JPH01308030A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミックス基板、金属基板あるいは有機物
基板上のリフトオフ法によるパターン形成方法に関する
。

〔従来の技術〕

リフトオフ法によって、ビットの多いセラミックス基板
、あるいは金属基板、あるいは有機物基板（以下単に基
板という）上にパターンを形成する場合、上記基板上に
フォトレジストまたは電離放射線レジスト（以下単にレ
ジストという）を塗布し、プリベージ後、これを露光し
、その後現像することによって基板上に逆テーパー型の
レジストパターンを形成し、ボストベーキングを行い、
パターンを硬化させ耐熱性を持たせる０次にこの基板に
金属あるいは無機化合物あるいは有機化合物を、スパッ
タ法、あるいは蒸着法、あるいはＣＶＤ法によって成膜
し、最終的にレジストパター、ン部分を剥離することに
よってパターンを形成している。

レジストを基板に塗布する方法には、スピンコーティン
グ法、ローフレコーチインク法、デイツプ法、スプレィ
コーティング、単分子膜コーテイフグ法、真空蒸着法、
スパッタ法、イオンブレーティング法があるが、簡単で
しかも均一な薄膜を得ることができるスピンコーティン
グ法がリフトオフ法では一般的に用いられている。この
スピンコーティング法では、リフトオフ法の場合、レジ
ストを比較的、厚く塗布しなければならないために、高
粘度のレジストを塗布している。そのため基板表面のピ
ントは、レジストによって埋まらずに、ビットの空間を
残した状態で成膜されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来のリフトオフ法で、ピントの多い基板上にパタ
ーンを形成する場合、ピ・ノド部が埋まらずに基板表面
にレジストが塗布されてしまうために、レジストパター
ン形成後スパッタあるいは１着あるいは気相成長法（Ｃ
Ｖ　Ｄ）によってパターンを形成する際に、真空中でし
かも熱が加わるために、レジストパターンに覆われたビ
ット中の気体が膨張し、レジストパターンを破壊または
変形させ、それによってレジスト剥離後のパターンが変
形したり、設計した場所以外にパターンが形成されたり
するという問題点がある。

また、レジストパターン形成後のポストヘーク加熱処理
と、スパッタあるいは蒸着あるいはＣｖＤの真空中の加
熱によりレジストパターンが硬化し、剥離が困難あるい
は不可能になるという問題点もある。

〔課題点を解決するための手段〕

本発明は、基板とレジスト層との間に有機層を設け、そ
の有機層で基板のピントを埋め、さらにその有機層に剥
離が容易である高分子化合物を用いることにより、スパ
ッタあるいは蒸着あるいはＣＶＤによるパターン形成時
のビット中の気体の膨張によるレジストパターンの破壊
あるいは変形を防止し、最終工程のレジストパターン部
分の剥離を容易にすることができる。以下、本発明につ
いて詳細に説明する。

ピントの多いセラミックス基板上あるいは金属基板上、
あるいは有機物基板上に比較的低粘度の高分子化合物を
、ピントがよく埋まるように、超音波で基板を振動させ
ながらスピンコーティング法で成膜し有機層を形成する
。

この有機層に用いること力咄来る高分子化合物にはポリ
メチルメタクリレート、ポリグリシジルメタクリレート
、ポリ−α−クロロトリフルオロエチルメタクリレート
、ポリ酢酸ビニル、ポリへキサフルオロプロピルメタク
リレート、ポリビニルアセクール、ポリビニルブチラー
ド、ポリセパシル−３−アミノベルハイドロアセピン、
ポリセパシルピペラジン、ポリセパシルトランス　２゜
５−ジメチルピペラジンなどがあげられる。

次に上記有機層を各高分子化合物固有のヘーキング温度
で熱処理し、安定化した後、その有機層上にフォトレジ
ストまたは電離放射線レジストを塗布し、ブリヘークを
行う。フォトレジストまたは電離放射線レジストとして
は、例えばノボランク系フォトレジスト、環状ゴム系フ
ォトレジスト、ポリ桂皮酸ビニル系フォトレジスト、ポ
リメチルイソプロパニルケトン電子線レジスト、ポリト
リフルオロエチル−α−クロロアクリレート電子線レジ
ストなどがあげられる。

次に上記レジスト成膜後の基板を、紫外線、遠紫外線、
電子線あるいはＸ線で露光し、その後各レジストの専用
現像液で上層レジスト部分を現像し、所定の温度でポス
トベークし、レジストパターンを形成する０次に上層の
レジストのパターン形成によって露出した下層の有機層
部分を、レジストパターンをマスクとして遠紫外線で露
光し現像することにより、あるいはドライエツチングに
より除去する０次に従来のリフトオフ法と同様にスパッ
タあるいは蒸着あるいはＣＶＤのいずれかの成膜方法に
より成膜し、最終的に超音波洗浄話中の剥離液に浸漬さ
せレジストパターン部分を剥離して、リフトオフパター
ンを形成する。剥離液にはアセトン、メチルイソブチル
ケトン、クロロベンゼン、アルコール、エタノールアミ
ンなどを用いることができる。

〔作用〕

本発明のリフトオフ法によるパターン形成方法は、基板
とレジスト層の間にビットを埋めるための有機層を設け
、その有機層が剥離が容易であることから、スパック、
蒸着あるいはＣＶＤによる成膜時の減圧、加熱雰囲気下
において、レジストによって覆われたビット中の気体が
膨張し゛ζレジストを破壊あるいは変形させてしまうと
いう問題点をなくす作用と、ボストベークや、成１１り
時の減圧、加熱によりレジストパターンが硬化し、最終
的なレジスト剥離工程で剥離が困難あるいは不可能にな
るという問題点をなくす作用を有する。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明す
る。

第１図の（ａ）に示すような、大きさが数ミクロンのビ
ットｐが多く存在するＳｉＣセラミ、ラス基板ｌ上に、
エチル上１．１ソルブアセテートで希釈したＰＭＭＡ　
（東京応化工業（株）製　０ＥＢＲ−１０００）を、超
音波でセラミックス基板１を振動させながらスピンコー
ティングで成膜し、１９０℃、３０分間ヘーキングして
膜厚０．５μｍの有ａ層２を得た（ｂ図）。

次に、Ｃ図に示すように、この有ｉ層２上にフォトレジ
ストＡＺ１３５０Ｊ　　（へキストジャパン（株）製〕
を回転数１１００Ｏｒｐでスピンコーティングし、９０
℃、３０分間プリベークし、膜厚３μｍのレジスト膜３
を得た。次に波長４３０ｎｍにおいて６ｍＷ／−の紫外
線４を用いて最小線幅５０μｍのフォトマスクで密着露
光し、その後専用現像液Ａ２３１２ＭＩＦ　Ｃへキスト
ジャパン（株）製〕を水で２倍に希釈し、２５℃現像液
中で２分間現像して、その後１００℃、３０分間ポスト
ベークし、ｄ図に示すように、逆テーパー型のレジスト
パターン３′を形成した。

次に、上記レジストパターン形成後の基板全面に波長２
２０ｎｍにおいて１５ｍＷ／ｃｆｆｌの遠紫外線５を６
０秒間（ｄ）のように−括露光しモノクロルヘンゼン系
の有機溶剤現像液で現像して、ｅ図に示すように、露出
部のＰＭＭＡ有機層２を除去した。

次にスパッタ法により、１図に示すように、チタン６を
厚さ１．２μｍ成膜した０次に、超音波洗浄器を用いた
アセトン剥ｍｅ、中に上記チタンスパッタ後の基板を入
れ、５分間浸漬させ、レジストパターン部分を剥離し、
ｇ図に示すような最小線幅５０μｍのチタンパターン６
を形成した。

（発明の効果〕 本発明のリフトオフによるパターン形成方法はピントの
多いセラミック基板、金属基板、あるいは有機物基板上
に、リフトオフパターンを形成する際に、蒸着あるいは
スパッタあるいはＣＶＤによる成膜時の減圧、加熱雰囲
気下においてピント中の気体の膨張によるレジストパタ
ーンの破壊あるいは変形を防止することができるため、
設計値に近い正確なパターンを形成できる。

また、レジストパターン部分の剥離が容易になることか
ら剥離後のレジスト残り、あるいは剥離不可能になるこ
とを防止することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）、（ロ）の（ａ）〜（ｇ）は本発明による
リフトオフパターン形成方法の工程の１例を示す断面模
式図である。 ！・・・セラミックス基板、２・・・有機層、２′・・
・有機層パターン、３・・・レジスト層、３′・・・レ
ジストパターン、４・・・を離放射線、５・・・ｔＡ１
放射線、６・・・リフトオフパターン。 出　願　人　　　大日本印刷株式会社 代理人弁理士　　白井博樹（外４名） 第１図（イ） Ｐ 第１図（ロ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ビットの多い基板上にリフトオフ法によりパター
   ンを形成する工程において、基板とフォトレジストまた
   は電離放射線レジストとの間にビットを埋めるための有
   機層を設ける工程と、その有機層の塗布に超音波で基板
   を振動させながらスピンコーティングする工程と、フォ
   トレジストまたは電離放射線レジストパターン形成後に
   、それをマスクにして露光、現像により、またはドライ
   エッチングにより露出部の有機層を除去する工程と、基
   板露出部にパターンを形成した後、有機層を剥離する工
   程とからなることを特徴とするパターン形成方法。