JPH01316962A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01316962A JPH01316962A JP15049588A JP15049588A JPH01316962A JP H01316962 A JPH01316962 A JP H01316962A JP 15049588 A JP15049588 A JP 15049588A JP 15049588 A JP15049588 A JP 15049588A JP H01316962 A JPH01316962 A JP H01316962A
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- electrodes
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置、特に樹脂封止形半導体装置の電
極形状に関するものである。
極形状に関するものである。
第５図〜第７図は従来のこの種半導体装置、ここで、は
インバータ用６素子入り電力用半導体モジュールを示す
図で、図において、１は絶縁性放熱基板、２は絶縁性放
熱基板１上に設けられた導電層、３はプラス側の直流入
力端子用電極、４はマイナス側の直流入力端子用電極、
５１〜５３は三相交流出力端子用電極、６１〜６３はベ
ース信号端子用電極、？１〜７３はエミッタ信号端子用
電極である。ここで直流入力端子用電極３．４、三相交
流出力端子用電極５１〜５３、ベース信号端子用電極６
１〜６３およびエミッタ信号端子用電極７１〜７３は導
電Ｆｆ！Ｉ２上にハンダ付けされている。８は電力用半
導体チップ、９は電力用半導体チップ８と導電層２を接
続するアルミワイヤである〇 この従来のものでは放熱基板１上に導電層２を設け、さ
らにその上に直流入力端子用電極３．４、三相交流出力
端子用電極５１〜５３、ベース信号端子用電極６１〜６
３、エミッタ信号端子用電極７１〜７３および半導体チ
ップ８を半田付けしチップ８と導電層２をアルミワイヤ
９で接続する。その後基板１にケースを接着しシリコン
ゲルを注入し、最後にエポキシ樹脂で封止する。
インバータ用６素子入り電力用半導体モジュールを示す
図で、図において、１は絶縁性放熱基板、２は絶縁性放
熱基板１上に設けられた導電層、３はプラス側の直流入
力端子用電極、４はマイナス側の直流入力端子用電極、
５１〜５３は三相交流出力端子用電極、６１〜６３はベ
ース信号端子用電極、？１〜７３はエミッタ信号端子用
電極である。ここで直流入力端子用電極３．４、三相交
流出力端子用電極５１〜５３、ベース信号端子用電極６
１〜６３およびエミッタ信号端子用電極７１〜７３は導
電Ｆｆ！Ｉ２上にハンダ付けされている。８は電力用半
導体チップ、９は電力用半導体チップ８と導電層２を接
続するアルミワイヤである〇 この従来のものでは放熱基板１上に導電層２を設け、さ
らにその上に直流入力端子用電極３．４、三相交流出力
端子用電極５１〜５３、ベース信号端子用電極６１〜６
３、エミッタ信号端子用電極７１〜７３および半導体チ
ップ８を半田付けしチップ８と導電層２をアルミワイヤ
９で接続する。その後基板１にケースを接着しシリコン
ゲルを注入し、最後にエポキシ樹脂で封止する。
この従来のものでは、す上のように構成されており、電
極板が樹脂に固定されているので、温度変動時に生じる
熱歪み、熱疲労などによって絶縁性放熱基板の絶縁層や
導電層が電極類の半田付部から剥がれたり、ひび割れし
、これが絶縁不良、導通不良、短絡などを引き起こす原
因となっていた。そこで第６図および第７図に示すよう
なコ字形の電極形状またはＳ字形の電極形状を採用して
いた。
極板が樹脂に固定されているので、温度変動時に生じる
熱歪み、熱疲労などによって絶縁性放熱基板の絶縁層や
導電層が電極類の半田付部から剥がれたり、ひび割れし
、これが絶縁不良、導通不良、短絡などを引き起こす原
因となっていた。そこで第６図および第７図に示すよう
なコ字形の電極形状またはＳ字形の電極形状を採用して
いた。
即ち第６図において、１１は導電１１２の上に半田付け
され一部分に電極の厚さ方向にコ字状に加工されたプラ
ス側の直流入力、１２はプラス側直流入力端子用電極１
１と同様の加工がなされたマイナス側直流入力端子用電
極、１３１〜１３３はプラス側直流入力端子用電極１１
と同様の加工がなされた三相交流出力端子用電極である
。
され一部分に電極の厚さ方向にコ字状に加工されたプラ
ス側の直流入力、１２はプラス側直流入力端子用電極１
１と同様の加工がなされたマイナス側直流入力端子用電
極、１３１〜１３３はプラス側直流入力端子用電極１１
と同様の加工がなされた三相交流出力端子用電極である
。
ここで図示しないがこれらの各電極のコ字状部をＳ字状
に形成してもよい。１４１〜１４３は同一面上でＳ字状
に形成されたペース信号端子用電極、１５１〜１５３は
ベース信号端子用電極１４１〜１４３と同様の形状に形
成されたエミッタ信号端子用電極、１Ｂはシリコンゲル
１７を介して絶縁性放熱基板１上の導電層２、半導体チ
ップ８、ワイヤ９、各電極１１゜１２．１３１〜１３３
，１４１〜１４３．１５１〜１５３等を含むエポキシ樹
１７！！Ｆである。
に形成してもよい。１４１〜１４３は同一面上でＳ字状
に形成されたペース信号端子用電極、１５１〜１５３は
ベース信号端子用電極１４１〜１４３と同様の形状に形
成されたエミッタ信号端子用電極、１Ｂはシリコンゲル
１７を介して絶縁性放熱基板１上の導電層２、半導体チ
ップ８、ワイヤ９、各電極１１゜１２．１３１〜１３３
，１４１〜１４３．１５１〜１５３等を含むエポキシ樹
１７！！Ｆである。
このように構成されたものでは、温度変動時にシリコン
ゲル１７が熱膨張し電極１２に矢印１８方向の引張り力
がかかった場合、電極１２のコ字状部が第７図口に示す
ように上方に伸びるので、電極１２と絶縁性放熱基板１
との接合部に過大な力がかかることがなくなる。
ゲル１７が熱膨張し電極１２に矢印１８方向の引張り力
がかかった場合、電極１２のコ字状部が第７図口に示す
ように上方に伸びるので、電極１２と絶縁性放熱基板１
との接合部に過大な力がかかることがなくなる。
しかし十分なベンド効果を得るにはコ字部またはＳ宇部
を長くするとと即ちダンパー長を大きくすること、コ字
部およびＳ字部の丸み半径を大きくすること等が必要で
あり、電極の長さおよび高さが大きくなる。従ってモジ
ュールの外形が大きくなり材料も多く必要である等の問
題点があった。
を長くするとと即ちダンパー長を大きくすること、コ字
部およびＳ字部の丸み半径を大きくすること等が必要で
あり、電極の長さおよび高さが大きくなる。従ってモジ
ュールの外形が大きくなり材料も多く必要である等の問
題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するなめになされ
たもので、温度変動時に樹脂に固定された電極類と絶縁
性放電基板との間に生じる歪みを吸収すると同時にコン
パクトな半導体装置を提供することを目的とする。
たもので、温度変動時に樹脂に固定された電極類と絶縁
性放電基板との間に生じる歪みを吸収すると同時にコン
パクトな半導体装置を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱基板に半導体素子と
共に取付けられる電°極の一部を電極の長さ方向に垂直
な平面内に迂回して形成し、この電極と半導体素子を放
熱基板に対して樹脂層によって封止するようにしたもの
である。
共に取付けられる電°極の一部を電極の長さ方向に垂直
な平面内に迂回して形成し、この電極と半導体素子を放
熱基板に対して樹脂層によって封止するようにしたもの
である。
この発明においては、電極の一部が長さ方向に垂直な平
面内で迂回して形成されているので、樹脂層によって固
定された電極と熱基板との間の歪みが電極の長さ方向の
寸法を大きくすることなく吸収され、絶縁不良、導電不
良、短絡などの不具合の発生を防止する。
面内で迂回して形成されているので、樹脂層によって固
定された電極と熱基板との間の歪みが電極の長さ方向の
寸法を大きくすることなく吸収され、絶縁不良、導電不
良、短絡などの不具合の発生を防止する。
以下この発明の一実施例を第１図〜第４図にもとづいて
説明する。即ち第１図〜第４図において、２１１〜２１
３は導電層２上に半田付けされ一部分が長さ方向に垂直
な平面内で０字状に加工されたベース信号端子用電極、
２２１〜２２３はペース信号端子用電極２１１〜２１３
と同様に加工されたエミッタ信号用電極である。なおそ
の他の構成は第５図〜第７図に示す従来のものと同様で
あるので説明を省略する。
説明する。即ち第１図〜第４図において、２１１〜２１
３は導電層２上に半田付けされ一部分が長さ方向に垂直
な平面内で０字状に加工されたベース信号端子用電極、
２２１〜２２３はペース信号端子用電極２１１〜２１３
と同様に加工されたエミッタ信号用電極である。なおそ
の他の構成は第５図〜第７図に示す従来のものと同様で
あるので説明を省略する。
このように構成されたものでは、電極２１１〜２１３．
２２１〜２２３は基板１に平行な面内で０字状に加工さ
れているので温度変動時にはこのＵ字状部が第４図口に
示すように伸び電極２１１の矢印１８方向の引張力を吸
収して電極２１１と絶縁性放熱基板１との間の接合部に
過大な力が加えられるのを防止する。
２２１〜２２３は基板１に平行な面内で０字状に加工さ
れているので温度変動時にはこのＵ字状部が第４図口に
示すように伸び電極２１１の矢印１８方向の引張力を吸
収して電極２１１と絶縁性放熱基板１との間の接合部に
過大な力が加えられるのを防止する。
従って電極の半田付部での絶縁不良、導電不良、短絡な
どの不具合を防ぐことができる。
どの不具合を防ぐことができる。
ここで矢印１８方向への引張り力のみに対する作用につ
いて説明したが、絶縁性放熱基板１とエポキシ樹脂１６
との間にひずみが生じ、横方′向の力が電極に加わった
り、また上方向、横方向などの合成力が電極に加わった
場合も第４図に示したと同様に電極のＵ字形加工部が変
形して、その力を吸収するので放熱基板１と電極との接
合部に過大な力が加わることがなくなる。
いて説明したが、絶縁性放熱基板１とエポキシ樹脂１６
との間にひずみが生じ、横方′向の力が電極に加わった
り、また上方向、横方向などの合成力が電極に加わった
場合も第４図に示したと同様に電極のＵ字形加工部が変
形して、その力を吸収するので放熱基板１と電極との接
合部に過大な力が加わることがなくなる。
また、この実施例においては、絶縁性放熱基板を使用し
た場合について説明したが、これらは金属ベース板上に
絶縁基板を載置したものでもよい。
た場合について説明したが、これらは金属ベース板上に
絶縁基板を載置したものでもよい。
また各端子用電極を長さ方向に垂直な平面内にらせん状
に形成してもよい。
に形成してもよい。
以上のようにこの発明による半導体装置は、電極の一部
を電極の長さ方向に垂直な平面内に迂回して形成してい
るので、電極の長さ方向の寸法を大きくすることなく、
電極と絶縁性放熱基板との間の接合部に過大な力が加わ
らず、絶縁不良、導通不良、短絡などの不具合が防止さ
れる。
を電極の長さ方向に垂直な平面内に迂回して形成してい
るので、電極の長さ方向の寸法を大きくすることなく、
電極と絶縁性放熱基板との間の接合部に過大な力が加わ
らず、絶縁不良、導通不良、短絡などの不具合が防止さ
れる。
第１図〜第４図はいずれもこの発明の一実施例を示す図
で、第１図は全体を示す分解斜視図、第２図および第３
図は要部を示す正面図、側面図、平面図、第４図は作用
説明図の要部側面図、第５図および第６図はいずれも従
来のこの種半導体装置を示す斜視図、第７図は従来のも
のの作用説明用の要部側断面図である。 図中、１は絶縁性放熱基板、２は導電層、８は半導体チ
ップ、９はアルミワイヤ、１１．１２は直流入力端子用
電極、１３１〜１３３は三相交流出力端子用ｆ！極、２
１１〜２１３はペース信号端子用電極、２２１〜２２３
はエミッタ信号端子用電極、１６はエポキシ樹脂、１７
はシリコンゲルである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
で、第１図は全体を示す分解斜視図、第２図および第３
図は要部を示す正面図、側面図、平面図、第４図は作用
説明図の要部側面図、第５図および第６図はいずれも従
来のこの種半導体装置を示す斜視図、第７図は従来のも
のの作用説明用の要部側断面図である。 図中、１は絶縁性放熱基板、２は導電層、８は半導体チ
ップ、９はアルミワイヤ、１１．１２は直流入力端子用
電極、１３１〜１３３は三相交流出力端子用ｆ！極、２
１１〜２１３はペース信号端子用電極、２２１〜２２３
はエミッタ信号端子用電極、１６はエポキシ樹脂、１７
はシリコンゲルである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体素子が取付けられた放熱基板、この放熱基板に
取付けられ、一部が長さ方向に垂直な平面内に迂回して
形成された電極、この電極と半導体素子を上記放熱基板
に対して一体に封止する樹脂層を備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049588A JPH0727992B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049588A JPH0727992B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316962A true JPH01316962A (ja) | 1989-12-21 |
| JPH0727992B2 JPH0727992B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=15498114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15049588A Expired - Lifetime JPH0727992B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727992B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP15049588A patent/JPH0727992B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727992B2 (ja) | 1995-03-29 |
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