JPH0136697B2 - - Google Patents
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- JPH0136697B2 JPH0136697B2 JP58039311A JP3931183A JPH0136697B2 JP H0136697 B2 JPH0136697 B2 JP H0136697B2 JP 58039311 A JP58039311 A JP 58039311A JP 3931183 A JP3931183 A JP 3931183A JP H0136697 B2 JPH0136697 B2 JP H0136697B2
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- Japan
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- processed
- tank
- processing liquid
- processing
- liquid
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N hexyl acetate Chemical compound CCCCCCOC(C)=O AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
本発明は、例えばフオトレジスト被膜を液体で
化学的に処理するために用いられ得る処理方法に
係り、更に具体的に伝えば、集積回路素子の製造
に於て例えば半導体ウエハ上の露出されたフオト
レジスト被膜を現像するために用いられ得る上記
処理方法に係る。
化学的に処理するために用いられ得る処理方法に
係り、更に具体的に伝えば、集積回路素子の製造
に於て例えば半導体ウエハ上の露出されたフオト
レジスト被膜を現像するために用いられ得る上記
処理方法に係る。
半導体構成素子上のフオトレジスト被膜の現像
は、従来に於て長い歴史を有している。初期の手
による処理は、半自動又は全自動の装置により取
つて換られている。その様な装置は概して、容器
又はカバーを通常必要とする噴霧及び／若しくは
浸漬のための配置を含み、従つてめんどうな装填
及び取出のための設備を含む。めんどうな装填及
び取出しの手順を要する配置によつて更に加えら
れる半導体ウエハの処理のためのコストは極めて
大きい。
は、従来に於て長い歴史を有している。初期の手
による処理は、半自動又は全自動の装置により取
つて換られている。その様な装置は概して、容器
又はカバーを通常必要とする噴霧及び／若しくは
浸漬のための配置を含み、従つてめんどうな装填
及び取出のための設備を含む。めんどうな装填及
び取出しの手順を要する配置によつて更に加えら
れる半導体ウエハの処理のためのコストは極めて
大きい。
本発明は、上端に被処理体用の台を支持してお
り、回転方向及び垂直方向に移動可能である様に
中心に配置されている軸を有している現像の如き
処理のためのタンクを有する組立体を提供する。
初めに、上記台が、例えば露出されたフオトレジ
スト被膜を有する半導体構成素子である被処理体
の装填を容易にするために、上記タンクよりも上
方に配置される。次に、上記被処理体がタンク中
の現像液の如き流体中に降下され、そこで撹拌の
ために所定の時間の間回転及び垂直方向に振動さ
れてから、上記流体の外へ上昇され、更に所定の
時間の間乾燥ステーシヨンに留められる。それか
ら、被処理体が取出される様に初めの位置に戻さ
れる。
り、回転方向及び垂直方向に移動可能である様に
中心に配置されている軸を有している現像の如き
処理のためのタンクを有する組立体を提供する。
初めに、上記台が、例えば露出されたフオトレジ
スト被膜を有する半導体構成素子である被処理体
の装填を容易にするために、上記タンクよりも上
方に配置される。次に、上記被処理体がタンク中
の現像液の如き流体中に降下され、そこで撹拌の
ために所定の時間の間回転及び垂直方向に振動さ
れてから、上記流体の外へ上昇され、更に所定の
時間の間乾燥ステーシヨンに留められる。それか
ら、被処理体が取出される様に初めの位置に戻さ
れる。
従来の駆動及び昇降機構並びにそれらの制御装
置が、上記台を自動的に上昇させ、降下させ、そ
して回転させるために用いられ得る。同様に、上
記タンクへの流体の充填及び該流体の排出、被処
理体の送風乾燥、並びに生じ得るガスの除去に
も、従来の配置が用いられ得る。
置が、上記台を自動的に上昇させ、降下させ、そ
して回転させるために用いられ得る。同様に、上
記タンクへの流体の充填及び該流体の排出、被処
理体の送風乾燥、並びに生じ得るガスの除去に
も、従来の配置が用いられ得る。
本発明の方法は、米国特許第3769992号、第
3849906号、第4161356号及び第4179000号の明細
書等に示されている如き従来の配置と共通である
構成素子の構造を部分的に利用している。それら
の米国特許明細書は、被処理体を回転させそして
１つ又はそれ以上の噴露及び／若しくは空気によ
る乾燥の動作を施すことにより該被処理体を処理
する装置について記載しているが、それらは、本
発明の方法の重要な特徴の１つである、回転軸方
向に於ける流体の撹拌又は被処理体の振動を何ら
用いていない。
3849906号、第4161356号及び第4179000号の明細
書等に示されている如き従来の配置と共通である
構成素子の構造を部分的に利用している。それら
の米国特許明細書は、被処理体を回転させそして
１つ又はそれ以上の噴露及び／若しくは空気によ
る乾燥の動作を施すことにより該被処理体を処理
する装置について記載しているが、それらは、本
発明の方法の重要な特徴の１つである、回転軸方
向に於ける流体の撹拌又は被処理体の振動を何ら
用いていない。
添付図面を参照して、本発明の処理方法をその
１好実施例について更に詳細に説明する。本発明
の処理方法は、好ましくは、直径約25cm及び高さ
約30cmのステンレス鋼又は同様な材料より成るタ
ンク１０を有する。タンク１０は使用時にカバー
されなくともよく、図に示されている如く完全に
開放されてもよい。所望であれば、部分的なカバ
ーが用いられるが、タンク１０へ台１２が自由に
出し入れされ得る様にゆとりが設けられる。基本
的には、台１２は被処理体の支持体であり、従来
の構造を有している。スプリングを装荷された多
数の、好ましくは４つの、締め金１４も従来の構
造を有し、例えば露出されたフオトレジスト被膜
を有する半導体ウエハである被処理体（図示せ
ず）を支持するために台１２の周辺部に配置され
ている。上記被処理体の支持体は、タンク１０の
底部に於ける現像液の如き流体を漏らさないパツ
キング押え（gland）２２を経て下方に伸びてい
る軸２０に固定されている。このパツキング押え
２２は、軸２０が小さな摩擦で回転されそして長
手方向に移動されることを可能にする。図に示さ
れている如く、軸２０は可変速度駆動モータ２４
の軸に固定されており、該駆動モータ２４は軸２
０及び台１２を零乃至2000r.p.m.で回転させ得
る。駆動モータ２４は、台１２を昇降させるため
の流体圧昇降機構のシリンダ２８中のピストンと
しても働く、もう１つの軸２６により支持されて
いる。駆動及び昇降機構並びにそれらの制御装置
の主要部分が図に示されているが、駆動機構及び
その制御装置３０、昇降機構３２、並びに昇降機
構制御装置３４は、当技術分野に於て周知の装置
である。
１好実施例について更に詳細に説明する。本発明
の処理方法は、好ましくは、直径約25cm及び高さ
約30cmのステンレス鋼又は同様な材料より成るタ
ンク１０を有する。タンク１０は使用時にカバー
されなくともよく、図に示されている如く完全に
開放されてもよい。所望であれば、部分的なカバ
ーが用いられるが、タンク１０へ台１２が自由に
出し入れされ得る様にゆとりが設けられる。基本
的には、台１２は被処理体の支持体であり、従来
の構造を有している。スプリングを装荷された多
数の、好ましくは４つの、締め金１４も従来の構
造を有し、例えば露出されたフオトレジスト被膜
を有する半導体ウエハである被処理体（図示せ
ず）を支持するために台１２の周辺部に配置され
ている。上記被処理体の支持体は、タンク１０の
底部に於ける現像液の如き流体を漏らさないパツ
キング押え（gland）２２を経て下方に伸びてい
る軸２０に固定されている。このパツキング押え
２２は、軸２０が小さな摩擦で回転されそして長
手方向に移動されることを可能にする。図に示さ
れている如く、軸２０は可変速度駆動モータ２４
の軸に固定されており、該駆動モータ２４は軸２
０及び台１２を零乃至2000r.p.m.で回転させ得
る。駆動モータ２４は、台１２を昇降させるため
の流体圧昇降機構のシリンダ２８中のピストンと
しても働く、もう１つの軸２６により支持されて
いる。駆動及び昇降機構並びにそれらの制御装置
の主要部分が図に示されているが、駆動機構及び
その制御装置３０、昇降機構３２、並びに昇降機
構制御装置３４は、当技術分野に於て周知の装置
である。
タンク１０には、該タンクに現像液の如き流体
を供給するための複数の導入管３６及び３８が設
けられている。例えば、4250Åのポリメタクリル
酸メチルの被膜を現像するための、４部の酢酸ヘ
キシルに加えられた１部のヘプタノンである、現
像液が、波状線４０により示されているレベル迄
タンクに供給されて、40℃の温度に維持される。
上記流体により放出され得るガスは、複数の真空
排気管４２によつて除去される。タンク１０は
又、組合わされた戻り管取付部４４及び排出バル
ブ４６を設けられている。真空排気管４２は、従
来の如く、最終的には、戻り管と共通の流体溜め
又はバルク貯蔵タンクに導かれる。複数の噴出管
５０は、タンクに於ける乾燥ステーシヨンよりも
すぐ上方のレベルに於て窒素を3.52Kg・cm-2で噴
出させる。好ましくは、従来の如く循環する水に
より±0.1℃に制御されている５乃至90℃の範囲
の温度を維持するために、ジヤケツト（図示せ
ず）がタンクの周囲に設けられる。
を供給するための複数の導入管３６及び３８が設
けられている。例えば、4250Åのポリメタクリル
酸メチルの被膜を現像するための、４部の酢酸ヘ
キシルに加えられた１部のヘプタノンである、現
像液が、波状線４０により示されているレベル迄
タンクに供給されて、40℃の温度に維持される。
上記流体により放出され得るガスは、複数の真空
排気管４２によつて除去される。タンク１０は
又、組合わされた戻り管取付部４４及び排出バル
ブ４６を設けられている。真空排気管４２は、従
来の如く、最終的には、戻り管と共通の流体溜め
又はバルク貯蔵タンクに導かれる。複数の噴出管
５０は、タンクに於ける乾燥ステーシヨンよりも
すぐ上方のレベルに於て窒素を3.52Kg・cm-2で噴
出させる。好ましくは、従来の如く循環する水に
より±0.1℃に制御されている５乃至90℃の範囲
の温度を維持するために、ジヤケツト（図示せ
ず）がタンクの周囲に設けられる。
動作に於て、例えば被覆されたウエハである被
処理体が台１２の締め金１４中に挿入される。そ
れから、台が流体導入管３６及び３８の近傍又は
好ましくはそれらよりも１cm程度上方のレベル迄
降下され、そこで例えば4250Åのポリメタクリル
酸メチルの被膜の現像の場合には10分間である短
時間の間、回転されそしてそれと同時に垂直方向
に２乃至３cm振動される。この回転と振動との組
合せは、新しい流体が台を横切つて連続的に流動
する様に、該流体を完全に撹拌させる。次に、台
が上記流体から外へ真空排気管４２と窒素噴出管
５０との間の位置迄上昇されて、そこに３分間留
められ、窒素がまだ回転している被処理体を乾燥
させる。その後に、回転が停止されて、被処理体
の取出し及び再装填のために台が再び最上位置迄
上昇される。
処理体が台１２の締め金１４中に挿入される。そ
れから、台が流体導入管３６及び３８の近傍又は
好ましくはそれらよりも１cm程度上方のレベル迄
降下され、そこで例えば4250Åのポリメタクリル
酸メチルの被膜の現像の場合には10分間である短
時間の間、回転されそしてそれと同時に垂直方向
に２乃至３cm振動される。この回転と振動との組
合せは、新しい流体が台を横切つて連続的に流動
する様に、該流体を完全に撹拌させる。次に、台
が上記流体から外へ真空排気管４２と窒素噴出管
５０との間の位置迄上昇されて、そこに３分間留
められ、窒素がまだ回転している被処理体を乾燥
させる。その後に、回転が停止されて、被処理体
の取出し及び再装填のために台が再び最上位置迄
上昇される。
図に示されている如く、駆動モータ２４は軸２
０とともに昇降される。又は、駆動モータ２４が
シリンダ２８に関して固定されて、軸２０が垂直
方向に移動可能である様に該モータの軸内に配置
されたみぞ付き軸であつてもよい。
０とともに昇降される。又は、駆動モータ２４が
シリンダ２８に関して固定されて、軸２０が垂直
方向に移動可能である様に該モータの軸内に配置
されたみぞ付き軸であつてもよい。
添付図面は例えば基板上の露出されたフオトレ
ジスト被膜を現像するための本発明の１実施例に
よる処理方法を説明する概略図である。 １０……タンク、１２……台、１４……締め
金、２０，２６……軸、２２……パツキング押
え、２４……駆動モータ、２８……シリンダ、３
０……駆動機構及び制御装置、３２……昇降機
構、３４……昇降機構制御装置、３６，３８……
流体導入管、４２……真空排気管、４４……戻り
管取付部、４６……流体排出バルブ、５０……窒
素噴出管。
ジスト被膜を現像するための本発明の１実施例に
よる処理方法を説明する概略図である。 １０……タンク、１２……台、１４……締め
金、２０，２６……軸、２２……パツキング押
え、２４……駆動モータ、２８……シリンダ、３
０……駆動機構及び制御装置、３２……昇降機
構、３４……昇降機構制御装置、３６，３８……
流体導入管、４２……真空排気管、４４……戻り
管取付部、４６……流体排出バルブ、５０……窒
素噴出管。
Claims (1)
- １ 処理液内で被処理体を処理する方法におい
て、上記被処理体を支持する台が上端に配置され
た軸を処理液の貯えられたタンクの底部から液密
的に軸方向移動可能でかつ回転可能に貫通させ、
上記タンクの上記処理液の液面上に乾燥用気体吹
出口を設け、上記台に上記被処理体の被処理面が
水平に装填される様に上記液面上の或る静止位置
まで上記台を上昇させ、上記処理液面下の或る所
与の深さに上記台を下降させ、上記所与の深さ附
近の上記処理液面下で上記台を回転しながら上下
方向に振動させ、上記被処理体が乾燥される様に
上記乾燥用気体吹出口附近の乾燥位置まで上記台
を上昇させて一時停止させ、上記台から上記被処
理体が取出されて次の被処理体が装填される様に
上記台を再び上記静止位置まで上昇させる、こと
を特徴とする処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US360157 | 1982-03-22 | ||
| US06/360,157 US4429983A (en) | 1982-03-22 | 1982-03-22 | Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168229A JPS58168229A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0136697B2 true JPH0136697B2 (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=23416836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039311A Granted JPS58168229A (ja) | 1982-03-22 | 1983-03-11 | 処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4429983A (ja) |
| EP (1) | EP0089454B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58168229A (ja) |
| DE (1) | DE3367483D1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064436A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | スピンドライヤ |
| US4801335A (en) * | 1984-07-02 | 1989-01-31 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
| US4682615A (en) * | 1984-07-02 | 1987-07-28 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
| US4745422A (en) * | 1985-11-18 | 1988-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Automatic developing apparatus |
| JPS63271931A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| US4857430A (en) * | 1987-12-17 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Process and system for determining photoresist development endpoint by effluent analysis |
| US5025280A (en) * | 1987-12-17 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Immersion development and rinse machine and process |
| US4902608A (en) * | 1987-12-17 | 1990-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Immersion development and rinse machine and process |
| US5168886A (en) * | 1988-05-25 | 1992-12-08 | Semitool, Inc. | Single wafer processor |
| US5230743A (en) * | 1988-05-25 | 1993-07-27 | Semitool, Inc. | Method for single wafer processing in which a semiconductor wafer is contacted with a fluid |
| US5168887A (en) * | 1990-05-18 | 1992-12-08 | Semitool, Inc. | Single wafer processor apparatus |
| US5224504A (en) * | 1988-05-25 | 1993-07-06 | Semitool, Inc. | Single wafer processor |
| US4922277A (en) * | 1988-11-28 | 1990-05-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Silicon wafer photoresist developer |
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| JPH0411728A (ja) * | 1990-04-30 | 1992-01-16 | Seiichiro Sogo | 半導体ウェハの洗浄装置 |
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| KR100271764B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
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| US4429983A (en) | 1984-02-07 |
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