JP2003030822A - 磁気ディスク用基板の加工方法 - Google Patents
磁気ディスク用基板の加工方法Info
- Publication number
- JP2003030822A JP2003030822A JP2001213964A JP2001213964A JP2003030822A JP 2003030822 A JP2003030822 A JP 2003030822A JP 2001213964 A JP2001213964 A JP 2001213964A JP 2001213964 A JP2001213964 A JP 2001213964A JP 2003030822 A JP2003030822 A JP 2003030822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic disk
- resin coating
- processing
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 端面研削加工時におけるデータ面へのキズの
発生を防止し、後工程を簡略化できると共に高記憶密度
の磁気ディスク記憶媒体を廉価に製造できる磁気ディス
ク用基板の加工方法を提供する。 【解決手段】基板（１）の端面（１ｏ、１ｉ）研削加工
の前に、基板（１）の上下面（１ｔ、１ｂ）に樹脂コー
ティングを施して樹脂コーティング層を形成し、基板の
端面研削加工を行い、そして、該加工後、前記樹脂コー
ティング層を剥離する工程を含む。
発生を防止し、後工程を簡略化できると共に高記憶密度
の磁気ディスク記憶媒体を廉価に製造できる磁気ディス
ク用基板の加工方法を提供する。 【解決手段】基板（１）の端面（１ｏ、１ｉ）研削加工
の前に、基板（１）の上下面（１ｔ、１ｂ）に樹脂コー
ティングを施して樹脂コーティング層を形成し、基板の
端面研削加工を行い、そして、該加工後、前記樹脂コー
ティング層を剥離する工程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固定磁気ディスク
記憶装置に使用される磁気ディスク用基板の加工方法と
その加工方法により加工された磁気ディスク用基板を用
いた磁気ディスク記憶媒体に関する。
記憶装置に使用される磁気ディスク用基板の加工方法と
その加工方法により加工された磁気ディスク用基板を用
いた磁気ディスク記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク用基板としては、アルミニ
ウム製基板やガラス製基板が知られている。アルミニウ
ム製基板においては、データ面となる表面にＮｉ−Ｐメ
ッキが施され、研磨仕上げされている。また、ガラス製
基板においては、ガラス基板の最終厚さの約２倍の厚さ
のガラス原盤の両面を所定の表面粗さと平行度を有する
ように、ポリッシング加工やラッピング加工を施して最
終厚さのガラス製基板を得るようにしている。
ウム製基板やガラス製基板が知られている。アルミニウ
ム製基板においては、データ面となる表面にＮｉ−Ｐメ
ッキが施され、研磨仕上げされている。また、ガラス製
基板においては、ガラス基板の最終厚さの約２倍の厚さ
のガラス原盤の両面を所定の表面粗さと平行度を有する
ように、ポリッシング加工やラッピング加工を施して最
終厚さのガラス製基板を得るようにしている。
【０００３】さらに、このようなラッピング加工やポリ
ッシング加工を省略するか軽ポリッシングで済むように
して、工程を大幅に短縮し、高精度基板を安価に製造す
るために、例えば、特開平第１０−２３１１２９号や特
開平第１１−９２１５９号に開示されているような、軟
化ガラスを精密成形型で一発成形して、研磨工程を無く
すか軽微にできる磁気ディスク用ガラス基板のモールド
プレス成形法が知られている。この方法はモールドプレ
スによって磁気ディスク用の超平坦表面を一発形成する
ことによって、ラッピング加工やポリッシング加工を省
略しようとしている。
ッシング加工を省略するか軽ポリッシングで済むように
して、工程を大幅に短縮し、高精度基板を安価に製造す
るために、例えば、特開平第１０−２３１１２９号や特
開平第１１−９２１５９号に開示されているような、軟
化ガラスを精密成形型で一発成形して、研磨工程を無く
すか軽微にできる磁気ディスク用ガラス基板のモールド
プレス成形法が知られている。この方法はモールドプレ
スによって磁気ディスク用の超平坦表面を一発形成する
ことによって、ラッピング加工やポリッシング加工を省
略しようとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
て、磁気ディスク装置は急激な高記憶密度化が進んでい
る。磁気ディスク装置は高速回転する記憶媒体（ディス
ク）上を、ヘッドを僅かに浮上させて走査させることに
よってランダムアクセスを実現しているが、高記憶密度
と高速アクセスを両立させる為には、磁気ディスクの回
転数を上げることと磁気ディスクとヘッドとの間隔（ヘ
ッド浮上量）を小さくすることが求められる。
て、磁気ディスク装置は急激な高記憶密度化が進んでい
る。磁気ディスク装置は高速回転する記憶媒体（ディス
ク）上を、ヘッドを僅かに浮上させて走査させることに
よってランダムアクセスを実現しているが、高記憶密度
と高速アクセスを両立させる為には、磁気ディスクの回
転数を上げることと磁気ディスクとヘッドとの間隔（ヘ
ッド浮上量）を小さくすることが求められる。
【０００５】その為に、磁気ディスク用基板には、高速
回転を可能にする真円度，内外径の同心度等の高い形状
精度とヘッド浮上を妨げない超平坦で欠陥のないデータ
記憶面が求められる。このような真円度，同心度を高精
度に出す為には、ダイヤモンド回転砥石による端面研削
加工を行なうのが一般的である。しかし、このときに、
磁気ディスク用基板のブレや変形があると所望の形状精
度が得られないことと、チッピングが発生するので、端
面研削加工は、図２に示すように、磁気ディスク用基板
の上下全面をテーブルとクランパーとで挟持して固定し
て行われるのが一般的である。
回転を可能にする真円度，内外径の同心度等の高い形状
精度とヘッド浮上を妨げない超平坦で欠陥のないデータ
記憶面が求められる。このような真円度，同心度を高精
度に出す為には、ダイヤモンド回転砥石による端面研削
加工を行なうのが一般的である。しかし、このときに、
磁気ディスク用基板のブレや変形があると所望の形状精
度が得られないことと、チッピングが発生するので、端
面研削加工は、図２に示すように、磁気ディスク用基板
の上下全面をテーブルとクランパーとで挟持して固定し
て行われるのが一般的である。
【０００６】しかしながら、かかる端面研削加工方法に
おいては、テーブルやクランパーと基板との間にパーテ
ィクルや切粉が侵入する惧れがあり、端面研削加工時に
データ面にキズが発生してしまう。
おいては、テーブルやクランパーと基板との間にパーテ
ィクルや切粉が侵入する惧れがあり、端面研削加工時に
データ面にキズが発生してしまう。
【０００７】このように、データ面にキズが発生する
と、その後工程におけるキズの除去が必要となり工数を
増大させるという問題がある。特に、研磨工程の省略を
目指したモールドプレス成形法においては、この端面研
削加工時にデータ面にキズが発生してしまうことは、そ
の後の研磨工程を必要とし効果が半減することになる。
また、従来からあるＮｉ-ＰメッキされたＡｌ基板や、
研磨によってデータ面を仕上げる従来製法のガラス基板
においても、端面研削加工時に切り粉の噛み込みによっ
て発生したイレギュラーな欠陥が研磨工程後も残存して
良品率を低下させる問題があった。
と、その後工程におけるキズの除去が必要となり工数を
増大させるという問題がある。特に、研磨工程の省略を
目指したモールドプレス成形法においては、この端面研
削加工時にデータ面にキズが発生してしまうことは、そ
の後の研磨工程を必要とし効果が半減することになる。
また、従来からあるＮｉ-ＰメッキされたＡｌ基板や、
研磨によってデータ面を仕上げる従来製法のガラス基板
においても、端面研削加工時に切り粉の噛み込みによっ
て発生したイレギュラーな欠陥が研磨工程後も残存して
良品率を低下させる問題があった。
【０００８】本発明の目的は、かかる従来の問題を解決
し、端面研削加工時におけるデータ面へのキズの発生を
防止し、後工程を簡略化できると共に高記憶密度の磁気
ディスク記憶媒体を廉価に製造できる磁気ディスク用基
板の加工方法を提供することにある。
し、端面研削加工時におけるデータ面へのキズの発生を
防止し、後工程を簡略化できると共に高記憶密度の磁気
ディスク記憶媒体を廉価に製造できる磁気ディスク用基
板の加工方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の一形態による磁気ディスク用基板の加工方法は、基
板の端面研削加工の前に前記基板に樹脂コーティングを
施して樹脂コーティング層を形成し、基板の端面研削加
工を行い、そして、該加工後、前記樹脂コーティング層
を剥離する工程を含むことを特徴とする。
明の一形態による磁気ディスク用基板の加工方法は、基
板の端面研削加工の前に前記基板に樹脂コーティングを
施して樹脂コーティング層を形成し、基板の端面研削加
工を行い、そして、該加工後、前記樹脂コーティング層
を剥離する工程を含むことを特徴とする。
【００１０】ここで、前記基板はガラス基板であり、前
記樹脂コーティング層はスプレー式樹脂コーティング材
を吹き付けて形成されているものであってもよい。
記樹脂コーティング層はスプレー式樹脂コーティング材
を吹き付けて形成されているものであってもよい。
【００１１】また、前記基板はガラス基板であり、前記
樹脂コーティング層はＰＶＣ製マスキング材を貼り付け
て形成されているものであってもよい。
樹脂コーティング層はＰＶＣ製マスキング材を貼り付け
て形成されているものであってもよい。
【００１２】さらに、前記基板はガラス基板であり、前
記樹脂コーティング層はアクリルラッカーをスプレー法
にて塗布して形成されているものであってもよい。
記樹脂コーティング層はアクリルラッカーをスプレー法
にて塗布して形成されているものであってもよい。
【００１３】なお、前記樹脂コーティング層を剥離する
工程は、前記ガラス基板を、３００〜５００℃の硝酸カ
リウム，硝酸ナトリウムの混合物或いは単物質からなる
溶融塩に０．５〜４時間浸漬し、コーティング樹脂層の
剥離と化学強化処理とを同時に行なうものであってもよ
い。この場合のガラス基板は、ガラス強化が可能な材料
からなる必要があり、具体的には、アルミノシリケート
系ガラス、ソーダライム系ガラス、硼珪酸系ガラスがよ
い。
工程は、前記ガラス基板を、３００〜５００℃の硝酸カ
リウム，硝酸ナトリウムの混合物或いは単物質からなる
溶融塩に０．５〜４時間浸漬し、コーティング樹脂層の
剥離と化学強化処理とを同時に行なうものであってもよ
い。この場合のガラス基板は、ガラス強化が可能な材料
からなる必要があり、具体的には、アルミノシリケート
系ガラス、ソーダライム系ガラス、硼珪酸系ガラスがよ
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１５】図１において、１は磁気ディスク用基板で
あり、本実施の形態では、モールドプレス成形法を用い
て成形されたガラス基板であり、データ面としての上面
１ｔおよび下面１ｂを有している。磁気ディスク用基板
１はさらに中心孔を画成する内周端面１ｉと外形を画成
する外周端面１ｏとを有している。
あり、本実施の形態では、モールドプレス成形法を用い
て成形されたガラス基板であり、データ面としての上面
１ｔおよび下面１ｂを有している。磁気ディスク用基板
１はさらに中心孔を画成する内周端面１ｉと外形を画成
する外周端面１ｏとを有している。
【００１６】図２は端面加工機１０の概略を示し、１２
はテーブル、１４はクランパー、１６は内周端面研削砥
石および１８は外周端面研削砥石である。磁気ディスク
用基板１がテーブル１２の上面とクランパー１４の下面
との間に挟持され、共に回転されて、その内周端面１ｉ
および外周端面１ｏが、それぞれ、内周端面研削砥石１
６および外周端面研削砥石１８で研削加工される。な
お、テーブル１２とクランパー１４とは、保持を確実に
し高精度な研削加工を可能とすべくＳＵＳなどの金属で
構成されている。
はテーブル、１４はクランパー、１６は内周端面研削砥
石および１８は外周端面研削砥石である。磁気ディスク
用基板１がテーブル１２の上面とクランパー１４の下面
との間に挟持され、共に回転されて、その内周端面１ｉ
および外周端面１ｏが、それぞれ、内周端面研削砥石１
６および外周端面研削砥石１８で研削加工される。な
お、テーブル１２とクランパー１４とは、保持を確実に
し高精度な研削加工を可能とすべくＳＵＳなどの金属で
構成されている。
【００１７】ここで、磁気ディスク用基板１にはその上
面１ｔおよび下面１ｂに、上記端面研削加工の前に樹脂
コーティングが施されている。この樹脂コーティング
は、スプレー式樹脂コーティング材を吹き付けるとか、
後で剥離が容易な樹脂フィルムを貼着するようにしても
よい。このようにして、磁気ディスク用基板１の上面１
ｔおよび下面１ｂのデータ面にテーブル１２とクランパ
ー１４とによるチャックキズが発生しないようにする。
面１ｔおよび下面１ｂに、上記端面研削加工の前に樹脂
コーティングが施されている。この樹脂コーティング
は、スプレー式樹脂コーティング材を吹き付けるとか、
後で剥離が容易な樹脂フィルムを貼着するようにしても
よい。このようにして、磁気ディスク用基板１の上面１
ｔおよび下面１ｂのデータ面にテーブル１２とクランパ
ー１４とによるチャックキズが発生しないようにする。
【００１８】上記研削加工が終了すると、樹脂フィルム
の場合には剥離され、溶解性樹脂の場合には溶剤を用い
ることによって溶解して取り除く。そして、必要に応じ
て表面加工を行い、洗浄後、磁性層を形成して磁気記憶
媒体とする。
の場合には剥離され、溶解性樹脂の場合には溶剤を用い
ることによって溶解して取り除く。そして、必要に応じ
て表面加工を行い、洗浄後、磁性層を形成して磁気記憶
媒体とする。
【００１９】なお、モールドプレス法に用いられるアル
ミノシリケート系ガラス、ソーダライム系ガラス、硼珪
酸系ガラスよりなる磁気ディスク用ガラス基板は、抗折
強度を上げる為に化学強化工程を入れることが通常行な
われており、軽研磨の前に行なうのが良い。この化学強
化は、約４００℃の硝酸ナトリウム，硝酸カリウム溶融
塩中に１〜４時間浸漬することによってなされる。樹脂
コーティングされた基板をこの化学強化液に浸漬する
と、容易に樹脂コーティング層が剥離されるので、化学
強化工程を入れる場合は、樹脂コーティング層の剥離工
程を省略することができる。
ミノシリケート系ガラス、ソーダライム系ガラス、硼珪
酸系ガラスよりなる磁気ディスク用ガラス基板は、抗折
強度を上げる為に化学強化工程を入れることが通常行な
われており、軽研磨の前に行なうのが良い。この化学強
化は、約４００℃の硝酸ナトリウム，硝酸カリウム溶融
塩中に１〜４時間浸漬することによってなされる。樹脂
コーティングされた基板をこの化学強化液に浸漬する
と、容易に樹脂コーティング層が剥離されるので、化学
強化工程を入れる場合は、樹脂コーティング層の剥離工
程を省略することができる。
【００２０】〔発明の実施例〕実施例１
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、スプレー式樹脂コーティング材（住鉱潤滑剤
製：α-メタルラップスプレー）を吹き付けて、３〜１
０μｍの樹脂コーティングを施し樹脂コーティング層を
形成した。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、スプレー式樹脂コーティング材（住鉱潤滑剤
製：α-メタルラップスプレー）を吹き付けて、３〜１
０μｍの樹脂コーティングを施し樹脂コーティング層を
形成した。
【００２１】その後、ガラス基板端面加工機（中村留精
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
【００２２】端面研削加工終了後、データ面に傷を発生
させない様に気をつけながらコーティング樹脂を剥離し
た。
させない様に気をつけながらコーティング樹脂を剥離し
た。
【００２３】その後、研削加工した端面をセリウム砥粒
を用いて研磨仕上げを行った。
を用いて研磨仕上げを行った。
【００２４】その後、両面研磨装置とセリウム砥粒を用
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
【００２５】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製：ＳＤＡ）を用
いて、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製：ＳＤＡ）を用
いて、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００２６】その後スパッタ法を用いて、Ｎｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／Ｗ
テスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０
ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／Ｗ
テスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０
ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００２７】実施例２
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、ＰＶＣ製マスキング材（日東電工製：Ｎ-３８
０）を貼り付けて約１００μｍの樹脂コーティングを施
し樹脂コーティング層を形成した。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、ＰＶＣ製マスキング材（日東電工製：Ｎ-３８
０）を貼り付けて約１００μｍの樹脂コーティングを施
し樹脂コーティング層を形成した。
【００２８】その後、ガラス基板端面加工機（中本留精
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
【００２９】加工終了後、データ平面に傷を発生させな
い様に気をつけながらコーティング樹脂を剥離した。
い様に気をつけながらコーティング樹脂を剥離した。
【００３０】その後、研削加工した端面をセリウム砥粒
を用いて研磨仕上げを行なった。
を用いて研磨仕上げを行なった。
【００３１】完成した磁気ディスク用基板の表面を、両
面研磨装置とセリウム砥粒を用いて加工厚さ１０〜２０
ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を行ない、Ｒａ＝０．３
ｎｍ以下の表面とした。
面研磨装置とセリウム砥粒を用いて加工厚さ１０〜２０
ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を行ない、Ｒａ＝０．３
ｎｍ以下の表面とした。
【００３２】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００３３】その後、スパッタ法を用いてＮｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ−Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護
層を順次形成し、デイップコート法を用いてフッ素系液
体潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／
Ｗテスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１
０ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ−Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護
層を順次形成し、デイップコート法を用いてフッ素系液
体潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／
Ｗテスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１
０ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００３４】実施例３
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、アクリルラッカーをスプレー法にて塗布後３時
間常温乾燥させて、樹脂コーティングを施し樹脂コーテ
ィング層を形成した。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、アクリルラッカーをスプレー法にて塗布後３時
間常温乾燥させて、樹脂コーティングを施し樹脂コーテ
ィング層を形成した。
【００３５】その後、ガラス基板端面加工機（中本留精
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝
φ６５mmのドーナツ盤形状に端面研削加工を行なった。
【００３６】端面研削加工終了後、基板をラッカーシン
ナー中に浸漬して、コーティング層を剥離した。
ナー中に浸漬して、コーティング層を剥離した。
【００３７】その後、研削加工した端面をセリウム砥粒
を用いて研磨仕上げを行った。
を用いて研磨仕上げを行った。
【００３８】その後、両面研磨装置とセリウム砥粒を用
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０.３ｎｍ以下の表面とした。
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０.３ｎｍ以下の表面とした。
【００３９】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡを用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡを用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００４０】その後、スパッタ法を用いてＮｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／Ｗ
テスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０
ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク記憶媒体とし、Ｒ／Ｗ
テスタ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０
ｎｍでのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００４１】実施例４
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、アクリルラッカーをスプレー法にて塗布後３時
間常温乾燥させて、樹脂コーティングを施し樹脂コーテ
ィング層を形成した。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板の
両面に、アクリルラッカーをスプレー法にて塗布後３時
間常温乾燥させて、樹脂コーティングを施し樹脂コーテ
ィング層を形成した。
【００４２】その後、ガラス基板端面加工機（中村留精
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０ｍｍ，外径
＝φ６５ｍｍのドーナツ盤形状に端面研削加工し、さら
に端面をセリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
密工業製：ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０ｍｍ，外径
＝φ６５ｍｍのドーナツ盤形状に端面研削加工し、さら
に端面をセリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
【００４３】その後、４００℃の溶融塩（硝酸ナトリウ
ム４０％，硝酸カリウム６０％）に２時間浸漬して化学
強化処理と樹脂剥離を同時に行なった。浸漬後取出して
水洗したが、基板表面には樹脂コーティングは残ってい
なかった。なお、処理前後で抗折強度を比較すると、処
理前５０Ｎであったものが処理後１５０Ｎと高強度化さ
れていた。
ム４０％，硝酸カリウム６０％）に２時間浸漬して化学
強化処理と樹脂剥離を同時に行なった。浸漬後取出して
水洗したが、基板表面には樹脂コーティングは残ってい
なかった。なお、処理前後で抗折強度を比較すると、処
理前５０Ｎであったものが処理後１５０Ｎと高強度化さ
れていた。
【００４４】その後、両面研磨装置とセリウム砥粒を用
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
いて加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工
を行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
【００４５】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００４６】その後、スパッタ法を用いてＮｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、デイップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、デイップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００４７】比較例１
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板を
そのまま、ガラス基板端面加工機（中本留精密工業製：
ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝φ６５mmの
ドーナツ盤形状に端面研削加工を行ない、さらに端面を
セリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板を
そのまま、ガラス基板端面加工機（中本留精密工業製：
ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０mm，外径＝φ６５mmの
ドーナツ盤形状に端面研削加工を行ない、さらに端面を
セリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
【００４８】その後、両研磨装置とセリウム砥粒を用い
て加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を
行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
て加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を
行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
【００４９】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製ＳＤＡ）を用い
て、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００５０】その後、スパッタ法を用いてＮｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００５１】比較例２
モールドプレス成形法を用いて成形された表面粗さＲａ
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板を
そのまま、ガラス基板端面加工機（中村留精密工業製：
ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０ｍｍ，外径＝φ６５ｍ
ｍのドーナツ盤形状に端面研削加工を行ない、さらに端
面をセリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
＝０．５〜２ｎｍのアルミノシリケート系ガラス基板を
そのまま、ガラス基板端面加工機（中村留精密工業製：
ＮＣＦ-５０）にて内径＝φ２０ｍｍ，外径＝φ６５ｍ
ｍのドーナツ盤形状に端面研削加工を行ない、さらに端
面をセリウム砥粒を用いて研磨仕上げを行った。
【００５２】その後、４００℃の溶融塩（硝酸ナトリウ
ム４０％，硝酸カリウム６０％）に２時間浸漬して化学
強化処理と樹脂剥離を同時に行なった。処理前後で抗折
強度を比較すると、処理前５０Ｎであったものが処理後
１５０Ｎと高強度化されていた。
ム４０％，硝酸カリウム６０％）に２時間浸漬して化学
強化処理と樹脂剥離を同時に行なった。処理前後で抗折
強度を比較すると、処理前５０Ｎであったものが処理後
１５０Ｎと高強度化されていた。
【００５３】その後、両研磨装置とセリウム砥粒を用い
て加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を
行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
て加工厚さ１０〜２０ｎｍ程度の軽ポリッシング加工を
行ない、Ｒａ＝０．３ｎｍ以下の表面とした。
【００５４】研磨砥粒と研磨粉を完全に洗浄除去した後
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製 ＳＤＡ）を用
いて、表面欠陥の全面検査を行なった。
に、０．５μｍ以上の欠陥及び付着物を検出できるレー
ザー式欠陥解析装置（システム精工社製 ＳＤＡ）を用
いて、表面欠陥の全面検査を行なった。
【００５５】その後、スパッタ法を用いてＮｉ-Ａｌ下
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
地層，Ｃｒ下地層，Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ系磁性層，Ｃ保護層
を順次形成し、ディップコート法を用いてフッ素系液体
潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒体とし、Ｒ／Ｗテス
タ，ＧＨＴテスタを用いてエラー数及び浮上量１０ｎｍ
でのヘッドヒット数（ＧＨＴ）を測定した。
【００５６】評価結果
表面欠陥数１０個／面以下，エラー数２０個／面以下，
ＧＨＴ５個以下を合格とした。
ＧＨＴ５個以下を合格とした。
【００５７】実施例１〜４は、端面研削加工時の傷が発
生しないことから、エラー，ＨＧＴ特性の優れた磁気記
憶媒体とすることが出来たが、比較例１，２は、端面研
削加工時にチャック傷が発生し、それが軽ポリッシュ工
程でも取り除けず、エラー，ＧＨＴ特性が悪い。
生しないことから、エラー，ＨＧＴ特性の優れた磁気記
憶媒体とすることが出来たが、比較例１，２は、端面研
削加工時にチャック傷が発生し、それが軽ポリッシュ工
程でも取り除けず、エラー，ＧＨＴ特性が悪い。
【００５８】
【表１】
【００５９】
【発明の効果】以上の説明から明かなように本発明によ
れば、端面研削加工時のチャック傷が発生しないことか
ら、端面研削加工後、ラッピング加工なしでポリッシン
グ工程を省略するか軽ポリッシングで済むので、工程が
大幅に減少され、高記憶密度記憶媒体を廉価に製造する
ことができる。
れば、端面研削加工時のチャック傷が発生しないことか
ら、端面研削加工後、ラッピング加工なしでポリッシン
グ工程を省略するか軽ポリッシングで済むので、工程が
大幅に減少され、高記憶密度記憶媒体を廉価に製造する
ことができる。
【００６０】モールドプレス成形法等によって作られた
表面精度の高い基板の場合には、剥離工程と化学強化処
理とを同時に行うことができ、さらに効果的である。
表面精度の高い基板の場合には、剥離工程と化学強化処
理とを同時に行うことができ、さらに効果的である。
【００６１】又、従来からあるＮｉ−ＰめっきＡｌ基板
や、ラップと研磨によってデータ面を仕上げる従来製法
のガラス基板におていも、端面加工時に切り粉の噛み込
みによって発生したイレギュラーな欠陥対策となり、良
品を向上させる効果がある。
や、ラップと研磨によってデータ面を仕上げる従来製法
のガラス基板におていも、端面加工時に切り粉の噛み込
みによって発生したイレギュラーな欠陥対策となり、良
品を向上させる効果がある。
【図１】磁気ディスク用基板を示す斜視図である。
【図２】磁気ディスク用基板端面研削加工機の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 磁気ディスク用基板
１０ 端面研削加工機
１２ テーブル
１４ クランパー
１６ 内周端面研削砥石
１８ 外周端面研削砥石
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 伊藤 健太
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 CB04
5D112 AA02 BA03 BA09 GA09
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の端面研削加工の前に前記基板に樹
脂コーティングを施して樹脂コーティング層を形成し、 基板の端面研削加工を行い、そして、 該加工後、前記樹脂コーティング層を剥離する工程を含
むことを特徴とする磁気ディスク用基板の加工方法。 - 【請求項２】 前記基板はガラス基板であり、前記樹脂
コーティング層はスプレー式樹脂コーティング材を吹き
付けて形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の磁気ディスク用基板の加工方法。 - 【請求項３】 前記基板はガラス基板であり、前記樹脂
コーティング層はＰＶＣ製マスキング材を貼り付けて形
成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気デ
ィスク用基板の加工方法。 - 【請求項４】 前記基板はガラス基板であり、前記樹脂
コーティング層はアクリルラッカーをスプレー法にて塗
布して形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の磁気ディスク用基板の加工方法。 - 【請求項５】 前記樹脂コーティング層を剥離する工程
は、前記ガラス基板を、３００〜５００℃の硝酸カリウ
ム，硝酸ナトリウムの混合物或いは単物質からなる溶融
塩に０．５〜４時間浸漬し、コーティング樹脂層の剥離
と化学強化処理とを同時に行なうことを特徴とする請求
項２ないし４のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の
加工方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の磁
気ディスク用基板の加工方法により加工された基板を用
いたことを特徴とする磁気ディスク記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213964A JP2003030822A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | 磁気ディスク用基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213964A JP2003030822A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | 磁気ディスク用基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003030822A true JP2003030822A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19048860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001213964A Pending JP2003030822A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | 磁気ディスク用基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003030822A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011080913A1 (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-07 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2013025829A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体用ガラス素板および磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| US8869559B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-10-28 | Hoya Corporation | Method of manufacturing a glass substrate for magnetic disk |
| US8973404B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-03-10 | Hoya Corporation | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk, manufacturing method of glass blank, glass substrate for magnetic disk, and glass blank |
| US9003834B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-04-14 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof |
-
2001
- 2001-07-13 JP JP2001213964A patent/JP2003030822A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011080913A1 (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-07 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2011154773A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-08-11 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板 |
| US8733129B2 (en) | 2009-12-29 | 2014-05-27 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof |
| US9003834B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-04-14 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof |
| US9085479B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-07-21 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof |
| US8973404B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-03-10 | Hoya Corporation | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk, manufacturing method of glass blank, glass substrate for magnetic disk, and glass blank |
| US8869559B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-10-28 | Hoya Corporation | Method of manufacturing a glass substrate for magnetic disk |
| JP2013025829A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体用ガラス素板および磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9685185B2 (en) | Glass substrate for magnetic disk and magnetic recording medium | |
| JP2002219642A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板およびその製造方法、並びに該基板を用いた磁気記録媒体 | |
| JP3512702B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2003030822A (ja) | 磁気ディスク用基板の加工方法 | |
| US20100081013A1 (en) | Magnetic disk substrate and magnetic disk | |
| JP2011198429A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板およびその評価方法 | |
| JP2009093744A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体 | |
| CN104160444B (zh) | 信息记录介质用玻璃基板的制造方法 | |
| JP5977520B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板 | |
| JP2009087409A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体 | |
| JP6138113B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、研削用キャリア | |
| JP4942428B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および加工装置、および磁気ディスクの製造方法 | |
| JP5235916B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク | |
| JP2011198428A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板およびその評価方法 | |
| JPWO2011021478A1 (ja) | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 | |
| JP2010086631A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
| WO2013146132A1 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 | |
| JP5492276B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク | |
| JP2003132529A (ja) | 磁気ディスク用基板の把持具 | |
| JP6199047B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2005285276A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク | |
| JP5425685B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
| JP5719785B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体、および情報記録装置 | |
| JPH11250455A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| WO2012132073A1 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 |