JPH01313862A - 超伝導コネクタ手段 - Google Patents
超伝導コネクタ手段Info
- Publication number
- JPH01313862A JPH01313862A JP63144850A JP14485088A JPH01313862A JP H01313862 A JPH01313862 A JP H01313862A JP 63144850 A JP63144850 A JP 63144850A JP 14485088 A JP14485088 A JP 14485088A JP H01313862 A JPH01313862 A JP H01313862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- connector means
- temperature
- substrate
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
超伝導コネクタ手段に関し、
酸化物超伝導体の線材と接続端子との電気的接続を取る
コネクタ手段を提供することを目的とし、形状記憶合金
で接続端子を有する基材と綿材とを挾持し、加圧すると
ともに、形状記憶合金の線材との接触部分に絶縁性樹脂
層を設けるように構成する。
コネクタ手段を提供することを目的とし、形状記憶合金
で接続端子を有する基材と綿材とを挾持し、加圧すると
ともに、形状記憶合金の線材との接触部分に絶縁性樹脂
層を設けるように構成する。
本発明は超伝導セラミックスを応用したコネクタ手段に
関するものである。
関するものである。
最近、液体窒素温度以上で超伝導を示すセラミックス材
料が発見され、これらの材料を各種の装置へ応用するた
めの研究開発が進められている。
料が発見され、これらの材料を各種の装置へ応用するた
めの研究開発が進められている。
応用の一つとして、電気機器への適用があり、超伝導素
子や回路の形成法などについて検討されている。素子や
回路の超伝導特性を生かすためには、これらを互いに電
気的に接続する部分においても超伝導を実現することが
必要となる。
子や回路の形成法などについて検討されている。素子や
回路の超伝導特性を生かすためには、これらを互いに電
気的に接続する部分においても超伝導を実現することが
必要となる。
これまで、上記のような超伝導接続をめざしたマイクロ
コネクタの例が液体ヘリウム温度で動作させるジョセフ
ソン・コンピュータの実装に見られる（たとえば、Ｓ、
に、Ｌａｈｔｒｉら、” ＰａｃｋａｇｉｎｇＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ″。
コネクタの例が液体ヘリウム温度で動作させるジョセフ
ソン・コンピュータの実装に見られる（たとえば、Ｓ、
に、Ｌａｈｔｒｉら、” ＰａｃｋａｇｉｎｇＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ″。
ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ、Ｈｙｂ
ｒｉｄｓ、ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕ−ｒｉｎｇ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ、ＣＨＭＴ−５，ｎｏ、２
（１９８２）ｐ、２７１〜２８０）。このマイクロコネ
クタは、シリコンウェハ中にキャビティを設け、その中
に水銀を充填したもので、回路基板からつき出したピン
を、この水銀へ突きさし、液体ヘリウム温度まで冷却す
ることによって、水銀を固化させピンを固定させるとと
もに電気的接続を得るものである。そして、このコネク
タにおいては、ピン−水銀−ピンの接続が行われる。こ
こで、ピンとして白金が用いられ、その先端部（水銀に
接触する部分）にはパラジウム（下地）と金から成る二
層の薄膜が形成されている（厚さは、いずれも１０００
人）。これらピン部の材料は、液体ヘリウム温度（４，
２Ｋ）において超伝導を示さないことから、ピン−水銀
−ピンの接続部全体で数百μΩ程度の抵抗があられれる
。
ｒｉｄｓ、ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕ−ｒｉｎｇ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ、ＣＨＭＴ−５，ｎｏ、２
（１９８２）ｐ、２７１〜２８０）。このマイクロコネ
クタは、シリコンウェハ中にキャビティを設け、その中
に水銀を充填したもので、回路基板からつき出したピン
を、この水銀へ突きさし、液体ヘリウム温度まで冷却す
ることによって、水銀を固化させピンを固定させるとと
もに電気的接続を得るものである。そして、このコネク
タにおいては、ピン−水銀−ピンの接続が行われる。こ
こで、ピンとして白金が用いられ、その先端部（水銀に
接触する部分）にはパラジウム（下地）と金から成る二
層の薄膜が形成されている（厚さは、いずれも１０００
人）。これらピン部の材料は、液体ヘリウム温度（４，
２Ｋ）において超伝導を示さないことから、ピン−水銀
−ピンの接続部全体で数百μΩ程度の抵抗があられれる
。
前記文献では、回路の伝送特性の点から、この程度の抵
抗値は実用上無視できうろことが記述されている。この
ように、コネクタを４．２にという極低温で使用する場
合には、構成材料の抵抗が非常に低くなることから、構
成材料は超伝導体でなくてもよい。
抗値は実用上無視できうろことが記述されている。この
ように、コネクタを４．２にという極低温で使用する場
合には、構成材料の抵抗が非常に低くなることから、構
成材料は超伝導体でなくてもよい。
しかしながら、超伝導セラミックスを応用した機器は、
液体窒素温度かあるいはそれ以上の温度で使用されるの
で、コネクタの構成材料の抵抗が無視できなくなる。た
とえば、白金の電気抵抗率は、８０Ｋにおいて約１．９
μΩ−印と、ＩＯＫでの値（０，００２９μΩ−ロ）の
６５０倍以上にもなる（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎ５ｔｉ
ｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、
ｐ、９−４１）。これは、コネクタの接続部の抵抗を、
無視できないほどに増加させる。このため、液体窒素温
度あるいはそれ以上の温度で使用するコネクタにおいて
は、接続部を構成する材料が使用温度で超伝導を示すか
、あるいは無視できるほど低い抵抗を示すことが不可欠
であり、しかも、その接触も超伝導接触、あるいはそれ
に近い接触を実現できるものでなくてはならない。すな
わち、接触抵抗を数百μΩオーダー以下にすることが必
要となる。以後、このように接触抵抗が低い接続を超伝
導接続と記し、このときの接触を超伝導接触と記す。
液体窒素温度かあるいはそれ以上の温度で使用されるの
で、コネクタの構成材料の抵抗が無視できなくなる。た
とえば、白金の電気抵抗率は、８０Ｋにおいて約１．９
μΩ−印と、ＩＯＫでの値（０，００２９μΩ−ロ）の
６５０倍以上にもなる（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎ５ｔｉ
ｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、
ｐ、９−４１）。これは、コネクタの接続部の抵抗を、
無視できないほどに増加させる。このため、液体窒素温
度あるいはそれ以上の温度で使用するコネクタにおいて
は、接続部を構成する材料が使用温度で超伝導を示すか
、あるいは無視できるほど低い抵抗を示すことが不可欠
であり、しかも、その接触も超伝導接触、あるいはそれ
に近い接触を実現できるものでなくてはならない。すな
わち、接触抵抗を数百μΩオーダー以下にすることが必
要となる。以後、このように接触抵抗が低い接続を超伝
導接続と記し、このときの接触を超伝導接触と記す。
本発明は、超伝導セラミック材料を用いて回路を配線し
た基板と、線材あるいはこれをフラットケーブル化した
ものとを接合するコネクタ手段を提供しようとするもの
である。
た基板と、線材あるいはこれをフラットケーブル化した
ものとを接合するコネクタ手段を提供しようとするもの
である。
本発明は、上記目的を達成する手段として、基材上に形
成された超伝導膜からなる接続端子に対して超伝導線材
又はこれを複数並べたフラットケーブルを接触させて、
これらを挟持し、加圧することによって電気的接続を取
るコネクタ手段であって、該コネクタ手段が形状記憶合
金からなり、その形状記憶効果によって上記挟持及び加
圧作用を行ない、かつコネクタ手段の少なくとも上記超
伝導線材又はフラットケーブルと接触する部分に電気絶
縁性樹脂層を有することを特徴とする超伝導コネクタ手
段を提供する。
成された超伝導膜からなる接続端子に対して超伝導線材
又はこれを複数並べたフラットケーブルを接触させて、
これらを挟持し、加圧することによって電気的接続を取
るコネクタ手段であって、該コネクタ手段が形状記憶合
金からなり、その形状記憶効果によって上記挟持及び加
圧作用を行ない、かつコネクタ手段の少なくとも上記超
伝導線材又はフラットケーブルと接触する部分に電気絶
縁性樹脂層を有することを特徴とする超伝導コネクタ手
段を提供する。
本発明による原理図を第１図に示す。回路基板１の表面
には、超伝導ペーストを用いて回路２を形成しており、
基板の端部には、接続端子３が設けられている。そして
、この接続端子３にて、超伝導セラミック材料で作製し
た超伝導線材４あるいはこれを複数並べたフラットケー
ブルと接合する。本発明は、この接合に用いる器具に関
するもので、この器具を、広い意味でコネクタ手段と言
う。このコネクタ手段は、形状記憶合金（以下、ＳＭＡ
と記す）をベース材５とし、これに弾性のある絶縁性の
樹脂層６を形成しであることを特徴とする。ＳＭＡ製ベ
ース材の間隔は室温において広く、温度をたとえば液体
窒素温度まで下げると間隔がせまくなる。このことから
、室温において、前記の基材と線材もしくはケーブルを
つき合せ、これにコネクタ手段をはめ込み、しかる後に
、温度を下げると両者が強い力で押えつけられることに
なり、超伝導接続が実現できる。
には、超伝導ペーストを用いて回路２を形成しており、
基板の端部には、接続端子３が設けられている。そして
、この接続端子３にて、超伝導セラミック材料で作製し
た超伝導線材４あるいはこれを複数並べたフラットケー
ブルと接合する。本発明は、この接合に用いる器具に関
するもので、この器具を、広い意味でコネクタ手段と言
う。このコネクタ手段は、形状記憶合金（以下、ＳＭＡ
と記す）をベース材５とし、これに弾性のある絶縁性の
樹脂層６を形成しであることを特徴とする。ＳＭＡ製ベ
ース材の間隔は室温において広く、温度をたとえば液体
窒素温度まで下げると間隔がせまくなる。このことから
、室温において、前記の基材と線材もしくはケーブルを
つき合せ、これにコネクタ手段をはめ込み、しかる後に
、温度を下げると両者が強い力で押えつけられることに
なり、超伝導接続が実現できる。
なお、この接続方式は、先に開示した特願昭６３−９３
３５２号明細書の実施例の結果に基づいて考案したもの
である。
３５２号明細書の実施例の結果に基づいて考案したもの
である。
実土±土
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミツク製の棒状試験片を直角
に交差させ、これらに力Ｆを加えつつ抵抗を測定し、こ
のときの測定値を接触抵抗とした。
に交差させ、これらに力Ｆを加えつつ抵抗を測定し、こ
のときの測定値を接触抵抗とした。
測定原理を第２図に示す。図中、１１は定電流電源、１
２は電圧計、１３は棒状試験片である。なお、超伝導セ
ラミックのＹ、Ｂａ、Ｃｕの組成比は１：２：３ （モ
ル比）とした。上記の２本の試験片は、それぞれ、液体
窒素温度において、数μΩ程度の非常に低い抵抗値を示
すこともあらかじめ確認した。試験装置を液体窒素中に
浸し、押しつける力（接触力と記す）を増加させつつ接
触抵抗の変化を測定した結果を第３図に示す。図には、
接触抵抗が数百μΩ程度以下になったとき以降の測定値
を示しである。接触力がＩ Ｋｇｆでほぼ２００μΩの
接触抵抗を示し、２ Ｋｇｆでほぼ５μΩの接触抵抗と
なる。すなわち、超伝導セラミック類の接続端子（基板
側）と線材とを、上記の程度の力で互いに押さえつけれ
ば、超伝導接続が得られることになる。
２は電圧計、１３は棒状試験片である。なお、超伝導セ
ラミックのＹ、Ｂａ、Ｃｕの組成比は１：２：３ （モ
ル比）とした。上記の２本の試験片は、それぞれ、液体
窒素温度において、数μΩ程度の非常に低い抵抗値を示
すこともあらかじめ確認した。試験装置を液体窒素中に
浸し、押しつける力（接触力と記す）を増加させつつ接
触抵抗の変化を測定した結果を第３図に示す。図には、
接触抵抗が数百μΩ程度以下になったとき以降の測定値
を示しである。接触力がＩ Ｋｇｆでほぼ２００μΩの
接触抵抗を示し、２ Ｋｇｆでほぼ５μΩの接触抵抗と
なる。すなわち、超伝導セラミック類の接続端子（基板
側）と線材とを、上記の程度の力で互いに押さえつけれ
ば、超伝導接続が得られることになる。
ここで、この押えつける力を与える方法として、ＳＭＡ
を使う利点は、小型化できることである。
を使う利点は、小型化できることである。
すなわち、ＳＭＡでは自身の変形により力を発生させる
ので、他に何ら付加装置を必要としないので、小型化が
可能となる。しかも、基板と線材とを重ねる際に、ＳＭ
Ａコネクタ手段の間隔が広いことから、無挿抜力となる
。
ので、他に何ら付加装置を必要としないので、小型化が
可能となる。しかも、基板と線材とを重ねる際に、ＳＭ
Ａコネクタ手段の間隔が広いことから、無挿抜力となる
。
ところで、この方式で問題となるのは、多数の線材を同
時に押えつける際に、線径や接続端子厚さのばらつきに
よって、十分に加圧されない部分が生ずることである。
時に押えつける際に、線径や接続端子厚さのばらつきに
よって、十分に加圧されない部分が生ずることである。
このため、本発明では、ＳＭＡ表面にいくらか弾性を有
する樹脂層を形成し、その弾力を利用して、前記のばら
つきの影響を無くすることを可能にした。
する樹脂層を形成し、その弾力を利用して、前記のばら
つきの影響を無くすることを可能にした。
実施±１
先に特願昭６２−１１０７１８号明細書に開示した超伝
導ペーストを用いて、アルミナ基板２１上に超伝導回路
２２を形成し、基板端部には接続端子を形成した。超伝
導セラミック材料は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系で、Ｙ：Ｂ
ａ ：Ｃｕ ＝１：２：３ （モル比）のものを用い
た。また、同一組成の棒２３を作製した。
導ペーストを用いて、アルミナ基板２１上に超伝導回路
２２を形成し、基板端部には接続端子を形成した。超伝
導セラミック材料は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系で、Ｙ：Ｂ
ａ ：Ｃｕ ＝１：２：３ （モル比）のものを用い
た。また、同一組成の棒２３を作製した。
別に、第１図及び第４図に示す形状（馬蹄形）のＮｉ−
５０％Ｔｉ合金製のコネクタ手段２４を作製し、この表
面にシリコーン系樹脂２５を厚さ１００１Ｍ被覆させた
。
５０％Ｔｉ合金製のコネクタ手段２４を作製し、この表
面にシリコーン系樹脂２５を厚さ１００１Ｍ被覆させた
。
前記の基板上の接続端子部に超伝導セラミック類の棒２
３を置き、これらにコネクタ手段２４を差し込み、液体
窒素中に浸漬し、第４図のような部分の電気抵抗を測定
したところ（図中２６は電流計である）、１００μΩ以
下の値が得られ、本発明の効果を確認できた。なお、第
４図（ア）は側面図、（イ）は平面図である。
３を置き、これらにコネクタ手段２４を差し込み、液体
窒素中に浸漬し、第４図のような部分の電気抵抗を測定
したところ（図中２６は電流計である）、１００μΩ以
下の値が得られ、本発明の効果を確認できた。なお、第
４図（ア）は側面図、（イ）は平面図である。
ここで、ＳＭＡの組成を変えることによって、加圧でき
る温度を調整できる。ＳＭＡの組成はコネクタ手段を適
用する温度範囲によって、適宜法めればよく、特に限定
されない。
る温度を調整できる。ＳＭＡの組成はコネクタ手段を適
用する温度範囲によって、適宜法めればよく、特に限定
されない。
本発明によれば、液体窒素温度あるいはそれ以上の温度
で用いる超伝導材料からなる線材又はケーブルと接続端
子との間の電気的接続を取るのに適したコネクタ手段を
得ることができる。
で用いる超伝導材料からなる線材又はケーブルと接続端
子との間の電気的接続を取るのに適したコネクタ手段を
得ることができる。
第１図は本発明の原理を示す概念図、第２図及び第３図
は超伝導セラミック間の接続抵抗を測定する様子とその
結果を示す図、第４図は本発明の実施例における抵抗測
定の様子を示す図である。 ■・・・回路基板、 ２・・・回路、３・・・
接続端子、 ４・・・超伝導線材、５・・・Ｓ
ＭＡベース材、 ６・・・絶縁性樹脂層。 本発明の原理図 第１図 （ア） （イ） 実施例
は超伝導セラミック間の接続抵抗を測定する様子とその
結果を示す図、第４図は本発明の実施例における抵抗測
定の様子を示す図である。 ■・・・回路基板、 ２・・・回路、３・・・
接続端子、 ４・・・超伝導線材、５・・・Ｓ
ＭＡベース材、 ６・・・絶縁性樹脂層。 本発明の原理図 第１図 （ア） （イ） 実施例
Claims (1)
- １、基材上に形成された超伝導膜からなる接続端子に対
して超伝導線材又はこれを複数並べたフラットケーブル
を接触させて、これらを挾持し、加圧することによって
電気的接続を取るコネクタ手段であって、該コネクタ手
段が形状記憶合金からなり、その形状記憶効果によって
上記挟持及び加圧作用を行ない、かつコネクタ手段の少
なくとも上記超伝導線材又はフラットケーブルと接触す
る部分に電気絶縁性樹脂層を有することを特徴とする超
伝導コネクタ手段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144850A JPH01313862A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 超伝導コネクタ手段 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144850A JPH01313862A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 超伝導コネクタ手段 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313862A true JPH01313862A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15371870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63144850A Pending JPH01313862A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 超伝導コネクタ手段 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01313862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416875U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-12 | ||
| JPH0416876U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-12 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147577A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-26 | ||
| JPS62229673A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-10-08 | 古河電気工業株式会社 | ケミカルコネクタの補強接続部 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63144850A patent/JPH01313862A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147577A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-26 | ||
| JPS62229673A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-10-08 | 古河電気工業株式会社 | ケミカルコネクタの補強接続部 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416875U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-12 | ||
| JPH0416876U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6337575B1 (en) | Methods of testing integrated circuitry, methods of forming tester substrates, and circuitry testing substrates | |
| TW201114001A (en) | Microelectronic assembly with impedance controlled wirebond and reference wirebond | |
| TW201107758A (en) | Probe card | |
| Beiley et al. | A micromachined array probe card-characterization | |
| JPH01313862A (ja) | 超伝導コネクタ手段 | |
| US3111352A (en) | Superconductive solderless connector | |
| TW514726B (en) | Sample assembly for thermoelectric measuring instrument | |
| US3292128A (en) | Semiconductor strain sensitive devices | |
| JP3268749B2 (ja) | Ｉｃソケット | |
| JPH0666834A (ja) | プローブ装置 | |
| Okeil et al. | High throughput apparatus for semiconductor device characterization in a magnetic field at extreme high temperatures | |
| JPH06163255A (ja) | 超電導電流接続部 | |
| US20050137092A1 (en) | Superconductive contacts with hydroxide-catalyzed bonds that retain superconductivity and provide mechanical fastening strength | |
| Beiley et al. | Micro-machined array probe card | |
| KR20000059158A (ko) | 프로브, 프로브 카드 및 프로브의 제조 방법 | |
| KR20000059206A (ko) | 수직 동작형 프로브 및 프로브 카드 | |
| JPS59148345A (ja) | Ｌｓｉチツプ測定用プロ−バ− | |
| JPS5616820A (en) | Level indicator element | |
| CN212459936U (zh) | 一种半导体陶瓷电容器击穿电压的测试夹具 | |
| JPH0353415A (ja) | 超電導線材 | |
| JPS5992584A (ja) | 超電導薄膜機能集積回路素子の電気信号特性試験装置 | |
| JPS63122140A (ja) | 半導体素子検査装置及びその製法 | |
| TW200402136A (en) | Semiconductor device having pad electrode connected to wire | |
| JPH01265466A (ja) | 超伝導コネクタ | |
| JP2549684B2 (ja) | 酸化物系超電導線の接続方法 |