JPH01321663A - 半導体装置のリード成形装置 - Google Patents
半導体装置のリード成形装置Info
- Publication number
- JPH01321663A JPH01321663A JP63156102A JP15610288A JPH01321663A JP H01321663 A JPH01321663 A JP H01321663A JP 63156102 A JP63156102 A JP 63156102A JP 15610288 A JP15610288 A JP 15610288A JP H01321663 A JPH01321663 A JP H01321663A
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- Japan
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- lead
- molding
- resin sealing
- sealing part
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のリード成形装置に関し、特に表面
実装型半導体装置の外部リード成形装置に関する。
実装型半導体装置の外部リード成形装置に関する。
第５図は従来のリード成形装置を用いて表面実装型半導
体装置の外部リードをガルウィング形状に成形する場合
の成形工程図で、ダイ１更の突起部１とパッド１更とで
樹脂封止部１０の側面から導出される複数本の外部リー
ド７の根元をそれぞれクランプし、突起部１の側面とポ
ンチ２０の底面がそれぞれ形成する平坦な成形面で外部
リード７を上下から強圧して先端部８をそれぞれガルウ
ィング状に成形するものである。
体装置の外部リードをガルウィング形状に成形する場合
の成形工程図で、ダイ１更の突起部１とパッド１更とで
樹脂封止部１０の側面から導出される複数本の外部リー
ド７の根元をそれぞれクランプし、突起部１の側面とポ
ンチ２０の底面がそれぞれ形成する平坦な成形面で外部
リード７を上下から強圧して先端部８をそれぞれガルウ
ィング状に成形するものである。
ところで、近年、表面実装型半導体装置のプリント基板
等への実装は半田リフロ一方式によることが多いので、
表面実装型半導体装置に対しては、第６図に示すように
、外部リード先端部８の平板９からの浮き量Ａが小さい
こと、すなわち、平坦度が良好なことが強く要求される
。しかしながら、−ａ的な″樹脂封止型の半導体装置で
は、通常、樹脂封止部１０の樹脂厚は上部樹脂１０ａと
下部樹脂１０ｂとでは金型からの離脱に若干の時間差が
あるなどの理由で、上部樹脂層１０ａの中央部には深さ
２０ないし７０μｍの窪みが形成されるので、樹脂封止
部１０に凹状のソリが発生し易い。しかし、従来のリー
ド成形装置は、このような樹脂封止部１０のソリを考慮
せずにリード成形を行うため、第７図に示すように従来
の表面実装型半導体装置では外部リード先端部８のリー
ド浮きが樹脂封止部１０のソリに対応して周縁部に多数
発生し、プリント基板等との間に半田付は不良が多数発
生するという不都合が生じている。
等への実装は半田リフロ一方式によることが多いので、
表面実装型半導体装置に対しては、第６図に示すように
、外部リード先端部８の平板９からの浮き量Ａが小さい
こと、すなわち、平坦度が良好なことが強く要求される
。しかしながら、−ａ的な″樹脂封止型の半導体装置で
は、通常、樹脂封止部１０の樹脂厚は上部樹脂１０ａと
下部樹脂１０ｂとでは金型からの離脱に若干の時間差が
あるなどの理由で、上部樹脂層１０ａの中央部には深さ
２０ないし７０μｍの窪みが形成されるので、樹脂封止
部１０に凹状のソリが発生し易い。しかし、従来のリー
ド成形装置は、このような樹脂封止部１０のソリを考慮
せずにリード成形を行うため、第７図に示すように従来
の表面実装型半導体装置では外部リード先端部８のリー
ド浮きが樹脂封止部１０のソリに対応して周縁部に多数
発生し、プリント基板等との間に半田付は不良が多数発
生するという不都合が生じている。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、樹脂封止型半導体
装置の樹脂封止部のソリによって生じる外部リード先端
部の浮きの問題点を解決した半導体装置のリード成形装
置を提供することである。
装置の樹脂封止部のソリによって生じる外部リード先端
部の浮きの問題点を解決した半導体装置のリード成形装
置を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の外部リードを成形するリ
ード成形装置は、前記リード成形装置の対となるダイお
よびポンチそれぞれのリード先端部の成形面が前記半導
体装置の樹脂封止部がもつ凹形のソリに対応し中央部位
の傾斜面が両端部位に比べ浅めの角度に設定されること
を含んで構成される。
ード成形装置は、前記リード成形装置の対となるダイお
よびポンチそれぞれのリード先端部の成形面が前記半導
体装置の樹脂封止部がもつ凹形のソリに対応し中央部位
の傾斜面が両端部位に比べ浅めの角度に設定されること
を含んで構成される。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示すリード成形装置のダイおよびポンチの斜視図であ
る。本実施例によれば、外部リードを４方向から導出す
る表面実装型半導体装１に対してリード成形を行う場合
が示される。すなわち、本実施例によれば、本発明のリ
ード成形装置は、装着すべき半導体装置の樹脂封止部１
０の外形よりわずかに大きめの樹脂封止部にげ穴２、お
よびパッド（図示しない）と共同して外部リード７の根
元をクランプする側面部３を頂部および側部にそれぞれ
設けた突起部１とこの突起部１を上面に載置し、且つ突
起部１の頂部平面部に対して浅い角度のリード成形面５
ａおよび深い角度のリード成形面４ａを突起部１の側面
部３の中央部下縁にそれぞれ接して形成したリード成形
面ブロック６とから成るダイ１０と、ダイ１０のリード
成形面４ａ、５ａとそれぞれ同一角度のリード成形面４
ｂ、５ｂを備えるポンチ２０とを含む、ここで、２つの
リード成形面４ａと５ａの角度の違いは樹脂封止部１０
に生じるソリの経験的データに基づいて定められている
。すなわち、側面部３の中央部下縁に接するリード成形
面５ａの角度は端部下縁に接するリード成形面４ａの角
度よりわずかに深い程度であり、この違いの程度は、両
端部のリード先端部８に生じる約２０〜５０μｍの浮き
量Ａを最小にできる大きさであればよい。以上は導出さ
れる外部リード７の配列に沿って２つの異なる角度成形
面を設けた場合を説明したが、２つ以上の異なる角度の
成形面を設は更に細かなリード成形を行ってもよい。
を示すリード成形装置のダイおよびポンチの斜視図であ
る。本実施例によれば、外部リードを４方向から導出す
る表面実装型半導体装１に対してリード成形を行う場合
が示される。すなわち、本実施例によれば、本発明のリ
ード成形装置は、装着すべき半導体装置の樹脂封止部１
０の外形よりわずかに大きめの樹脂封止部にげ穴２、お
よびパッド（図示しない）と共同して外部リード７の根
元をクランプする側面部３を頂部および側部にそれぞれ
設けた突起部１とこの突起部１を上面に載置し、且つ突
起部１の頂部平面部に対して浅い角度のリード成形面５
ａおよび深い角度のリード成形面４ａを突起部１の側面
部３の中央部下縁にそれぞれ接して形成したリード成形
面ブロック６とから成るダイ１０と、ダイ１０のリード
成形面４ａ、５ａとそれぞれ同一角度のリード成形面４
ｂ、５ｂを備えるポンチ２０とを含む、ここで、２つの
リード成形面４ａと５ａの角度の違いは樹脂封止部１０
に生じるソリの経験的データに基づいて定められている
。すなわち、側面部３の中央部下縁に接するリード成形
面５ａの角度は端部下縁に接するリード成形面４ａの角
度よりわずかに深い程度であり、この違いの程度は、両
端部のリード先端部８に生じる約２０〜５０μｍの浮き
量Ａを最小にできる大きさであればよい。以上は導出さ
れる外部リード７の配列に沿って２つの異なる角度成形
面を設けた場合を説明したが、２つ以上の異なる角度の
成形面を設は更に細かなリード成形を行ってもよい。
第２図および第３図はそれぞれ上記実施例のリード成形
装置による表面実装型半導体装置のリード成形工程図お
よび工程終了後の外部リード先端部の配列状況を示す側
面図である。すなわち、本発明のリード形成装置による
と、一つの辺がら導出される複数個の外部リード７のう
ち、中央部に位置するものの外部リード先端部８は、ダ
イ１０およびポンチ２０のリード成形面５ａおよび５ｂ
とで押圧されてそれぞれ成形され、また、両端部に位置
する外部リード先端部８は同じくダイ１゜およびポンチ
２０のリード成形面４ａおよび４ｂとで押圧されてそれ
ぞれ成形される。この際、ポンチ２０のリード成形面５
ｂの幅寸法はダイ１゜のリード成形面より約０．２ｍｍ
だけ幅広に設定しておくのがよい。このように上部樹脂
層１０ａがもつ凹状のソリに対応させて、中央部を浅く
、また、端部を深く折曲げ成形することによって、従来
の成形工程において生じていた端部近傍のリード先端部
８の浮きは解消され、第３図に示す如く先端部８が一様
に平坦化された外部リード配列を得ることができる。
装置による表面実装型半導体装置のリード成形工程図お
よび工程終了後の外部リード先端部の配列状況を示す側
面図である。すなわち、本発明のリード形成装置による
と、一つの辺がら導出される複数個の外部リード７のう
ち、中央部に位置するものの外部リード先端部８は、ダ
イ１０およびポンチ２０のリード成形面５ａおよび５ｂ
とで押圧されてそれぞれ成形され、また、両端部に位置
する外部リード先端部８は同じくダイ１゜およびポンチ
２０のリード成形面４ａおよび４ｂとで押圧されてそれ
ぞれ成形される。この際、ポンチ２０のリード成形面５
ｂの幅寸法はダイ１゜のリード成形面より約０．２ｍｍ
だけ幅広に設定しておくのがよい。このように上部樹脂
層１０ａがもつ凹状のソリに対応させて、中央部を浅く
、また、端部を深く折曲げ成形することによって、従来
の成形工程において生じていた端部近傍のリード先端部
８の浮きは解消され、第３図に示す如く先端部８が一様
に平坦化された外部リード配列を得ることができる。
第４図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施
例を示すリード形成装置のダイおよびポンチの斜視図で
ある。本実施例によれば、ダイ１０およびポンチ２０に
それぞれ設けられるリード成形面１１ａ、ｌｌｂは樹脂
封止層の凹状のソリに対応し、中央部から端部に向って
連続的に角度を深くする曲線状の傾斜面にそれぞれ形成
される。本実施例によれば、リード成形面１１ａ。
例を示すリード形成装置のダイおよびポンチの斜視図で
ある。本実施例によれば、ダイ１０およびポンチ２０に
それぞれ設けられるリード成形面１１ａ、ｌｌｂは樹脂
封止層の凹状のソリに対応し、中央部から端部に向って
連続的に角度を深くする曲線状の傾斜面にそれぞれ形成
される。本実施例によれば、リード成形面１１ａ。
１１ｂが連続的に傾斜角度が変化しているため、各外部
リードの平板からの浮き量をほぼ同一に揃えることがで
きると共に、より一層小さく押さえ込むことが可能であ
る。
リードの平板からの浮き量をほぼ同一に揃えることがで
きると共に、より一層小さく押さえ込むことが可能であ
る。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、対となる
ダイとポンチの各リード成形面は中央部位と両端部位の
成形角度が樹脂封止部のソリ分をそれぞれ考慮しこれら
を補正するように変えられているので、各リード先端部
の平面に対する平坦度を一定に成形し得る効果がある。
ダイとポンチの各リード成形面は中央部位と両端部位の
成形角度が樹脂封止部のソリ分をそれぞれ考慮しこれら
を補正するように変えられているので、各リード先端部
の平面に対する平坦度を一定に成形し得る効果がある。
従って、表面実装型半導体装置のリード成形に実施すれ
ば、その半田付は性の向上に対して大きな効果をあげる
ことができ、信頼性の向上に順著に貢献することが可能
である。
ば、その半田付は性の向上に対して大きな効果をあげる
ことができ、信頼性の向上に順著に貢献することが可能
である。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示すリード成形装置のダイおよびポンチの斜視図、第
２図および第３図はそれぞれ上記実施例のリード成形装
置による表面実装型半導体装置のリード成形工程図およ
び工程終了後の外部リード先端部の配列状況を示す側面
図、第４図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の
実施例を示すダイおよびポンチの斜視図、第５図は従来
のリード成形装置を用いて表面実装型半導体装置の外部
リードをガルウィング形状に成形する場合の成形工程図
、第６図は従来の表面実装型半導体装置に生じる外部リ
ードの浮きを示す断面図、第７図は従来のリード形成装
置による表面実装型半導体装置の外部リード先端部の配
列状況を示す側面図である。 Ｌ更・・・ダイ、２０・・・ポンチ、ユ」−・・・パッ
ド、１・・・突起部、２・・・樹脂封止部にげ穴、３・
・・側面部、４ａ、４ｂ・・・深い角度のリード成形面
、５ａ。 ５ｂ・・・浅い角度の成形面、６・・・リード成形面ブ
ロック、７・・・外部リード、８・・・外部リード先端
部、９・・・平板、１０・・・樹脂封止部、１０ａ・・
・上部樹脂層、１０ｂ・・・下部樹脂層、ｌｌａ、ｌｌ
ｂ・・・曲線状のリード成形面。
を示すリード成形装置のダイおよびポンチの斜視図、第
２図および第３図はそれぞれ上記実施例のリード成形装
置による表面実装型半導体装置のリード成形工程図およ
び工程終了後の外部リード先端部の配列状況を示す側面
図、第４図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の
実施例を示すダイおよびポンチの斜視図、第５図は従来
のリード成形装置を用いて表面実装型半導体装置の外部
リードをガルウィング形状に成形する場合の成形工程図
、第６図は従来の表面実装型半導体装置に生じる外部リ
ードの浮きを示す断面図、第７図は従来のリード形成装
置による表面実装型半導体装置の外部リード先端部の配
列状況を示す側面図である。 Ｌ更・・・ダイ、２０・・・ポンチ、ユ」−・・・パッ
ド、１・・・突起部、２・・・樹脂封止部にげ穴、３・
・・側面部、４ａ、４ｂ・・・深い角度のリード成形面
、５ａ。 ５ｂ・・・浅い角度の成形面、６・・・リード成形面ブ
ロック、７・・・外部リード、８・・・外部リード先端
部、９・・・平板、１０・・・樹脂封止部、１０ａ・・
・上部樹脂層、１０ｂ・・・下部樹脂層、ｌｌａ、ｌｌ
ｂ・・・曲線状のリード成形面。
Claims (1)
- 半導体装置の外部リードを成形するリード成形装置に
おいて、前記リード成形装置の対となるダイおよびポン
チそれぞれのリード先端部の成形面が前記半導体装置の
樹脂封止部がもつ凹形のソリに対応し中央部位の傾斜面
が両端部位に比べ浅めの角度に設定されることを特徴と
する半導体装置のリード成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156102A JPH01321663A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体装置のリード成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156102A JPH01321663A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体装置のリード成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321663A true JPH01321663A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15620355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156102A Pending JPH01321663A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 半導体装置のリード成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5202289A (en) * | 1990-06-29 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corporation | Method of plastically deforming a semiconductor device lead frame in preparation for ultrasonic bonding |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414947A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Lead forming apparatus of semiconductor device |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63156102A patent/JPH01321663A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414947A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Lead forming apparatus of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5202289A (en) * | 1990-06-29 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corporation | Method of plastically deforming a semiconductor device lead frame in preparation for ultrasonic bonding |
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