JPH04165075A - 化学蒸着装置のクリーニング法 - Google Patents
化学蒸着装置のクリーニング法Info
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- JPH04165075A JPH04165075A JP28584990A JP28584990A JPH04165075A JP H04165075 A JPH04165075 A JP H04165075A JP 28584990 A JP28584990 A JP 28584990A JP 28584990 A JP28584990 A JP 28584990A JP H04165075 A JPH04165075 A JP H04165075A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路や感光体製造装置または光セ
ンサー製造装置などに用いられる基板上に単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンなどのシリ
コン系成膜ななすための化学蒸着装置内のクリーニング
法に関する。
ンサー製造装置などに用いられる基板上に単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンなどのシリ
コン系成膜ななすための化学蒸着装置内のクリーニング
法に関する。
［従来の技術］
このような化学蒸着装置の反応室内には例えば、アモル
ファスシリコンを成膜するときに、半導体基板から外れ
た部分が上記反応室内壁、その内部に装置された電極、
付属治具などに付着する。これは、繰返し実施される化
学蒸着の際に、成膜に影響を与え、膜質の均質化、再現
性を阻害するおそれがある。
ファスシリコンを成膜するときに、半導体基板から外れ
た部分が上記反応室内壁、その内部に装置された電極、
付属治具などに付着する。これは、繰返し実施される化
学蒸着の際に、成膜に影響を与え、膜質の均質化、再現
性を阻害するおそれがある。
そこで、適宜、反応室内部に付着したアモルファスシリ
コンを除去、するために、その内部に配置された電極板
、付属治具などを解体し、ブラスト処理、溶剤による洗
浄処理、ベーキング処理などを行い、また、再び上記反
応室内に組付けした後、上記反応室を高真空で加熱し、
排気する処置が必要となる。
コンを除去、するために、その内部に配置された電極板
、付属治具などを解体し、ブラスト処理、溶剤による洗
浄処理、ベーキング処理などを行い、また、再び上記反
応室内に組付けした後、上記反応室を高真空で加熱し、
排気する処置が必要となる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このようなりリーニングのための処理、
作業には相当の時間と人手を必要とし、このための要員
確保が大変であり、装置の稼動率の低下をもたらす。
作業には相当の時間と人手を必要とし、このための要員
確保が大変であり、装置の稼動率の低下をもたらす。
［発明の目的］
本発明は上記事情に基いてなされたもので、反応室内部
の電極板や付属治具の解体などを行わずに、比較的短時
間で、効率の良い化学蒸着装置内のクリーニング法を提
供しようとするものである。
の電極板や付属治具の解体などを行わずに、比較的短時
間で、効率の良い化学蒸着装置内のクリーニング法を提
供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
このため、本発明では基板上にシリコン原子を含む堆積
膜を形成するための化学蒸着装置の反応室内に、弗素原
子を含むガスを導入するとともに上記反応室内に所定の
高周波エネルギーを供給した後、上記反応室において水
素プラズマ処理を行うのである。
膜を形成するための化学蒸着装置の反応室内に、弗素原
子を含むガスを導入するとともに上記反応室内に所定の
高周波エネルギーを供給した後、上記反応室において水
素プラズマ処理を行うのである。
［作 用〕
従って、化学蒸着装置としての使用可能な状態のままで
、必要な時期に、容易にクリーニング処理ができる。こ
のため、従来のような、反応室内部の電極板や付属治具
などの解体、洗浄処理、再組み付けなどの時間の掛かる
面倒な処置を省略することができる。このため、稼動率
も向上する。
、必要な時期に、容易にクリーニング処理ができる。こ
のため、従来のような、反応室内部の電極板や付属治具
などの解体、洗浄処理、再組み付けなどの時間の掛かる
面倒な処置を省略することができる。このため、稼動率
も向上する。
［実施例〕
以下、本発明のクリーニング法を図示の実施例にもとす
いて具体的に説明する。第１図において、符号１は化学
蒸着装置の反応室としてのチャンバーであり、開閉弁４
を介して、真空ポンプ７のサクションに連通されており
、上記真空ポンプ７はそのデリベリを回路１０を介して
除害装置（図示せず）に連通している。本実施例のよう
に、真空ポンプに油圧駆動式のものを採用する場合には
、オイルフィルトレージョン８を付設している。
いて具体的に説明する。第１図において、符号１は化学
蒸着装置の反応室としてのチャンバーであり、開閉弁４
を介して、真空ポンプ７のサクションに連通されており
、上記真空ポンプ７はそのデリベリを回路１０を介して
除害装置（図示せず）に連通している。本実施例のよう
に、真空ポンプに油圧駆動式のものを採用する場合には
、オイルフィルトレージョン８を付設している。
上記チャンバー １内には加熱ヒータ１４、成膜すべき
基板を搬送するカート１５、電極板１６などが配設され
ている。また、上記チャンバー １にはバルブを介して
Ｓ Ｉ Ｆ ４ガス１１、ＮＦ、ガス１２、水素ガス１
３が供給できるようにしである。また、上記チャンバー
１と真空ポンプ７とを結ぶ別のルートが設けられていて
、そこにはターボ分子ポンプ５が開閉弁３及び６を介し
て直列に配置してあり、また、これと上記チャンバー
１との間には圧力調整弁２が設けられている。なお、上
記実施例では開閉弁を介してＮ２などの希釈ガス９が上
記真空ポンプ７に供給できる。
基板を搬送するカート１５、電極板１６などが配設され
ている。また、上記チャンバー １にはバルブを介して
Ｓ Ｉ Ｆ ４ガス１１、ＮＦ、ガス１２、水素ガス１
３が供給できるようにしである。また、上記チャンバー
１と真空ポンプ７とを結ぶ別のルートが設けられていて
、そこにはターボ分子ポンプ５が開閉弁３及び６を介し
て直列に配置してあり、また、これと上記チャンバー
１との間には圧力調整弁２が設けられている。なお、上
記実施例では開閉弁を介してＮ２などの希釈ガス９が上
記真空ポンプ７に供給できる。
しかして、上記化学蒸着装置をクリーニングするときに
は、先ず、上記加熱ヒータ１４を、例えば、２００°Ｃ
程度に加熱するとともに、上記別ルートを介して、真空
ポンプ７で、例えば、到達真空度がｌＸｌ０−”Ｔｏｒ
ｒ以下まで上記チャンバー１を真空引きする。この時、
上記ターボ分子ポンプ５も駆動され、圧力調整弁２もそ
の開度を調整する０次に、前準備として開閉弁を開け、
希釈ガス（Ｎ、）９を流し、除害装置で排ガスを処理す
る。
は、先ず、上記加熱ヒータ１４を、例えば、２００°Ｃ
程度に加熱するとともに、上記別ルートを介して、真空
ポンプ７で、例えば、到達真空度がｌＸｌ０−”Ｔｏｒ
ｒ以下まで上記チャンバー１を真空引きする。この時、
上記ターボ分子ポンプ５も駆動され、圧力調整弁２もそ
の開度を調整する０次に、前準備として開閉弁を開け、
希釈ガス（Ｎ、）９を流し、除害装置で排ガスを処理す
る。
弗素系ガスとしてＳｉＦ４ガス１１を選択使用する場合
、上記ＳｉＦ、ガス１１は、例えば５００ＳＣＣＭ程度
、上記チャンバー１に流す。また、この時、圧力調整弁
２を調整して、上記チャンバー １の内圧を、例えば、
０．５Ｔｏｒｒ程度に調整し、同時に、電極板１６にパ
ワー密度が、例えば、０．３Ｗ／ｃｍ”のＲＦパワー（
励起周波数１３．５６ＭＨ２）を供給する。上記の条件
にてアモルファスシリコンを除去すると、エツチングレ
ートは７０人／ ｍ ｉ ｎ程度であり、チャンバ−１
内部に付着したアモルファスシリコンの膜厚４．５μｍ
は１０．５時間で除去される。
、上記ＳｉＦ、ガス１１は、例えば５００ＳＣＣＭ程度
、上記チャンバー１に流す。また、この時、圧力調整弁
２を調整して、上記チャンバー １の内圧を、例えば、
０．５Ｔｏｒｒ程度に調整し、同時に、電極板１６にパ
ワー密度が、例えば、０．３Ｗ／ｃｍ”のＲＦパワー（
励起周波数１３．５６ＭＨ２）を供給する。上記の条件
にてアモルファスシリコンを除去すると、エツチングレ
ートは７０人／ ｍ ｉ ｎ程度であり、チャンバ−１
内部に付着したアモルファスシリコンの膜厚４．５μｍ
は１０．５時間で除去される。
弗素系ガスとしてＮＦ、ガス１２を選択使用する場合、
Ｎ Ｆ ｓガス１２は、例えば、４００ＳＣＣＭ程度、
上記チャンバー１に流す。また、この時、圧力調整弁２
を調整して、上記チャンバー １の内圧を、例えば、０
．３Ｔｏｒｒ程度に調整し、同時に、電極板１６にパワ
ー密度が、例えば、０．４Ｗ／ｃｍ２のＲＦパワー（励
起周波数１３．５６ Ｍ ＨＺ ）を供給する。上記の
条件にてアモルファスシリコンを除去すると、エラチン
グレー１４０．７μｍ／ｍｉｎ程度であり、チャンバ−
１内部に付着したアモルファスシリコンの膜厚９．０μ
ｍは２．１時間で除去される。
Ｎ Ｆ ｓガス１２は、例えば、４００ＳＣＣＭ程度、
上記チャンバー１に流す。また、この時、圧力調整弁２
を調整して、上記チャンバー １の内圧を、例えば、０
．３Ｔｏｒｒ程度に調整し、同時に、電極板１６にパワ
ー密度が、例えば、０．４Ｗ／ｃｍ２のＲＦパワー（励
起周波数１３．５６ Ｍ ＨＺ ）を供給する。上記の
条件にてアモルファスシリコンを除去すると、エラチン
グレー１４０．７μｍ／ｍｉｎ程度であり、チャンバ−
１内部に付着したアモルファスシリコンの膜厚９．０μ
ｍは２．１時間で除去される。
このようにして、アモルファスシリコン除去処理が完了
した後、ＳｉＦ４ガスあるいはＮＦ。
した後、ＳｉＦ４ガスあるいはＮＦ。
ガスの供給を止め、上記チャンバー１の到達真空度がｌ
Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ以下まで真空引き去れるのを待つ。
Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ以下まで真空引き去れるのを待つ。
そして、上記到達真空度が所定値になると、水素ガス１
３をチャンバー １に３００ＳＣＣＭ程度流し、上記圧
力調整弁２を調整して、上記チャンバー １の内圧を０
．４Ｔｏｒｒ程度にし、電極板１６に、例えば、０．５
Ｗ／ｃｍ”のＲＦパワー（励起周波数１３．５６ＭＨ２
）を供給する。上記の条件により、Ｈ２プラズマ処理が
開始される。第２図はこの時のＨＦ強度（相対値）表を
示す。ここで、縦方向はＨＦ強度（相対値）、横方向は
水素プラズマ処理時間（ｍｉｎ）を示す。また、ここで
、符号２２はＨＦ強度のバックグランド値を示し、１７
は、例えばＳ Ｉ Ｆ ４ガスにてアモルファスシリコ
ンを除去した直後の、ＨＦ強度を示し、１８は水素プラ
ズマ処理開始後３分で約５ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ程度、１
９は同じ（水素プラズマ開始後５分で約３．５Ｘ１０−
’ＴＯｒｒ程度、２０は同じく水素プラズマ処理開始後
、１０分で約３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ程度（これは上記バ
ックグランド値と同じ値）を示している。なお、符号２
１は同じく水素プラズマ処理開始後２０分の場合を示し
ているが、ここでは、上記バックグランド値よりも多少
低い値になっている。
３をチャンバー １に３００ＳＣＣＭ程度流し、上記圧
力調整弁２を調整して、上記チャンバー １の内圧を０
．４Ｔｏｒｒ程度にし、電極板１６に、例えば、０．５
Ｗ／ｃｍ”のＲＦパワー（励起周波数１３．５６ＭＨ２
）を供給する。上記の条件により、Ｈ２プラズマ処理が
開始される。第２図はこの時のＨＦ強度（相対値）表を
示す。ここで、縦方向はＨＦ強度（相対値）、横方向は
水素プラズマ処理時間（ｍｉｎ）を示す。また、ここで
、符号２２はＨＦ強度のバックグランド値を示し、１７
は、例えばＳ Ｉ Ｆ ４ガスにてアモルファスシリコ
ンを除去した直後の、ＨＦ強度を示し、１８は水素プラ
ズマ処理開始後３分で約５ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ程度、１
９は同じ（水素プラズマ開始後５分で約３．５Ｘ１０−
’ＴＯｒｒ程度、２０は同じく水素プラズマ処理開始後
、１０分で約３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ程度（これは上記バ
ックグランド値と同じ値）を示している。なお、符号２
１は同じく水素プラズマ処理開始後２０分の場合を示し
ているが、ここでは、上記バックグランド値よりも多少
低い値になっている。
なお、上記実施例では非単結晶Ｓｉ膜としてａ−３ｉ膜
について述べているが、その他の非単結晶シリコン系薄
膜である多結晶シリコン、単結晶シリコンの成膜装置の
チャンバーにおけるシリコン除去にも同様に行うことが
できる。 ［発明の効果］ 本発明は、以上詳述したようになり、アモルファスシリ
コンなどの成膜用の化学蒸着装置において、反応室内部
に付着したシリコン系薄膜を弗素系ガスを用いて、除去
し、その後、水素プラズマ処理をすることで、弗素系ガ
スの残留分を除くので、クリーニングに面倒がな（、迅
速に行えるから、稼動時間を向上できるなどの効果をも
たらす。
について述べているが、その他の非単結晶シリコン系薄
膜である多結晶シリコン、単結晶シリコンの成膜装置の
チャンバーにおけるシリコン除去にも同様に行うことが
できる。 ［発明の効果］ 本発明は、以上詳述したようになり、アモルファスシリ
コンなどの成膜用の化学蒸着装置において、反応室内部
に付着したシリコン系薄膜を弗素系ガスを用いて、除去
し、その後、水素プラズマ処理をすることで、弗素系ガ
スの残留分を除くので、クリーニングに面倒がな（、迅
速に行えるから、稼動時間を向上できるなどの効果をも
たらす。
第１図は本発明の一実施例を説明するための構成図、第
２図は本発明のＨＦ強度（相対値）表である。 ｌ・・・チャンバー ２・・・圧力調整弁 ３．４・・・開閉弁 ５・・・ターボ分子ポンプ ６・・・開閉弁 ７・・・真空ポンプ ８・・・オイルフィルトレージョン ９・・・希釈ガス １０・・・ライン １１・・・Ｓ ｉ Ｆ ４ガス １２・・・ＮＦ、ガス １３・・・水素ガス １４・・・加熱ヒータ １５・・・カート １６・・・電極板 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図
２図は本発明のＨＦ強度（相対値）表である。 ｌ・・・チャンバー ２・・・圧力調整弁 ３．４・・・開閉弁 ５・・・ターボ分子ポンプ ６・・・開閉弁 ７・・・真空ポンプ ８・・・オイルフィルトレージョン ９・・・希釈ガス １０・・・ライン １１・・・Ｓ ｉ Ｆ ４ガス １２・・・ＮＦ、ガス １３・・・水素ガス １４・・・加熱ヒータ １５・・・カート １６・・・電極板 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図
Claims (1)
- 基板上にシリコン原子を含む堆積膜を形成するための
化学蒸着装置の反応室内に、弗素原子を含むガスを導入
するとともに上記反応室内に所定の高周波エネルギーを
供給した後、上記反応室において水素プラズマ処理を行
うことを特徴とする化学蒸着装置内のクリーニング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28584990A JPH04165075A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 化学蒸着装置のクリーニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28584990A JPH04165075A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 化学蒸着装置のクリーニング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165075A true JPH04165075A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17696860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28584990A Pending JPH04165075A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 化学蒸着装置のクリーニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04165075A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664343A2 (en) * | 1994-01-03 | 1995-07-26 | Xerox Corporation | Method for improving substrate adhesion in fluoropolymer deposition processes |
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
| EP1154036A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber |
| EP1154038A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Method of conditioning a chamber for chemical vapor deposition |
| US6814814B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning residues from surfaces in a chamber by sputtering sacrificial substrates |
| SG116411A1 (en) * | 2000-01-28 | 2005-11-28 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer processing system. |
| EP1524703A3 (en) * | 2003-10-17 | 2007-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a Silicon-based thin-film-photoelectric conversion device |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP28584990A patent/JPH04165075A/ja active Pending
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