号明細書には付加的にア
ルカリ可溶性ノボラツクを含有していてもよいｏ
―キノンジアジド層に有機イソシアネートとノボ
ラツクとの反応生成物を添加することが記載され
ている。
非常に多くの種々の用途に適用するためにｏ―
キノン―ジアジドをベースとするポジチブに作用
する感光性層の特性を改良及び変更する多種多様
の提案（その若干のものはかなり以前に提案され
た）がなされたが、それらの層はいまだにすべて
の要件を満たしていない。
キノン―ジアジドをベースとするポジチブに作用
する感光性層の特性を改良及び変更する多種多様
の提案（その若干のものはかなり以前に提案され
た）がなされたが、それらの層はいまだにすべて
の要件を満たしていない。
特に、高い解像性と精確な線画鮮明度がベーキ
ング工程後でも特に重要であるミクロ電子工学に
適用されるポジチブなフオトレジスト組成物の場
合、前記種類の樹脂の添加は認容されなかつた。
ポリビニルアルキルエーテルもまた、これらの添
加物を含有するレジストをチツプの大量生産に導
入する多くの努力がミクロ電子工学でなされたが
広く使われていない。主要な障害は、欠点、例え
ばベーキング後の鮮鋭度の低下がこれらの樹脂の
添加後に特定の操作工程で製造条件下にジアゾ層
中で起り得るという事実であることは明らかであ
る。
ング工程後でも特に重要であるミクロ電子工学に
適用されるポジチブなフオトレジスト組成物の場
合、前記種類の樹脂の添加は認容されなかつた。
ポリビニルアルキルエーテルもまた、これらの添
加物を含有するレジストをチツプの大量生産に導
入する多くの努力がミクロ電子工学でなされたが
広く使われていない。主要な障害は、欠点、例え
ばベーキング後の鮮鋭度の低下がこれらの樹脂の
添加後に特定の操作工程で製造条件下にジアゾ層
中で起り得るという事実であることは明らかであ
る。
本発明の目的は、冒頭に挙げたような酸により
開裂され得る化合物及び光分解性酸供与体をベー
スとするポジチブに作用する放射線に敏感な層の
機械的及び化学的性質をそれらが非常に多くの用
途に適合し得るように変更することであつた。
開裂され得る化合物及び光分解性酸供与体をベー
スとするポジチブに作用する放射線に敏感な層の
機械的及び化学的性質をそれらが非常に多くの用
途に適合し得るように変更することであつた。
本発明の出発点は、
ａ 酸により開裂され得るＣ―Ｏ―Ｃ結合少なく
とも１個を有する化合物、 ｂ 照射された際に強酸を形成する化合物及び ｃ 水に不溶でありかつ水性アルカリ性溶液に可
溶である結合剤より成るポジチブに作用する放
射に敏感な混合物である。
とも１個を有する化合物、 ｂ 照射された際に強酸を形成する化合物及び ｃ 水に不溶でありかつ水性アルカリ性溶液に可
溶である結合剤より成るポジチブに作用する放
射に敏感な混合物である。
更に、本発明による放射線に敏感な混合物は付
加的に ｄ 結合剤ｃとは異なる溶解特性を有しかつd1
有機イソシアネートとヒドロキシル基を含有す
る重合体とから得られるポリウレタン樹脂、
d2ポリビニルアルキルエーテル、d3アルキル
アクリレート重合体もしくはd4ロジンの水素
化又は部分水素化誘導体を含有する。
加的に ｄ 結合剤ｃとは異なる溶解特性を有しかつd1
有機イソシアネートとヒドロキシル基を含有す
る重合体とから得られるポリウレタン樹脂、
d2ポリビニルアルキルエーテル、d3アルキル
アクリレート重合体もしくはd4ロジンの水素
化又は部分水素化誘導体を含有する。
前記種類のポジチブに作用する層においてしば
しば付加的な樹脂がキノン―ジアジドをベースと
する層中のものとは非常に異なる効果を有するこ
とが判明した。部分的にはこれは両者の層の基本
成分の非常に異なる機械的性質から生じる。一般
に、フエノール樹脂ノボラツクと組合せたキノン
―ジアジドは層の脆性を高めるが、通常オルト―
カルボン酸誘導体、アセタール、アシルイミノカ
ーボネート及びエノールエーテルは逆の効果を有
する。しばしばこれらの物質は油性であるか又は
低温溶融成分であり、それ故それら自体が柔軟
性、可撓性及び脆性の低減に作用する。
しば付加的な樹脂がキノン―ジアジドをベースと
する層中のものとは非常に異なる効果を有するこ
とが判明した。部分的にはこれは両者の層の基本
成分の非常に異なる機械的性質から生じる。一般
に、フエノール樹脂ノボラツクと組合せたキノン
―ジアジドは層の脆性を高めるが、通常オルト―
カルボン酸誘導体、アセタール、アシルイミノカ
ーボネート及びエノールエーテルは逆の効果を有
する。しばしばこれらの物質は油性であるか又は
低温溶融成分であり、それ故それら自体が柔軟
性、可撓性及び脆性の低減に作用する。
殆んどｏ―キノン―ジアジド／ノボラツク―層
はジアゾ化合物の結晶〜無定形特性並びに該化合
物と樹脂との相互作用のために混濁した外観を呈
するが、新規層は完全に澄明である。純粋なキノ
ン―ジアジド／ノボラツク層の場合、殊に表面が
ドーピングされているとシリコンウエーハに対す
る接着性に関して問題が起り得る。これには、例
えば米国特許第3549368号明細書及び同第3586554
号明細書並びに西ドイツ国特許公開第2617914号
明細書から明らかであるような特別な予備処理工
程を必要とするはずである。
はジアゾ化合物の結晶〜無定形特性並びに該化合
物と樹脂との相互作用のために混濁した外観を呈
するが、新規層は完全に澄明である。純粋なキノ
ン―ジアジド／ノボラツク層の場合、殊に表面が
ドーピングされているとシリコンウエーハに対す
る接着性に関して問題が起り得る。これには、例
えば米国特許第3549368号明細書及び同第3586554
号明細書並びに西ドイツ国特許公開第2617914号
明細書から明らかであるような特別な予備処理工
程を必要とするはずである。
それ故、キノン―ジアジド層に関して既に公知
であつた樹脂添加物がそれを酸により開裂され得
る化合物と組合せた場合に全く異なる効果をもた
らすことは驚異的であつた。例えば本発明におい
てポリビニルエチルエーテルが現像における寛容
度を、即ち現像時間と現像液に対する抵抗性との
間の隔差を改良することができかつジアゾ層に対
する作用に比べてベーキング時の層の特性を高
め、即ち流動傾向を低減しかつ縁の鮮鋭度を高め
る。
であつた樹脂添加物がそれを酸により開裂され得
る化合物と組合せた場合に全く異なる効果をもた
らすことは驚異的であつた。例えば本発明におい
てポリビニルエチルエーテルが現像における寛容
度を、即ち現像時間と現像液に対する抵抗性との
間の隔差を改良することができかつジアゾ層に対
する作用に比べてベーキング時の層の特性を高
め、即ち流動傾向を低減しかつ縁の鮮鋭度を高め
る。
露光しかつ現像したノボラツク、オルト―エス
テル化合物及び酸形成開始剤だけから成る層はシ
リコンウエーハに対する良好な接着性にもかかわ
らず未露光区域において孔を有することがあり、
従来その原因を明瞭に説明することはできなかつ
た。この欠点は、前記の樹脂を添加した場合に解
消される。現像の際に初めて形成される孔を層に
湿潤剤を添加することにより除くことはできなか
つたので、フイルムの形成を促進する相互作用
（水素結合）がポリビニルエチルエーテルとノボ
ラツク樹脂との間で起るものと思われる。
テル化合物及び酸形成開始剤だけから成る層はシ
リコンウエーハに対する良好な接着性にもかかわ
らず未露光区域において孔を有することがあり、
従来その原因を明瞭に説明することはできなかつ
た。この欠点は、前記の樹脂を添加した場合に解
消される。現像の際に初めて形成される孔を層に
湿潤剤を添加することにより除くことはできなか
つたので、フイルムの形成を促進する相互作用
（水素結合）がポリビニルエチルエーテルとノボ
ラツク樹脂との間で起るものと思われる。
これは、酸により開裂され得る化合物とノボラ
ツクとの間の相互作用が、ｏ―ナフトキノン―ジ
アジドとノボラツクとの間の付加物又は類縁の凝
集物による公知の比較的激しい形成よりも弱いと
いう予測により裏書きされる。それらを比較する
ことができる限り、相応する非ジアゾ層はジアゾ
層よりも現像液に対する抵抗性という点に関して
ばかりではなく、複製性の質を実際に低下させず
に層の他の性質を改良するために配合することの
できる添加樹脂の量に関しても有利である。
ツクとの間の相互作用が、ｏ―ナフトキノン―ジ
アジドとノボラツクとの間の付加物又は類縁の凝
集物による公知の比較的激しい形成よりも弱いと
いう予測により裏書きされる。それらを比較する
ことができる限り、相応する非ジアゾ層はジアゾ
層よりも現像液に対する抵抗性という点に関して
ばかりではなく、複製性の質を実際に低下させず
に層の他の性質を改良するために配合することの
できる添加樹脂の量に関しても有利である。
本混合物の不揮発性成分に対する添加樹脂の量
的割合は樹脂の種類及び層の他の成分に応じて１
〜50重量％である。
的割合は樹脂の種類及び層の他の成分に応じて１
〜50重量％である。
ポリビニルアルキルエーテルの場合には、添加
樹脂の割合は２〜40％、殊に５〜25％であつてよ
い。側部に長い連鎖長のアルコキシ基を有するポ
リビニルアルキルエーテル、例えばポリビニルイ
ソブチルエーテルの場合、最も有利な添加量はポ
リビニルエチルエーテルの場合よりも低い。ポリ
ビニルメチルエーテルを新規な層に添加する場
合、接着性及び柔軟性ばかりでなく、就中弾性／
フイルム形成特性が顕著であることが認められ驚
異的である。それ故、ポリビニルメチルエーテル
を酸により開裂し得る化合物をベースとするポジ
チブ乾式レジスト層に添加する場合、スルーホー
ルメツキ回路において穿孔された大きな孔もレジ
スト層により被覆される（テンテイング）。酸に
より開裂され得る物質及び層厚に応じてポリビニ
ルメチルエーテル40％までが層中に存在してよ
く、良好な結果が得られる。その最大量は、現像
液に対する抵抗性が著しく低下するか又は他の作
用因子、例えば大気湿度が複写の結果に不利に作
用する場合に使用される。
樹脂の割合は２〜40％、殊に５〜25％であつてよ
い。側部に長い連鎖長のアルコキシ基を有するポ
リビニルアルキルエーテル、例えばポリビニルイ
ソブチルエーテルの場合、最も有利な添加量はポ
リビニルエチルエーテルの場合よりも低い。ポリ
ビニルメチルエーテルを新規な層に添加する場
合、接着性及び柔軟性ばかりでなく、就中弾性／
フイルム形成特性が顕著であることが認められ驚
異的である。それ故、ポリビニルメチルエーテル
を酸により開裂し得る化合物をベースとするポジ
チブ乾式レジスト層に添加する場合、スルーホー
ルメツキ回路において穿孔された大きな孔もレジ
スト層により被覆される（テンテイング）。酸に
より開裂され得る物質及び層厚に応じてポリビニ
ルメチルエーテル40％までが層中に存在してよ
く、良好な結果が得られる。その最大量は、現像
液に対する抵抗性が著しく低下するか又は他の作
用因子、例えば大気湿度が複写の結果に不利に作
用する場合に使用される。
良好な技術的結果はポリアクリレート樹脂、殊
にポリエチルアクリレートの添加でも得られ、こ
れはポリビニルエチルエーテルと同様に複写性に
対して不利な作用をせずに層を弾性にしかつ強く
する。有利に、ポリアクリレート樹脂とは低級の
ポリアクリル―及びポリメタクリル酸のアルキル
エステルであるが、これらの共重合体もまた好適
である。アクリレート樹脂は、その高分子成分が
層の未露光部分の溶解速度を低下させるので現像
液抵抗性を改良する。一般にその量は１〜20、有
利に５〜15重量％であつてよい。高い重量割合の
場合には、層の露光部分が小塊状（blob）に剥離
する危険があり、これは他の位置での不所望な沈
積を惹起し得る。乾式レジスト層の製造ではこれ
を他の手段により補償しなければならず、これは
広範囲に変更可能である新規なポジチブ系では酸
により開裂され得る化合物の適当な選択により可
能である。
にポリエチルアクリレートの添加でも得られ、こ
れはポリビニルエチルエーテルと同様に複写性に
対して不利な作用をせずに層を弾性にしかつ強く
する。有利に、ポリアクリレート樹脂とは低級の
ポリアクリル―及びポリメタクリル酸のアルキル
エステルであるが、これらの共重合体もまた好適
である。アクリレート樹脂は、その高分子成分が
層の未露光部分の溶解速度を低下させるので現像
液抵抗性を改良する。一般にその量は１〜20、有
利に５〜15重量％であつてよい。高い重量割合の
場合には、層の露光部分が小塊状（blob）に剥離
する危険があり、これは他の位置での不所望な沈
積を惹起し得る。乾式レジスト層の製造ではこれ
を他の手段により補償しなければならず、これは
広範囲に変更可能である新規なポジチブ系では酸
により開裂され得る化合物の適当な選択により可
能である。
更に、ポリアクリレート樹脂を用いる場合、金
属面に対する接着性はジアゾ層の場合よりも驚異
的なほど著しくかつ自体粘着性のポリビニルアル
キルエーテルを用いる場合よりも著しく改良する
ことができ、もしくはポリエステル―及びポリオ
レフインフイルムからのポジチブ層の分離挙動を
制御することができる。それ故、そのような混合
物を溶液としてポリエステルフイルム上に流延
し、乾燥させかつ銅上に清浄移送（積層）するこ
とができるように接着性を最適化することができ
る。最適化されたジアゾ層の場合でもこの方法は
特別に前処理したポリエステルフイルムを使用す
る際にのみ成功する（例えば西ドイツ国特許公開
第2403054号明細書に記載されている）。
属面に対する接着性はジアゾ層の場合よりも驚異
的なほど著しくかつ自体粘着性のポリビニルアル
キルエーテルを用いる場合よりも著しく改良する
ことができ、もしくはポリエステル―及びポリオ
レフインフイルムからのポジチブ層の分離挙動を
制御することができる。それ故、そのような混合
物を溶液としてポリエステルフイルム上に流延
し、乾燥させかつ銅上に清浄移送（積層）するこ
とができるように接着性を最適化することができ
る。最適化されたジアゾ層の場合でもこの方法は
特別に前処理したポリエステルフイルムを使用す
る際にのみ成功する（例えば西ドイツ国特許公開
第2403054号明細書に記載されている）。
最良の結果はポリエチルアクリレートで得ら
れ、低粘度の場合は２〜12％及び高粘度の場合は
１〜６％を添加する。一般に、相対的に低分子の
重合体が優れている。
れ、低粘度の場合は２〜12％及び高粘度の場合は
１〜６％を添加する。一般に、相対的に低分子の
重合体が優れている。
ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリ
レート及びその共重合体も使用することができる
が、効果は低い。ポリビニルアルキルエーテルと
ポリアルキルアクリレートの混合物により、不利
な相乗効果を生ぜしめずに望ましい特性の微妙な
調節が行なわれる。
レート及びその共重合体も使用することができる
が、効果は低い。ポリビニルアルキルエーテルと
ポリアルキルアクリレートの混合物により、不利
な相乗効果を生ぜしめずに望ましい特性の微妙な
調節が行なわれる。
最後に、種々の用途に使われる新規感光性層を
改良する実験でテルペン樹脂、即ちロジンの誘導
体の添加によつても有利な効果が得られることが
判明した。この場合、量的割合は約３〜50、殊に
７〜45重量％である。この型の樹脂は、それらが
経済的な天然原料をベースとしかつ多数の用途の
ために多様に変更することができるので長い間ラ
ツカー工業で使用されていた。
改良する実験でテルペン樹脂、即ちロジンの誘導
体の添加によつても有利な効果が得られることが
判明した。この場合、量的割合は約３〜50、殊に
７〜45重量％である。この型の樹脂は、それらが
経済的な天然原料をベースとしかつ多数の用途の
ために多様に変更することができるので長い間ラ
ツカー工業で使用されていた。
ポジチブなジアゾ層におけるこの型の樹脂の使
用は記載された（西ドイツ国特許公開第2733267
号明細書）。この種類の層の添加物として公知で
ある多数の樹脂のうちこの群類の樹脂は酸により
開裂され得る化合物と組合せると被覆の品質、現
像液に対する抵抗性及び接着性の点で著しく極だ
つている。それは明らかに層の他の成分、殊に酸
により開裂され得る化合物と認容性だからでもあ
る。硬質乃至脆いコンシステンシーを有する樹脂
も層特性に対して有利な作用を有し得る。
用は記載された（西ドイツ国特許公開第2733267
号明細書）。この種類の層の添加物として公知で
ある多数の樹脂のうちこの群類の樹脂は酸により
開裂され得る化合物と組合せると被覆の品質、現
像液に対する抵抗性及び接着性の点で著しく極だ
つている。それは明らかに層の他の成分、殊に酸
により開裂され得る化合物と認容性だからでもあ
る。硬質乃至脆いコンシステンシーを有する樹脂
も層特性に対して有利な作用を有し得る。
有用なロジン樹脂の概説をカルステン
（Karsten）が明らかにしている（“Lackrohstoff
―Tabe―llen”，Vincentz―Varlag出版；
Hannover在）。既に印刷インキ及び熱溶融型接
着剤の製造に好適であることが明らかになつた樹
脂が優れている。それらを前記の他の樹脂と組合
せることができる。
（Karsten）が明らかにしている（“Lackrohstoff
―Tabe―llen”，Vincentz―Varlag出版；
Hannover在）。既に印刷インキ及び熱溶融型接
着剤の製造に好適であることが明らかになつた樹
脂が優れている。それらを前記の他の樹脂と組合
せることができる。
水素化及び部分水素化ロジン誘導体、殊にテル
ペン樹脂エステル、例えばテルペン樹脂のメチル
エステル、グリセロールエステル、トリエチレン
グリコールエステル又はアルキドエステルは酸化
に対して抵抗性を有するので優れている。最も有
利な組合せは用途に応じて詳細に実験することに
より決定する。テルペン樹脂はミクロ電子レジス
ト及び電気メツキレジストにはあまり好適ではな
いが、これらの目的に使用することもできる。殊
に、それらは層のベーキング処理が行なわれない
か殆んど行なわれないが、その代り層の可撓性及
び接着性が重要である乾式レジスト及び色校正フ
イルムのような製品の層中添加物として好適であ
る。
ペン樹脂エステル、例えばテルペン樹脂のメチル
エステル、グリセロールエステル、トリエチレン
グリコールエステル又はアルキドエステルは酸化
に対して抵抗性を有するので優れている。最も有
利な組合せは用途に応じて詳細に実験することに
より決定する。テルペン樹脂はミクロ電子レジス
ト及び電気メツキレジストにはあまり好適ではな
いが、これらの目的に使用することもできる。殊
に、それらは層のベーキング処理が行なわれない
か殆んど行なわれないが、その代り層の可撓性及
び接着性が重要である乾式レジスト及び色校正フ
イルムのような製品の層中添加物として好適であ
る。
最後に、ポリウレタン樹脂もまた添加樹脂とし
て好適である。これらは有機モノイソシアネート
又はポリイソシアネートと重合体ヒドロキシ化合
物との反応により得られる。使用することができ
る重合体ヒドロキシ化合物の例はポリエーテル又
はポリエステル、有利にはフエノール樹脂、殊に
ノボラツクである。一般に、ポリウレタンは３〜
30、殊に５〜20％の量で加えることができる。こ
の場合、層中に未変性の形で含有されているのと
同じノボラツクをイソシアネートとの反応に使用
することができかつ有利である。それ故、この場
合に使用される樹脂混合物は比較的大過剰量の未
変換のノボラツクを含有するノボラツクとイソシ
アネートとの反応生成物であつてよい。
て好適である。これらは有機モノイソシアネート
又はポリイソシアネートと重合体ヒドロキシ化合
物との反応により得られる。使用することができ
る重合体ヒドロキシ化合物の例はポリエーテル又
はポリエステル、有利にはフエノール樹脂、殊に
ノボラツクである。一般に、ポリウレタンは３〜
30、殊に５〜20％の量で加えることができる。こ
の場合、層中に未変性の形で含有されているのと
同じノボラツクをイソシアネートとの反応に使用
することができかつ有利である。それ故、この場
合に使用される樹脂混合物は比較的大過剰量の未
変換のノボラツクを含有するノボラツクとイソシ
アネートとの反応生成物であつてよい。
本発明による感光性混合物はまた著しい割合で
アルカリ可溶性樹脂、殊にノボラツクを含有す
る。その量は不揮発性成分の量の20〜90、殊に45
〜80重量％である。アルカリ可溶性樹脂及び添加
樹脂の全量は25〜91、殊に50〜85重量％である。
酸により開裂され得る化合物の量は９〜75、殊に
15〜50％、光分解性酸供与体の量は0.1〜10、殊
に0.2〜５％である。これらの成分は前記の刊行
物に詳細に記載されている。米国特許第4101323
号明細書及び西ドイツ特許公開第2928636号明細
書に記載されているオルト―カルボン酸誘導体並
びに西ドイツ国特許公開第2718254号明細書に記
載されているポリアセタールを使用すると特に有
利である。
アルカリ可溶性樹脂、殊にノボラツクを含有す
る。その量は不揮発性成分の量の20〜90、殊に45
〜80重量％である。アルカリ可溶性樹脂及び添加
樹脂の全量は25〜91、殊に50〜85重量％である。
酸により開裂され得る化合物の量は９〜75、殊に
15〜50％、光分解性酸供与体の量は0.1〜10、殊
に0.2〜５％である。これらの成分は前記の刊行
物に詳細に記載されている。米国特許第4101323
号明細書及び西ドイツ特許公開第2928636号明細
書に記載されているオルト―カルボン酸誘導体並
びに西ドイツ国特許公開第2718254号明細書に記
載されているポリアセタールを使用すると特に有
利である。
感光性混合物は可溶性の又は微分散性の染料並
びに用途に応じてUV吸収体も含有してよい。ト
リフエニルメタン染料、殊にそのカルビノール塩
基の形のそれが特に有用であることが明らかにな
つた。該成分の最も有利な量的割合はそれぞれの
場合に前実験により容易に決定することができ
る。
びに用途に応じてUV吸収体も含有してよい。ト
リフエニルメタン染料、殊にそのカルビノール塩
基の形のそれが特に有用であることが明らかにな
つた。該成分の最も有利な量的割合はそれぞれの
場合に前実験により容易に決定することができ
る。
本発明による物質混合物の好適な溶剤はメチル
エチルケトンのようなケトン、トリクロルエチレ
ン及び１，１，１―トリクロルエタンのような塩
素化炭化水素、ｎ―プロパノールのようなアルコ
ール、テトラヒドロフランのようなエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテルのようなア
ルコールエーテル並びに酢酸ブチルのようなエス
テルである。特別な用途のために付加的にアセト
ニトリル、ジオキサン又はジメチルホルムアミド
のような溶剤を含有してもよい混合物を使用する
こともできる。基本的には、層の成分と不可逆的
には反応しない溶剤を使用することができる。
エチルケトンのようなケトン、トリクロルエチレ
ン及び１，１，１―トリクロルエタンのような塩
素化炭化水素、ｎ―プロパノールのようなアルコ
ール、テトラヒドロフランのようなエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテルのようなア
ルコールエーテル並びに酢酸ブチルのようなエス
テルである。特別な用途のために付加的にアセト
ニトリル、ジオキサン又はジメチルホルムアミド
のような溶剤を含有してもよい混合物を使用する
こともできる。基本的には、層の成分と不可逆的
には反応しない溶剤を使用することができる。
しかし溶剤の選択は適用しようとする被覆法、
層厚及び乾燥装置に適合させるべきである。殊
に、試験量約5μmまでの薄層は回転機上で流し込
みにより施す。固体含量約40％までの溶液を使用
する場合、60μm以上の層厚がこの方法で１回塗
布することにより又はフイルムアプリケータを使
用することにより得られる。両面に塗布する際に
は浸漬被覆が優れておりかつ迅速な乾燥は低沸点
溶剤を使用することにより達成される。ウエブ被
覆はローラ、スロツトダイを用いて又は噴霧によ
り塗布して実施し、各板材はカーテンコータを用
いて塗布することができる。
層厚及び乾燥装置に適合させるべきである。殊
に、試験量約5μmまでの薄層は回転機上で流し込
みにより施す。固体含量約40％までの溶液を使用
する場合、60μm以上の層厚がこの方法で１回塗
布することにより又はフイルムアプリケータを使
用することにより得られる。両面に塗布する際に
は浸漬被覆が優れておりかつ迅速な乾燥は低沸点
溶剤を使用することにより達成される。ウエブ被
覆はローラ、スロツトダイを用いて又は噴霧によ
り塗布して実施し、各板材はカーテンコータを用
いて塗布することができる。
層厚10μm以上の層の優れた支持体は転移層の
一時支持材として有用であるプラスチツクフイル
ムである。殊に、この目的及び色校正フイルムに
はポリエステルフイルム、例えばポリエチレンテ
レフタレートより成るものが優れている。しかし
ポリプロピレンのようなポリオレフインフイルム
も同様に好適である。約10μmよりも低い層厚に
使用される層支持材は多くの場合金属である。次
のものをオフセツト印刷版に使用することができ
る：機械的に又は電気化学的に粗面化されかつ所
望の場合には陽極酸化され、付加的に例えばポリ
ビニルホスホン酸により化学的に前処理されてい
てもよいアルミニウム並びに上層としてCu／Cr
又は黄銅／Crを有する複合金属板。凸版印刷版
の場合には本発明による層を単一工程エツチング
法の亜鉛板又はマグネシウム板に施すことがで
き、かつそれらはエツチングすることのできるポ
リオキシメチレンのようなプラスチツクに施すこ
ともできる。銅又はニツケル面に対するそれらの
良好な接着性及び耐エツチング性により本発明に
よる層はグラビア印刷版又はスクリーン印刷版に
好適である。同様に本発明による混合物をフオト
レジストとして食刻に使用することもできかつこ
のために多数の特別な基材が市販されている。
一時支持材として有用であるプラスチツクフイル
ムである。殊に、この目的及び色校正フイルムに
はポリエステルフイルム、例えばポリエチレンテ
レフタレートより成るものが優れている。しかし
ポリプロピレンのようなポリオレフインフイルム
も同様に好適である。約10μmよりも低い層厚に
使用される層支持材は多くの場合金属である。次
のものをオフセツト印刷版に使用することができ
る：機械的に又は電気化学的に粗面化されかつ所
望の場合には陽極酸化され、付加的に例えばポリ
ビニルホスホン酸により化学的に前処理されてい
てもよいアルミニウム並びに上層としてCu／Cr
又は黄銅／Crを有する複合金属板。凸版印刷版
の場合には本発明による層を単一工程エツチング
法の亜鉛板又はマグネシウム板に施すことがで
き、かつそれらはエツチングすることのできるポ
リオキシメチレンのようなプラスチツクに施すこ
ともできる。銅又はニツケル面に対するそれらの
良好な接着性及び耐エツチング性により本発明に
よる層はグラビア印刷版又はスクリーン印刷版に
好適である。同様に本発明による混合物をフオト
レジストとして食刻に使用することもできかつこ
のために多数の特別な基材が市販されている。
更に、木材、繊維材及び多くの工材の表面を被
覆することができ、有利にこれらは投映により像
形成されかつアルカリ性現像液の作用に対して抵
抗性を有する。
覆することができ、有利にこれらは投映により像
形成されかつアルカリ性現像液の作用に対して抵
抗性を有する。
最後に、塗装は直接又は一時フイルムからの乾
式層転移により、片面又は両面上に銅膜を有する
絶縁板から成るプリント配線板材料にもしくは場
合により接着を促進する前処理、例えばマイクロ
波技術においてストリツプ導体用のAl2O3／セラ
ミツク―板上に金属薄層により行なつたガラス―
又はセラミツク材料に行なうことができる。
式層転移により、片面又は両面上に銅膜を有する
絶縁板から成るプリント配線板材料にもしくは場
合により接着を促進する前処理、例えばマイクロ
波技術においてストリツプ導体用のAl2O3／セラ
ミツク―板上に金属薄層により行なつたガラス―
又はセラミツク材料に行なうことができる。
非常に薄い1μm以下の被膜は、ミクロ電子工学
で表面が酸化物層又は窒化物層を担持していてよ
くかつｐ―ドーピング又はｎ―ドーピングされて
いてもよいシリコンウエーハに施す。本発明によ
る混合物は特にこの適用分野においてその特殊
性、例えば接着性、ベーキング時の流動安定性、
それ故解像性、寸法安定性及びプラズマ食刻抵抗
性を示す。
で表面が酸化物層又は窒化物層を担持していてよ
くかつｐ―ドーピング又はｎ―ドーピングされて
いてもよいシリコンウエーハに施す。本発明によ
る混合物は特にこの適用分野においてその特殊
性、例えば接着性、ベーキング時の流動安定性、
それ故解像性、寸法安定性及びプラズマ食刻抵抗
性を示す。
塗装後乾燥する際に通常の装置及び条件を適用
することができ、約100℃及び短時間の場合は120
℃までの温度が放射線感受性を損うことなく許容
される。
することができ、約100℃及び短時間の場合は120
℃までの温度が放射線感受性を損うことなく許容
される。
露光に当り、管形電球、キセノンインパルス
灯、金属ハロゲン化物をドーピングした高圧水銀
灯及び炭素アーク灯のような常用の複写装置を使
用することができる。更に、金属フイラメント灯
の光を用いる常用の拡大投映機における露光及び
通常の白熱電球による密着露光が可能である。露
光をレーザの干渉光で実施することもできる。本
発明の目的には好適な工率の短波、例えばアルゴ
ンレーザー、クリプトンイオンレーザー、染料レ
ーザー及びヘリウム―カドミウムレーザーが適当
であり、これらは300〜600nmで発光する。レー
ザービームは所定のプログラミングしたライン走
査及び／又はスクリーン走査により制御される。
灯、金属ハロゲン化物をドーピングした高圧水銀
灯及び炭素アーク灯のような常用の複写装置を使
用することができる。更に、金属フイラメント灯
の光を用いる常用の拡大投映機における露光及び
通常の白熱電球による密着露光が可能である。露
光をレーザの干渉光で実施することもできる。本
発明の目的には好適な工率の短波、例えばアルゴ
ンレーザー、クリプトンイオンレーザー、染料レ
ーザー及びヘリウム―カドミウムレーザーが適当
であり、これらは300〜600nmで発光する。レー
ザービームは所定のプログラミングしたライン走
査及び／又はスクリーン走査により制御される。
電子ビームによる露光は画像を形成するための
他の可能性である。電子ビームは多くの他の有機
物質と同様に本発明による混合物を完全に分解し
かつ架橋する。それ故未照射部分を溶剤により又
は原稿なしの露光及び現像により除去する場合に
ネガ像が形成される。しかし電子ビームの強さが
相対的に低くかつ／又は走査速度が相対的に高い
場合には、電子ビームは比較的高い溶解性の方向
で差を惹起し、つまり層の照射部分を現像液によ
り除去することができる。
他の可能性である。電子ビームは多くの他の有機
物質と同様に本発明による混合物を完全に分解し
かつ架橋する。それ故未照射部分を溶剤により又
は原稿なしの露光及び現像により除去する場合に
ネガ像が形成される。しかし電子ビームの強さが
相対的に低くかつ／又は走査速度が相対的に高い
場合には、電子ビームは比較的高い溶解性の方向
で差を惹起し、つまり層の照射部分を現像液によ
り除去することができる。
画像に応じて露光又は照射した層は酸により開
裂され得る化合物をベースとする公知の層で使用
されるものと同じ現像液により除去することがで
き、あるいは本新規層の複写条件は現像液及びプ
ログラム制御される噴霧現像装置のような公知の
手段に適合させることができ有利である。例え
ば、水性現像液はアルカリ金属リン酸塩、―珪酸
塩又は―水酸化物及び湿潤剤並びに比較的低い割
合の有機溶剤を含有してよい。特定の場合には溶
剤／水―混合物を現像液として使用することもで
きる。最も有利な現像液の選択はその都度使用す
る層を用いて実験することにより確定することが
できる。必要な場合には、現像を機械的に補助す
ることができる。
裂され得る化合物をベースとする公知の層で使用
されるものと同じ現像液により除去することがで
き、あるいは本新規層の複写条件は現像液及びプ
ログラム制御される噴霧現像装置のような公知の
手段に適合させることができ有利である。例え
ば、水性現像液はアルカリ金属リン酸塩、―珪酸
塩又は―水酸化物及び湿潤剤並びに比較的低い割
合の有機溶剤を含有してよい。特定の場合には溶
剤／水―混合物を現像液として使用することもで
きる。最も有利な現像液の選択はその都度使用す
る層を用いて実験することにより確定することが
できる。必要な場合には、現像を機械的に補助す
ることができる。
次に、本発明による感光性混合物を実施例によ
り記載する。特に記載のない限りパーセント及び
量の割合は重量単位による。重量部（p.b.w.）及
び容量部（p.b.v.）の関係はｇ／cm3のそれと同じ
である。
り記載する。特に記載のない限りパーセント及び
量の割合は重量単位による。重量部（p.b.w.）及
び容量部（p.b.v.）の関係はｇ／cm3のそれと同じ
である。
例 １
高い充填密度のミクロ電子工学回路素子を作製
するために、常法で研磨しかつ酸化により厚さ
0.2μmのSiO2層を施した市販のシリコンデイスク
を次のポジのフオトレジスト組成物で被覆した。
するために、常法で研磨しかつ酸化により厚さ
0.2μmのSiO2層を施した市販のシリコンデイスク
を次のポジのフオトレジスト組成物で被覆した。
DIN53181により軟化点範囲105〜120℃を有す
るクレゾール／ホルムアルデヒド―ノボラツク
18重量部 トリエチレングリコールビス―ジフエノキシメ
チルエーテル 9.5重量部 ２―（４―エトキシナフト―１―イル）―４，
６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
1.2重量部 低粘度のポリエチルアリクレート 1.3重量部 （Plexisol B574） をエチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、酢酸ブチル及びキシレン（比８：１：１）か
らの溶剤混合物70重量部中に溶解しかつ0.5μmの
フイルターを通して濾過した。
るクレゾール／ホルムアルデヒド―ノボラツク
18重量部 トリエチレングリコールビス―ジフエノキシメ
チルエーテル 9.5重量部 ２―（４―エトキシナフト―１―イル）―４，
６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
1.2重量部 低粘度のポリエチルアリクレート 1.3重量部 （Plexisol B574） をエチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、酢酸ブチル及びキシレン（比８：１：１）か
らの溶剤混合物70重量部中に溶解しかつ0.5μmの
フイルターを通して濾過した。
該キヤリヤの回転塗布（9000r.p.m.）の際に厚
さ約1.2μmのレジスト層が得られ、これを更に空
気循環炉中90℃で10分間乾燥させた。冷却しかつ
定義された気候条件23℃及び相対湿度40〜50％下
に状態調整した後で、レジスト層をウエーハ密着
露光装置中で高解像力の試験区域を有する市販の
クロムマスク下に200WのHg高圧炉を用いて露光
した。
さ約1.2μmのレジスト層が得られ、これを更に空
気循環炉中90℃で10分間乾燥させた。冷却しかつ
定義された気候条件23℃及び相対湿度40〜50％下
に状態調整した後で、レジスト層をウエーハ密着
露光装置中で高解像力の試験区域を有する市販の
クロムマスク下に200WのHg高圧炉を用いて露光
した。
現像は、完全脱塩水95.45％中に溶解した
メタ珪酸ナトリウム・9H2O 2.67％
リン酸三ナトリウム・12H2O 1.71％
リン酸一ナトリウム 0.17％
より成る流動現像液中25℃で実施した。
次いで、そのデイスクを完全脱塩水ですすぎか
つ窒素で吹付乾燥した。
つ窒素で吹付乾燥した。
添加樹脂のフイルム形成特性により、NH4F―
緩衝剤を加えた弗化水素酸で腐食する際にその接
着性及び耐食性は著しく改良された。更に、この
挙動を添加樹脂の割合を前記の約２倍まで増量す
ることにより高めることができた。その際に層
厚、乾燥及び露光に応じてかぶりが起きた場合、
樹脂の増量により達成された効果を損わずに、現
像液の濃度を高めることによりこの傾向を除くこ
とができた。
緩衝剤を加えた弗化水素酸で腐食する際にその接
着性及び耐食性は著しく改良された。更に、この
挙動を添加樹脂の割合を前記の約２倍まで増量す
ることにより高めることができた。その際に層
厚、乾燥及び露光に応じてかぶりが起きた場合、
樹脂の増量により達成された効果を損わずに、現
像液の濃度を高めることによりこの傾向を除くこ
とができた。
芳香脂肪族オルトエステルの代りに同量の脂肪
族オルトエステル、即ちトリエチレングリコール
のビス―（２，５―ジエチル―５―ブチル―１，
３―ジオキサン―２―イル）エーテルを使用する
場合に同じ結果が得られた。
族オルトエステル、即ちトリエチレングリコール
のビス―（２，５―ジエチル―５―ブチル―１，
３―ジオキサン―２―イル）エーテルを使用する
場合に同じ結果が得られた。
例 ２
厚さ50μmの乾式ポジレジスト層を、トリクロ
ル酢酸／ポリビニルアルコールで前処理した厚さ
25μmのポリエステルフイルムに施し、ポリエチ
レン被覆フイルムを貼合せた。この乾式レジスト
層は次の溶液を塗布することにより生成した： エチレングリコールモノメチルエーテル
34.5重量部 メチルエチルケトン 21.0重量部 例１と同じノボラツク 27.5重量部 ポリグリコール2000 5.4重量部 ２―エチル―ブチルアルデヒドとトリエチレン
グリコールから得られたポリアセタール
9.7重量部 ２―〔４―（２―エトキシ―エトキシ）ナフト
―１―イル〕―４，６―ビス―トリクロルメチ
ル―ｓ―トリアジン 0.3重量部 シリコンをベースとする市販の被覆助剤
1.9重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.02重量部 銅を貼合せた絶縁材板に、保護膜の剥離後、こ
の乾式レジスト層をプリント配線板を作製するた
めに市販されている貼合せ機中で熱圧の作用下に
積層することにより被覆した。しばらく冷却させ
たこの被覆プリント配線板材料から支持フイルム
を剥離した後で、その板材を相応する原稿下に距
離140cmで5kWのハロゲン化金属灯を用いて50秒
間露光した。支持フイルムを通して露光すること
もできる。しかし乾式レジスト層を原稿と密着さ
せ、例えば80℃で10分間後乾燥させた後で露光す
ると有利である。引続いて、層を噴霧装置中で次
の現像液で現像した： NaOH 0.6％ メタ珪酸ナトリウム・5H2O 0.5％ ｍ―ブタノール 1.0％ 完全脱塩水 97.9％ ポリグリコールをポリエチルアクリレートに
徐々に代えることにより層の軟度を任意に低下調
整することができかつ耐現像液性及び電気メツキ
レジストとしての品質を改良することができる。
被覆工程の際に強く乾燥されない場合、前記の前
処理なしにポリエステルを支持フイルムとして使
用することができる。
ル酢酸／ポリビニルアルコールで前処理した厚さ
25μmのポリエステルフイルムに施し、ポリエチ
レン被覆フイルムを貼合せた。この乾式レジスト
層は次の溶液を塗布することにより生成した： エチレングリコールモノメチルエーテル
34.5重量部 メチルエチルケトン 21.0重量部 例１と同じノボラツク 27.5重量部 ポリグリコール2000 5.4重量部 ２―エチル―ブチルアルデヒドとトリエチレン
グリコールから得られたポリアセタール
9.7重量部 ２―〔４―（２―エトキシ―エトキシ）ナフト
―１―イル〕―４，６―ビス―トリクロルメチ
ル―ｓ―トリアジン 0.3重量部 シリコンをベースとする市販の被覆助剤
1.9重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.02重量部 銅を貼合せた絶縁材板に、保護膜の剥離後、こ
の乾式レジスト層をプリント配線板を作製するた
めに市販されている貼合せ機中で熱圧の作用下に
積層することにより被覆した。しばらく冷却させ
たこの被覆プリント配線板材料から支持フイルム
を剥離した後で、その板材を相応する原稿下に距
離140cmで5kWのハロゲン化金属灯を用いて50秒
間露光した。支持フイルムを通して露光すること
もできる。しかし乾式レジスト層を原稿と密着さ
せ、例えば80℃で10分間後乾燥させた後で露光す
ると有利である。引続いて、層を噴霧装置中で次
の現像液で現像した： NaOH 0.6％ メタ珪酸ナトリウム・5H2O 0.5％ ｍ―ブタノール 1.0％ 完全脱塩水 97.9％ ポリグリコールをポリエチルアクリレートに
徐々に代えることにより層の軟度を任意に低下調
整することができかつ耐現像液性及び電気メツキ
レジストとしての品質を改良することができる。
被覆工程の際に強く乾燥されない場合、前記の前
処理なしにポリエステルを支持フイルムとして使
用することができる。
例 ３
溶剤としてエチレングリコールモノメチルエー
テルを使用して、 例１と同じノボラツク 65.0％ トリメチルオルトホルメートと２―エチル―２
―ヒドロキシメチル―４―オキサ―オクタン―
１，８―ジオールとの縮重合反応により生成し
た主要分子量1470のポリオルトエステル 19.5％ 例１に記載のトリアジン誘導体 0.7％ クリスタルヴアイオレツト塩基 0.06％ 酢酸ビニル／クロトン酸―共重合体 5.9％ （95：５） アジピン酸とプロパン―１，２―ジオールから
得られたポリエステル 5.9％ から成る厚さ25μmの乾式ポジレジスト層を例２
に記載の支持フイルムに施した。スルーホールメ
ツキしたプリント配線板を作製する際にこの乾式
レジストを、両面に銅が貼合せられておりかつ回
路に応じて直径２mmまでの孔を有している市販の
ベース材料上に貼合せた。次いで支持フイルムを
剥離し、更に層を短時間乾燥させかつ例１と同様
に露光しかつ現像した。この場合、両面が被覆さ
れている板材を両面で露光しかつ好適な噴霧現像
機中で両側から同時に噴霧することにより現像し
た。
テルを使用して、 例１と同じノボラツク 65.0％ トリメチルオルトホルメートと２―エチル―２
―ヒドロキシメチル―４―オキサ―オクタン―
１，８―ジオールとの縮重合反応により生成し
た主要分子量1470のポリオルトエステル 19.5％ 例１に記載のトリアジン誘導体 0.7％ クリスタルヴアイオレツト塩基 0.06％ 酢酸ビニル／クロトン酸―共重合体 5.9％ （95：５） アジピン酸とプロパン―１，２―ジオールから
得られたポリエステル 5.9％ から成る厚さ25μmの乾式ポジレジスト層を例２
に記載の支持フイルムに施した。スルーホールメ
ツキしたプリント配線板を作製する際にこの乾式
レジストを、両面に銅が貼合せられておりかつ回
路に応じて直径２mmまでの孔を有している市販の
ベース材料上に貼合せた。次いで支持フイルムを
剥離し、更に層を短時間乾燥させかつ例１と同様
に露光しかつ現像した。この場合、両面が被覆さ
れている板材を両面で露光しかつ好適な噴霧現像
機中で両側から同時に噴霧することにより現像し
た。
共重合体及び可塑剤を添加しないとレジストの
フイルム特性は非常に弱かつた。噴霧現像する際
に穿孔全体にわたるレジストスキンの安定性はこ
れらの添加物により直径0.5mmの孔の場合でも良
好であつた。この樹脂及び可塑剤を徐々に又は完
全に可塑化樹脂ポリビニルメチルエーテル
（Lutonal M40）に代えた場合、直径２mmまでの
穿孔を被覆するのに著しく好適である乾式ポジレ
ジストが得られた。
フイルム特性は非常に弱かつた。噴霧現像する際
に穿孔全体にわたるレジストスキンの安定性はこ
れらの添加物により直径0.5mmの孔の場合でも良
好であつた。この樹脂及び可塑剤を徐々に又は完
全に可塑化樹脂ポリビニルメチルエーテル
（Lutonal M40）に代えた場合、直径２mmまでの
穿孔を被覆するのに著しく好適である乾式ポジレ
ジストが得られた。
ポリビニルメチルエーテルの割合を20％に高
め、同時に層のノボラツク含量を60％に低下した
場合、厚さ15μmの乾式ポジレジストの噴霧現像
が直径１mmの穿孔にわたつて可能あり、その際に
レジスト膜は裂けなかつた。
め、同時に層のノボラツク含量を60％に低下した
場合、厚さ15μmの乾式ポジレジストの噴霧現像
が直径１mmの穿孔にわたつて可能あり、その際に
レジスト膜は裂けなかつた。
トリメチルオルトホルメートと２―エチル―２
―ヒドロキシメチル―５―メチル―４―オキサ―
ヘプタン―１，７―ジオールから得られた重合体
オルトエステルを使用する場合に同じ結果が得ら
れた。
―ヒドロキシメチル―５―メチル―４―オキサ―
ヘプタン―１，７―ジオールから得られた重合体
オルトエステルを使用する場合に同じ結果が得ら
れた。
例 ４
例１と同じ溶剤混合物 76重量部
例１と同じノボラツク 13.6重量部
１，３―ビス―〔２―（５―エチル―５―ブチ
ル―１，３―ジオキサシクロヘキソキシ）〕―
２―エチル―２―ブチル―プロパン 6.6重量部 例２に挙げたトリアジン 1.1重量部 ポリビニルエチルエーテル（Lutonal A25）
2.7重量部 より成るポジのホトレジスト組成物を例１と同様
に精密な回路パターンをシリコンウエーハに作製
するために使用した。
ル―１，３―ジオキサシクロヘキソキシ）〕―
２―エチル―２―ブチル―プロパン 6.6重量部 例２に挙げたトリアジン 1.1重量部 ポリビニルエチルエーテル（Lutonal A25）
2.7重量部 より成るポジのホトレジスト組成物を例１と同様
に精密な回路パターンをシリコンウエーハに作製
するために使用した。
この溶液を6000r.p.m.で回転塗布しかつ空気循
環炉中で乾燥させた後でポジのPSウエーハが得
られ、これは貯蔵の際に安定でありかつその感光
性は市販されているｏ―ナフトキノン―ジアジド
をベースとする同じ厚さのポジのレジスト組成物
層よりも数倍であつた。広くミクロ電子工学で使
用されかつｏ―キノンジアジドをベースとする
AZ1350Jホトレジストと比較して、例１と同様
に、但し露光時間を長くするフイルターを間挿し
て複写を実施する場合非ジアゾ層では３秒間必要
でありかつジアゾ層では20秒間が必要であつた。
これら両方の露光時間は、例１に記載の現像溶液
中で１分間現像する場合にITEK試験原稿のフイ
ールド約3/2までの良好な解像のために最適化さ
れている。
環炉中で乾燥させた後でポジのPSウエーハが得
られ、これは貯蔵の際に安定でありかつその感光
性は市販されているｏ―ナフトキノン―ジアジド
をベースとする同じ厚さのポジのレジスト組成物
層よりも数倍であつた。広くミクロ電子工学で使
用されかつｏ―キノンジアジドをベースとする
AZ1350Jホトレジストと比較して、例１と同様
に、但し露光時間を長くするフイルターを間挿し
て複写を実施する場合非ジアゾ層では３秒間必要
でありかつジアゾ層では20秒間が必要であつた。
これら両方の露光時間は、例１に記載の現像溶液
中で１分間現像する場合にITEK試験原稿のフイ
ールド約3/2までの良好な解像のために最適化さ
れている。
また、両方の層のプラズマエツチング挙動を複
写したウエーハをベーキングせずに又はベーキン
グしてそれぞれ120℃で30分間調べた。プラズマ
エツチングを最高温度230℃までで、SiO280nm
が10分間でエツチングされるように実施した場合
にベーキングした試験パターンは殆んど同じであ
つた。ベーキングしなかつたパターンはこれらの
条件下で被覆に対する著しい作用及びエツチング
された線の相応する拡大を呈した。
写したウエーハをベーキングせずに又はベーキン
グしてそれぞれ120℃で30分間調べた。プラズマ
エツチングを最高温度230℃までで、SiO280nm
が10分間でエツチングされるように実施した場合
にベーキングした試験パターンは殆んど同じであ
つた。ベーキングしなかつたパターンはこれらの
条件下で被覆に対する著しい作用及びエツチング
された線の相応する拡大を呈した。
前記の被覆溶液からポリビニルエチルエーテル
を除去しかつ同じ厚さの層を低い回転速度でウエ
ーハ上に生成した場合に、得られた複写特性は不
良であつた。それというのも層は不均一でありか
つ縁が部分的に亀裂を呈していたからである。ベ
ーキングの際に、この比較層の断面は変形により
不良になり、プラズマエツチングの際に最悪の結
果が得られた。総体的に、本例に記載した層はプ
ラズマエツチング、解像性及び感光性に関して最
高に好適であつた。
を除去しかつ同じ厚さの層を低い回転速度でウエ
ーハ上に生成した場合に、得られた複写特性は不
良であつた。それというのも層は不均一でありか
つ縁が部分的に亀裂を呈していたからである。ベ
ーキングの際に、この比較層の断面は変形により
不良になり、プラズマエツチングの際に最悪の結
果が得られた。総体的に、本例に記載した層はプ
ラズマエツチング、解像性及び感光性に関して最
高に好適であつた。
例 ５
オートタイプの銅製グラビア印刷胴を作製する
ためのポジのホトレジスト組成物を製造するに当
り、次の成分を１，１，１―トリクロルエタン、
酢酸ｎ―ブチル及びエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートの混合物（５：３：２）中
に撹拌しながら溶解してその都度全量100重量部
の溶液を形成した： 例１と同じノボラツク 10重量部 １，８―ビス―（３，４―ジヒドロナフト―２
―イルオキシ）―３，６―ジオキサ―オクタン
３重量部 ２―（アセナフト―５―イル）―４，６―ビス
―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
0.25重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.1重量部 及び次のいずれか１種： １ ペンタエリスリトールでエステル化されたロ
ジン樹脂（Resin Ｂ―106） ２重量部 ２ 部分水素化されたルーツロジンのグリセロー
ルエステル（Staybelite Ester5） ５重量部 ３ 部分水素化されたロジンのグリセロールエス
テル（Staybelite Ester610） ４重量部 （これらすべての生成物はHercules Inc.社の
製品） 新しく銅メツキした銅回転胴のそれぞれ1/4を
添加樹脂１，２又は３を含有するホトレジスト組
成物３種及び添加樹脂を含有しない比較溶液で厚
さ3μmにスプレーガンを使つて被覆しかつ層を熱
風又は赤外線で乾燥させた。次に該層を印刷すべ
き画像の網目ネガ下で露光しかつ銅表面を画像に
応じて緩慢に回転する銅上に0.8％―水酸化ナト
リウム溶液を注ぐことにより除去して、これらの
層ではこの工程は２〜４分間で完結した。次に、
胴を水ですすぎかつ熱風中で回転させて乾燥し
た。
ためのポジのホトレジスト組成物を製造するに当
り、次の成分を１，１，１―トリクロルエタン、
酢酸ｎ―ブチル及びエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートの混合物（５：３：２）中
に撹拌しながら溶解してその都度全量100重量部
の溶液を形成した： 例１と同じノボラツク 10重量部 １，８―ビス―（３，４―ジヒドロナフト―２
―イルオキシ）―３，６―ジオキサ―オクタン
３重量部 ２―（アセナフト―５―イル）―４，６―ビス
―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
0.25重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.1重量部 及び次のいずれか１種： １ ペンタエリスリトールでエステル化されたロ
ジン樹脂（Resin Ｂ―106） ２重量部 ２ 部分水素化されたルーツロジンのグリセロー
ルエステル（Staybelite Ester5） ５重量部 ３ 部分水素化されたロジンのグリセロールエス
テル（Staybelite Ester610） ４重量部 （これらすべての生成物はHercules Inc.社の
製品） 新しく銅メツキした銅回転胴のそれぞれ1/4を
添加樹脂１，２又は３を含有するホトレジスト組
成物３種及び添加樹脂を含有しない比較溶液で厚
さ3μmにスプレーガンを使つて被覆しかつ層を熱
風又は赤外線で乾燥させた。次に該層を印刷すべ
き画像の網目ネガ下で露光しかつ銅表面を画像に
応じて緩慢に回転する銅上に0.8％―水酸化ナト
リウム溶液を注ぐことにより除去して、これらの
層ではこの工程は２〜４分間で完結した。次に、
胴を水ですすぎかつ熱風中で回転させて乾燥し
た。
塩化第二鉄溶液による常法の凹版エツチングの
前に、比較する４つの層部分上に修整力を用いて
機械的にマーキング及び付加的な線を入れること
により修整を行なつた。これは第３層おいて最も
簡単にかつきれいに行なわれた。換言すると第３
層においてレジストの微細な破砕のない最も滑ら
かなエツジを有しており、層１及び２がそれに続
いた比較層は最も脆性でありかつエツチング後に
ランドの広範なアンダーカツトが認められた。
前に、比較する４つの層部分上に修整力を用いて
機械的にマーキング及び付加的な線を入れること
により修整を行なつた。これは第３層おいて最も
簡単にかつきれいに行なわれた。換言すると第３
層においてレジストの微細な破砕のない最も滑ら
かなエツジを有しており、層１及び２がそれに続
いた比較層は最も脆性でありかつエツチング後に
ランドの広範なアンダーカツトが認められた。
例 ６
この例では親油性及びオフセツト印刷版の現像
液に対する抵抗における改良を明らかにする。
液に対する抵抗における改良を明らかにする。
テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル及び酢酸ブチル５：４：１の溶剤
混合物90.8重量部中の 変性フエノール／ホルムアルデヒド―ノボラツ
ク（ノボラツク140重量部と、トリレンジイソ
シアネート３モル及びトリメチロールプロパン
１モルから得られた付加生成物6.5重量部から
生成） ７重量部 ２―（ナフト―２―イルオキシ）―５，５―ジ
メチル―１，３―オキサゾリン―４―オン
２重量部 ２―（４―メトキシ―アントラク―１―イル）
―４，６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリ
アジ 0.4重量部 ４―ジエチルアミノ―アゾベンゼン 0.1重量部 から成る被覆溶液を片面でワイヤブラシ仕上げを
したアルミニウムに施した。
メチルエーテル及び酢酸ブチル５：４：１の溶剤
混合物90.8重量部中の 変性フエノール／ホルムアルデヒド―ノボラツ
ク（ノボラツク140重量部と、トリレンジイソ
シアネート３モル及びトリメチロールプロパン
１モルから得られた付加生成物6.5重量部から
生成） ７重量部 ２―（ナフト―２―イルオキシ）―５，５―ジ
メチル―１，３―オキサゾリン―４―オン
２重量部 ２―（４―メトキシ―アントラク―１―イル）
―４，６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリ
アジ 0.4重量部 ４―ジエチルアミノ―アゾベンゼン 0.1重量部 から成る被覆溶液を片面でワイヤブラシ仕上げを
したアルミニウムに施した。
得られた層厚は層重量２ｇ／m2に相当した。
乾燥後、被覆したアルミニウムをポジ原稿下で
露光し、PHを水酸化ナトリウムの添加により12.6
に調節したリン酸三ナトリウムの3.5％―水溶液
で現像し、水で洗浄しかつ最後に１％―リン酸で
ワイピングすることより印刷準備を行なつた。版
を現像に十分である時間より12倍長い間現像液中
に放置した場合でも画像区域を実質的損わなかつ
た。次にそのような版を印刷に使用した。これは
印刷インキを非常に迅速に、実際に未変性のフエ
ノール／ホルムアルデヒド―ノボラツクで生成し
た相応する印刷版よりも迅速に吸収した。印刷版
を230℃でベーキングした後その印刷版の表面の
品質は同様に良好であつた。記載の変性樹脂の代
りに、オクタデシルイソシアネート５重量部と同
じノボラツク100重量部から得られた縮合生成物
６重量部を使用した場合にも同じ結果が得られ
た。
露光し、PHを水酸化ナトリウムの添加により12.6
に調節したリン酸三ナトリウムの3.5％―水溶液
で現像し、水で洗浄しかつ最後に１％―リン酸で
ワイピングすることより印刷準備を行なつた。版
を現像に十分である時間より12倍長い間現像液中
に放置した場合でも画像区域を実質的損わなかつ
た。次にそのような版を印刷に使用した。これは
印刷インキを非常に迅速に、実際に未変性のフエ
ノール／ホルムアルデヒド―ノボラツクで生成し
た相応する印刷版よりも迅速に吸収した。印刷版
を230℃でベーキングした後その印刷版の表面の
品質は同様に良好であつた。記載の変性樹脂の代
りに、オクタデシルイソシアネート５重量部と同
じノボラツク100重量部から得られた縮合生成物
６重量部を使用した場合にも同じ結果が得られ
た。
例 ７
本例では繊維印刷及び壁紙印刷用のニツケル回
転ステンシルを電鋳法により製作することについ
て記載する。
転ステンシルを電鋳法により製作することについ
て記載する。
次の組成は：
ノボラツク 35％
フエノール／ホルムアルデヒド―ノボラツク
187重量部と例６に挙げたイソシアネート付加
生成物6.5重量部とから得られた縮合生成物
25％ ポリビニルメチルエーテル （Lutonal M40） 15％ Ｎ―ジフエノキシメチル―ε―アミノカプロラ
クタム 24％ 例５に挙げたトリアジン １％ クリスタルバイオレツト塩基 0.1％ の厚さ約25μmの層を導電性分離層を施した多少
収縮性の光輝ニツケル円胴に中間乾燥しながら吹
付塗３回することによりもたらした。
187重量部と例６に挙げたイソシアネート付加
生成物6.5重量部とから得られた縮合生成物
25％ ポリビニルメチルエーテル （Lutonal M40） 15％ Ｎ―ジフエノキシメチル―ε―アミノカプロラ
クタム 24％ 例５に挙げたトリアジン １％ クリスタルバイオレツト塩基 0.1％ の厚さ約25μmの層を導電性分離層を施した多少
収縮性の光輝ニツケル円胴に中間乾燥しながら吹
付塗３回することによりもたらした。
階調を常法でスクリン線数32／cmにより種々の
網点面積率を有する画像部に換えたかつ印刷すべ
きポジチブの下で前記の被覆円胴を十分に露光し
た。ナフトキノン―ジアジドをベースとする厚さ
１／２のポジ層には前記の露光時間の５倍が必要で
あつた。
網点面積率を有する画像部に換えたかつ印刷すべ
きポジチブの下で前記の被覆円胴を十分に露光し
た。ナフトキノン―ジアジドをベースとする厚さ
１／２のポジ層には前記の露光時間の５倍が必要で
あつた。
完全脱塩水97.7％中のカセイソーダ 0.5％
メタ珪酸アクリル酸・9HO 0.8％
エチレングリコールモノ―ｎ―ブチルエーテル
1.0％ から成る溶を用いて現像を実施した。
1.0％ から成る溶を用いて現像を実施した。
これは、露光した回転円胴を現像液が半分まで
装入されている適当な寸法のトラフ中に浸漬する
ことにより行なつた。現像液に対する層の抵抗性
は非常に良好であり、レジストエツジのほぼ垂直
の側部が得られた。現像液中で円胴を約６分間回
転させた後で現像液トラフを取り去り、円胴を水
洗浄しかつ空中乾燥させた。
装入されている適当な寸法のトラフ中に浸漬する
ことにより行なつた。現像液に対する層の抵抗性
は非常に良好であり、レジストエツジのほぼ垂直
の側部が得られた。現像液中で円胴を約６分間回
転させた後で現像液トラフを取り去り、円胴を水
洗浄しかつ空中乾燥させた。
ジアゾ層と比較して使用したレジストは比較的
厚いばかりでなく、良好な接着性をも有し、弾性
でありかつ脆性ではないので、円胴の露光の際に
フイルムの接合又は重ね合せにより形成される位
置合せ継目を機械的に刀又は精密ドリルにより修
整することは比較的簡単で安全であり、それ故実
際に迅速に行なうことができた。
厚いばかりでなく、良好な接着性をも有し、弾性
でありかつ脆性ではないので、円胴の露光の際に
フイルムの接合又は重ね合せにより形成される位
置合せ継目を機械的に刀又は精密ドリルにより修
整することは比較的簡単で安全であり、それ故実
際に迅速に行なうことができた。
弾性回転印刷版が、ニツケルを厚さ約0.1mmま
で電着させ、胴コアが収縮し、レジストをアセト
ン又は５〜10％―水酸化ナトリウム溶液によりス
トリツピングしかつそれをコアから剥離すること
により得られた。僅かに円錐形のテーパーを有す
る孔を通して印刷されるべき材料に対して画像に
応じてインキを転写させることができた。このよ
うにして比較的厚い層が可能であるので、相対的
に小さな孔、つまり明るい像網点は良好に目づま
りから保護され、それ故階調範囲は広くなつた。
で電着させ、胴コアが収縮し、レジストをアセト
ン又は５〜10％―水酸化ナトリウム溶液によりス
トリツピングしかつそれをコアから剥離すること
により得られた。僅かに円錐形のテーパーを有す
る孔を通して印刷されるべき材料に対して画像に
応じてインキを転写させることができた。このよ
うにして比較的厚い層が可能であるので、相対的
に小さな孔、つまり明るい像網点は良好に目づま
りから保護され、それ故階調範囲は広くなつた。
ポリビニルメチルエーテルの代りにロジンの水
素化メチルエステルを約同じパーセントで使用す
る場合に厚層の接着性及び機械的特性について同
じ結果が得られた。現像には約1/3長くかかつた
が、これは多少高い濃度の現像液を使用すること
により調整することができた。酸により開裂され
得るアミドアセタールの代りに１，２，６―トリ
ス―（３，４―ジヒドロ―ナフト―１―イルオキ
シ）ヘキサンを使用することもできる。
素化メチルエステルを約同じパーセントで使用す
る場合に厚層の接着性及び機械的特性について同
じ結果が得られた。現像には約1/3長くかかつた
が、これは多少高い濃度の現像液を使用すること
により調整することができた。酸により開裂され
得るアミドアセタールの代りに１，２，６―トリ
ス―（３，４―ジヒドロ―ナフト―１―イルオキ
シ）ヘキサンを使用することもできる。
例 ８
電気的に粗面化し、陽極酸化しかつポリビニル
ホスホン酸で前処理したアルミニウムから成るア
ルミニウム版に、 例１と同じノボラツク ２重量部 オルト蟻酸トリメチルエステルと２―メチル―
２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―オクタン
ジオールとから得られた分子量2580の重合体オ
ルトエステル 0.4重量部 ２―〔４―（２―エトキシ―エトキシ）―ナフ
ト―１―イル〕―４，６―ビス―トリクロルメ
チル―ｓ―トリアジン 0.13重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.007重量部 ポリブチルアクリレート （Plexisol D592） 0.2重量部 から成る厚さ2.2μmの層を施した。
ホスホン酸で前処理したアルミニウムから成るア
ルミニウム版に、 例１と同じノボラツク ２重量部 オルト蟻酸トリメチルエステルと２―メチル―
２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―オクタン
ジオールとから得られた分子量2580の重合体オ
ルトエステル 0.4重量部 ２―〔４―（２―エトキシ―エトキシ）―ナフ
ト―１―イル〕―４，６―ビス―トリクロルメ
チル―ｓ―トリアジン 0.13重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.007重量部 ポリブチルアクリレート （Plexisol D592） 0.2重量部 から成る厚さ2.2μmの層を施した。
この層に、レーザー照射機（Eocom Corp.社
製Laserite 150R）中でアルゴンイオンレーザ
ー10mJ／cm2で画像に応じて照射した。層の露光
部分を メタ珪酸ナトリウム・9H2O 5.5重量部 リン酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 リン酸ナトリウム（無水） 0.4重量部 完全脱塩 90.7重量部 から成る現像液を用いて２分間で除去した。
製Laserite 150R）中でアルゴンイオンレーザ
ー10mJ／cm2で画像に応じて照射した。層の露光
部分を メタ珪酸ナトリウム・9H2O 5.5重量部 リン酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 リン酸ナトリウム（無水） 0.4重量部 完全脱塩 90.7重量部 から成る現像液を用いて２分間で除去した。
未照射区域を脂質インキでインキ着けすること
により非常に極だつた画像を作製することができ
た。
により非常に極だつた画像を作製することができ
た。
この印刷版をポリブチルアクリレートを含有し
ていないが他は同一である印刷版と比較する場合
に次の相違が明らかになつた。添加樹脂により現
像速度は遅くなるが、被覆の品質及びインキの受
容性は改良された。主要な利点は、達成可能な印
刷数が50％以上増加することであり、これにより
レーザーで画像を作製することができる高感度の
印刷版が100000を上回る範囲の印刷数で得られ
る。酸により開裂され得る化合物としてオルト蟻
酸トリメチルエステル及び１，２，６―ヘキサン
トリオールからの縮重合生成物を使用した場合に
も同じ結果が得られた。添加樹脂をその量の半分
までをブチルメタクリレート及びメチルメタクリ
レートをベースとする共重合体（Plexisol
PM709）又は低粘性ポリイソブチルビニルエー
テル（Lutonal I60）に代えても達成される利点
に著しい変化はなかつた。
ていないが他は同一である印刷版と比較する場合
に次の相違が明らかになつた。添加樹脂により現
像速度は遅くなるが、被覆の品質及びインキの受
容性は改良された。主要な利点は、達成可能な印
刷数が50％以上増加することであり、これにより
レーザーで画像を作製することができる高感度の
印刷版が100000を上回る範囲の印刷数で得られ
る。酸により開裂され得る化合物としてオルト蟻
酸トリメチルエステル及び１，２，６―ヘキサン
トリオールからの縮重合生成物を使用した場合に
も同じ結果が得られた。添加樹脂をその量の半分
までをブチルメタクリレート及びメチルメタクリ
レートをベースとする共重合体（Plexisol
PM709）又は低粘性ポリイソブチルビニルエー
テル（Lutonal I60）に代えても達成される利点
に著しい変化はなかつた。
例 ９
エツチレジスト及びガルバノレジスト用の乾式
ポジレジストを製造するために、 メチルエチルケトン 57重量部 例１に挙げたノボラツク 20重量部 例７に挙げた変性ノボラツク 10重量部 ２―エチル―２―メトキシメチル―１，３―プ
ロパンジオールのビス―（５―エチル―５―メ
トキシメチル―１，３―ジオキサン―２―イ
ル）エーテル 4.5重量部 １，３―プロパンジオールビス―（３，４―ジ
ヒドロ―ナフト―２―イル）エーテル
4.0重量部 例２に記載したトリアジン 0.2重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 ジイソシアネートと芳香族ポリエステルから得
られたポリウレタン （Goodrich Co.社製のEstane5715） 4.2重量部 から溶液を生成した。
ポジレジストを製造するために、 メチルエチルケトン 57重量部 例１に挙げたノボラツク 20重量部 例７に挙げた変性ノボラツク 10重量部 ２―エチル―２―メトキシメチル―１，３―プ
ロパンジオールのビス―（５―エチル―５―メ
トキシメチル―１，３―ジオキサン―２―イ
ル）エーテル 4.5重量部 １，３―プロパンジオールビス―（３，４―ジ
ヒドロ―ナフト―２―イル）エーテル
4.0重量部 例２に記載したトリアジン 0.2重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 ジイソシアネートと芳香族ポリエステルから得
られたポリウレタン （Goodrich Co.社製のEstane5715） 4.2重量部 から溶液を生成した。
二軸延伸しかつ熱固定した厚さ25μmのポリエ
チレンテレフタレートフイルムをこの溶液で被覆
し、乾燥させかつ厚さ12μmのポリプロピレン被
覆フイルムと貼合せて、２つのフイルムの間で均
一な厚さのレジスト層を形成した。
チレンテレフタレートフイルムをこの溶液で被覆
し、乾燥させかつ厚さ12μmのポリプロピレン被
覆フイルムと貼合せて、２つのフイルムの間で均
一な厚さのレジスト層を形成した。
開閉器の接触ばねを製造するに当り、光輝性黄
銅板の両面を市販の貼合機中圧力及び熱の作用下
に被覆フイルムを剥離して前記のレジストで被覆
した。冷却し、支持フイルムを剥離しかつ乾燥箱
中で短時間乾燥させ（80℃）た後で、被覆すべき
工材の両面をパウチの形の相等しい一対の原稿に
より十分に露光した。噴霧現像を両面で例２に挙
げた現像液により実施し、かつアルカリ性現像液
の残りを洗浄除去した後で湿式板の両面を市販の
塩化第二鉄溶液で平滑なフランクが得られるよう
に十分にエツチングした。
銅板の両面を市販の貼合機中圧力及び熱の作用下
に被覆フイルムを剥離して前記のレジストで被覆
した。冷却し、支持フイルムを剥離しかつ乾燥箱
中で短時間乾燥させ（80℃）た後で、被覆すべき
工材の両面をパウチの形の相等しい一対の原稿に
より十分に露光した。噴霧現像を両面で例２に挙
げた現像液により実施し、かつアルカリ性現像液
の残りを洗浄除去した後で湿式板の両面を市販の
塩化第二鉄溶液で平滑なフランクが得られるよう
に十分にエツチングした。
このように一群で生成した化学的にミリングし
た素子を個別化する前に、接触端部を露出させか
つ金メツキするために相応する原稿下で露光し、
現像しかつ最後に露出区域において薄く金電気メ
ツキした。続いてこれらのスイツチ素子を正しい
形状に折曲げかつ据付けた。殊に添加した２種、
迅速に相溶性のポリウレタン樹脂によるこの層の
良好な接着性及び可撓性故にこのレジストは熱作
用後でもかつ場合により熱作用の際に接触ばね上
の絶縁層及び保護層として残留し得た。これらの
添加物を含まない場合には、レジストはしばらく
弾性負荷を与えた後で小片に破砕した。更に、貼
合せ後のポリエステル支持フイルムの分離可能性
は、ポリエステルフイルムの親水性前処理を必要
としない程に改良された。
た素子を個別化する前に、接触端部を露出させか
つ金メツキするために相応する原稿下で露光し、
現像しかつ最後に露出区域において薄く金電気メ
ツキした。続いてこれらのスイツチ素子を正しい
形状に折曲げかつ据付けた。殊に添加した２種、
迅速に相溶性のポリウレタン樹脂によるこの層の
良好な接着性及び可撓性故にこのレジストは熱作
用後でもかつ場合により熱作用の際に接触ばね上
の絶縁層及び保護層として残留し得た。これらの
添加物を含まない場合には、レジストはしばらく
弾性負荷を与えた後で小片に破砕した。更に、貼
合せ後のポリエステル支持フイルムの分離可能性
は、ポリエステルフイルムの親水性前処理を必要
としない程に改良された。
例 10
酸化したシリコンウエーハ上に次の組成：
例１と同じノボラツク 52重量部
フエノール／ホルムアルデヒド―ノボラツク
144重量部とチオノリン酸のトリス―（４―イ
ソシアネート―フエニル）エステル4.6重量部
とから得られた縮合生成物 21重量部 オルト蟻酸トリメチルエステルと２―クロルメ
チル―２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―
１，８―オクタンジオールとからの重合体オル
トエステル 27重量部 の厚さ0.7μmの層を回転塗布した。酸により開裂
され得るポリオルトエステル自体がクロルメチル
基中に脱離し得る塩素を含有しているので、開始
剤を添加する必要もなく像形成を電子ビームによ
り行なうことができた。この樹脂組合せは同時に
高い解像性と熱安定性（形状安定性）とを生ぜし
める。
144重量部とチオノリン酸のトリス―（４―イ
ソシアネート―フエニル）エステル4.6重量部
とから得られた縮合生成物 21重量部 オルト蟻酸トリメチルエステルと２―クロルメ
チル―２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―
１，８―オクタンジオールとからの重合体オル
トエステル 27重量部 の厚さ0.7μmの層を回転塗布した。酸により開裂
され得るポリオルトエステル自体がクロルメチル
基中に脱離し得る塩素を含有しているので、開始
剤を添加する必要もなく像形成を電子ビームによ
り行なうことができた。この樹脂組合せは同時に
高い解像性と熱安定性（形状安定性）とを生ぜし
める。
像形成はエネルギー約３×10-2J／cm2で電子
11Ke Ｖで照射することにより行なつた。
11Ke Ｖで照射することにより行なつた。
例１による現像液を用いて60秒間現像した後で
層の照射部分を除去することができた。この層で
はプラズマエツチングでも弗化水素酸によるエツ
チングでも、変性ノボラツクを含有しないがノボ
ラツク73部を含有する相応するレジストよりも側
面の作用が低かつた。高温プラズマエツチングす
るために両方の層を同時に120℃で30分間ベーキ
ングすると、その際に前記の高解像性の電子ビー
ムレジストのフランクは著しく平滑になつた。
層の照射部分を除去することができた。この層で
はプラズマエツチングでも弗化水素酸によるエツ
チングでも、変性ノボラツクを含有しないがノボ
ラツク73部を含有する相応するレジストよりも側
面の作用が低かつた。高温プラズマエツチングす
るために両方の層を同時に120℃で30分間ベーキ
ングすると、その際に前記の高解像性の電子ビー
ムレジストのフランクは著しく平滑になつた。
少なくとも0.5J／cm2のエネルギーで照射する場
合、有機レジスト材料は全く分解されかつ架橋し
た。未照射部分を溶剤により又は原稿なしに露光
しかつ例１の現像液で現像することにより除去す
るとネガ像が得られた。
合、有機レジスト材料は全く分解されかつ架橋し
た。未照射部分を溶剤により又は原稿なしに露光
しかつ例１の現像液で現像することにより除去す
るとネガ像が得られた。
例 11
例えば多色オフセツト印刷におけるモンタージ
ユをチエツクするための高感光性ポジの色校正フ
イルムを製造した。複写層は次の組成を有してい
た： 例１と同じノボラツク 47重量部 アルキド樹脂型のロジン誘導体 （Hercules Inc.社製Neolyn20） 38重量部 ２，２―ビス―（４―ジフエノキシ―フエニ
ル）―プロパン 13重量部 ２，５―ジエトキシ―４―（ｐ―トリルチオ）
―ベンゼンジアゾニウム塩ヘキサフルオルホス
フエート 0.5重量部 ザポンエヒトブラウ（Zaponechtblau） HFL（C.I.2880） 1.5重量部又は ザポンエヒトロート（Zaponechtrot） BB（C.I.2864） 1.2重量部又は フエツトゲルプ（Fettgelb）5G （C.I.補遺572） 2.0重量部。
ユをチエツクするための高感光性ポジの色校正フ
イルムを製造した。複写層は次の組成を有してい
た： 例１と同じノボラツク 47重量部 アルキド樹脂型のロジン誘導体 （Hercules Inc.社製Neolyn20） 38重量部 ２，２―ビス―（４―ジフエノキシ―フエニ
ル）―プロパン 13重量部 ２，５―ジエトキシ―４―（ｐ―トリルチオ）
―ベンゼンジアゾニウム塩ヘキサフルオルホス
フエート 0.5重量部 ザポンエヒトブラウ（Zaponechtblau） HFL（C.I.2880） 1.5重量部又は ザポンエヒトロート（Zaponechtrot） BB（C.I.2864） 1.2重量部又は フエツトゲルプ（Fettgelb）5G （C.I.補遺572） 2.0重量部。
層厚１〜3μm及び染料量は、赤色―青色―及び
黄色校正フイルムが同じ感光性を有するように相
互に適合させ、即ち露光時間及び水性アルカリ性
現像液による現像時間の両方が同一である場合
に、同時に複写されるハーフトーン試験楔で同じ
長さの楔階段を与える。これらのカラーフイルム
は変性テルペン樹脂を添加しなかつた比較として
製造した色校正フイルムよりも明らかに耐引掻性
及び接着テープ安定性である。
黄色校正フイルムが同じ感光性を有するように相
互に適合させ、即ち露光時間及び水性アルカリ性
現像液による現像時間の両方が同一である場合
に、同時に複写されるハーフトーン試験楔で同じ
長さの楔階段を与える。これらのカラーフイルム
は変性テルペン樹脂を添加しなかつた比較として
製造した色校正フイルムよりも明らかに耐引掻性
及び接着テープ安定性である。
例 12
次の組成を有する厚さ70μmの乾式ポジレジス
ト層を厚さ25μmのポリエステルフイルム上に施
しかつポリエチレン被覆フイルムを貼合せた： ノボラツク（例１のノボラツクと溶融範囲110
〜120℃のフエノール／ホルムアルデヒド―ノ
ボラツクとの１：１―混合物） 61重量部 例８と同じポリブチルアクリレート 10重量部 ジイソシアネートと芳香族ポリエステルとから
のポリウレタン（Goodrich社のEstane5702）
６重量部 ベンズアルデヒドと１，５―ペンタンジオール
とからのポリアセタール 22.7重量部 ２―（５―メチル―６―メトキシ―ナフト―２
―イル）―４，６―ビス―トリクロルメチル―
ｓ―トリアジン 0.3重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 このレジストを使つて銅張り絶縁材料からのプ
リント回路板材料を常法で貼合せ機中で被覆しか
つ相応する原稿下で複写した。厚さ12μmであり、
複写に約130秒及び例２の現像液による噴霧現像
1.5分間を必要とした市販の乾式ジアゾポジレジ
ストに比べて、この厚さ70μmのレジストは現像
時間約３分間で露光時間僅か約60秒であつた。
Cu表面、積層条件、乾燥、露光及び露光後５〜
10分間の現像を最適に相互に適合させる場合に優
れているエツジ鮮鋭度及び―形状の深さ70μmの
レリーフが得られ、その際に約70μmまでの間隔
の線が良好に再現される。通常の電気メツキ工程
後にこのレジストをロウ接マスクとして使用し
た。その際にレジストは添加樹脂により一層熱安
定性で接着強固になつた。
ト層を厚さ25μmのポリエステルフイルム上に施
しかつポリエチレン被覆フイルムを貼合せた： ノボラツク（例１のノボラツクと溶融範囲110
〜120℃のフエノール／ホルムアルデヒド―ノ
ボラツクとの１：１―混合物） 61重量部 例８と同じポリブチルアクリレート 10重量部 ジイソシアネートと芳香族ポリエステルとから
のポリウレタン（Goodrich社のEstane5702）
６重量部 ベンズアルデヒドと１，５―ペンタンジオール
とからのポリアセタール 22.7重量部 ２―（５―メチル―６―メトキシ―ナフト―２
―イル）―４，６―ビス―トリクロルメチル―
ｓ―トリアジン 0.3重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 このレジストを使つて銅張り絶縁材料からのプ
リント回路板材料を常法で貼合せ機中で被覆しか
つ相応する原稿下で複写した。厚さ12μmであり、
複写に約130秒及び例２の現像液による噴霧現像
1.5分間を必要とした市販の乾式ジアゾポジレジ
ストに比べて、この厚さ70μmのレジストは現像
時間約３分間で露光時間僅か約60秒であつた。
Cu表面、積層条件、乾燥、露光及び露光後５〜
10分間の現像を最適に相互に適合させる場合に優
れているエツジ鮮鋭度及び―形状の深さ70μmの
レリーフが得られ、その際に約70μmまでの間隔
の線が良好に再現される。通常の電気メツキ工程
後にこのレジストをロウ接マスクとして使用し
た。その際にレジストは添加樹脂により一層熱安
定性で接着強固になつた。
例 13
凸版印刷版を製造するための亜鉛板の被覆に際
し、 例１と同じノボラツク 28.5重量部 ステイベライトエステル５（Stay―belite
Ester5、例５参照） 10重量部 低粘度ポリエチルアクリレート 7.5重量部 ２―フエノキシ―１，３―プロパンジオールの
ビス―（５―フエノキシ―１，３―ジオキサン
―２―イル）エーテル 10.5重量部 例８に挙げるトリアジン 2.2重量部 ザポンエヒトバイオレツト（Zaponecht―
violett）BE（C.I.12196） 0.3重量部 をエチレングリコールモノエチルエーテル41重量
部中に溶解した。
し、 例１と同じノボラツク 28.5重量部 ステイベライトエステル５（Stay―belite
Ester5、例５参照） 10重量部 低粘度ポリエチルアクリレート 7.5重量部 ２―フエノキシ―１，３―プロパンジオールの
ビス―（５―フエノキシ―１，３―ジオキサン
―２―イル）エーテル 10.5重量部 例８に挙げるトリアジン 2.2重量部 ザポンエヒトバイオレツト（Zaponecht―
violett）BE（C.I.12196） 0.3重量部 をエチレングリコールモノエチルエーテル41重量
部中に溶解した。
コータギヤツプを通して連続的にポンプ循環さ
せることによりこの塗布溶液の液体カーテンを形
成し、0.5％―硝酸を用いて表面的に洗つて化学
的に粗面化した脱脂亜鉛板をこのコータギヤツプ
を押し通して塗布した。コータカーテン及び板搬
送速度を調節することにより重量2.9ｇ／m2に調
節した層の乾燥後に、得られた高感光性のポジの
プレセンシタイズ亜鉛エツチング版を写真製版で
常用の方法でスクリーン線数44／cmのオートタイ
プのポジ原稿下に露光しかつ現像した。その際
に、皿、トレー又は連続装置中で露光層を膨潤さ
せ、次いで機械的に、最も簡単にはタンポンでぬ
ぐい落した。
せることによりこの塗布溶液の液体カーテンを形
成し、0.5％―硝酸を用いて表面的に洗つて化学
的に粗面化した脱脂亜鉛板をこのコータギヤツプ
を押し通して塗布した。コータカーテン及び板搬
送速度を調節することにより重量2.9ｇ／m2に調
節した層の乾燥後に、得られた高感光性のポジの
プレセンシタイズ亜鉛エツチング版を写真製版で
常用の方法でスクリーン線数44／cmのオートタイ
プのポジ原稿下に露光しかつ現像した。その際
に、皿、トレー又は連続装置中で露光層を膨潤さ
せ、次いで機械的に、最も簡単にはタンポンでぬ
ぐい落した。
露光した層部分を現像により除去した後で紫青
色のレジスト画像が金属白色亜鉛上に存在し、こ
れをパウダレスエツチ機中でフランク保護剤の添
加下に硝酸でエツチングすることにより処理して
凸版を形成した。スクリーンに相応する最も有利
なエツチ深さは約５分後に達成された。特に多色
エツチの場合に階調修整のために更に腐食するこ
とができる。この版は直接多くの画像の印刷にか
つ紙型の作製に好適である。レジスト層はなお感
光性であるので、既にエツチングを行なつたが例
えばネガ活字を挿入するために再度複写しかつエ
ツチングすることができる。更に、1.75mmより低
い厚さの場合には亜鉛エツチ版を円形に折曲げる
ことができる。これは高い印刷強度を得るために
層を場合により100〜200℃で５〜10分間ベーキン
グする場合にも可能である。添加した樹脂及びそ
の混合物によりそれはこれらの条件下で高い接着
性、可撓性及び耐エツチング性を示す。
色のレジスト画像が金属白色亜鉛上に存在し、こ
れをパウダレスエツチ機中でフランク保護剤の添
加下に硝酸でエツチングすることにより処理して
凸版を形成した。スクリーンに相応する最も有利
なエツチ深さは約５分後に達成された。特に多色
エツチの場合に階調修整のために更に腐食するこ
とができる。この版は直接多くの画像の印刷にか
つ紙型の作製に好適である。レジスト層はなお感
光性であるので、既にエツチングを行なつたが例
えばネガ活字を挿入するために再度複写しかつエ
ツチングすることができる。更に、1.75mmより低
い厚さの場合には亜鉛エツチ版を円形に折曲げる
ことができる。これは高い印刷強度を得るために
層を場合により100〜200℃で５〜10分間ベーキン
グする場合にも可能である。添加した樹脂及びそ
の混合物によりそれはこれらの条件下で高い接着
性、可撓性及び耐エツチング性を示す。
例 14
次の組成：
例１と同じノボラツク 54重量部
例11と同じ変性テルペン樹脂 21重量部
ポリビニルエチルエーテル 8.5重量部
トリメチルオルトホルメートと、２―エチル―
５―メチル―２―ヒドロキシメチル―４―オキ
サ―１，７―ヘプタンジオール及び２―エチル
―２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―１，７
―オクタンジオールの混合物とから生成した重
合体オルトエステル ８重量部 ジエチレングリコールジビニルエーテルとシク
ロヘキサン―１，４―ジオールとから得られた
ポリアセタール ８重量部 例12に挙げたトリアジン 0.45重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 の厚さ18μmのポジの乾式レジスト層を厚さ25μm
のポリエステルフイルム上に施しかつポリオレフ
インフイルムを貼合せた。これを貼合せによりセ
ラミツク又はガラス基材を被覆するのに使用し
た。それらはマイクロ波回路、ハイブリツド素子
又はデイスプレイに殆んどの場合寸法10cm×10cm
で使われかつ次の種類のものであつた：薄く金属
で被覆された酸化アルミニウム（Al2O3／Al，
Al2O3／Ti，Al2O3／Ti／Ni／Au）、ガラス／
Cr、ガラス／Ni、ガラス／Sn―In―酸化物、ガ
ラス／Sn―In―酸化物／Cu。
５―メチル―２―ヒドロキシメチル―４―オキ
サ―１，７―ヘプタンジオール及び２―エチル
―２―ヒドロキシメチル―４―オキサ―１，７
―オクタンジオールの混合物とから生成した重
合体オルトエステル ８重量部 ジエチレングリコールジビニルエーテルとシク
ロヘキサン―１，４―ジオールとから得られた
ポリアセタール ８重量部 例12に挙げたトリアジン 0.45重量部 クリスタルバイオレツト塩基 0.05重量部 の厚さ18μmのポジの乾式レジスト層を厚さ25μm
のポリエステルフイルム上に施しかつポリオレフ
インフイルムを貼合せた。これを貼合せによりセ
ラミツク又はガラス基材を被覆するのに使用し
た。それらはマイクロ波回路、ハイブリツド素子
又はデイスプレイに殆んどの場合寸法10cm×10cm
で使われかつ次の種類のものであつた：薄く金属
で被覆された酸化アルミニウム（Al2O3／Al，
Al2O3／Ti，Al2O3／Ti／Ni／Au）、ガラス／
Cr、ガラス／Ni、ガラス／Sn―In―酸化物、ガ
ラス／Sn―In―酸化物／Cu。
これらのすべての支持体上でこの層組合せ物は
基材の予熱なしに貼合せの際に良好な接着性を有
しかつ鮮明なエツジの複写を生ぜしめかつ種々の
エツチング法及び電気メツキ法に対して抵抗性を
示した。塩化鉄（）及び塩化銅（）エツチン
グ溶液を用いる銅のコピー及びエツチングを数回
繰返すことができる。この層は60℃で強塩酸で行
なう導電性の透明なSn―In―酸化物層のエツチ
ングに対しても抵抗性を示し、その後驚異的に第
２複写が可能である。
基材の予熱なしに貼合せの際に良好な接着性を有
しかつ鮮明なエツジの複写を生ぜしめかつ種々の
エツチング法及び電気メツキ法に対して抵抗性を
示した。塩化鉄（）及び塩化銅（）エツチン
グ溶液を用いる銅のコピー及びエツチングを数回
繰返すことができる。この層は60℃で強塩酸で行
なう導電性の透明なSn―In―酸化物層のエツチ
ングに対しても抵抗性を示し、その後驚異的に第
２複写が可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ 酸により開裂され得るＣ―Ｏ―Ｃ結合少
なくとも１個を有する化合物、 ｂ 照射の際に強酸を形成する化合物及び ｃ 水中で不溶でありかつ水性アルカリ性溶液中
で可溶性である結合剤 より成るポジチブに作用する放射線に敏感な混合
物において、更に ｄ 結合剤ｃとは異なる溶解性を有しかつd1有
機イソシアネートとヒドロキシル基を含有する
重合体とから得られるポリウレタン樹脂、d2
ポリビニルアルキルエーテル、d3アルキルア
クリレート重合体もしくはd4ロジンの水素化
又は部分水素化誘導体である樹脂少なくとも１
種を含有するポジチブに作用する放射線に敏感
な混合物。 ２ 成分ｄを混合物の不揮発性成分に対して１〜
50重量％の量で含有する特許請求の範囲第１項記
載の混合物。 ３ 酸により開裂され得る化合物ａがオルトカル
ボン酸誘導体、アセタール、エノールエーテル又
はＮ―アシルイミノカーボネートである特許請求
の範囲第１項記載の混合物。 ４ 結合剤ｃがノボラツクである特許請求の範囲
第１項記載の混合物。 ５ ａ 酸により開裂され得るＣ―Ｏ―Ｃ結合少
なくとも１個を有する化合物、 ｂ 照射の際に強酸を形成する化合物及び ｃ 水中で不溶でありかつ水性アルカリ性溶液中
で可溶性である結合剤並びに更に ｄ 結合剤ｃとは異なる溶解性を有しかつd1有
機イソシアネートとヒドロキシル基を含有する
重合体とから得られるポリウレタン樹脂、d2
ポリビニルアルキルエーテル、d3アルキルア
クリレート重合体もしくはd4ロジンの水素化
又は部分水素化誘導体である樹脂少なくとも１
種を含有するポジチブに作用する放射線に敏感
な感光性混合物を含有する感光性熱可塑性層と
一時支持フイルムとから成る感光性材料を支持
材料に圧力及び熱の作用下に積層し、画像に相
応して感光性層を露光しかつ一時支持フイルム
を剥離した後で層の露光区域を水性アルカリ性
現像液を用いて洗浄除去することを特徴とする
レリーフ像の製法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803023201 DE3023201A1 (de) | 1980-06-21 | 1980-06-21 | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5737349A JPS5737349A (en) | 1982-03-01 |
| JPH0143940B2 true JPH0143940B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=6105078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9412081A Granted JPS5737349A (en) | 1980-06-21 | 1981-06-19 | Mixture sensitive for radiation acting positively and method of manufacturing relief image |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4506003A (ja) |
| EP (1) | EP0042562B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5737349A (ja) |
| KR (1) | KR840001602B1 (ja) |
| AT (1) | ATE13729T1 (ja) |
| CA (1) | CA1235831A (ja) |
| DE (2) | DE3023201A1 (ja) |
| HK (1) | HK76585A (ja) |
| MY (1) | MY8600248A (ja) |
| ZA (1) | ZA814176B (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608100A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | 旭化成株式会社 | 吹き付け食刻方法 |
| DE3337024A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch |
| US4544466A (en) * | 1983-12-06 | 1985-10-01 | Phillips Petroleum Company | Process of making U.V. cured polyurethanes using diazonium salt promoters |
| DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
| DE3421160A1 (de) * | 1984-06-07 | 1985-12-12 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung |
| DE3582697D1 (de) * | 1984-06-07 | 1991-06-06 | Hoechst Ag | Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung. |
| US4571373A (en) * | 1984-06-11 | 1986-02-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Exposure latitude improvement in printing positive-acting color pre-press proofs |
| JPH0650392B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1994-06-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法 |
| DE3528929A1 (de) * | 1985-08-13 | 1987-02-26 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, dieses enthaltendes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
| EP0221331B1 (de) * | 1985-10-07 | 1989-03-15 | INTERATOM Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Giesskopf für eine Flüssigmetalldosiervorrichtung und Verfahren zu seiner Benutzung |
| DE3537441A1 (de) * | 1985-10-22 | 1987-04-23 | Hoechst Ag | Loesemittel zum entfernen von photoresists |
| DE3541534A1 (de) * | 1985-11-25 | 1987-05-27 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| US4897336A (en) * | 1986-04-11 | 1990-01-30 | Chien James C W | Self-developing radiation sensitive resist with amorphous polymer having haloalkyl substitution derived from cycic ether |
| DE3750275T3 (de) * | 1986-06-13 | 1998-10-01 | Microsi Inc | Lackzusammensetzung und -anwendung. |
| DE3621376A1 (de) * | 1986-06-26 | 1988-01-07 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| MY103006A (en) * | 1987-03-30 | 1993-03-31 | Microsi Inc | Photoresist compositions |
| DE3716848A1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-12-01 | Hoechst Ag | Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials |
| DE3725741A1 (de) * | 1987-08-04 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3729035A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial |
| DE3737734A1 (de) * | 1987-11-06 | 1989-05-18 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3827901A1 (de) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE3930086A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-21 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| US5164278A (en) * | 1990-03-01 | 1992-11-17 | International Business Machines Corporation | Speed enhancers for acid sensitized resists |
| JPH0480758A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| DE4125723A1 (de) * | 1991-08-02 | 1993-02-04 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung eines mehrfarbenbilds und lichtempfindliches material zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| US5364738A (en) * | 1991-10-07 | 1994-11-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
| DE4243253A1 (de) * | 1992-12-19 | 1994-06-23 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches Material und Verfahren zur Herstellung von Farbprüffolien |
| DE4432294A1 (de) * | 1994-09-12 | 1996-03-14 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit in Silizium |
| US5858605A (en) * | 1997-03-08 | 1999-01-12 | Shipley Company, L.L.C. | Acid labile photoactive composition |
| US6451505B1 (en) | 2000-08-04 | 2002-09-17 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Imageable element and method of preparation thereof |
| DE10105278A1 (de) * | 2001-02-02 | 2002-08-08 | Basf Ag | Klebstoffe, enthaltend Polyvinylalkylether |
| KR100636068B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2006-10-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
| US7255972B2 (en) | 2002-10-23 | 2007-08-14 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Chemically amplified positive photosensitive resin composition |
| JP4440600B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-03-24 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
| JP2007029152A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Takano Co Ltd | 張り材の取付構造 |
| US8846195B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
| US8808808B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
| US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US8361546B2 (en) * | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
| DE102009019745A1 (de) * | 2009-05-02 | 2010-11-11 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zur Strukturierung einer Schicht aus Silikon und Verwendung einer hierfür entwickelten Mischung |
| WO2011066450A2 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | Molecular Imprints, Inc. | Adhesion layers in nanoimprint lithography |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3634082A (en) * | 1967-07-07 | 1972-01-11 | Shipley Co | Light-sensitive naphthoquinone diazide composition containing a polyvinyl ether |
| US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
| DE2236941C3 (de) * | 1972-07-27 | 1982-03-25 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
| US3917483A (en) * | 1973-11-01 | 1975-11-04 | Xerox Corp | Photoinduced acid catalyzed depolymerization of degradable polymers |
| CH621416A5 (ja) * | 1975-03-27 | 1981-01-30 | Hoechst Ag | |
| DE2617088A1 (de) * | 1975-04-29 | 1976-11-11 | Hoechst Co American | Lichtempfindliche kopiermasse |
| US4189320A (en) * | 1975-04-29 | 1980-02-19 | American Hoechst Corporation | Light-sensitive o-quinone diazide compositions and photographic reproduction processes and structures |
| US4148654A (en) * | 1976-07-22 | 1979-04-10 | Oddi Michael J | Positive acting photoresist comprising diazide ester, novolak resin and rosin |
| US4189323A (en) * | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
| DE2718254C3 (de) * | 1977-04-25 | 1980-04-10 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliche Kopiermasse |
-
1980
- 1980-06-21 DE DE19803023201 patent/DE3023201A1/de not_active Withdrawn
-
1981
- 1981-06-09 CA CA000379333A patent/CA1235831A/en not_active Expired
- 1981-06-13 AT AT81104570T patent/ATE13729T1/de not_active IP Right Cessation
- 1981-06-13 EP EP81104570A patent/EP0042562B1/de not_active Expired
- 1981-06-13 DE DE8181104570T patent/DE3170823D1/de not_active Expired
- 1981-06-19 ZA ZA814176A patent/ZA814176B/xx unknown
- 1981-06-19 JP JP9412081A patent/JPS5737349A/ja active Granted
- 1981-06-20 KR KR1019810002253A patent/KR840001602B1/ko active
-
1983
- 1983-11-14 US US06/551,025 patent/US4506003A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-10 HK HK765/85A patent/HK76585A/xx not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-12-30 MY MY248/86A patent/MY8600248A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5737349A (en) | 1982-03-01 |
| EP0042562A3 (en) | 1982-11-17 |
| CA1235831A (en) | 1988-04-26 |
| DE3170823D1 (en) | 1985-07-11 |
| ZA814176B (en) | 1982-07-28 |
| HK76585A (en) | 1985-10-18 |
| DE3023201A1 (de) | 1982-01-07 |
| EP0042562B1 (de) | 1985-06-05 |
| US4506003A (en) | 1985-03-19 |
| MY8600248A (en) | 1986-12-31 |
| ATE13729T1 (de) | 1985-06-15 |
| EP0042562A2 (de) | 1981-12-30 |
| KR840001602B1 (ko) | 1984-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0143940B2 (ja) | ||
| US4506006A (en) | Process for preparing relief images in imaged irradiated light-sensitive material having acid-cleavable compound by hot air treatment, overall irradiation and alkaline development | |
| JP2653374B2 (ja) | 感放射組成物及び感放射記録材料 | |
| US5070001A (en) | Light-sensitive mixture for producing positive or negative relief copies | |
| US4510227A (en) | Light-sensitive aqueous developable copying material and product by coating process thereof utilizing polysiloxane and alkylene oxide copolymer as coating aid | |
| US4764450A (en) | Positive-working radiation-sensitive coating solution and positive photoresist material with monomethyl ether of 1,2-propanediol as solvent | |
| CA1096221A (en) | Manufacture of imaged articles by laser irradiation of a non-photo sensitive material | |
| US4487823A (en) | Light-sensitive copying material and process for the manufacture thereof utilizing non-ionic fluorinated ester surfactant | |
| US20020094382A1 (en) | Method of forming conductive pattern | |
| JPS64686B2 (ja) | ||
| JPH04365048A (ja) | 感光性組成物 | |
| GB2082339A (en) | Lithographic Printing Plates and Method for Processing | |
| JPH05158230A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| CA1266197A (en) | Light-sensitive recording material and its use in a process for the production of a printing form or printed circuit | |
| US4840867A (en) | Positive-working radiation-sensitive recording material with radiation-sensitive 1,2-quinone diazide underlayer and thicker positive-working radiation-sensitive overlayer | |
| US5149613A (en) | Process for producing images on a photosensitive material | |
| EP0424124B1 (en) | Positive-acting photoresist compositions | |
| CA1289803C (en) | Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith | |
| US4946759A (en) | Positive radiation-sensitive mixture and radiation-sensitive recording material produced therefrom | |
| JPH036494B2 (ja) | ||
| JPS6397948A (ja) | 感光性混合物 | |
| US5368975A (en) | Positive-working 1,2-quinone diazide radiation-sensitive mixture and recording material containing urethane compound to diminish developer solubility | |
| GB2273101A (en) | Photosensitive resin composition | |
| JPH0853401A (ja) | 芳香族ジアゾニウム塩およびそれらの放射線感応性混合物における使用 | |
| TW515931B (en) | Hardenable photoimageable compositions |