JPH01320227A - ビスマス系酸化物超電導材料の製造方法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導材料の製造方法Info
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- JPH01320227A JPH01320227A JP63152506A JP15250688A JPH01320227A JP H01320227 A JPH01320227 A JP H01320227A JP 63152506 A JP63152506 A JP 63152506A JP 15250688 A JP15250688 A JP 15250688A JP H01320227 A JPH01320227 A JP H01320227A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（背景）
ビスマス系酸化物超電導体は１９８８年１月に前出らに
より見いだされた。この物質は１２０に付近から急激な
電気抵抗の減少が観測されると同時に、この温度付近で
のマイスナー効果も認められる。１２０にという温度は
これまで最高の臨界温度を持つとされていたＹＢａ、Ｃ
ｕ３０．の９０Ｋを大きく上回り、将来の応用が期待さ
れている。
より見いだされた。この物質は１２０に付近から急激な
電気抵抗の減少が観測されると同時に、この温度付近で
のマイスナー効果も認められる。１２０にという温度は
これまで最高の臨界温度を持つとされていたＹＢａ、Ｃ
ｕ３０．の９０Ｋを大きく上回り、将来の応用が期待さ
れている。
しかし、現在のところ１２０にの臨界温度を持つ相が単
独では得られておらず、必ず８５に相あるいは半導体相
が共存している。しかも、１２０に相の割合を多くする
ためには非常に長時間を要し、例えば、スイスのインタ
ーラーケンで開催された国際会議では空気中８８０℃で
数日間、また、米国のシンシナティで開催されたアメリ
カ・セラミック・ソサエティーの年金では空気中１１日
間という反応時間が報告されている。また温度範囲も狭
く、約８７０℃の融点直下３°Ｃ以内で行わないと１２
０に相を有効に生成させることができないといわれてい
る。このため、温度設定が困難でしばしば融解に至るこ
とがある。従って、比較的短時間でかつ融点から余裕を
持った温度でかつ１２０に相の割合を多くするような製
造方法の開発が要望されている。
独では得られておらず、必ず８５に相あるいは半導体相
が共存している。しかも、１２０に相の割合を多くする
ためには非常に長時間を要し、例えば、スイスのインタ
ーラーケンで開催された国際会議では空気中８８０℃で
数日間、また、米国のシンシナティで開催されたアメリ
カ・セラミック・ソサエティーの年金では空気中１１日
間という反応時間が報告されている。また温度範囲も狭
く、約８７０℃の融点直下３°Ｃ以内で行わないと１２
０に相を有効に生成させることができないといわれてい
る。このため、温度設定が困難でしばしば融解に至るこ
とがある。従って、比較的短時間でかつ融点から余裕を
持った温度でかつ１２０に相の割合を多くするような製
造方法の開発が要望されている。
酸化物超電導材料を製造するうえでのもう一つの要請は
、反応温度を下げることである。特に半導体の分野では
シリコン基板の性質を損なわないように、できる限り低
い温度で焼成する必要がある。しかしながら、現在のと
ころＹ系及びＴ１系で約９００°Ｃ，Ｌａ系ではｔ ｏ
ｏ ｏ ’ｃで焼成しなければ超電導体を生成させる
ことができない。Ｂｉ系はやや低いもののそれでも８７
０℃という高温を必要とする。
、反応温度を下げることである。特に半導体の分野では
シリコン基板の性質を損なわないように、できる限り低
い温度で焼成する必要がある。しかしながら、現在のと
ころＹ系及びＴ１系で約９００°Ｃ，Ｌａ系ではｔ ｏ
ｏ ｏ ’ｃで焼成しなければ超電導体を生成させる
ことができない。Ｂｉ系はやや低いもののそれでも８７
０℃という高温を必要とする。
（目的）
そこで、本発明の目的は上記のごとく比較的短時間で、
１２０に相の割合の多いビスマス系酸化物超電導材料を
比較的低温で製造する方法を提供することにある。
１２０に相の割合の多いビスマス系酸化物超電導材料を
比較的低温で製造する方法を提供することにある。
（本発明の構成）
上記の問題点を解決するため種々検討の結果、ビスマス
系酸化物超電導材料の製造に際し、焼成時の酸素分圧を
０．１５気圧以下にすることにより１２０に相の割合の
多い超電導体を低温でかつ短時間で製造することができ
ることを見いだし本発明を完成した。以下に詳細に説明
する。
系酸化物超電導材料の製造に際し、焼成時の酸素分圧を
０．１５気圧以下にすることにより１２０に相の割合の
多い超電導体を低温でかつ短時間で製造することができ
ることを見いだし本発明を完成した。以下に詳細に説明
する。
ビスマス系酸化物超電導材料はＢｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕ
、０からなり、組成により異なった特性を示す。Ｂｉ：
Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ｌ：１：１：２の場合が最も１２０
に相の割合が多くなると言われており、一方Ｂｉ ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２の場合、８５に相がほ
とんどとなる。
、０からなり、組成により異なった特性を示す。Ｂｉ：
Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ｌ：１：１：２の場合が最も１２０
に相の割合が多くなると言われており、一方Ｂｉ ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２の場合、８５に相がほ
とんどとなる。
１３ｉの一部をｐｂで置き換えることも可能であり、こ
れにより１２０に相の割合が多くなることが知られてい
る。本発明における組成比はモル比でＢｉｌに対してＳ
「が０．８から１．２、Ｃａが１から４、Ｃｕが２から
５の範囲が好適に用いられる。また、Ｂｉｌのうちモル
比で０．１５から０゜４をｐｂで置換してもよい。
れにより１２０に相の割合が多くなることが知られてい
る。本発明における組成比はモル比でＢｉｌに対してＳ
「が０．８から１．２、Ｃａが１から４、Ｃｕが２から
５の範囲が好適に用いられる。また、Ｂｉｌのうちモル
比で０．１５から０゜４をｐｂで置換してもよい。
原料は酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゆう酸塩、酢酸塩な
ど焼成により分解あるいは反応して酸化物に変化するも
のなら何でも用いることができる。
ど焼成により分解あるいは反応して酸化物に変化するも
のなら何でも用いることができる。
これらは均一に混合される。混合はどのような方法で行
ってもよい。例えば各原料をメノウ乳鉢で粉砕しながら
混合してもよいし、ボールミルを用いてもよい。硝酸塩
のように水溶性のものは一旦溶媒に溶解後、過熱乾燥す
ることにより優れた混合状態が得られる。スプレードラ
イ法で乾燥しながら混合するのも良い方法である。また
、スパッタリング法等により、形成された薄膜も均一に
混合するのに良い方法である。
ってもよい。例えば各原料をメノウ乳鉢で粉砕しながら
混合してもよいし、ボールミルを用いてもよい。硝酸塩
のように水溶性のものは一旦溶媒に溶解後、過熱乾燥す
ることにより優れた混合状態が得られる。スプレードラ
イ法で乾燥しながら混合するのも良い方法である。また
、スパッタリング法等により、形成された薄膜も均一に
混合するのに良い方法である。
このようにして得られた混合物あるいは生成物は仮焼せ
ずにそのまま本焼成を行ってもよいが、通常仮焼を行う
。つまり、酸化物以外の化合物の混合物は通常８００℃
前後の温度で仮焼される。
ずにそのまま本焼成を行ってもよいが、通常仮焼を行う
。つまり、酸化物以外の化合物の混合物は通常８００℃
前後の温度で仮焼される。
しかし、仮焼することは必須ではない。酸化物の混合物
あるいはスパッタリング法等、により、形成された酸化
物薄膜あるいは金属薄膜については仮焼をする必要はな
い。仮焼雰囲気は空気、酸素、あるいは不活性ガスと酸
素の混合物のいずれでもよい。
あるいはスパッタリング法等、により、形成された酸化
物薄膜あるいは金属薄膜については仮焼をする必要はな
い。仮焼雰囲気は空気、酸素、あるいは不活性ガスと酸
素の混合物のいずれでもよい。
次に焼成を行う。焼成前の原料が粉末状態であればあら
かじめ成型を行う。その大きさ、形状はどのようなもの
でもかまわない。例えばベレットでもよいし線状のもの
でも良い。焼成雰囲気については酸素分圧が０．１５気
圧を越えない範囲で行う必要がある。０．１５気圧以下
であれば酸素分圧Ｏ（例えば不活性ガス雰囲気）であっ
てもかまわない。酸素分圧を調整するためには通常、窒
素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが単独である
いは混合ガスとして用いられる。または空気を上記不活
性ガスで希釈したものを用いてらよい。温度は酸素分圧
によっても異なるが、通常７５０’Ｃから８７０°Ｃで
ある。ビスマス系酸化物超電導体の場合、融点を越える
温度で反応させることができない。−度融解した試料は
超電導を示さな（なるからである。融点は酸素分圧によ
って異なり、例えば、Ｂｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ＝
ｌ ： １：１＝２の組成では酸素分圧０．２気圧のと
き約８７０℃、酸素分圧０，０３気圧のとき約８５０°
Ｃ１酸素分圧０．０１気圧のとき約８３０℃、酸素分圧
０気圧のとき約８１０°Ｃとなる。従って酸素分圧によ
って反応を行い得る最高温度は変化する。一方、下限温
度は特に規定されないが、概ね融点とそれ以下５０’Ｃ
の範囲、好ましくは３０’Ｃの範囲である。従来Ｂｉ系
酸化物超電導材料の焼成には８７０°Ｃに近く、かつな
るべく高い温度が望ましいと言われていたが、本発明に
おいては上述のごとくこれよりかなり低い温度での焼成
が可能となった。
かじめ成型を行う。その大きさ、形状はどのようなもの
でもかまわない。例えばベレットでもよいし線状のもの
でも良い。焼成雰囲気については酸素分圧が０．１５気
圧を越えない範囲で行う必要がある。０．１５気圧以下
であれば酸素分圧Ｏ（例えば不活性ガス雰囲気）であっ
てもかまわない。酸素分圧を調整するためには通常、窒
素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが単独である
いは混合ガスとして用いられる。または空気を上記不活
性ガスで希釈したものを用いてらよい。温度は酸素分圧
によっても異なるが、通常７５０’Ｃから８７０°Ｃで
ある。ビスマス系酸化物超電導体の場合、融点を越える
温度で反応させることができない。−度融解した試料は
超電導を示さな（なるからである。融点は酸素分圧によ
って異なり、例えば、Ｂｉ ：Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ＝
ｌ ： １：１＝２の組成では酸素分圧０．２気圧のと
き約８７０℃、酸素分圧０，０３気圧のとき約８５０°
Ｃ１酸素分圧０．０１気圧のとき約８３０℃、酸素分圧
０気圧のとき約８１０°Ｃとなる。従って酸素分圧によ
って反応を行い得る最高温度は変化する。一方、下限温
度は特に規定されないが、概ね融点とそれ以下５０’Ｃ
の範囲、好ましくは３０’Ｃの範囲である。従来Ｂｉ系
酸化物超電導材料の焼成には８７０°Ｃに近く、かつな
るべく高い温度が望ましいと言われていたが、本発明に
おいては上述のごとくこれよりかなり低い温度での焼成
が可能となった。
１２０に相が認められる試料を得るためには少なくとも
２時間、好ましくは８時間以上の焼成が必要である。
２時間、好ましくは８時間以上の焼成が必要である。
以下に実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例Ｉ
Ｂｉ、Ｏ，，５ｒＣＯ，、ＣａＣ０，およびＣｕＯをＢ
ｔ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比が１：１：ｌ：２になるよう
に秤取り、これをメノウ乳鉢で十分混合した。これを空
気の流通下、８１０’Ｃで１０時間仮焼した。その後、
粉砕および３時間の仮焼を２回繰り返した。得られた生
成物を再度粉砕し、直径１３ｍｍ、厚さ約１ｍｍのベレ
ットに成型した。焼成には内径１００ｍｍ、長さ６００
ｍｍの管状炉を用いた。ベレットをアルミナ製のボート
に置き、これを炉の中心部分に設置した。アルゴンと酸
素の比を１２・１ （酸素分圧０．０７７気圧）に調整
し、毎分２５０ｃｃの流通下、８６１°Ｃで１２時間反
応させた。
ｔ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比が１：１：ｌ：２になるよう
に秤取り、これをメノウ乳鉢で十分混合した。これを空
気の流通下、８１０’Ｃで１０時間仮焼した。その後、
粉砕および３時間の仮焼を２回繰り返した。得られた生
成物を再度粉砕し、直径１３ｍｍ、厚さ約１ｍｍのベレ
ットに成型した。焼成には内径１００ｍｍ、長さ６００
ｍｍの管状炉を用いた。ベレットをアルミナ製のボート
に置き、これを炉の中心部分に設置した。アルゴンと酸
素の比を１２・１ （酸素分圧０．０７７気圧）に調整
し、毎分２５０ｃｃの流通下、８６１°Ｃで１２時間反
応させた。
生成物はやや反った形に変形しており、上記温度が融点
直下であることを示している。このものの抵抗測定およ
びマイスナー効果の測定を行った。
直下であることを示している。このものの抵抗測定およ
びマイスナー効果の測定を行った。
抵抗は、焼成した試料をそのまま用いて標準的な四端子
法により測定した。マイスナー効果については室温での
インダクタンスが約１．７ｍＨのコイル中に試料を置き
、インダクタンスの変化を調べた。結果をそれぞれ図１
および図２に示す。１２０に付近で抵抗およびコイルの
インダクタンスの急激な低下が見られ、１２０に相が生
成していることを示している。
法により測定した。マイスナー効果については室温での
インダクタンスが約１．７ｍＨのコイル中に試料を置き
、インダクタンスの変化を調べた。結果をそれぞれ図１
および図２に示す。１２０に付近で抵抗およびコイルの
インダクタンスの急激な低下が見られ、１２０に相が生
成していることを示している。
実施例２
アルゴンと酸素の比を９９：１（酸素分圧０゜０１気圧
）に調整し、焼成温度を８３０°Ｃとしたことを除いて
は実施例１と同様にして焼成を行った。
）に調整し、焼成温度を８３０°Ｃとしたことを除いて
は実施例１と同様にして焼成を行った。
焼成後の生成物はやや反った形に変形しており、焼成温
度が融点直下であることを示している。実施例１と同様
にして抵抗を測定した。結果を図１に示す。１２０に付
近で抵抗の急激な低下が見られ、１２０に相が生成して
いることを示している。
度が融点直下であることを示している。実施例１と同様
にして抵抗を測定した。結果を図１に示す。１２０に付
近で抵抗の急激な低下が見られ、１２０に相が生成して
いることを示している。
このように従来１２０に相が生成しないといわれている
温度でも反応することが可能である。
温度でも反応することが可能である。
実施例３
アルゴンと酸素の比を９９：１（酸素分圧０゜０１気圧
）に調整し、焼成温度を８１６°Ｃとしたことを除いて
は実施例１と同様にして焼成および測定を行った。
）に調整し、焼成温度を８１６°Ｃとしたことを除いて
は実施例１と同様にして焼成および測定を行った。
焼成温度が融点より約１５℃低いため焼成後の生成物は
ほとんど変形していなかった。このものの抵抗およびマ
イスナー効果の測定結果を図１および図２に示す。比較
的小さいが１２０に付近での抵抗およびインダクタンス
の低下が認められ、８１６°Ｃという非常に低い温度で
も１２０に相の生成することが明らかとなった。
ほとんど変形していなかった。このものの抵抗およびマ
イスナー効果の測定結果を図１および図２に示す。比較
的小さいが１２０に付近での抵抗およびインダクタンス
の低下が認められ、８１６°Ｃという非常に低い温度で
も１２０に相の生成することが明らかとなった。
実施例４
Ｂｉ、Ｏ，、ＰｂＯ１Ｓ ｒ ＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｃ
ＵＯをＢｉ ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比が０゜８：
０．２：０．３： ｔ、０・２．０になるように秤取っ
たこと、焼成温度を８４２°Ｃとしたこと、および焼成
時間を８０時間としたことを除いては実施例１と同様に
して焼成および測定を行った。
ＵＯをＢｉ ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比が０゜８：
０．２：０．３： ｔ、０・２．０になるように秤取っ
たこと、焼成温度を８４２°Ｃとしたこと、および焼成
時間を８０時間としたことを除いては実施例１と同様に
して焼成および測定を行った。
焼成後の生成物はやや反った形に変形しており、焼成温
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
測定およびマイスナー効果の測定結果を図３および図４
にしめす。また、ＣｕＫ、線によるＸ線回折の測定も行
った。その結果を図５に示す。１．２０ Ｋ相に相当す
る２θ約４．７°の回折線が強く現れ、８５に相に相当
する約５．７０の回折線および半導体相に相当する約７
．２゜の回折線は全く見られない。このように、従来得
られていなかった実質的に１２０に相単独の試料が本発
明の方法により比較的短時間で得られることが分かった
。抵抗の温度依存性についても１２０に付近から抵抗の
急激な低下が見られ１０７にで抵抗Ｏとなる。これと対
応して、コイルのインダクタンスも極めてシャープに低
下している。
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
測定およびマイスナー効果の測定結果を図３および図４
にしめす。また、ＣｕＫ、線によるＸ線回折の測定も行
った。その結果を図５に示す。１．２０ Ｋ相に相当す
る２θ約４．７°の回折線が強く現れ、８５に相に相当
する約５．７０の回折線および半導体相に相当する約７
．２゜の回折線は全く見られない。このように、従来得
られていなかった実質的に１２０に相単独の試料が本発
明の方法により比較的短時間で得られることが分かった
。抵抗の温度依存性についても１２０に付近から抵抗の
急激な低下が見られ１０７にで抵抗Ｏとなる。これと対
応して、コイルのインダクタンスも極めてシャープに低
下している。
比較例Ｉ
流通ガスを酸素のみ（酸素分圧１気圧）とし、焼成温度
を８８７°Ｃとしたことを除いては実施例１と同様にし
て焼成および測定を行った。
を８８７°Ｃとしたことを除いては実施例１と同様にし
て焼成および測定を行った。
焼成後の生成物はやや反った形に変形しており、焼成温
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
およびマイスナー効果の測定結果を図１および図２に示
す。はとんど１２０に付近での抵抗およびインダクタン
スの低下が認められない。このように酸素分圧が高いと
１２０に相はほとんどの生成しない。
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
およびマイスナー効果の測定結果を図１および図２に示
す。はとんど１２０に付近での抵抗およびインダクタン
スの低下が認められない。このように酸素分圧が高いと
１２０に相はほとんどの生成しない。
比較例２
アルゴンと酸素の比を４：１ （酸素分圧０． ２気圧
）に調整し、焼成温度を８７０°Ｃとしたことを除いて
は実施例Ｉと同様にして焼成および測定を行った。
）に調整し、焼成温度を８７０°Ｃとしたことを除いて
は実施例Ｉと同様にして焼成および測定を行った。
焼成後の生成物はやや反った形に変形しており、焼成温
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
およびマイスナー効果の測定結果を図１および図２に示
す。１２０に付近で抵抗およびインダクタンスの低下が
見られるものの、８７０℃という高温であるにもかかわ
らず１２０に相の生成はわずかである。
度が融点直下であることを示している。このものの抵抗
およびマイスナー効果の測定結果を図１および図２に示
す。１２０に付近で抵抗およびインダクタンスの低下が
見られるものの、８７０℃という高温であるにもかかわ
らず１２０に相の生成はわずかである。
図１は実施例１から３および比較例１．２で得られた試
料の電気抵抗の温度依存性を示す。 図２は実施例１および比較例Ｉで得られた試料によるコ
イルのインダクタンス変化の温度依存性を示す。 図３は実施例４で得られた試料の電気抵抗の温度依存性
を示す。 図４は実施例４で得られた試料によるコイルのインダク
タンス変化の温度依存性を示す。 図５は実施例４で得られた試料のＸ線回折図である。 以上 図１ 温度（Ｋ） インダクタンス変化 任意目盛 抵抗 任意目盛 インダクタンス変化 任意目盛
料の電気抵抗の温度依存性を示す。 図２は実施例１および比較例Ｉで得られた試料によるコ
イルのインダクタンス変化の温度依存性を示す。 図３は実施例４で得られた試料の電気抵抗の温度依存性
を示す。 図４は実施例４で得られた試料によるコイルのインダク
タンス変化の温度依存性を示す。 図５は実施例４で得られた試料のＸ線回折図である。 以上 図１ 温度（Ｋ） インダクタンス変化 任意目盛 抵抗 任意目盛 インダクタンス変化 任意目盛
Claims (1)
- （１）ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カルシ
ウム化合物および銅化合物を均一に混合し、仮焼したの
ち、あるいは仮焼せずに、０．１５気圧を越えない酸素
分圧のもとで焼成することを特徴とするビスマス、スト
ロンチウム、カルシウム、銅および酸素からなる酸化物
超電導材料の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152506A JPH01320227A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ビスマス系酸化物超電導材料の製造方法 |
| AT89110957T ATE136161T1 (de) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Herstellung eines oxidischen supraleiters des wismutsystems |
| EP89110957A EP0347770B1 (en) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Process of producing a bismuth system oxide superconductor |
| DE68926070T DE68926070T2 (de) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Herstellung eines oxidischen Supraleiters des Wismutsystems |
| AU36519/89A AU3651989A (en) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Bismuth system oxide superconductors and preparation thereof |
| KR1019890008449A KR910002024A (ko) | 1988-06-20 | 1989-06-19 | 비스무트 계 산화물 초전도체 및 그 제조방법 |
| CN89106281A CN1040700A (zh) | 1988-06-20 | 1989-06-20 | 铋系氧化物超导材料及其制造方法 |
| US07/865,637 US5352657A (en) | 1988-06-20 | 1992-04-09 | Bismuth system oxide superconductors and preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152506A JPH01320227A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ビスマス系酸化物超電導材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01320227A true JPH01320227A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15541947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152506A Pending JPH01320227A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ビスマス系酸化物超電導材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01320227A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02504261A (ja) * | 1988-03-14 | 1990-12-06 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 高温超伝導体 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63152506A patent/JPH01320227A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02504261A (ja) * | 1988-03-14 | 1990-12-06 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 高温超伝導体 |
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