JPH0141150Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案はマグネトロンに係り、特に出力部の
改良に関する。

〔考案の技術的背景とその問題点〕

従来、マグネトロンは第１図及び第２図に示す
ように構成され、第２図は第１図の要部（出力
部）を拡大して示したものである。即ち、陽極円
筒２の内側には複数のベイン１が放射状に配設さ
れ、両者で共振空胴を形成している。更に陽極円
筒２の一端には漏斗状のポールピース４が固着さ
れている。このポールピース４には出力部１２が
突設されているが、この場合、封着部材５がポー
ルピース４と共に陽極円筒２の一端に取付けられ
ている。この封着部材５には封着部材６を介して
絶縁円筒７の一端が固着され、他端には鉄又は鉄
合金からなるサイドチヨークリング８の一端が封
着されている。このサイドチヨークリング８の他
端は、上記ベイン１の１つから導出したアンテナ
リード１１の先端に設けた高調波阻止用メインチ
ヨーク１０に固着されている。更に、サイドチヨ
ークリング８にはアンテナキヤツプ９が嵌着さ
れ、上記絶縁円筒７に固着されている。尚、図中
の３は陰極である。

動作時には、共振空胴に誘起された高周波電力
はアンテナリード１１を通り矢印の方向に電流が
流れ、アンテナキヤツプ９から外部に放射され電
磁エネルギーとして利用される。これに対し高調
波成分はメインチヨークおよびサイドチヨークリ
ングにより輻射が抑制される。そして、矢印で記
した高周波電流の経路を構成する部品の材料は、
アンテナリード１１及びメインチヨーク１０は銅
等導電率の高い材料で構成されているが、絶縁円
筒７に固着されるサイドチヨークリング８は、熱
膨張、機械的強度の点から鉄又は鉄合金が望まし
い。これら鉄又は鉄合金は特別の処理をせずその
まま用いる場合と、封着性、ガス放出の抑制、防
錆の目的で表面にニツケル又は銅メツキ、あるい
はニツケル下地銅メツキを実施して用いる場合が
ある。しかし、これらの表面状態は各々次のよう
な欠点がある。

表面処理がなく鉄又は鉄合金が表面に出てい
る場合は、錆の発生があり好ましくない。又、
表面に流れる高周波電流のため、ジユール熱が
発生し出力部全体の温度が上昇し、封着部の信
頼性を劣化させ好ましくない。

ニツケルメツキの場合も上記と同様に出力
部全体の温度が上昇し、封着部の信頼性を劣化
させ好ましくない。

銅メツキの場合は、動作中の温度が200〜300
℃に達するため、銅の外表面が酸化し、アンテ
ナキヤツプ９との接触状態が悪化し、微少放電
等により温度が上昇し、封着部の信頼性を劣化
させる。

〔考案の目的〕

この考案の目的は、出力部の温度上昇抑制、外
面の腐蝕防止による温度上昇抑制、及び放電抑制
を行ない、封着部の信頼性を向上したマグネトロ
ンを提供することである。

〔考案の概要〕

この考案は、サイドチヨークの外面にニツケル
メツキ層を形成し、且つ内面に直接又はニツケル
メツキを介して銅メツキ層又は銀鑞流れ層を形成
したマグネトロンである。

〔考案の実施例〕

この考案のマグネトロンの要部は第３図に示す
ように構成され、従来例と同一箇所は同一符号を
付すことにする。

即ち、鉄又は鉄合金（例えばコバール）からな
るサイドチヨークリング８の一端は絶縁円筒７に
鑞付けにより気密封着され、他端はアンテナリー
ド１１先端の銅製の内側メインチヨーク１０の外
周の一部に鑞付けにより固着されている。この場
合、サイドチヨークリング８の外面には、防錆の
ためニツケルメツキ層１３が形成されている。
又、サイドチヨークリング８の内面には銅メツキ
層１４が形成されている。なお、ニツケルメツキ
層を介して銅メツキ層１４を形成してもよい。

尚、上記以外は従来例と同様構成ゆえ、詳細な
説明を省略する。又、第１３図にはアンテナキヤ
ツプは省略してある。

〔考案の効果〕

この考案によれば、高周波電流の径路となる面
は銅メツキ層１４が形成され導電率が良いので、
ジユール熱の発生は少なく、従つて出力部１２全
体の温度上昇を抑制することができ、封着部の信
頼性を向上させることができる。又、外面にはニ
ツケルメツキ層１３が形成されているため、酸化
し、錆びたりすることなく安定な状態を保つ。

即ち、出力部１２の温度は動作条件で異なる
が、この考案のマグネトロンと従来のマグネトロ
ンを用いて、出力600W級の電子レンジを用い無
負荷状態の温度測定結果は、第４図のようになつ
た。この第４図でＡ，Ｂは第１図のＡ，Ｂ点を示
しており、実線は従来のマグネトロンを用いた場
合であり、点線はこの考案のマグネトロンを用い
た場合の温度分布ヒストグラムである。この第４
図から判るように、Ａ点においては平均温度300
℃から235℃に下り、且つバラツキも非常に減少
している。又、Ｂ点においても平均温度が230℃
から200℃に下り、バラツキも減少傾向にある。

〔考案の他の実施例〕

第５図乃至第７図はこの考案の他の実施例を示
したもので、上記実施例と同様効果が得られる。

即ち、第５図に示す例は表面メツキの代りにク
ラツド材を用いた例であり、上記実施例（第３
図）の場合と同様に外面にニツケル材１５を、内
面に銅材１６をそれぞれ鉄の上にクラツドした板
でサイドチヨークリング８を成形したものであ
る。この場合、特に内面クラツド材である銅の板
厚を変えることにより、熱伝導度を変えることが
でき、これを厚くすることによりＡ点の温度を更
に低下させることが可能である。尚、銅材１６の
下にニツケル材を介在させてもよい。

第６図の場合は、サイドチヨークリング８の内
外面にそれぞれニツケルメツキを施してニツケル
メツキ層１７，１８を形成し、更にサイドチヨー
クリング８とチヨーク１０との境界に銀鑞材１９
を置いてサイドチヨークリング８の内面に銀鑞流
れ層２０を形成したものである。

そして、絶縁円筒７の端面にも銀鑞材２１を付
着してある。なお銀鑞材は銀を含む鑞材であつ
て、例えば72Ag−28Cuや、50Ag−50Cuのよう
な合金鑞、その他が使用されうる。この場合、内
面のニツケルメツキは省略してもよい。

最後に第７図の場合は、上記第６図の場合にお
いて、予め鉄又は鉄合金からなるサイドチヨーク
リング８の表面（少なくとも内面）に凹凸を付け
て粗面２２を形成したものである。このように処
理したサイドチヨークリング８を用いると、銀鑞
材１９を使用した鑞接時に銀鑞材１９が表面張力
によりサイドチヨークリング８の内面に拡散し、
銀鑞流れ層２０で覆われる。銀鑞流れ層２０は導
電率が高く、この部分に高周波電流が流れた場合
のジユール熱の発生は少なく、従つて出力部１２
全体の温度上昇を抑制でき、封着部の信頼性を向
上させることができる。銀鑞接時、サイドチヨー
クリング８の表面への銀鑞材１９の拡散状態は表
面材質、表面粗さ、鑞付け中の雰囲気温度、時
間、使用鑞材により異なるが、一般に使用される
銀−銅共晶合金を鑞材として用い、封着部の表面
にニツケルメツキを施し、水素雰囲気中で800℃
〜820℃、10分の加熱を行なう場合、表面粗さを
3μｍ以上にすれば、実用的に充分銀鑞材１９を
拡散せることができる。一般にメツキ直後の表面
はメツキ粒子の凹凸があり、表面粗さは粗くなつ
ているが、この表面層は鑞接中の加熱により平坦
になり、上記のような効果は得られない。上記効
果を得るためには、メツキ前に化学エツチング、
ホーニング加工等により表面に凹凸を付けておく
か、又はNiメツキ後、熱処理により表面を一度
平坦にした後、ホーニング加工等によりこのNi
メツキ層表面に3μｍ以上の粗さの凹凸を付ける
方法が良い。このようにサイドチヨークリング８
の表面に凹凸を付けて粗面２２にしておくと、銀
鑞材１９が粗面になつている全面にわたつて流動
拡散し好結果を得られる。なおアンテナキヤツプ
９との接合面にも銀鑞が若干流れるが、しかし、
使用中の温度が200〜300℃であり、酸化等による
弊害が生じることはない。又、この面の銀鑞は不
必要であり、銀鑞を拡散させないためには必要部
分にのみサイドチヨークリング８の表面に凹凸を
付ければよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマグネトロンを示す断面図、第
２図は第１図の要部を拡大して示す断面図、第３
図はこの考案の一実施例に係るマグネトロンの要
部を示す断面図、第４図は従来及びこの考案のマ
グネトロンを用いた電子レンジにおける無負荷状
態の温度測定結果を示す特性曲線図、第５図乃至
第７図はこの考案の他の実施例を示す断面図であ
る。 １…ベイン、２…陽極円筒、３…陰極、４…ポ
ールピース、５，６…封着部材、７…絶縁円筒、
８…サイドチヨークリング、９…アンテナキヤツ
プ、１０…チヨーク、１１…アンテナリード、１
２…出力部、１３…ニツケルメツキ層、１４…銅
メツキ層、２０…銀鑞流れ層、２２…粗面。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 陽極円筒の内側に複数のベインを放射状に配
   設し、更に陽極円筒の一端に封着部材を介して
   絶縁円筒を取付け、該円筒端面にサイドチヨー
   クリングの一端を気密封着し該チヨークリング
   の他端を上記ベインから導出したアンテナリー
   ドの先端に設けたインナチヨークに固着し、更
   に該サイドチヨークリングにアンテナキヤツプ
   を嵌着してなるマグネトロンにおいて、 上記サイドチヨークリングの外面にニツケル
   メツキ層を形成し、且つ内面に直接又はニツケ
   ルメツキ層を介して銅メツキ層又は銀鑞流れ層
   を形成してなることを特徴とするマグネトロ
   ン。 ２ 上記銀鑞流れ層が形成されている構造であつ
   て、サイドチヨークリングの少なくとも内面が
   粗面に形成されてなる実用新案登録請求の範囲
   第１項記載のマグネトロン。