JPH0141009B2 - - Google Patents
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- JPH0141009B2 JPH0141009B2 JP21867282A JP21867282A JPH0141009B2 JP H0141009 B2 JPH0141009 B2 JP H0141009B2 JP 21867282 A JP21867282 A JP 21867282A JP 21867282 A JP21867282 A JP 21867282A JP H0141009 B2 JPH0141009 B2 JP H0141009B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は通電体に過大な電流が流れたとき、
その温度上昇による周辺への悪影響を防止するよ
うにした電気装置に関する。
その温度上昇による周辺への悪影響を防止するよ
うにした電気装置に関する。
一般に、サイリスタを使用した高電圧の電力変
換装置においては、通常の動作電圧を考慮して素
子の直列個数が決定される。そして、散発的に印
加される雷インパルスや、開閉サージ等はアレス
タで所定の電圧に制限している。
換装置においては、通常の動作電圧を考慮して素
子の直列個数が決定される。そして、散発的に印
加される雷インパルスや、開閉サージ等はアレス
タで所定の電圧に制限している。
従来のものは第１図に示すように、各サイリス
タ素子T1，T2，T3にアレスタA1，A2，A3及び
スナバ回路S1，S2，S3が並列に接続されている。
この場合、各サイリスタ素子T1，T2，T3には外
部から雷インパルス等の過電圧が印加された場合
も、並列に接続されたアレスターA1，A2，A3及
びスナバ回路S1，S2，S3により、制限された電圧
VMしか印加しないため、各サイリスタ素子T1，
T2，T3は保護される。
タ素子T1，T2，T3にアレスタA1，A2，A3及び
スナバ回路S1，S2，S3が並列に接続されている。
この場合、各サイリスタ素子T1，T2，T3には外
部から雷インパルス等の過電圧が印加された場合
も、並列に接続されたアレスターA1，A2，A3及
びスナバ回路S1，S2，S3により、制限された電圧
VMしか印加しないため、各サイリスタ素子T1，
T2，T3は保護される。
しかし各サイリスタT1，T2，T3に導電指令が
出たとき、点弧回路の故障によつて、サイリスタ
素子T1のみが導通しなかつたとすると、サイリ
スタ素子T1を残して他のサイリスタが導通し、
サイリスタ素子T1と並列に接続されたアレスタ
ーA1には外部回路条件で決る負荷電流が強制的
に流れ、その端子電圧はアレスターA1の電圧−
電流特性によつて決る値となる。
出たとき、点弧回路の故障によつて、サイリスタ
素子T1のみが導通しなかつたとすると、サイリ
スタ素子T1を残して他のサイリスタが導通し、
サイリスタ素子T1と並列に接続されたアレスタ
ーA1には外部回路条件で決る負荷電流が強制的
に流れ、その端子電圧はアレスターA1の電圧−
電流特性によつて決る値となる。
通常、アレスタは負荷電流のような過大な電流
を長時間流す能力をもつていないので、過熱して
周辺に熱的な悪影響を及ぼすことになる。さら
に、過熱して機械的な破壊を起こすと、飛散した
破片で周辺を損傷することがあるので、第２図に
示すように、アレスタに過大な電流が流れたら、
アレスタの両端を電気的に接続するように構成さ
れたものが提案されている。
を長時間流す能力をもつていないので、過熱して
周辺に熱的な悪影響を及ぼすことになる。さら
に、過熱して機械的な破壊を起こすと、飛散した
破片で周辺を損傷することがあるので、第２図に
示すように、アレスタに過大な電流が流れたら、
アレスタの両端を電気的に接続するように構成さ
れたものが提案されている。
すなわち、第２図では、酸化亜鉛形アレスタな
どの過電圧制限要素１に半田などの低融点金属３
を当接させ、一対の電極４，５間に過電圧制限要
素１と低融点金属３とを電気的に直列接続し、導
電性のプレート９を介してばね８で一方の電極４
に押圧し、他方の電極５とはシヤント６で接続
し、溶融した低融点金属３で両通電部４ａ，５ａ
が電気的に接続されるように、対向した両通電部
４ａ，５ａが低融金属３の下部に配置してある。
どの過電圧制限要素１に半田などの低融点金属３
を当接させ、一対の電極４，５間に過電圧制限要
素１と低融点金属３とを電気的に直列接続し、導
電性のプレート９を介してばね８で一方の電極４
に押圧し、他方の電極５とはシヤント６で接続
し、溶融した低融点金属３で両通電部４ａ，５ａ
が電気的に接続されるように、対向した両通電部
４ａ，５ａが低融金属３の下部に配置してある。
上記構成において、過電圧制限要素１に過大な
電流が流れる場合、電極４→低融点金属３→シヤ
ント６→電極５の回路を通る。これによつて、過
電圧制限要素１の温度が上昇するので、低融点金
属３が溶融して両通電部４ａ，５ａ間に落下し、
両電極４，５間が電気的に接続される。したがつ
て、過電圧制限要素１に流れていた電流は、両通
電部４ａ，５ａ間に落下した低融点金属３を経由
して流れるので、過電圧制限要素１の過熱が抑制
できる。
電流が流れる場合、電極４→低融点金属３→シヤ
ント６→電極５の回路を通る。これによつて、過
電圧制限要素１の温度が上昇するので、低融点金
属３が溶融して両通電部４ａ，５ａ間に落下し、
両電極４，５間が電気的に接続される。したがつ
て、過電圧制限要素１に流れていた電流は、両通
電部４ａ，５ａ間に落下した低融点金属３を経由
して流れるので、過電圧制限要素１の過熱が抑制
できる。
しかし、過電圧制限要素の一部が電気的に破壊
してそこに過大な電流が集中した場合には、その
近傍の低融点金属は瞬時に溶融して落下するが、
電流が集中した個所によつて低融点金属の溶融量
が異なるので、両通電部の接続が不安定であると
いう欠点があつた。
してそこに過大な電流が集中した場合には、その
近傍の低融点金属は瞬時に溶融して落下するが、
電流が集中した個所によつて低融点金属の溶融量
が異なるので、両通電部の接続が不安定であると
いう欠点があつた。
この発明は上記欠点を解消するためになされた
もので、互いに近接可能に押圧された一対の過電
圧制限要素などの通電体の間に低融点金属を密着
して配置することによつて、多量の低融点金属が
溶融するようにした電気装置を提供する。
もので、互いに近接可能に押圧された一対の過電
圧制限要素などの通電体の間に低融点金属を密着
して配置することによつて、多量の低融点金属が
溶融するようにした電気装置を提供する。
以下、図について説明する。第３図において、
１，１は酸化亜鉛要素などの過電圧制限要素から
なる通電体で、各通電体１，１は所定の間隔をあ
けて一対が配置されている。２は一方の通電体に
当接して設けられた皿ばね、３は各通電体１，１
に密着された半田などの低融点金属、４は皿ばね
３の他端と密着し第１の通電部４ａを有する第１
の電極、５は第１の通電部４ａと所定の間隔をあ
けて対向した第２の通電部５ａを有する第２の電
極である。なお、両通電部４ａ，５ａは溶融した
低融点金属３が落下して電気的な接続ができるよ
うに、低融点金属３より下部に配置されている。
６は他方の通電体１と第２の電極５とを接続する
通電導体、７は通電体１，１が収納され両電極
４，５が保持された絶縁筒で、両通電部４ａ，５
ａの下部と当接し溜り部を７ａ構成している。８
は通電体１と第２の電極５間に配置されたばね
で、通電体１，１を第１の電極４の方向に押圧し
ている。
１，１は酸化亜鉛要素などの過電圧制限要素から
なる通電体で、各通電体１，１は所定の間隔をあ
けて一対が配置されている。２は一方の通電体に
当接して設けられた皿ばね、３は各通電体１，１
に密着された半田などの低融点金属、４は皿ばね
３の他端と密着し第１の通電部４ａを有する第１
の電極、５は第１の通電部４ａと所定の間隔をあ
けて対向した第２の通電部５ａを有する第２の電
極である。なお、両通電部４ａ，５ａは溶融した
低融点金属３が落下して電気的な接続ができるよ
うに、低融点金属３より下部に配置されている。
６は他方の通電体１と第２の電極５とを接続する
通電導体、７は通電体１，１が収納され両電極
４，５が保持された絶縁筒で、両通電部４ａ，５
ａの下部と当接し溜り部を７ａ構成している。８
は通電体１と第２の電極５間に配置されたばね
で、通電体１，１を第１の電極４の方向に押圧し
ている。
次に動作を説明する。第３図において、通電体
１，１に過大な電流が流れ温度が上昇すると、低
融点金属３が両端から加熱される。このため、低
融点金属３はほとんど同時に溶融して落下するの
で、溜り部７ａは多量の溶融した低融点金属３で
充たされるため、両通電部４ａ，５ａ間の通電容
量が確保できる。
１，１に過大な電流が流れ温度が上昇すると、低
融点金属３が両端から加熱される。このため、低
融点金属３はほとんど同時に溶融して落下するの
で、溜り部７ａは多量の溶融した低融点金属３で
充たされるため、両通電部４ａ，５ａ間の通電容
量が確保できる。
上記実施例において、低融点金属が例えばpb
−Sn共晶半田である場合、各通電体１の押圧力
によつてクリープ変形が問題となる。また、異常
の程度に応じ、部分的に各通電部間を完全に接続
する量を流出させるのに不安定性が残る。
−Sn共晶半田である場合、各通電体１の押圧力
によつてクリープ変形が問題となる。また、異常
の程度に応じ、部分的に各通電部間を完全に接続
する量を流出させるのに不安定性が残る。
このため、低融点金属を例えばアルミニウム箔
で包むと、アルミニウム箔による外殼構造でクリ
ープが制限され、異常発生時には内部の低融点金
属が溶融し、アルミニウム箔との反応によつて内
部からの低融点化が進み、押圧力とのバランスに
よつて外殼が破れ、溶融した低融点金属が噴出し
て溜り部７ａを埋めるので、信頼性が向上する。
で包むと、アルミニウム箔による外殼構造でクリ
ープが制限され、異常発生時には内部の低融点金
属が溶融し、アルミニウム箔との反応によつて内
部からの低融点化が進み、押圧力とのバランスに
よつて外殼が破れ、溶融した低融点金属が噴出し
て溜り部７ａを埋めるので、信頼性が向上する。
発明者は、低融点金属にpb−sn共晶半田を用
いて直径20mm、厚さ５mmに成形し、これを厚さ
0.05mmのアルミ箔で包んだものを、直径56mm、厚
さ15mmの酸化亜鉛形バリスタからなる通電体間に
所定の接触圧力となるように挾み、500A、5.5ms
の電流パルスを16.6ms毎に負荷する試験をした。
これによると、通電体が発熱し破壊に至つたとき
は、溶融した低融点金属の流出は安定したもので
あつた。
いて直径20mm、厚さ５mmに成形し、これを厚さ
0.05mmのアルミ箔で包んだものを、直径56mm、厚
さ15mmの酸化亜鉛形バリスタからなる通電体間に
所定の接触圧力となるように挾み、500A、5.5ms
の電流パルスを16.6ms毎に負荷する試験をした。
これによると、通電体が発熱し破壊に至つたとき
は、溶融した低融点金属の流出は安定したもので
あつた。
なお、通電体と低融点金属との接触圧力を100
Kg、周囲温度100℃での加速クリープ試験では、
48時間ないし168時間で、アルミ箔を用いた方が
クリープ量として1/10以下になつた。
Kg、周囲温度100℃での加速クリープ試験では、
48時間ないし168時間で、アルミ箔を用いた方が
クリープ量として1/10以下になつた。
上記実施例では、アルミニウム箔を用いて低融
点金属を手作業で包み込む操作をしたが、箔の両
端で箔と同材質の端板を重ねろう付する方法や、
板材の絞りによつて部分的に破れ易い箇所を固定
化する等によつても、上記実施例と同様の効果を
期待できる。
点金属を手作業で包み込む操作をしたが、箔の両
端で箔と同材質の端板を重ねろう付する方法や、
板材の絞りによつて部分的に破れ易い箇所を固定
化する等によつても、上記実施例と同様の効果を
期待できる。
さらに、実施例では共晶半田とアルミニウム箔
とを組合せた場合について説明したが、低融点金
属には、pb、sn、Bi等の純金属、pb−sb、pb−
sn−sb、pb−sn−Bi等の合金、その他いわゆる
ウツドメタル、また、箔材料としては、Al、
Ma、Zn、Cu等を適宜用いることもできる。
とを組合せた場合について説明したが、低融点金
属には、pb、sn、Bi等の純金属、pb−sb、pb−
sn−sb、pb−sn−Bi等の合金、その他いわゆる
ウツドメタル、また、箔材料としては、Al、
Ma、Zn、Cu等を適宜用いることもできる。
上記実施例においては、通電体が酸化亜鉛形ア
レスタ等の過電圧制限要素のものについて説明し
たが、異常が発生したときに過大な電流が流れて
過熱を招くようなものであれば、同様の効果を期
待することができる。
レスタ等の過電圧制限要素のものについて説明し
たが、異常が発生したときに過大な電流が流れて
過熱を招くようなものであれば、同様の効果を期
待することができる。
この発明によれば、互いに対向した近接可能に
押圧された一対の過電圧制限要素間に低融点金属
を配置し、低融点金属を所定の金属箔で包むこと
によつて、多量の低融点金属がほとんど同時に溶
融して、両電極間の通電容量が充分確保される。
押圧された一対の過電圧制限要素間に低融点金属
を配置し、低融点金属を所定の金属箔で包むこと
によつて、多量の低融点金属がほとんど同時に溶
融して、両電極間の通電容量が充分確保される。
第１図は電力変換装置の構成図、第２図は従来
の電気装置を示す断面図、第３図はこの発明の一
実施例を示す断面図である。図において、１は過
電圧制限要素、２は低融点金属、４は第１の電
極、５は第２の電極である。なお各図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
の電気装置を示す断面図、第３図はこの発明の一
実施例を示す断面図である。図において、１は過
電圧制限要素、２は低融点金属、４は第１の電
極、５は第２の電極である。なお各図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の間隔をあけて対向した各通電部を有す
る一対の電極間に、互いに密着された通電体と低
融点金属とを電気的に直列に接続して配置し、上
記低融点金属が上記両通電部の上部になるように
構成されたものにおいて、上記通電体は所定の間
隔をあけて対向し近接可能に押圧された一対の通
電体で形成され、両通電体の間に低融点金属を配
置したことを特徴とする電気装置。 ２ 低融点金属は融点が低融点金属の融点より高
い所定の融点を有し、上記低融点金属の液相と反
応して原融点又は液相線温度の低い物質に変る金
属箔で包まれていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21867282A JPS59108338A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 電気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21867282A JPS59108338A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 電気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108338A JPS59108338A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0141009B2 true JPH0141009B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=16723609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21867282A Granted JPS59108338A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 電気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108338A (ja) |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP21867282A patent/JPS59108338A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59108338A (ja) | 1984-06-22 |
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