JPH01307019A - ハードディスク用基板の再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に被膜される被ｌ！層を除去してハー
ドディスク用基板を再生するハードディスク用基板の再
生方法に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、基板上に磁性層及びカーボン被膜が順次形成
されてなるハードディスクに対し、プラズマアッシング
処理を施してカーボン被膜を除去し、次いでボリシング
を施して磁性層を除去することにより、基板上に被膜さ
れる被膜層を確実に除去するとともに、再生加工時間の
短縮を図り、再生品の歩留りを向上させようとするもの
である。

〔従来の技術〕

例えば、コンピュータ等の記憶媒体としては、ランダム
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
こと等から、基板にＡ１合金やガラス板、プラスチック
板等の硬質材料を用いた磁気ディスク、いわゆるハード
ディスクが固定ディスクあるいは外部ディスクとして使
用されるようになっている。

上記ハードディスクは、例えば磁気ディスク用のＡ１合
金基板等の上にＮ１−Ｐメツキ層又はアルマイト処理層
が形成され、その上に記録再生に関与する磁性層と該磁
性層を保護する保護膜層であるカーボン被膜層が順次ス
パッタリングにより被着され、さらに必要に応じてその
上に磁気ディスクの走行性を向上させる潤滑剤層がスピ
ンコーティング等の手法により形成されたものである。

このハードディスクは、円周方向に高速で回転して同心
円状の多数のトラックに情報の記録再生を行うものであ
る。

ところで、上記ハードディスクを製造するに当たっては
、スパッタリング不良等による磁性層の膜剥がれやクラ
ック等が生ずることがある。このため、記録再生特性や
ヘッドとの接触による特性。

すなわちＣ５Ｓ特性（コンタクト・スタート・ストップ
特性）等が劣化し、生産される一部のハードディスクは
所望の特性が得られずに不良品となっている。

そこで、歩留りを向上させるために、上記不良品となっ
たハードディスクを再度所望の特性が得られるように再
生することが行われている。その不良品となったハード
ディスクを再生するには、記録再生特性に関与する前述
の潤滑剤層、カーボン被膜層、磁性層を除去し、再びＮ
１−Ｐメツキ層又はアルマイト処理層を露出させる必要
がある。

その手法としては、例えばポリシングにより前記潤滑剤
層、カーボン被膜層、ｉｎ性層を除去する方法が挙げら
れる。ところが、このボリシングでこれら被膜層を一度
に除去しようとすると、カーボン被膜層の硬度が高いた
めに研磨材が滑って容易にその被膜層を除去することが
できず、部分的にしか除去子ることができない、このた
め基板表面には、ポリシング加工によるむらが生じ、目
視でも認められる太い線状の傷がついてしまう、さらに
は、その被膜層を完全に除去するには非常に時間がかか
り生産性の向上が図れない、また、硬いカーボン被膜層
をポリシングで除去するので、特にＮ１−Ｐメツキ層は
その発熱で非磁性体から強磁性体に変化してしまう虞れ
がある。

そこで、このような問題を解消するべく、王水との化学
反応（すなわち腐食により被膜層を除去する。）を利用
して前記滑材層、カーボン被膜。

磁性層を除去するいわゆる王水浸漬処理方法が採用され
ている。これによれば、発熱を生ずることなく被膜層を
除去することが可能となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記王水との化学反応を利用した被膜層の除
去方法では、■化学反応の進行状態が不均一となること
、■Ａ１合金基板までが腐食されること、■酸根１例え
ばＣ１−、Ｎｏ、−等が残留すること等の問題が生ずる
。

特に、腐食の進行状態が不均一となると、前述の被膜層
を除去した後のＮ１−Ｐメツキ層表面のポリシング加工
において、その腐食の不均一により残った残留被膜やピ
ット等を完全に除去しきれず、所定の表面粗度を得るこ
とができない、このため、磁気ディスクの走行性や耐久
性が劣化することになる。

また、Ａｆｆｉ地までが腐食されると、再度、Ｎ１＝Ｐ
メツキ層又はアルマイト処理層を形成しなくてはならず
作業工程が余分にかかり生産性の向上が図れない。

また、残留酸根が残ると、この酸根が後工程の潤滑剤層
、カーボン被膜層、磁性層等の成膜工程において、Ａ４
合金基板の品質（物性）やスパッタリング装置に悪影響
を及ぼす危険性がある。

したがって、王水との化学反応を利用した王水浸漬処理
方法では、歩留りよ（ハードディスク用基板を再生する
には難しい。

そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案されたもので
あって、基板上に被膜される被膜層を確実に除去すると
ともに、再生加工時間の短縮を図り、再生品の歩留りを
向上させるハードディスク用基板の再生方法を提供する
ことを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は鋭意研究の結果、基板上に被膜される被膜
層、特にカーボン被膜を除去するのにイオン・エツチン
グ法の一種であるプラズマアッシング処理が有効である
ことを見出し本発明を完成するに至った。

本発明のハードディスク用基板の再生方法は、基板上に
磁性層及びカーボン被膜が順次形成されてなるハードデ
ィスクに対し、プラズマアッシング処理を施すことによ
りカーボン被膜を除去し、次いでボリシングを施すこと
により磁性層を除去することを特徴とするものである。

〔作用〕

基板上に被膜されるカーボン被膜に対してプラズマアッ
シング処理を施すと、カーボン被膜を構成するカーボン
が酸化されて酸化物となり、速やかにその基板表面から
飛散する。このため、上記カーボン被膜は全て酸化物と
なってその基板表面から飛散し確実になくなる。

次いで、完全にカーボン被膜が除去された磁性層に対し
てポリシングを施すと、カーボン被膜がないので容易に
その磁性層を除去することが可能となる。このため、ポ
リシングの加工時間の短縮が図れるので生産性が向上し
、さらには再生品の歩留りの向上が図れる。また、上記
磁性層の上面にはカーボン被膜がないので、ポリシング
加工時に生ずる発熱は低く抑えられＮ１−Ｐメツキ層は
強磁性体となることもない。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した一実施例について図面を参照し
ながら説明する。

先ず、本発明にかかるハードディスクは、第１図に示す
ように、Ａ１合金、ガラス又はプラスチック等の硬質材
料からなる円板状の基板（１）上にＮ１−Ｐメツキ層又
はアルマイト処理層（２）が形成され、その上に記録再
生に関与する磁性層（３）がスパッタリングにより被膜
されている。そして、その磁性層（３）の上に該磁性層
（３）を保護するためのカーボン被膜（４）がやはりス
パッタリングにより被膜され、さらに必要に応じてその
カーボン被膜（４）上に磁気ディスクの走行性の向上を
図るための潤滑剤層（５）がスピンコーティング等の手
法により被膜されて構成されている。

このハードディスクは、応答性に優れるとともにランダ
ムアクセスが可能で、円周方向に高速で回転して同心円
状の多数のトラックに情報の記録再生を行うものである
。

上述のように構成されたハードディスクを再生するには
、以下の工程順にしたがって行われる。

先ず、前記磁性層（３）及びカーボン被１！Ｊ（４）等
が被膜されたハードディスクをイオン・エツチング法の
一種であるプラズマアッシング法によりカーボン被膜（
４）を低温酸化させて除去する。

すなわち、前記ハードディスクをプラズマアッシング処
理装置（図示は省略する。）内に載置し、その装置内の
真空度がおよそＩＰａ（パスカル）となるまで該装置を
動作させた０次に、その装置内の真空度が６Ｐａになる
まで酸素を導入した。

そして、直流電圧７００Ｖをかけてその装置内に載置さ
れたハードディスクをプラスに帯電させプラズマアッシ
ング処理を施した。なお、本実施例では、そのプラズマ
アッシング処理は１２分間行った。

すると、その装置内に導入された酸素は、当該装置内の
圧力が６Ｐａと高圧であるためにイオン化され酸素原子
０−となる、この酸素原子０−は、上記基板（１）上に
被膜された潤滑剤層（５）及びカーボン被膜（４）と反
応を起こす、すなわち、上記酸素原子０−と前記カーボ
ン被膜（４）を構成するカーボンとが反応してＣＯ！と
なり、潤滑剤層（５）を構成するＨとが反応してＨオＯ
となる。そして、これらＣＯ２やＨ□０は上記基板（１
）の表面より速やかに飛散する。その結果、上記基板（
１）上には磁性層（３）が露出する。

なお、これらの反応は低温９例えば１５０°Ｃ〜２００
℃程度であるために、前記Ｎ１−Ｐメツキ層（２）は強
磁性体となることもない、また、前述の装置内の真空度
及び電圧並びに処理時間は、被加工物に応じてカーボン
被膜（４）が速やかに除去できるように適宜設定すれば
よい。

その後、直流電圧の供給を止めた後、装置内のハードデ
ィスクを取り出す。

続いて、第２図に示すように上記潤滑剤層（５）及びカ
ーボン被膜（４）が除去された磁性Ｎ（３）に対してボ
リシングを施した。なお、本実施例でのボリシングは、
研摩材を水等で混合し液化したスラリー状砥粒を用い、
このスラリー状砥粒を平坦な面を有する上下定盤と被加
工物であるハードディスクの間に供給し、加工圧力を加
えながら上下定盤の回転運動を利用して研磨材の切刃で
上記磁性層（３）を削り取るものである。

この結果、第３図に示すように、上記基板（１）のＮ１
−Ｐメツキ層又はアルマイト処理ＩＩ（２）上には、前
記磁性層（３）、カーボン被膜（４）及び潤滑剤層（５
）の残留被膜が見られなかった。さらに、上記Ｎ１−Ｐ
メツキ層又はアルマイト処理層（２）の表面には、線状
の太い傷の発生もなかった。

したがって、上記プラズマアッシング処理は、基板（１
）上に被膜されるＮ１−Ｐメツキ層又はアルマイト処理
層（２）の表面を傷つけることなく潤滑剤層（５）及び
カーボン被膜（４）を速やかに確実に除去することがで
きるものであると判断される。

よって、従来の王水浸漬処理方法では解消することが不
可能であうた腐食の進行状態が不均一になる。Ａｆｆｉ
合金基板までが腐食される。あるいは酸根が残留する等
の問題が解消された。

そして、このようにプラズマアッシング処理が施された
後のハードディスクに対してボリシングを施せば、硬度
の高いカーボン被膜（４）がないので磁性Ｎ（３）は容
易に除去可能となる。したがって、再生ポリシング加工
の加工時間の短縮が図れ、生産性が向上するとともに再
生品の歩留りの向上が達成される。

なお、上記磁性Ｎ（３）の上面にはカーボン被膜（４）
がないので、ボリシング加工時に生ずる発熱は低く抑え
られ、Ｎ１−Ｐメツキ層（２）が強磁性体となる虞れも
なくなる。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、基板上に磁性層及び
カーボン被膜が順次形成されてなるハードディスクに対
して、プラズマアッシング処理を施して潤滑剤層及びカ
ーボン被膜を除去しているので、Ｎ１−Ｐメツキ層及び
アルマイト処理層を傷付けることなく上記潤滑剤層及び
カーボン被膜を速やかにしかも確実に除去することがで
きる。

そして、このプラズマアッシング処理が施された後のハ
ードディスクに対してポリシングを施せば、カーボン被
膜がないため磁性層は容易に除去できる。このため、再
生ボリシング加工の加工時間の短縮が図れる。

したがって、生産性の向上が図れ、再生品の歩留りの向
上が達成される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用したハードディスクの一例を示す
要部拡大断面図であり、第２図−はプラズマアッシング
処理を施したハードディスクの要部拡大断面図であり、
第３図はポリシング加工を施したハードディスク用基板
の要部拡大断面図である。 １・・・基板 ２・・・Ｎ１−Ｐメツキ層又はアルマイト処理層３・・
・磁性層 ４・・・カーボン被膜 ５・・・潤滑剤層 特許出願人　　　　ソニー株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に磁性層及びカーボン被膜が順次形成されてなる
   ハードディスクに対し、プラズマアッシング処理を施す
   ことによりカーボン被膜を除去し、次いでポリシングを
   施すことにより磁性層を除去することを特徴とするハー
   ドディスク用基板の再生方法。