JPH0133341B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0133341B2
JPH0133341B2 JP60284336A JP28433685A JPH0133341B2 JP H0133341 B2 JPH0133341 B2 JP H0133341B2 JP 60284336 A JP60284336 A JP 60284336A JP 28433685 A JP28433685 A JP 28433685A JP H0133341 B2 JPH0133341 B2 JP H0133341B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy
epoxy substrate
substrate
curable resin
guide grooves
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP60284336A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62144938A (ja
Inventor
Juji Sakamoto
Setsuo Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP60284336A priority Critical patent/JPS62144938A/ja
Publication of JPS62144938A publication Critical patent/JPS62144938A/ja
Publication of JPH0133341B2 publication Critical patent/JPH0133341B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスク用プラスチツク基板、特に
エポキシ基板に紫外線硬化性樹脂を流延し案内溝
を形成した原盤を圧接し、紫外線照射により硬化
せしめて案内溝を転写形成する方法(以下2P法
という)においてエポキシ基板に対し良好な密着
性を示す紫外線硬化樹脂組成物を用い、又エポキ
シ基板をシラン化合物で表面改質を行なうことを
特徴とする案内溝付きの光デイスク用エポキシ基
板の製造方法に関するものである。 〔従来技術〕 光デイスク用基板として、プラスチツク基板が
用いられており、コストの低減化、軽量化などの
長所を生かし、最近非常に多く利用されつつあ
る。しかしプラスチツク基板は、ポリメチルメタ
クリート、ポリカーボネート等の熱可ソ性材料を
用いたものがほとんどであり、それに伴う問題
(吸水特性、複屈折)が生じている。これに対し、
熱硬化性樹脂を光デイスク用基板に用いた場合、
複屈折が少さい、熱安定性良好、吸水特性が優れ
ているなど高品位な光デイスク用基板が得られて
いる。特に熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂一
酸無水物硬化系で得られるデイスク基板は熱可ソ
性基板に比し、諸特性においてすぐれており、高
密度情報記録媒体材料としては最適であることが
知られている。(特開昭59−22248号公報)また光
デイスク基板にトラツキングサーボ用案内溝を形
成させる方法は高品位、デイスク媒体を製造する
上で重要とされている。この場合エポキシ樹脂を
材料とするには、 (1) スタンパをキヤビテイとした一体注型で直接
グループを形成させる。 (2) 注型法で得られたエポキシ平板に2P法を用
いてグループを転写させる。 という2つの方法が考えられている。(1)の方法は
スタンパ保持時間が長いためコスト高となるた
め、(2)の方法がとられるのが現状である。ところ
がエポキシ平板は従来2P法に用いられる紫外線
硬化樹脂に対し、密着性という点で問題があり、
密着性に優れた2P法用の紫外線硬化樹脂は今ま
で、決定的なものが開発されていなかつた。 〔発明の目的〕 本発明はエポキシ基板に対し密着性に優れたト
ラツキングサーボ用案内溝を転写形成させる方法
を鋭意研究した結果、エポキシ基板を表面処理
し、2P用紫外線樹脂として一般式(1) (R:アクリロイ基又はメタアクリロイ基) で示される化合物を50%重量以上含むものを選択
的に用いることにより、従来にない密着性の優れ
たトラツキングサーボ用案内溝付きの光デイスク
用基板を得ることができたものである。 〔発明の構成〕 本発明は、2P法において、エポキシ基板をあ
らかじめエチレン性二重結合を有するシラン化合
物を含む低級アルコール溶液で処理し、該エポキ
シ基板上に一般式(1) (R:アクリロイ基又はメタアクリロイ基) で示される化合物を50%重量以上含む紫外線硬化
樹脂を2P法用樹脂として用いる光デイスク用溝
付きエポキシ基板の製造方法である。 本発明に用いられるエポキシ基板材料は、エポ
キシ一酸無水物硬化物であり、エポキシとして
は、ビスフエノール系エポキシ、水添ビスフエノ
ール系エポキシ、ノボラツクエポキシ、クレゾー
ルエポキシ、脂環式エポキシ等がある。酸無水物
の例としては、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メ
チルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロ
フタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無
水物、エンドメチレンクロレンド酸無水物等があ
る。これらのエポキシ一酸無水物を適宜組み合わ
せ、他に促進剤、酸化防止剤等を添加し加熱硬化
せしめ、エポキシデイスク基板を得る。これらの
エポキシ一酸無水物硬化物よりなる基板は2P法
に適した基板であり、透過率特性としては、読み
とりレーザーの波長域830mmにおいて90%以上、
又紫外線の波長域360mmにおいて45%以上の光線
透過率がある様なエポキシ一酸無水物の組み合わ
せが用いられる。 次にこれらのエポキシ一酸無水物硬化物の注型
で得られたエポキシ基板に対し、カツプリング剤
としてエチレン性二重結合を有するシラン化合物
の低級アルコール溶液で処理する。 シラン化合物としてはビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニ
ルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、τ−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなど
があり、流延剤としてメタノール、エタノール、
n−プロピルアルコール等の低級アルコールを用
いたカツプリング剤を適用する。該カツプリング
剤は既知の方法でエポキシ基板上に均一に塗布
し、適宜加熱し、カツプリング処理を行う。 次に一般式(1) (R:アクリロイ基又はメタアクリロイ基) で示させる化合物を50%重量以上含む紫外線硬化
樹脂を用いて、2P法にて該エポキシ基板に案内
溝を転写せしめる。ここで用いられる紫外線硬化
樹脂組成物中の一般式(1)で示されるものの他の成
分は、公知の2P用樹脂成分を適宜配合すること
が可能である。例えば不飽和ポリエステル、ポリ
エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、スピラン樹脂、ポリチオ
ール−ポリエン系樹脂、光間環重合によるエポキ
シ樹脂等である。また該紫外線硬化樹脂に重合禁
止剤、酸化防止剤、光増感剤を適宜配合すること
も可能である。かくして得られた溝付エポキシ基
板は密着性にすぐれたものであり、高密度記録媒
体用基板として信頼性にすぐれ、その意義は大き
いといえる。 実施例 1 注型法で得られたエポキシ基板にτ−メタクリ
ロキシプロピルトリスメトキシシラン/エタノー
ル=4/1(重量比)なるカツプリング処理剤を
スピナー法で均一に塗布し、1h、100℃加熱し、
アセトンで洗浄後、2P法樹脂処方として 2−(β−アクリロイルオキシ−t−ブチル)、4
−アクリロイルオキシメチル、4′−エチル−1,
3ジオキサシクロヘキサン 100部 2−ヒドロキシヘキシルフエニルケトン 3部 を用い、紫外線硬化後、30mm角の試験片を切り出
し、第1図の様な引張り試験を行つた。結果を第
1表に示す。 実施例 2 実施例1と同様にカツプリング処理したエポキ
シ基板に下記の処方を用いて紫外線硬化させ、引
張り試験を行つた。結果を第1表に示す。 2−(β−アクリロイルオキシ−t−ブチル)、4
−アクリロイルオキシメチル、4′−エチル−1,
3ジオキサシクロヘキサン 60部 ビスフエノールAエポキシアクリレート 30部 1,6ヘキサンジオールジアクリレート 10部 2−ヒドロキシヘキシルフエニルケトン 3部 比較例 1 実施例1と同様にカツプリング処理したエポキ
シ基板上に下記処方を用いて紫外線硬化させ、引
張り試験を行つた。 ビスフエノールAエポキシアクリレート 60部 1,6ヘキサンジオールアクリレート 20部 2−ヒドロキシヘキシルフエニルケトン 3部 比較例 2 エポキシ基板にカツプリング処理せずに実施例
1で用いた紫外線硬化樹脂処方のもので2P法に
よる光デイスク用溝付き基板を得た後引張り試験
を行つた。結果を第1表に示す。 比較例 3 エポキシ基板にカツプリング処理せずに実施例
2で用いた紫外線硬化樹脂処方のもので2P法に
よる光デイスク用溝付き基板を得た後引張り試験
を行つた。結果を第1表に示す。 比較例 4 実施例1と同様にエポキシ基板をカツプリング
処理した後、下記処方の紫外線硬化樹脂により
2P法による光デイスク用溝付き基板を得た後引
張り試験を行つた。結果を第1表に示す。 2−(β−アクリロイルオキシ−t−ブチル)、4
−アクリロイルオキシメチル、4′−エチル−1,
3ジオキサシクロヘキサン 20部 ビスフエノールAエポキシアクリレート 50部 1,6ヘキサンジオールジアクリレート 20部 2−ヒドロキシヘキシルフエニルケトン 3部
【表】 引張り試験は第1図に示す装置を用いて、2P
法で紫外線硬化樹脂によりサーボトラツク用案内
溝を転写した光デイスク用基板の両面に金属製角
棒を接着剤で接合し、接着面積が1cm2となる様に
し、第1図において矢印の方向に力を加え、紫外
線硬化樹脂により転写形成された溝付き部がエポ
キシ基板から剥離した時の強さ(Kg/cm2)を測定
したものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の効果を測定するための引張り
試験装置の1部を示す斜視図である。 図中1,1′は金属角棒、2は金属角棒と光デ
イスク基板との接着部、3は光デイスク基板、4
は光デイスク基板の紫外線硬化樹脂による溝付部
を示す。加える力の方向を矢印で示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 光デイスク用のエポキシ基板上に紫外線硬化
    性樹脂を流延し、案内溝を形成した原盤を圧接
    し、紫外線照射により硬化せしめて案内溝をエポ
    キシ基板に転写形成させる方法において、あらか
    じめエポキシ基板をエチレン性二重結合を有する
    シラン化合物を含む低級アルコール溶液で処理
    し、該エポキシ基板上に下記一般式(1) (R:アクリロイ基又はメタアクリロイ基) で示される化合物からなる紫外線硬化樹脂または
    一般式(1)で示される化合物が50重量%以上含有す
    る紫外線硬化樹脂を流延し案内溝を転写形成させ
    ることを特徴とした光デイスク用溝付きエポキシ
    基板の製造方法。
JP60284336A 1985-12-19 1985-12-19 光デイスク用溝付きエポキシ基板の製造方法 Granted JPS62144938A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60284336A JPS62144938A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 光デイスク用溝付きエポキシ基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60284336A JPS62144938A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 光デイスク用溝付きエポキシ基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62144938A JPS62144938A (ja) 1987-06-29
JPH0133341B2 true JPH0133341B2 (ja) 1989-07-12

Family

ID=17677248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60284336A Granted JPS62144938A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 光デイスク用溝付きエポキシ基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62144938A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62144938A (ja) 1987-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69030845T2 (de) Optische platte und verfahren zur herstellung
JPS61117746A (ja) 光デイスク基板
DE3880642T2 (de) Zusammensetzung , mit aktiven Strahlen härtbar, und Medium für die optische Registrierung mit dieser gehärteten Zusammensetzung.
JPH0133341B2 (ja)
JPS6116815A (ja) 光デイスク基板の製造方法
JPS6071549A (ja) 光学ガラスフアイバ用被覆材料
JPS63149116A (ja) 注型成形品の製造方法
DE3625169A1 (de) Verwendung von haertbaren reaktionsmassen zur herstellung von datentraegern
JPS6192450A (ja) 光学的記録媒体用基板および基板成形方法
JPH03224144A (ja) 光ディスク基板
JPH01232557A (ja) 光デイスク用溝付きプラスチック基板の製造方法
JPS62134836A (ja) 案内溝を有する光・磁気デイスク用アルミ−樹脂複合基板の製造方法
JPS6215254A (ja) 光デイスク記録媒体
JPH01232552A (ja) 光ディスク基板の製造方法
JPS60136043A (ja) 情報記録用デイスクの製造方法
JPS6192452A (ja) 光デイスク基板製造用スタンパの製造方法
JPS62145552A (ja) ガラス−樹脂複合スタンパ
JP2000265122A (ja) 部材間の接着方法
JPS62117153A (ja) 案内溝を有する光デイスク用基板の製造方法
JPS62137752A (ja) 光デイスク用透明基板の製造法
JPS6038712A (ja) 磁気ヘツドおよびその製造方法
JPH08161771A (ja) 情報媒体,その製造方法及びその製造装置
JPS6275951A (ja) 光メモリ素子用基板の作製方法
JPS62145553A (ja) プレグル−ブ付き光デイスク用基板の製造方法
JPS62169643A (ja) 光学的情報記録媒体