JPH013178A - アミン誘導体の製造方法 - Google Patents
アミン誘導体の製造方法Info
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- JPH013178A JPH013178A JP62-157503A JP15750387A JPH013178A JP H013178 A JPH013178 A JP H013178A JP 15750387 A JP15750387 A JP 15750387A JP H013178 A JPH013178 A JP H013178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアミン誘導体の製造方法に関する。詳しくは、
エチレンイミンと低級ジアルキルアミノとの反応生成物
に硫化水素を反応させた後、フルフリルアルコール誘導
体と反応させることを特徴とするアミン誘導体の製造方
法に関する。
エチレンイミンと低級ジアルキルアミノとの反応生成物
に硫化水素を反応させた後、フルフリルアルコール誘導
体と反応させることを特徴とするアミン誘導体の製造方
法に関する。
本発明によるアミン誘導体は、
一般式（ＩＶ）
Ｒ３・・・（ＩＶ）
〔式中、Ｒ３およびＲ４は水素または炭素数１〜４のア
ルキル基、八［Ｋは炭素数１〜４のアルキル基を示す６
〕 で示される医薬品の中間体として有用な化合物である。
ルキル基、八［Ｋは炭素数１〜４のアルキル基を示す６
〕 で示される医薬品の中間体として有用な化合物である。
（従来の技術）
一般式（Ｉ）
〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
ＡＬＫは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体の製造方法は、当業界において公知であ
る。
ＡＬＫは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体の製造方法は、当業界において公知であ
る。
たとえは、特公昭６０−５８２３６号明細書には、■
一般式（ＩＩ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、＾［には炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体とシステアミン
との反応 ■ フルフリルチオールとω−ブロモアルキルフタルア
ミドとの反応後、マンニラし反応により（ジアルキルア
ミノ）アルキル基を導入する反応等が挙げられる。
一般式（ＩＩ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、＾［には炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体とシステアミン
との反応 ■ フルフリルチオールとω−ブロモアルキルフタルア
ミドとの反応後、マンニラし反応により（ジアルキルア
ミノ）アルキル基を導入する反応等が挙げられる。
これらのうち最も有利とされているフルフリルアルコー
ル誘導体とシステアミンとの反応においても、原料とな
るシステアミンは被雑な工程を要ししかも高価である。
ル誘導体とシステアミンとの反応においても、原料とな
るシステアミンは被雑な工程を要ししかも高価である。
さらに酸化を受は易い等の問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明者等は、鋭意研究の結果、エチレンイミンを出発
原料として実質的に一工程で一般式＜ｍ＞ Ｃ式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
ＡＬＫは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体を製造する方法を見いたした。
原料として実質的に一工程で一般式＜ｍ＞ Ｃ式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
ＡＬＫは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体を製造する方法を見いたした。
（問題を解決するための手段）
本発明は、 エチレンイミンと、
一般式（Ｉ）
＼
Ｃ−Ｏ・・・（Ｉ）
／
〔式中、ＲおよびＲ２は炭素数１〜４のアルキル基を示
す。〕 で示される低級ジアルキルケトンとの反応生成物に硫化
水素を反応さぜな後、 一般式（■） 〔式中、Ｒおよび］（４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、ＡＬＫは炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体と反応させるこ
とを特徴とする 一般式（Ｉ［［） 〔式中、ＲおよびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、八
［バは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示される
アミン誘導体の製造方法の新規な製造方法を提供するも
のである。
す。〕 で示される低級ジアルキルケトンとの反応生成物に硫化
水素を反応さぜな後、 一般式（■） 〔式中、Ｒおよび］（４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、ＡＬＫは炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体と反応させるこ
とを特徴とする 一般式（Ｉ［［） 〔式中、ＲおよびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、八
［バは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示される
アミン誘導体の製造方法の新規な製造方法を提供するも
のである。
本発明の反応は次式により示される。
十Ｈ２Ｓ Ｉ Ｒ１−〉
１−ＩＳＣ）ｆ ２ ＣＨ２ＮＨＣ＜本発明の
方法はエチレンイミンを出発原料とし、反応で生成する
中間体を全く単離することなく、実質−工程で一般式（
ＩＩＩ）で表されるアミン誘導体を製造する方法であり
、工程が簡単で収率も高く新規で極めて有利な方法であ
る。
１−ＩＳＣ）ｆ ２ ＣＨ２ＮＨＣ＜本発明の
方法はエチレンイミンを出発原料とし、反応で生成する
中間体を全く単離することなく、実質−工程で一般式（
ＩＩＩ）で表されるアミン誘導体を製造する方法であり
、工程が簡単で収率も高く新規で極めて有利な方法であ
る。
本発明に用いられる
一般式（Ｉ＞
＼
Ｃ＝Ｏ・・・（Ｉ）
／
〔式中、Ｒ１およびＲ２は炭素数１〜４のアルキル基を
示す。〕 で示される低級ジアルキルケトンとしてはアセトンおよ
びメチルエチルゲトン等が挙げられる。
示す。〕 で示される低級ジアルキルケトンとしてはアセトンおよ
びメチルエチルゲトン等が挙げられる。
本発明に用いられる
一般式（ｎ）
〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、＾［Ｋは炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体としては、５−
（ジメチルアミノ）メチルフルフリルアルコール（また
はそのアセチル化ｅＪ）、５−（ジメチルアミノ）エチ
ルフルフリルアルコール（またはそのアセチル化物）、
５−（ジエチルアミノ）メチルフルフリルアルコール（
またはそのアセチル化物）等が挙げられる。
Ｒ５は水素またはアシル基を示し、＾［Ｋは炭素数１〜
４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体としては、５−
（ジメチルアミノ）メチルフルフリルアルコール（また
はそのアセチル化ｅＪ）、５−（ジメチルアミノ）エチ
ルフルフリルアルコール（またはそのアセチル化物）、
５−（ジエチルアミノ）メチルフルフリルアルコール（
またはそのアセチル化物）等が挙げられる。
本発明のエチレンイミンと、
一般式（Ｉ）
＼
Ｃ−０・・・（Ｉ）
／
Ｃ式中、ＲおよびＲ２は炭素数１〜４のアルキル基を示
す。〕 で示される低級ジアルキルゲトンとの反応は、ジアルキ
ルゲトンに対しエチレンイミンを０゜５〜１．５倍モル
、好ましくは０．９〜１．０倍モルの範囲で反応させる
。過剰に使用した場合は、蒸留回収して再使用できる。
す。〕 で示される低級ジアルキルゲトンとの反応は、ジアルキ
ルゲトンに対しエチレンイミンを０゜５〜１．５倍モル
、好ましくは０．９〜１．０倍モルの範囲で反応させる
。過剰に使用した場合は、蒸留回収して再使用できる。
反応温度は、０〜５０℃、好ましくは１０〜３０℃の温
度の範囲である。
度の範囲である。
ついでエチレンイミンに対し硫化水素を１〜２倍モル、
好ましくは１〜１，１倍モルの範囲で反応させる。
好ましくは１〜１，１倍モルの範囲で反応させる。
反応温度は、０〜５０℃、好ましくは１０〜３０℃の温
度の範囲である。
度の範囲である。
たたし、低級ジアルキルケトンにエチレンイミンを加え
るに際し、加えたエチレンイミンのモル数を上回らない
範囲で硫化水素を同時に加えることもできる。
るに際し、加えたエチレンイミンのモル数を上回らない
範囲で硫化水素を同時に加えることもできる。
さらに上記の反応液を酸性溶媒、好ましくは濃塩酸また
は酢酸で２〜１０倍に希釈し、一般式（Ｉ）で示される
フルフリルアルコール誘導体をエチレンイミンに対して
、０．５〜２倍モル、好ましくは０．７〜１倍モルの範
囲で加える。
は酢酸で２〜１０倍に希釈し、一般式（Ｉ）で示される
フルフリルアルコール誘導体をエチレンイミンに対して
、０．５〜２倍モル、好ましくは０．７〜１倍モルの範
囲で加える。
反応温度は、室温〜８０℃の範囲である。
（作 用）
本発明により
一般式（ＩＩ［＞
〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
Ａ［には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体は安価に製造することができ、しかも 一般式（ＩＶ） ＝ １４− Ｒ３・・・（ＩＶ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は水素または炭素数１〜４のア
ルキル基、＾［Ｋは炭素数１〜４のアルキル基を示す。
Ａ［には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体は安価に製造することができ、しかも 一般式（ＩＶ） ＝ １４− Ｒ３・・・（ＩＶ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は水素または炭素数１〜４のア
ルキル基、＾［Ｋは炭素数１〜４のアルキル基を示す。
〕
で示される医薬品の中間体として有用な化合物である。
（実 施 例）
以下、実施例を挙げてさらに具体的に説明するか、これ
らの実施例は例示であり、本発明はこれらに限定される
ものではない。
らの実施例は例示であり、本発明はこれらに限定される
ものではない。
一般式（ｎ）
〔式中、ＲおよびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ
５は水素またはアシル基を示し、ＡＬＫは炭素数１〜４
のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体の製造製造例
Ａ−１ ５−（ジメチルアミノ）メチル−フルフリルアルコール
の製造 フルフリルアルコール（４９，０ｇ）、ジメチルアミン
塩酸塩（７５゜Ｉｇ）および３６％ホルムアルデヒド溶
液（５０ｍｌ ）の混合物を０〜３°Ｃで３時間撹拌し
、１６時間放置しな。過剰の炭酸ナトリリウムを添加し
、スラリーを酢酸エチルで抽出した。溶媒を除去した後
、残渣を蒸留することにより５−（ジメチルアミノ）メ
チル−フルフリルアルコール（３６，２ｇ）を得た。
５は水素またはアシル基を示し、ＡＬＫは炭素数１〜４
のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体の製造製造例
Ａ−１ ５−（ジメチルアミノ）メチル−フルフリルアルコール
の製造 フルフリルアルコール（４９，０ｇ）、ジメチルアミン
塩酸塩（７５゜Ｉｇ）および３６％ホルムアルデヒド溶
液（５０ｍｌ ）の混合物を０〜３°Ｃで３時間撹拌し
、１６時間放置しな。過剰の炭酸ナトリリウムを添加し
、スラリーを酢酸エチルで抽出した。溶媒を除去した後
、残渣を蒸留することにより５−（ジメチルアミノ）メ
チル−フルフリルアルコール（３６，２ｇ）を得た。
沸点１１１〜１１３℃（０，２ｍｍＨｇ）。
以下同様にして５−（ジメチルアミノ）エチル−フルフ
リルアルコールおよび５−（ジエチルアミノ）メチル−
フルフリルアルコールはフルフリルアルコールおよび対
応するアミン塩酸塩から得られる。
リルアルコールおよび５−（ジエチルアミノ）メチル−
フルフリルアルコールはフルフリルアルコールおよび対
応するアミン塩酸塩から得られる。
実施例 １
アセトン６、Ｏｇに１０〜３０℃に冷却しなからエチレ
ンイミン４．３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷却
しながら硫化水素を反応熱か出なくなるまで加えた。硫
化水素の使用量は約３．５ｇであった。
ンイミン４．３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷却
しながら硫化水素を反応熱か出なくなるまで加えた。硫
化水素の使用量は約３．５ｇであった。
さらに反応液を濃塩酸１００ｍ１で希釈し、５−（ジメ
チルアミノ）メチルフルフリルアルコール１２．４ｇを
加え、５０℃で２時間反応させた。
チルアミノ）メチルフルフリルアルコール１２．４ｇを
加え、５０℃で２時間反応させた。
反応液を濃縮乾固し、水に懸濁させ、濾過後、枦残を乾
燥されることにより２ ［［［５−（ジメチルアミノ）
メチル−２−フラニル］メチル］チオコーエタンアミン
］、８．６ｇを得な。
燥されることにより２ ［［［５−（ジメチルアミノ）
メチル−２−フラニル］メチル］チオコーエタンアミン
］、８．６ｇを得な。
２ ［［［５−（ジメチルアミノ）メチル−２−フラニ
ル］メチル］チオ］−エタンアミンの収率は８６．９％
であった。
ル］メチル］チオ］−エタンアミンの収率は８６．９％
であった。
実施例 ２
アセトン６．０ｇに１０〜３０℃に冷却しなからエチレ
ンイミン４．３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷却
しながら硫化水素を反応熱か出なくなるまで加えた。硫
化水素の使用量は約３．５ｇであった。
ンイミン４．３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷却
しながら硫化水素を反応熱か出なくなるまで加えた。硫
化水素の使用量は約３．５ｇであった。
さらに反応液を濃塩酸１００ ｍｌで希釈し、５−（ジ
メチルアミノ）エチルフルフリルアルコール１４．６ｇ
を加え、５０℃で１時間反応さた。反応液を濃縮乾固し
、水に懸濁させ、濾過後、２戸残を乾燥されることによ
り２［［［５−（ジメチルアミノ）エチル−２−フラニ
ルコメチル］チオ］−エタンアミン１９．１ｇを得た。
メチルアミノ）エチルフルフリルアルコール１４．６ｇ
を加え、５０℃で１時間反応さた。反応液を濃縮乾固し
、水に懸濁させ、濾過後、２戸残を乾燥されることによ
り２［［［５−（ジメチルアミノ）エチル−２−フラニ
ルコメチル］チオ］−エタンアミン１９．１ｇを得た。
２ ［［［５−（ジメチルアミノ）エチル−２−フラニ
ルコメチルコチオヨーエタンアミンの収率は８３．８％
であった。
ルコメチルコチオヨーエタンアミンの収率は８３．８％
であった。
実施例 ３
アセトン６．０ｇに１０〜３０°Ｃに冷却しなからエチ
レンイミン４，３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷
却しながら硫化水素を反応熱が出なくなるまで加えた。
レンイミン４，３ｇを加えた。ついで１０〜３０℃に冷
却しながら硫化水素を反応熱が出なくなるまで加えた。
硫化水素の使用量は約３．５ｇであった。
さらに反応液を濃塩酸］、 ＯＯｍｌで希釈し、５−（
ジエチルアミノ）メチルフルフリルアルコール１４．６
ｇを加え、５０°Ｃで１時間反応さた。反応液を濃縮乾
固し、水に懸濁させ、沢過後、枦残を乾燥されることに
より２ ［［［５−（ジエチルアミノ）メチル−２−フ
ラニル］メチル］チオ］−エタンアミン２０．０ｇを得
た。
ジエチルアミノ）メチルフルフリルアルコール１４．６
ｇを加え、５０°Ｃで１時間反応さた。反応液を濃縮乾
固し、水に懸濁させ、沢過後、枦残を乾燥されることに
より２ ［［［５−（ジエチルアミノ）メチル−２−フ
ラニル］メチル］チオ］−エタンアミン２０．０ｇを得
た。
２ ［［［５−（ジエチルアミノ）メチル−２−フラニ
ル］エチル〕チオコ〜エタンアミンの収率は８２．６％
であった。
ル］エチル〕チオコ〜エタンアミンの収率は８２．６％
であった。
１９ 一
実施例 ４
メチルエチルケトン７．５ｇに１０〜３０’Ｃに冷却し
なからエチレンイミン４．３ｇを加えた。
なからエチレンイミン４．３ｇを加えた。
ついで１０〜３０℃に冷却しながら硫化水素を反応熱が
出なくなるまで加えた。硫化水素の使用量は約３．５ｇ
であった６ さらに反応液を濃塩酸１００ｍ１で希釈し、５−（ジメ
チルアミノ）メチルフルフリルアルコール１２．４ｇを
加え、５０’Ｃで２時間反応さな。反応液を濃縮乾固し
、水に懸濁させ、？過後、？残を乾燥されることにより
２ ［［［５−（ジメチルアミノ）メチル−２−フラニ
ル］メチル」チオ］−エタンアミン１８．０ｇを得た。
出なくなるまで加えた。硫化水素の使用量は約３．５ｇ
であった６ さらに反応液を濃塩酸１００ｍ１で希釈し、５−（ジメ
チルアミノ）メチルフルフリルアルコール１２．４ｇを
加え、５０’Ｃで２時間反応さな。反応液を濃縮乾固し
、水に懸濁させ、？過後、？残を乾燥されることにより
２ ［［［５−（ジメチルアミノ）メチル−２−フラニ
ル］メチル」チオ］−エタンアミン１８．０ｇを得た。
２ ［［［５−（ジメチルアミノ）メチル−２−フラニ
ル］メチル］チオ］−エタンアミンの収率は８４．１％
であった。
ル］メチル］チオ］−エタンアミンの収率は８４．１％
であった。
（発明の効果）
本発明による新規な
一般式（Ｉ）
〔式中、ＲおよびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、Ａ
１．には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体は通常８０％以上の収率で得られる。装
置の操作性からの効果として酸化防止ができるなどの操
作性か大幅に改善される。
１．には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
るアミン誘導体は通常８０％以上の収率で得られる。装
置の操作性からの効果として酸化防止ができるなどの操
作性か大幅に改善される。
さらに、装置の建設か安価に製造できる。さらにまた、
本発明によるアミン誘導体は、 一般式（１ｖ） −２１〜 Ｒ３・・・（ＩＶ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
八［には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
る医薬品の中間体として有用な化合物である。
本発明によるアミン誘導体は、 一般式（１ｖ） −２１〜 Ｒ３・・・（ＩＶ） 〔式中、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜４のアルキル基、
八［には炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示され
る医薬品の中間体として有用な化合物である。
Claims (1)
- （１）エチレンイミンと、 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は炭素数１〜４のアルキル
基を示す。〕 で示される低級ジアルキルケトンとの反応生成物に硫化
水素を反応させた後、 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） 〔式中、Ｒ＿３およびＲ＿４は炭素数１〜４のアルキル
基、Ｒ＿５は水素またはアシル基を示し、ＡＬＫは炭素
数１〜４のアルキル基を示す。〕 で示されるフルフリルアルコール誘導体と反応させるこ
とを特徴とする 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） 〔式中、Ｒ＿３およびＲ＿４は炭素数１〜４のアルキル
基、ＡＬＫは炭素数１〜４のアルキル基を示す。〕で示
されるアミン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-157503A JPH013178A (ja) | 1987-06-26 | アミン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-157503A JPH013178A (ja) | 1987-06-26 | アミン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS643178A JPS643178A (en) | 1989-01-06 |
| JPH013178A true JPH013178A (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=
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