JPH01298520A - 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 - Google Patents
高分子含弗素化合物保護膜の形成方法Info
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- JPH01298520A JPH01298520A JP12717488A JP12717488A JPH01298520A JP H01298520 A JPH01298520 A JP H01298520A JP 12717488 A JP12717488 A JP 12717488A JP 12717488 A JP12717488 A JP 12717488A JP H01298520 A JPH01298520 A JP H01298520A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスクの表面に潤滑膜や絶縁膜等の保
護膜を高分子含弗素化合物によって形成するための薄板
状基材表面に対する高分子含弗素化合物保護膜の形成方
法に関する。
護膜を高分子含弗素化合物によって形成するための薄板
状基材表面に対する高分子含弗素化合物保護膜の形成方
法に関する。
固定磁気ディスク装置に使用さｎる磁気ディスク（媒体
）においては、磁気ヘッドと接触しなから摺動運動を行
なうので、基板の上にメツキ法等で形成した磁性体層の
摩耗防止のためにその表面上に潤滑剤の薄膜の層を形成
しておく必要がある。
）においては、磁気ヘッドと接触しなから摺動運動を行
なうので、基板の上にメツキ法等で形成した磁性体層の
摩耗防止のためにその表面上に潤滑剤の薄膜の層を形成
しておく必要がある。
このような潤滑剤膜を形成するため、従来はトリクロロ
トリフルオロエタン等の７０ロカーダン系の揮発性の高
い溶媒に潤滑剤である・ぐ−フルオロポリエーテル等の
高分子含弗素化合物を溶解した溶液を作り、この溶液中
に媒体を垂直に浸漬し。
トリフルオロエタン等の７０ロカーダン系の揮発性の高
い溶媒に潤滑剤である・ぐ−フルオロポリエーテル等の
高分子含弗素化合物を溶解した溶液を作り、この溶液中
に媒体を垂直に浸漬し。
媒体を一定の速度でゆっくりと（速度は約１ ｍ ７秒
）引き上げることによって潤滑剤を媒体の表面に付着さ
せると同時に、溶媒を揮発させて潤滑膜を形成するとい
う方法が一般的に用いら扛ている。
）引き上げることによって潤滑剤を媒体の表面に付着さ
せると同時に、溶媒を揮発させて潤滑膜を形成するとい
う方法が一般的に用いら扛ている。
この方法をディッピング法という。
また、ディッピング法以外の方法として、潤滑剤を溶解
した溶液を媒体の表面に噴霧（スプレー）し媒体表面全
体を布等でこすって潤滑膜が−様な厚さとなるように引
き伸ばすいわゆるスプレー法や、媒体を高速で回転させ
ながらその表面に潤滑剤を溶解した溶液を滴下して遠心
力によって全体を−様な厚さとするスピンコード方法が
用いられている。
した溶液を媒体の表面に噴霧（スプレー）し媒体表面全
体を布等でこすって潤滑膜が−様な厚さとなるように引
き伸ばすいわゆるスプレー法や、媒体を高速で回転させ
ながらその表面に潤滑剤を溶解した溶液を滴下して遠心
力によって全体を−様な厚さとするスピンコード方法が
用いられている。
上述した従来の技術、即ち、デイツプコート。
スプレーコート、スピンコードはいずれも磁気ディスク
表面に高分子含弗素化合物の膜を非常に薄く形成するた
め、高分子含弗素化合物を溶媒によって希釈する必要が
ある。
表面に高分子含弗素化合物の膜を非常に薄く形成するた
め、高分子含弗素化合物を溶媒によって希釈する必要が
ある。
・や−フルオロポリエーテルに代表さｎる高分子含弗素
化合物は、フッ素系溶媒以外には溶解しないので、希釈
用溶媒としてはトリクロロトリフルオロエタン等の低沸
点のフッ素系溶媒を使用する。
化合物は、フッ素系溶媒以外には溶解しないので、希釈
用溶媒としてはトリクロロトリフルオロエタン等の低沸
点のフッ素系溶媒を使用する。
しかしながら、このトリクロロトリフルオロエタン等の
低沸点のフッ素系溶媒は、最近大気圏のオゾン層を破壊
することが判り、将来その使用が規制さｎることか確実
となっている。
低沸点のフッ素系溶媒は、最近大気圏のオゾン層を破壊
することが判り、将来その使用が規制さｎることか確実
となっている。
したがって２本発明の目的は、上述のような従来の薄板
状磁気ディスク表面の高分子含弗素化合物保護膜の形成
方法の欠点である溶媒の使用をなくシ、無溶媒でも前記
基材表面上に均一でかつ非常に薄い高分子含弗素化合物
保護膜を形成する方法を提供しようとすることにある。
状磁気ディスク表面の高分子含弗素化合物保護膜の形成
方法の欠点である溶媒の使用をなくシ、無溶媒でも前記
基材表面上に均一でかつ非常に薄い高分子含弗素化合物
保護膜を形成する方法を提供しようとすることにある。
本発明の高分子含弗素化合物保護膜の形成方法は、官能
基を有する・ぐ−フルオロポリエーテルを何ら溶媒に溶
かすことなくそのままの状態で水面上に滴下して、その
表面に前記・ぐ−フルオロポリエーテルの展開膜を形成
し、その展開膜に薄板状等の磁気ディスク表面を接触さ
せて前記展開膜を磁気ディスクの表面に付着させるとい
う構成から成る。
基を有する・ぐ−フルオロポリエーテルを何ら溶媒に溶
かすことなくそのままの状態で水面上に滴下して、その
表面に前記・ぐ−フルオロポリエーテルの展開膜を形成
し、その展開膜に薄板状等の磁気ディスク表面を接触さ
せて前記展開膜を磁気ディスクの表面に付着させるとい
う構成から成る。
次に本発明の実施例について説明する。
本発明で用いる高分子含弗素化合物である官能基を有す
るパーフルオロポリエーテルとしては。
るパーフルオロポリエーテルとしては。
下記（Ｉ）〜（財）に示す分子構造を有する物の内、任
意の１種を使用する。
意の１種を使用する。
以下余日
（Ｉ） ＲｏｏＣ−ＣＦ２−（０−Ｃ２Ｆ４）ｐ−（Ｏ
ＣＦ２）９−ＯＣＦ２−ＣＯＯＲ（Ｒはアルキル基） （ＩＩ） ＨＯＯＣ−ＣＦ −（０−Ｃ２Ｆ４）、−（
ＯＣＦ２）９−ＯＣＦ２−ＣＯＯＨ（ＩＩＤ ＨＯ−Ｃ
Ｈ２−ＣＦ２−（０−０２Ｆ４）、−（ＯＣＦ２）、−
０ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨＣＦ２ Ｃ（Ｎ（ Ｃ６Ｈ，（ＣＨ３）−ＮＩＩＸ） （Ｖ） Ｆ−（ＣＦ−ＣＦ’２−０）ｎ−ＣＦ２−ＣＦ
２−ＣＯＯＨＣＦ３ 上述のように高分子の一部にカルボキシル基（ＣＯＯＨ
）やアミド結合やエステル結合などを導入することによ
って、その官能基が親水基となり、水面上に滴下した際
に非常に均一な膜となって水面上に展開する。
ＣＦ２）９−ＯＣＦ２−ＣＯＯＲ（Ｒはアルキル基） （ＩＩ） ＨＯＯＣ−ＣＦ −（０−Ｃ２Ｆ４）、−（
ＯＣＦ２）９−ＯＣＦ２−ＣＯＯＨ（ＩＩＤ ＨＯ−Ｃ
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２−ＣＯＯＨＣＦ３ 上述のように高分子の一部にカルボキシル基（ＣＯＯＨ
）やアミド結合やエステル結合などを導入することによ
って、その官能基が親水基となり、水面上に滴下した際
に非常に均一な膜となって水面上に展開する。
こ扛は以前よシ知られている。低分子量の極性物質（親
水基と疎水基を持つ物質）を水面上に展開して単分子膜
を得るというラングミュア・プロノエッド法（Ｌ、Ｂ法
）に酷似しているが、上述した官能基を有するｔＪ？−
フルオロポリエーテルでは高分子であるため必ずしも完
全な単分子膜になるとは限らない。ただし、その展開さ
れた膜厚は非常に均一であることが判っている。
水基と疎水基を持つ物質）を水面上に展開して単分子膜
を得るというラングミュア・プロノエッド法（Ｌ、Ｂ法
）に酷似しているが、上述した官能基を有するｔＪ？−
フルオロポリエーテルでは高分子であるため必ずしも完
全な単分子膜になるとは限らない。ただし、その展開さ
れた膜厚は非常に均一であることが判っている。
一般的に、 Ｌ、Ｂ法では展開する材料を適当な溶媒で
希釈するのが普通であるが、上述した官能基ｔ−有する
パーフルオロポリエーテルはその分子構造から水面上で
の展開が非常に容易であるため。
希釈するのが普通であるが、上述した官能基ｔ−有する
パーフルオロポリエーテルはその分子構造から水面上で
の展開が非常に容易であるため。
無溶媒でも十分水面上に展開することができる。
この方法によって、高分子含弗素化合物として。
カルボキシル基を官能基として有するパーフルオロポリ
エーテルの１種であるＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳ （
米表面圧（０と面積（４）の関係を第１図ｔ＝＊Ｔ。
エーテルの１種であるＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳ （
米表面圧（０と面積（４）の関係を第１図ｔ＝＊Ｔ。
このＦ−Ａ曲線が示す様に１面積囚」が小さくなるに従
って表面圧Ｖ）が大きくなるという、いわゆるり、Ｂ膜
の特徴と酷似しておシ、無溶媒での水面上への展開によ
っても明らかに均一な膜が形成されている。
って表面圧Ｖ）が大きくなるという、いわゆるり、Ｂ膜
の特徴と酷似しておシ、無溶媒での水面上への展開によ
っても明らかに均一な膜が形成されている。
この様にして水面上に展開された高分子含弗素化合物膜
を磁気ディスク表面に付着させる方法としては、磁気デ
ィスクをあらかじめ水中に沈めておいて水面上に膜を形
成した後水中から引き上げて基材表面に膜を付着させる
方法と、磁気ディスクを水中に置かず水面に展開した膜
の上から磁気ディスクを水中に浸漬して再び引き上げる
ことによって膜を基材表面に付着させる方法がある。こ
の場合は、磁気ディスクの往復運動によって膜は２度そ
の表面に付着さｎることになる。
を磁気ディスク表面に付着させる方法としては、磁気デ
ィスクをあらかじめ水中に沈めておいて水面上に膜を形
成した後水中から引き上げて基材表面に膜を付着させる
方法と、磁気ディスクを水中に置かず水面に展開した膜
の上から磁気ディスクを水中に浸漬して再び引き上げる
ことによって膜を基材表面に付着させる方法がある。こ
の場合は、磁気ディスクの往復運動によって膜は２度そ
の表面に付着さｎることになる。
又、上述の様に磁気ディスクを水面に対して垂直に移動
させる方法の他に、磁気ディスクの表面を水面と平行に
して水面上に展開している膜に接触させることによって
付着を行うこともできる。
させる方法の他に、磁気ディスクの表面を水面と平行に
して水面上に展開している膜に接触させることによって
付着を行うこともできる。
以上詳細に説明した様に２本発明の高分子含弗素化合物
保護膜の形成方法は、官能基を有する・９−フルオロポ
リエーテルを無溶媒で水面上に展開してその展開膜を基
材表面に付着させる方法であるので、有害な高揮発性の
フッ素系溶媒を使用せず、均一でしかも非常に薄い保護
膜を磁気ディスク上に付着できるという効果がある。
保護膜の形成方法は、官能基を有する・９−フルオロポ
リエーテルを無溶媒で水面上に展開してその展開膜を基
材表面に付着させる方法であるので、有害な高揮発性の
フッ素系溶媒を使用せず、均一でしかも非常に薄い保護
膜を磁気ディスク上に付着できるという効果がある。
Claims (1)
- １、官能基を有するパーフルオロポリエーテルを原液の
まま水面上に滴下してその水面上に該パーフルオロポリ
エーテルの展開膜を形成し、この展開膜に薄板状もしく
はテープあるいはリボン状の磁性ディスクの表面を接触
させて前記展開膜を前記磁性ディスクの表面に付着させ
ることを特徴とする、高分子含弗素化合物保護膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717488A JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717488A JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298520A true JPH01298520A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2621929B2 JP2621929B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14953499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12717488A Expired - Lifetime JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621929B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12717488A patent/JP2621929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621929B2 (ja) | 1997-06-18 |
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