JPH01316932A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01316932A JPH01316932A JP14875788A JP14875788A JPH01316932A JP H01316932 A JPH01316932 A JP H01316932A JP 14875788 A JP14875788 A JP 14875788A JP 14875788 A JP14875788 A JP 14875788A JP H01316932 A JPH01316932 A JP H01316932A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 9
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に光化学反応
を用いたエツチング方法に関する。
を用いたエツチング方法に関する。
し従来の技術〕
従来この種の光化学反応を用いたエツチング方法は、塩
素やフッ素の化合物であるガスに光を照射し、反応性の
ラジカル及びイオンを生成することにより半導体基板上
のアルミニウム膜等のエツチングを行っている。
素やフッ素の化合物であるガスに光を照射し、反応性の
ラジカル及びイオンを生成することにより半導体基板上
のアルミニウム膜等のエツチングを行っている。
上述した従来の光化学反応を用いたエツチング方法にお
いては、エツチング速度の方向角成分はガスの拡散速度
の方向角成分と照射光の方向角成分で決定される。第３
図は光化学反応を用いたエツチングにおけるエツチング
速度とデポジション速度の方向角依存性を模式的に示し
たものであり、破線はエツチング速度を、実線はデポジ
ション速度を示す。
いては、エツチング速度の方向角成分はガスの拡散速度
の方向角成分と照射光の方向角成分で決定される。第３
図は光化学反応を用いたエツチングにおけるエツチング
速度とデポジション速度の方向角依存性を模式的に示し
たものであり、破線はエツチング速度を、実線はデポジ
ション速度を示す。
第３図に示したように、エツチングの方向角成分は、基
板方向（方向角−〇°）のみてはなく分布に幅がある。
板方向（方向角−〇°）のみてはなく分布に幅がある。
従って、エツチング反応は基板方向のみに進行するので
はなく、基板方向以外（方向角≠０８〉にも進行する。
はなく、基板方向以外（方向角≠０８〉にも進行する。
すなわち、第４図に示すように、半導体基板１上に形成
されたアルミニウム層２をフォトレジスト膜３をマスク
にしてエツチングする場合、横方向に移動する、例えば
塩素ラジカル５によりアルミニウム層２かエツチグされ
、アンダーカットを生しる。
されたアルミニウム層２をフォトレジスト膜３をマスク
にしてエツチングする場合、横方向に移動する、例えば
塩素ラジカル５によりアルミニウム層２かエツチグされ
、アンダーカットを生しる。
このように従来の光化学反応を用いたエツチング方法で
は、被エツチング層の寸法精度や形状を良く形成できな
いという欠点がある。
は、被エツチング層の寸法精度や形状を良く形成できな
いという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、光（ヒ学反応による
ドライエツチング方法を用いる半導体装置の製造方法で
あって、エッチャントを生成するためのガス導入と光照
射とは別に、被エツチング物の側壁保護膜形成のための
カス導入と光照射とを行うものである。
ドライエツチング方法を用いる半導体装置の製造方法で
あって、エッチャントを生成するためのガス導入と光照
射とは別に、被エツチング物の側壁保護膜形成のための
カス導入と光照射とを行うものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップの断面図である。
チップの断面図である。
シリコン等からなる半導体基板１上に配線材料としてア
ルミニウム層２を１μｍの厚さにスパッタ法にて堆積し
た後、フォトレジスト膜３からなるマスクを形成する。
ルミニウム層２を１μｍの厚さにスパッタ法にて堆積し
た後、フォトレジスト膜３からなるマスクを形成する。
次に反応ガスとして塩素ガスをそして保護膜形成の為の
カスとしてエチレン・アセトンカスを同時に導入する。
カスとしてエチレン・アセトンカスを同時に導入する。
そして塩素ガスをラジカル化する波長３０８ｎｍの光４
とエチレン・アセトンガスをラジカル化する波長３００
ｎｍの光６を照射する。この光４．６の照射により塩素
ラジカル５が形成されアルミニウム層２をエツチングし
、同時に形成された（ＣＨ２）ｘラジカルが保護膜８を
形成する。
とエチレン・アセトンガスをラジカル化する波長３００
ｎｍの光６を照射する。この光４．６の照射により塩素
ラジカル５が形成されアルミニウム層２をエツチングし
、同時に形成された（ＣＨ２）ｘラジカルが保護膜８を
形成する。
この時のエツチングとデポジションの速度はそれぞれ第
３図に示したような方向角への依存性ともつため、アル
ミニウム層２の上表面では、エツチング反応が保護膜８
のデポジションに優先し、一方、エツチングされたアル
ミニウム層２の側面ては、保護膜８のデポジションがエ
ツチングに優先する。その結果第１図に示したように、
フォトレジスト膜３のエツジからアンダーカットのない
垂直なエツチングが行なわれ、寸法精度の良いアルミニ
ウム配線が得られる。
３図に示したような方向角への依存性ともつため、アル
ミニウム層２の上表面では、エツチング反応が保護膜８
のデポジションに優先し、一方、エツチングされたアル
ミニウム層２の側面ては、保護膜８のデポジションがエ
ツチングに優先する。その結果第１図に示したように、
フォトレジスト膜３のエツジからアンダーカットのない
垂直なエツチングが行なわれ、寸法精度の良いアルミニ
ウム配線が得られる。
第２図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るために工程順に配列した半導体子ンブの断面図である
。
るために工程順に配列した半導体子ンブの断面図である
。
まず第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上に配線
材料としてアルミニウム層２を０．５μｍ程の厚さにス
パッタ法により堆積させた上に、フォトレジスト膜３に
てマスクを形成する。
材料としてアルミニウム層２を０．５μｍ程の厚さにス
パッタ法により堆積させた上に、フォトレジスト膜３に
てマスクを形成する。
次に塩素ガスを導入し、３０８ｎｍの光４の照射を行な
い、第４図で説明した従来法による方向性のエツチング
を０．２５μｍ程度の深さまで行う。
い、第４図で説明した従来法による方向性のエツチング
を０．２５μｍ程度の深さまで行う。
次に第２図（ｂ）に示すように、このエツチングと並行
してエチレン・アセトンガスを導入し、３００ｎｍの光
６を照射し、第１の実施例で述べたのと同様のエツチン
グを施す。
してエチレン・アセトンガスを導入し、３００ｎｍの光
６を照射し、第１の実施例で述べたのと同様のエツチン
グを施す。
この操作により既にエツチングされたテーパーの付いた
配線上部形状は、直ちに保護膜８により保護され形状は
変化することなく、一方配線下部の形状は第１の実施例
と同じく、レジストパターンを忠実に反映する垂直とな
り最終的に上部はテーパー形状で下部は垂直な寸法の制
御性のよい配線が形成される。
配線上部形状は、直ちに保護膜８により保護され形状は
変化することなく、一方配線下部の形状は第１の実施例
と同じく、レジストパターンを忠実に反映する垂直とな
り最終的に上部はテーパー形状で下部は垂直な寸法の制
御性のよい配線が形成される。
以上説明したように本発明は、エッチャントを生成する
ためのガス導入と光照射とは別に、被エツチング物の側
壁保護膜形成用のガス導入と光照射とを行うことにより
被エツチング層の寸法精度及び形状の制御性を高めるこ
とかできるという効果がある。
ためのガス導入と光照射とは別に、被エツチング物の側
壁保護膜形成用のガス導入と光照射とを行うことにより
被エツチング層の寸法精度及び形状の制御性を高めるこ
とかできるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を説
明するための半導体チップの断面図、第３図は本発明の
詳細な説明するだめのエツチング速度とデポジション速
度の方向角依穿性を示す図、第４図は従来の半導体装置
の製造方法を説明するための半導体チップの断面図であ
る。
明するための半導体チップの断面図、第３図は本発明の
詳細な説明するだめのエツチング速度とデポジション速
度の方向角依穿性を示す図、第４図は従来の半導体装置
の製造方法を説明するための半導体チップの断面図であ
る。
Claims (1)
- 光化学反応によるドライエッチング方法を用いる半導
体装置の製造方法において、エッチャントを生成するた
めのガス導入と光照射とは別に、被エッチング物の側壁
保設膜形成のためのガス導入と光照射とを行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14875788A JPH01316932A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14875788A JPH01316932A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316932A true JPH01316932A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15459959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14875788A Pending JPH01316932A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002521814A (ja) * | 1998-07-23 | 2002-07-16 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | 異方性エッチングのための方法と装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278146A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Toshiba Corp | 光処理方法 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14875788A patent/JPH01316932A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278146A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Toshiba Corp | 光処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002521814A (ja) * | 1998-07-23 | 2002-07-16 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | 異方性エッチングのための方法と装置 |
| JP4698024B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2011-06-08 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | 異方性エッチングのための方法と装置 |
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