JPH01307763A

JPH01307763A - 支持体ホルダーの処理方法

Info

Publication number: JPH01307763A
Application number: JP63138873A
Authority: JP
Inventors: Tatsuyuki Aoike; 達行青池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1988-06-06
Filing date: 1988-06-06
Publication date: 1989-12-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は非単結晶質シリコン系光受容部材の製造に用い
られる支持体ホルダーの処理方法に関する。

〔従来の技術〕

円筒状支持体上に気相成長法により非単結晶質シリコン
系光受容層を形成するに際しては、支持体を真空容器内
に運搬、保持する必要があること、並びＫたとえば特公
昭６１−５３４３２号等に開示されている如く、その特
性の均一性を得るという目的で支持体上下に補助基体を
設ける必要があること等の理由から、円筒状支持体内部
に支持体ホルダーを挿入することが一般的である。

この支持体ホルダーは上記のごとく支持体の運搬、放電
の均−化等のいくつかの機能を有することからそれ自体
の構成に攬々の工夫があり、そのために値段も安くなく
、毎回の成膜毎に使い捨てるというわけにはいかず、従
って繰り返し使用するというのが必然となる。

第１図に非単結晶質シリコン系光受容部材形成用の支持
体１０２とその支持体ホルダー１０１（以下、これらを
合せて支持体部材１００と称する）の断面図の代表的な
例を示す。

膜形成に際しては、支持体部材１００は普通まず運搬用
取っ手１０３をチャックされ、昇降装置などで成膜装置
内に移動され１次に装置内の受は台などに支持体ホルダ
ー下端部１０４が接するような形で置かれる。次に所定
の操作を経て非結晶質シリコン系光受容膜が形成される
が、その際、少なくとも放電空間に直接さらされる部分
（少なくとも第１図中の斜線部分）は支持体ホルダー１
０１といえども支持体１０２上に堆積する膜と略同量の
膜が形成され、さらには支持体ホルダー内面１０５にも
無視し得ない量の膜が形成される。これらの膜はいづれ
Ｖｉ膜脱落、特に成膜中にそれが脱落した場合には、非
結晶質シリコン系受容層に付着して画像欠陥となる場合
があるため、何らかの方法で少なくとも数回の成膜に一
回、望ましくは毎回、支持体ホルダー１０１表面に堆積
した膜を取り除いて、支持体ホルダー１０１を再生する
工程が必要である。このような再生方法としては、従来
から次に示すような数種の方法が用いられてきた。

■　酸又はアルカリ水溶液などに浸漬して湿式エツチン
グ処理を行う方法。

■　液体ホーニング、乾式！ラスト処理などのピーニン
グ処理を行う方法。

■　旋盤、フライスなどによる切削処理を行う方法。

これらのうち、■、■の方法が処理の簡便さから従来一
般に用いられている。

しかしながら、たとえば■はエツチング用の薬剤に水溶
液を使用するため、取扱が煩雑で、支持体ホルダー１０
１表面での薬剤の残留による非単結晶質シリコン系光受
容膜へのコンタミネーションに注意する必要があり、支
持体ホルダー１０１自体がエツチングされないように、
支持体ホルダー１０１の材質等に注意する必要があるた
め、量産をするに当って管理に大きな負荷がかかるとい
う問題点があった。また、■はコンタミネーションの心
配がないものの複数の支持体ホルダー１０１を同時に処
理するのが困難なこともあって、処理速度が遅いという
問題点があり、またそれを速くしようとすると、吐出圧
を高めたり、尖った形状のビーズを用いたり必要がある
が、これらはいづれも支持体ホルダー１０１を変形させ
たり、削って寿命を縮めたりという弊害が生じるという
問題点があった。さらには支持体ホルダーの内面１０５
等のピーニング処理がされづらい部分があるため、膜が
残って歩留りが落ちたり、それを完全に取り去るのに処
理時間がさらにかかってしまうという゛問題点があった
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、非単結晶質シリコン系光受容部材形成
用の治具である支持体ホルダーの再生方法を提供するこ
とにある。

〔発明の構成〕

本発明は非単結晶質シリコン系光受容部材の製造に用い
られる支持体ホルダーの処理方法において、非単結晶質
シリコン系物質が付着した支持体ホルダーをＣ２Ｆ３を
用いて処理することを特徴とする。

本発明の製造方法を行なうことにより、支持体ホルダー
を複数本同時に再生処理することが可能でめり、また処
理速度も早いため、多数の支持体ホルダーの再生処理を
能率的に行なうことができ、その工程に必要な時間を大
巾に短縮できるので、非単結晶質シリコン系光受容部材
の製造における量産性をよシー層高めることができる。

また、気体を用いる乾式エツチングのために、支持体ホ
ルダー内面も外面と同様に容易に再生処理され、膜が残
ることがないので、非単結晶質シリコン系元受容部材の
製造における歩留ｐｔ南向上せることができる。さらに
は、エツチング用の薬剤に気体金層いるために、乾式エ
ツチング処理後に支持体ホルダー表面に吸清し九薬剤を
簡単に洗浄することが可能であり、″！九エツチング用
のガス及びエツチング処理によフ発生したガスのガス処
理装置は、成膜工程における成膜用ガスのガス処理装置
と浅層ができるため、設備投資の費用が少なくてすみ、
非単結晶質シリコン系光受容部材の製造における管理の
負荷が少なく能率的である。

本発明の非単結晶質シリコン系光受容部材の製造方法の
一例の概略を以下に図面に従りて説明する。

第５図に本発明による非単結晶質シリコン系光受容部材
の製造工程における手順の一例を示す。

まず、従来からの一般的方法により、支持体ホルダーを
用いて非単結晶質シリコン系光受容部材の形成を行う。

次に、その形成に用いた支持体ホルダーの表面に堆積し
た非結晶質シリコン系光受容膜を、　Ｃ１Ｆ、ガスを用
いた乾式エツチング処理により取除き、支持体ホルダー
の再生を行う。次に再生された支持体ホルダーを用いて
非単結晶質シリコン系光受容部材の形成を行い、これら
の工程を連続的に繰り返す。

ＣＬＦ、ガスは非単結晶質シリコン系光受容膜の主成分
であるシリコン（ｓｌ）原子と容易に反応して主に５Ｉ
Ｘ４ガス（Ｘ＜ｔ、Ｆ）となるため、支持体ホルダー表
直に堆積した非単結晶質シリコン系光受容膜＠　ＣｔＶ
３ガスにさらすことにより、容易に乾式エツチング処理
を行うことが可能となる。

第２図に、第５図に示した本発明によるＣ１Ｆ’、ガス
を用いた乾式エツチング処理による支持体ホルダーの再
生工程に用いる処理装置２００の一例を示す。

図中２０１は真空容器を兼ねた処理室であシ。

ＱＩＪングによりシールされた上蓋２０２’ｉ開閉する
ことＫよシ、支持体ホルダー２１１を出し入れする。処
理室２０１内のガスは真空ポンプ２０３によシ排気され
、排気されたがスは不図示のガス処理装置によシ処理さ
れる。

図中の２２１，２２２のがス〆ンベには、本発明の再生
工程に必要なガスが密封されておシ。

２２１はＡｒｆｆスで希釈されたＣ４Ｆ３ガス（以下。

「ＣＬＦｓ　／　Ａｒ　Ｊと略記する）ボンベ、２２２
はＡｒガスゲンベである。また、あらかじめ、処理装置
２００にガスボンベ２２１．２２２′ｆｒ：取付ける際
に、各々のガスを、パルプ２３１から流入パルプ２５工
、パルプ２３２から流出パルプ２０８のガス配管内に導
入しである。まず、ガスボンベ２２１よりＣｌＦ５　／
　Ａｒ　ガス、がスデンペ２２２よりＡｒガスを、パル
プ２３１，２３２を開けて導入し、圧力調整器２４１，
２４２により各ガス圧力を２ｋｇ／　ｃａｒ２１ｃ調整
する。次に、流入パルプ２５１．流出パルプ２０７が閉
じられていることを確認し、流出パルプ２０８．補助パ
ルプ２０６を徐々に開けて、処理室２０１内にＡｒがス
を処理室２０１内が天気圧になるまで導入し、流出パル
プ２０８．補助パルプ２０６を閉じる。次に上蓋２０２
を開けて所望の本数の支持体ホルダー２１１を処理室２
０１内の受台２１６上に設置し、上蓋２０２を閉じる。

次に、流入パルプ２５１．流出パルプ２０８、上蓋２０
２が閉じられていることを確認し、また流出パルプ２０
７．補助パルプ２０６を開けてから、メインパルプ２０
４を開いて真空ポンプ２０３により処理室２０１及びガ
ス配管内を排気する。次に真空計２０５の読みが約ｌＸ
ｌ０　”Ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ２０６．流
出パルプ２０７を閉じる０次に、流入パルプ２５１を徐
々Ｋ　開ケチＣｔＦｓ　／Ａｒがスをマスフローコント
ローラー２６１内に導入する。次に流出パルプ２０７及
び補助パルプ２０６を徐々に開いてＣＬＦｓ　／　Ａｒ
ガスを処理室２０１内に流入させる。このとき、ＣｌＦ
５／Ａｒガス流量が所望のがス流量となるようにマスフ
ローコントロー５−２６１　テ１ｌｌｌ整ｔ　；ｂ。

次に、処理室２０１内の圧力を所望の圧力となるように
真空計２０５を見ながら真空ポンプ２０３の排気速度を
調整し、支持体ホルダー２１１の表面に堆積した非単結
晶質シリコン系光受容膜の乾式エツチング処理を開始す
る。その後、所望の時間が経過したところで、流出パル
プ２０７を閉じて処理室２０１内へのＣＬＦｓ／Ａｒｆ
！スの流入を止め。

乾式エツチング処理を終える。次に、真空計２０５の読
みが約Ｉ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒになった時点でメイン
パルプ２０４を閉じ、流入パルプ２５１．流出パルｆ２
０７が閉じられていることを確認し、流出パルプ２０Ｂ
を徐々に開けて処理室２０１内にＡｒがスを処理室２０
１内が大気圧になるまで導入し。

流出パルプ２０８．補助パルプ２０６を閉じる。

次に上蓋２０２を開けて支持体ホルダー２１１を処理室
２０１内から取出し、支持体ホルダー２１１の再生工程
を終える。なお、必要に応じて乾式エツチング処理の終
了後、゛支持体ホルダー２１１を取り出す前に処理室２
０１内のＡｒ−ジ処理を公知の方法で行う。

第３図に本発明の再生工程に用いる処理装置２７０の別
の例を示す。なお、第２図と共通な部分については図示
していない。図中２１２はガス噴出口２１３を有するが
ス放出管であり、支持体ホルダー２１１の内側に位置す
る。２１４は支持体ホルダー２１１の受台であり、ガス
流出口２１５を有することにより、ガス放出管２１２よ
り放出されたガスは、支持体ホルダー２１１内よりガス
流出口２１５を通って処理室２０１内に流出する。

支持体ホルダー２１１を処理室２０１内に設置する際に
、支持体ホルダー２１１の内側Ｋがス放出管２１２が位
置するように、支持体ホルダー２１１を受台２１４上に
置くこと以外は、前述した第２図の処理装置２００と同
様な操作により、支持体ホルダー２１１の表面に堆積し
た非単結晶質シリコン系受容膜の乾式エツチング処理を
行う。

このような構成をとることにより、　Ｃ１Ｆ、ガスが支
持体ホルダー２１１の内側に充分に供給されるために、
支持体ホルダ−２１１内面に形成された非単結晶質シリ
コン系光受容膜を容易にエツチング処理することができ
、より効果的である。

ＣＬＦ３がスを用いる乾式エツチング処理においては、
非単結晶質シリコン系光受容部材に使用する殆どのシリ
コン系材料、たとえばＳｉＨ、ＳＩＦ　、　５ＩＨＦ’
。

８１０　、　ＳＩＮ　、　ＳｉＣ、５ｉＧｅ　、　Ｓｉ
ｇｎやこれらの膜にＢ。

Ｐ　、　Ａｓ等をドーピングしたもの等、が乾式エツチ
ング処理が可能である。

本発明においては、ＣｔＦ　３がスはＡｒがス以外にＨ
２＋Ｈｅ　ｒ　Ｎ２がス等により希釈して使用すること
が可能であり、希釈濃度は０．１〜１００％が好ましい
。

乾式エツチング処理を行う際の内圧は０．０１　Ｔｏｒ
ｒから大気圧の範囲が好ましい。本発明において、乾式
エツチング処理を行う方法としては、ＣＬＦ。

ガスを処理室内にいったん封じ込めて行ってもよいし、
Ｃ１Ｆ３ｆ！スを流しながら行りてもよい。又、処理室
内に放電エネルギーを供給することにより、プラズマを
発生させながら乾式エツチングを行ってもよい。

本発明において、処理室及び支持体ホルダーの構成材料
はＣｌＦ３がスにより腐食が起きないものを選択する必
要があり、たとえばアルミニウム、ステンレス、ニッケ
ル、クロム、ス、ｒ、　金、　銀、銅、石英ガラス等が
好適である。また、任意の処理室及び支持体ホルダーの
表面に前記材料をコーティングして用いてもよい。また
１本発明においては。

支持体ホルダーを搬送する装置と組み合せることにより
、支持体ホルダーの再生工程を容易に自動化することが
可能であり、より能率的である。

以下、実験例によって本発明を具体的に説明するが１本
発明はそれに限定されない。

実験例１：第４図に示す高周波（以下、ｒＲＦＪと略記する）グロ
ー放電分解法を用いた製造装置により非単結晶質シリコ
ン系光受容部材の形成工程を行なった。

図中の１０７１〜１０７５のガスボンベには、非結晶質
シリコン系光受容膜を形成するための原料ガスが密封さ
れており、１０７１Ｆｉ、ＳｉＨ４がス（純度９９．９
９％）ボンベ、１０７２はＨ２ガス（純度９９．９９９
９％）ボンベ、１０７３はＨ２ガスで３０００ｐｐｍに
希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下「
Ｂ２Ｈ６／Ｈ２Ｊと略記する）ボンベ、１０７４はＮｏ
ガス（純度９９．５％）が／ぺ、１０７５はＣＨ４：）
ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。また、あら
かじめ、ガスボンベ１０７１〜１０７５を取シ付ける際
に、各々のガスをパルプ１０５１〜１０５５から流入パ
ルプ１０３１〜１０３５のガス配管内に導入しである。

図中、１００５は支持体、１００６は支持体ホルダーで
あシ、第１表に示す材質、寸法のものを用いた。

まず、ガスボンベ１０７１〜１０７５のパルプ１０５１
〜１０５５、流入パルプ１０３１〜１０３５、堆積室１
００１のり−クパルプ１０１５が閉じられていることを
確認し、また、流出パルプ１０４１〜１０４５、補助パ
ルプ１０１８が開かれていることを確認して、まずメイ
ンバルブ１０１６を開いて不図示の真空ポンプによシ堆
積室１００１及びガス配管内を排気した。

次に真空計１０１７の読みが約ｌＸ１Ｏ−３Ｔｏｒｒに
なった時点で補助パルプ１ｏ１８、流出パルプ１０４１
〜１０４５を閉じた。その後、ガスボンベ１ｏ７１よシ
ＳｉＨ４ガス、ガスボンベ１０７２よシＨ２ガス、ガス
ボンベ１０７３よＩ）Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス、ガス＋Ｎｙ
Ｋ１０７４！すＮＯガス、ガスボンベ１ｏ７５よ、９．
　ＣＨ４ガスを、パルプ１０５１〜１０５５を開けて導
入し、圧力調整器１０６１〜１０６５にょシ各ガス圧カ
を２ｋｇ／α２に１４整した。次に流入バルブ１０３１
〜１ｏ３５を徐々に開けて、以上の各ガスをマスフロー
コントローラー１０２１〜１０２５内に導入した。

また、堆積室１００１内に設置され之支持体１００５の
温度は加熱ヒーター１０１４により２８０’Ｃに加熱し
た。以上のようにして成膜準備が完了したのち、支持体
１００５上に非単結晶質シリコン系光受容膜の成膜を行
った。電荷注入阻止層を形成するには、流出パルプ１０
４１〜１０４４及び補助パルプ１０１８を徐々に開いて
５ｔｕ４ガス、Ｈ２ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２がス、ＮＯガ
スをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じて
堆積室１００１内に流入させた。このとき、Ｓ　ｉＨ４
がス流量が３００　ｓｅｃｍ　、　Ｈ２ガス流量が５０
０　ｓｅｃｍ　、　Ｂ２Ｈ６７Ｍ２ガス流量が１００　
ｓｅｃｍ。

ＮＯガス流量が１０　ｓｅｃｍとなるように各々のマス
フローコントローラー１０２１〜１０２４で調整した。

堆積室１００１内の圧力は０．６　Ｔｏｒｒとなるよう
に真空計１０１７を見ながらメインパルプ１０１６の開
口を調整した。その後、不図示のＲＦ’［源の電力を２
５ｍＷ／ｒｎに設定し高周波マツチングＭツクス１０１
２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦ
ダロー放電を生起させ、支持体１００５上に電荷注入阻
止層の形成を開始した。層膜３μｍの電荷注入阻止層を
形成したところでＲＦグロー放電を止め、また、流出パ
ルプ１０４１〜１０４４及び補助パルプ１０１８を閉じ
て堆積室１００１内へのガスの流入を止め、電荷注入阻
止層の形成を終えた。

次に、光導電層を形成するには、流出パルプ１０４１．
１０４２及び補助１４　／Ｌ／プ１ｏ１８を徐ｋｌｆｃ
開いて５ｌ）（４ガス、Ｈ２ガスをガス導入管１００８
のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１１／’３
に流入させた。このとき、ＳｉＨ４ガス流量が３００　
ｓｅｃｍ、　Ｈ２ガス流量が５００　ｓｅｃｍ之なるよ
うに各々の７スフローコントローラ１０２１．１０２２
で調整した。堆積室１００１内の圧力は０．６　Ｔｏｒ
ｒとなるように真空計１０１７を見ながらメインバルブ
１ｏ１６の開ロヲ調整した。その後、不図示のＲＦ電源
の電力を２５　ｒｎＷ／ＣｒＩＬ５に設定し高周波マッ
デンダ？ツクス１０１２ｅ通じて堆積室１００１内にＲ
Ｆ％力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、電荷注入
阻止層上に光導電層の形成を開始し、層厚２５μｍの光
導電層を形成したところでＲＦグロー放電を止め、また
流出パルプ１０４１．１０４２及び補助パルプ１０１８
を閉じて、堆積室１００１内へのガスの流入を止め、光
導電層の形成を終えた。

次に表面層を形成するには、流出パルプ１０４１゜１０
４５及び補助パルプ１０１８を徐々に開いてＳ　ｉＨ４
ガス、ＣＨ４ガスをガス導入管１００８のガス放出孔１
００９を通じて堆積室１００１内に流入させた。このと
き、５ＩＨ４ｆス流量が２０　ｓｅｃｍ　％ＣＨ４Ｗス
流量が５００　ｓｅｃｍとなるように各々のマスフロー
コントローラー１０２１．１０２５で調整した。堆積室
１００１内の圧力は０．４　Ｔｏｒｒとなるように真空
計１０１７を見ながらメインパル２１０１６の開口を調
整した。

その後、不図示のＲＦ電源の電力を１０　ｍＷ／ｍ３に
設定し高周波マッチングデックス１ｏ１２を通じて堆積
室１００１内ＫＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生
起させ、光導電層上に表面層の形成を開始し、層厚１μ
ｍの表面層を形成したところでＲＦグロー放電を止め、
ま喪、流出パルプ１０４１゜１０４５及び補助パルプ１
０１８を閉じて堆積室１００１内へのガスの流入を止め
、表面層の形成を終えた。以上の、非単結晶質シリコン
系光受容部、材の製造条件を第１表に示す。それぞれの
層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは完全に
閉じられていることは言うまでもなく、またそれぞれの
ガスが堆積室１００１内、流出パルプ１０４１〜１０４
５から堆積室１００１に至る配管内に残留することを避
けるために、流出パルプ１０４１〜１０４５を閉じ、補
助パルプ１０１８を開き、さらにメインパルプを全開に
して系内をいったん高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

また必要に応じて１層形成を行っている間に層形成の均
一化を図るため、支持体１００５及び支持体ホルダー１
００６を、不図示の駆動装置によって所望の速度で回転
させる。

以上の非単結晶質シリコン系光受容部材の形成工程によ
り、９本の非単結晶質シリコン系光受容部材を製造した
。次に、第３図に示す構成の処理装置及び前述の手順に
よ、ｉ５　ＣｔＰ、ガスを用いた乾式エツチング処理に
よる支持体ホルダー２１１の再生工程を行った。

前記工程により表面に非単結晶質シリコン系光受容膜が
堆積した９本の支持体ホルダー２１１を、処理室２０１
内に設置し、乾式エツチング処理条件は、５％に希釈さ
れたＣＬＦ３／’Ａｒガス流量を４０ＳＬＭ、処理室内
の圧力を１０Ｔｏｒｒとして再生工程を行った。再生工
程に要した時間は約４５分であシ、支持体ホルダー２１
１の１本当シの処理時間は約５分であった。また再生状
態を目視によυ検査したところ、支持体ホルダー２１１
の外側及び内側の表面は完全に再生され、極めて良好な
再生状態でありた。

実験例２：乾式エツチング処理条件のうち、処理室内の圧力をＩＴ
ｏｒｒ及び１００Ｔｏｒｒとしたこと以外は実験例１と
同様の条件で再生工程を行ったところ、実験例１と同様
に極めて良好々再生状態の支持体ホルダーが得られた。

実験例３：乾式エツチング処理条件のうち、１％に希釈されたＣｌ
Ｆ３／Ａｒガスを用いたこと以外は、実験例１と同様な
条件で再生工程を行った。それに要した時間は約１８０
分であり、支持体ホルダー２１１の１本当シの処理時間
は約２０分であったが、実験例１と同様に極めて良好な
再生状態の支持体ホルダーが得られた。

〔実施例〕

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明す
るが、本発明はそれに限定されない。

実施例１：実験例１と同様の条件で同一の支持体ホルダーを用いて
、非単結晶質シリコン系光受容部材（以下、「感光ドラ
ム」と略記する）の形成工程と支持体ホルダーの再生工
程を前述した手順に従って１０回繰シ返した。

製造された感光ドラムをキャノン製の複写機ＮＰ−７５
５０を実験用に改造した電子写真装置にセットして電子
写真特性を評価したところ、全ての感光ドラムが良好な
特性を示した。

比較例１：実験例１と同様な条件で感光ドラムを製造した後の支持
体ホルダーを９本用意し、市販の液体ホ、−ニング機（
不二精機製造所製ＬＨ−１０ＤＴ）を用い、第２表に示
す処理条件で手動にてホーニング処理により支持体ホル
ダーの再生工程を行った。

それに要した時間は約４５０分であシ、支持体ホルダー
１本当り約５０分の処理時間が必要であった。また再生
状態を目視により検査したところ、支持体ホルダーの外
側表面に若干のムラが確認され、内側の特に奥において
処理しきれない部分が残った。

比較例２：比較例１の再生工程を用いたこと以外は実施例１と同様
に同一の支持体ホルダーを用いて、感光ドラムの形成工
程と支持体ホルダーの再生工程を１０回繰り返した。

製造された感光ドラムを実施例１と同様に評価したとこ
ろ、実施例１のそれに比べ画像欠陥が多く、良品率は実
施例１の場合の約０．７倍であった。

比較例３：実験例１と同様な条件で感光ドラムを製造した後の支持
体ホルダーを９本用意し、第３表に示す処理条件でアル
カリ水溶液への浸漬による湿式エツチング処理により、
支持体ホルダーの再生工程を行った。

それに要した時間は約１０５分であり、支持体ホルダー
１本当り約１２分の処理時間が必要でありた。また、再
生状態を目視によシ検査したところ、支持体ホルダーの
外側及び内側の表面はほぼ再生され、良好な再生状態で
あった。

比較例４：比較例３の再生工程を用いたこと以外は実施例１と同様
に同一の支持体ホルダーを用いて、感光ドラムの形成工
程と支持体ホルダーの再生工程を１０回繰り返し念。は
じめの数回は支持体と支持体ホルダーがキラチリとはま
ったものの、工程が繰り返されるにつれてそのはまりが
ゆるみ始め、最後にはニルニルとなシ、支持体ホルダー
の寿命がそう長くないことが予想された。

製造された感光ドラムを実施例１と同様に評価し九とこ
ろ、実施例１の感光ドラムに比べ画像欠陥が多く、帯電
能に低下傾向が見られ、良品率は実施例１の約０．８倍
であり念。

以上に見られるように、実験例及び実施例の再生工程の
方が、比較例の再生工程より優位性が認められた。

〔発明の効果〕

本発明方法によれば、非単結晶質シリコン系光受容部材
の形成工程と支持体ホルダーの再生工程を連続的に繰シ
返して行うことにより、非単結晶質シリコン系光受容部
材の製造が能率的に行なわれ、歩留りが向上し、量産性
をより一層高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は支持体部材の一例を示す模式的断面図、第２図
〜第３図は本発明において再生方法を用いる処理装置の
一例を示す模式的説明図、第４図は非単結晶質シリコン
系光受容部材を製造するＲＦグロー放電分解装置の一例
を示す模式的説明図、第５図は非単結晶質シリコン系光
受容部材の本発明の製造工程における手順の一例を示す
説明図である。１００・・・支持体部材、１０１・・・支持体ホルダー
、１０２・・・支持体、１０３・・・運搬用取手、１０
４・・≧支持体ホルダー下端部、１０５・・・支持体ホ
ルダー内面、２００　、２７０・・・処理装置、２０１
・・・処理室、２０２・・・上蓋、２０３・・・真空ポ
ンプ、２０４・・・メインパルプ、２０５・・・真空計
、２０６・・・補助パルプ、２０７．２０８・・・流出
パルプ、２１１・・・支持体ホルダー、２１２・・・ガ
ス放出管、２１３・・・ガス噴出口、２１４，２１６・
・・受台、２１５・・・ガス流出口、２２１．２２２・
・・ガスボンベ、２３１，２３２・・・パルプ、２４１
．２４２・・・圧力調整器、２５１・・・流出パルプ、
２６１・・・マスフローコントローラー、１０００・・
・ＲＦグロー放電分解法による堆積装置、１００１・・
・堆積室、１００５・・支持体、１００６・・・支持体
ホルダー、１００８・・・ガス導入管、１００９・・・
ガズ放出孔、１０１２・・・高周波マッチング〆ツクス
、１０１４・・・加熱ヒーター、１０１５・・・リーク
パルプ、１０１６・・・メインパルプ、１０１７・・・
真空計、１０１８・・・補助パルプ、１０２１〜１０２
５・・・マス７０−コントローラー、１０３１〜１０３
５・・・ガス流入パルプ、１０４１〜１０４５・・・ガ
ス流出パルプ、１０５１〜１０５５・・・ｉ料ｙｘｙｙ
ンペのパルプ、１０６１〜１０６５・・・圧力調整器、
１０７１〜１０７５・・・原料ガスボンベ。図面の浄書第　１　図＋０４第３１！Ｉ第５図手続補正書昭和６３年　７月２２日特許庁長官　　吉　１）文　毅　殿ｔ、１件の表示特願昭６３−１３８８７３号２８発明の名称支持体ホルダーの処理方法３ｏ補正をする者事件との関係　　　　特許出願人名　称　（ｉｏｏ）キャノン株式会社４、代理人住所　東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル明細書、委任状及び図面

Claims

【特許請求の範囲】

　非単結晶質シリコン系光受容部材の製造に用いられる
支持体ホルダーの処理方法において、非単結晶シリコン
系物質が付着した支持体ホルダーをＣｌＦ＿３を用いて
処理することを特徴とする支持体ホルダーの処理方法。