JP2621929B2 - 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 - Google Patents
高分子含弗素化合物保護膜の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，磁気ディスクの表面に潤滑膜や絶縁膜等の
保護膜を高分子含弗素化合物によって形成するための薄
膜状基材表面に対する高分子含弗素化合物保護膜の形成
方法に関する。
保護膜を高分子含弗素化合物によって形成するための薄
膜状基材表面に対する高分子含弗素化合物保護膜の形成
方法に関する。
〔従来の技術〕 固定磁気ディスク装置に使用される磁気ディスク（媒
体）においては，磁気ヘッドと接触しながら摺動運動を
行なうので，基板の上にメッキ法等で形成した磁性体層
の摩耗防止のためにその表面上に潤滑剤の薄膜の層を形
成しておく必要がある。このような潤滑剤膜を形成する
ため，従来はトリクロロトリフルオロエタン等のフロロ
カーボン系の揮発性の高い溶媒に潤滑剤であるパーフル
オロポリエーテル等の高分子含弗素化合物を溶解した溶
液を作り，この溶液中に媒体を垂直に浸漬し，媒体を一
定の速度でゆっくりと（速度は約1mm/秒）引き上げるこ
とによって潤滑剤を媒体の表面に付着させると同時に，
溶媒を揮発させて潤滑膜を形成するという方法が一般的
に用いられている。この方法をディッピング法という。
体）においては，磁気ヘッドと接触しながら摺動運動を
行なうので，基板の上にメッキ法等で形成した磁性体層
の摩耗防止のためにその表面上に潤滑剤の薄膜の層を形
成しておく必要がある。このような潤滑剤膜を形成する
ため，従来はトリクロロトリフルオロエタン等のフロロ
カーボン系の揮発性の高い溶媒に潤滑剤であるパーフル
オロポリエーテル等の高分子含弗素化合物を溶解した溶
液を作り，この溶液中に媒体を垂直に浸漬し，媒体を一
定の速度でゆっくりと（速度は約1mm/秒）引き上げるこ
とによって潤滑剤を媒体の表面に付着させると同時に，
溶媒を揮発させて潤滑膜を形成するという方法が一般的
に用いられている。この方法をディッピング法という。
また，ディッピング法以外の方法として，潤滑剤を溶
解した溶液を媒体の表面に噴霧（スプレー）し媒体表面
全体を布等でこすって潤滑膜が一様な厚さとなるように
引き伸ばすいわゆるスプレー法や，媒体を高速で回転さ
せながらその表面に潤滑剤を溶解した溶液を滴下して遠
心力によって全体を一様な厚さとするスピンコート方法
が用いられている。
解した溶液を媒体の表面に噴霧（スプレー）し媒体表面
全体を布等でこすって潤滑膜が一様な厚さとなるように
引き伸ばすいわゆるスプレー法や，媒体を高速で回転さ
せながらその表面に潤滑剤を溶解した溶液を滴下して遠
心力によって全体を一様な厚さとするスピンコート方法
が用いられている。
上述した従来の技術，即ち，ディップコート，スプレ
ーコート，スピンコートはいずれも磁気ディスク表面に
高分子含弗素化合物の膜を非常に薄く形成するため，高
分子含弗素化合物を溶媒によって希釈する必要がある。
ーコート，スピンコートはいずれも磁気ディスク表面に
高分子含弗素化合物の膜を非常に薄く形成するため，高
分子含弗素化合物を溶媒によって希釈する必要がある。
パーフルオロポリエーテルに代表される高分子含弗素
化合物は，フッ素系溶媒以外には溶解しないので，希釈
用溶媒としてはトリクロロトリフルオロエタン等の低沸
点のフッ素系溶媒を使用する。
化合物は，フッ素系溶媒以外には溶解しないので，希釈
用溶媒としてはトリクロロトリフルオロエタン等の低沸
点のフッ素系溶媒を使用する。
しかしながら，このトリクロロトリフルオロエタン等
の低沸点のフッ素系溶媒は，最近大気圏のオゾン層を破
壊することが判り，将来その使用が規制されることが確
実となっている。
の低沸点のフッ素系溶媒は，最近大気圏のオゾン層を破
壊することが判り，将来その使用が規制されることが確
実となっている。
したがって，本発明の目的は，上述のような従来の薄
板状磁気ディスク表面の高分子含弗素化合物保護膜の形
成方法の欠点である溶媒の使用をなくし，無溶媒でも前
記基材表面上に均一でかつ非常に薄い高分子含弗素化合
物保護膜を形成する方法を提供しようとすることにあ
る。
板状磁気ディスク表面の高分子含弗素化合物保護膜の形
成方法の欠点である溶媒の使用をなくし，無溶媒でも前
記基材表面上に均一でかつ非常に薄い高分子含弗素化合
物保護膜を形成する方法を提供しようとすることにあ
る。
本発明の高分子含弗素化合物保護膜の形成方法は，官
能基を有するパーフルオロポリエーテルを何ら溶媒に溶
かすことなくそのままの状態で水面上に滴下して，その
表面に前記パーフルオロポリエーテルの展開膜を形成
し，その展開膜に薄板状等の磁気ディスク表面を接触さ
せて前記展開膜を磁気ディスクの表面に付着させるとい
う構成から成る。
能基を有するパーフルオロポリエーテルを何ら溶媒に溶
かすことなくそのままの状態で水面上に滴下して，その
表面に前記パーフルオロポリエーテルの展開膜を形成
し，その展開膜に薄板状等の磁気ディスク表面を接触さ
せて前記展開膜を磁気ディスクの表面に付着させるとい
う構成から成る。
次に本発明の実施例について説明する。
本発明で用いる高分子含弗素化合物である官能基を有
するパーフルオロポリエーテルとしては，下記（Ｉ）〜
（IV）に示す分子構造を有する物の内，任意の１種を使
用する。
するパーフルオロポリエーテルとしては，下記（Ｉ）〜
（IV）に示す分子構造を有する物の内，任意の１種を使
用する。
（Ｉ）ROOC−CF2−（Ｏ−C2F4）−（OCF2）ｑ−OCF2−C
OOR（Ｒはアルキル基） （II）HOOC−CF2−（Ｏ−C2F4）Ｐ−（OCF2）ｑ−OCF2
−COOH （III）HO−CH2−CF2−（Ｏ−C2F4）Ｐ−（OCF2）ｑ−O
CF2−CH2−OH 上述のように高分子の一部にカルボキシル基（COOH）
やアミド結合やエステル結合などを導入することによっ
て，その官能基が親水基となり，水面上に滴下した際に
非常に均一な膜となって水面上に展開する。
OOR（Ｒはアルキル基） （II）HOOC−CF2−（Ｏ−C2F4）Ｐ−（OCF2）ｑ−OCF2
−COOH （III）HO−CH2−CF2−（Ｏ−C2F4）Ｐ−（OCF2）ｑ−O
CF2−CH2−OH 上述のように高分子の一部にカルボキシル基（COOH）
やアミド結合やエステル結合などを導入することによっ
て，その官能基が親水基となり，水面上に滴下した際に
非常に均一な膜となって水面上に展開する。
これは以前より知られている，低分子量の極性物質
（親水基と疎水基を持つ物質）を水面上に展開して単分
子膜を得るというラングミュア・ブロジェッド法（L.B
法）に酷似しているが，上述した官能基を有するパーフ
ルオロポリエーテルでは高分子であるため必ずしも完全
な単分子膜になるとは限らない。ただし，その展開され
た膜厚は非常に均一であることが判っている。
（親水基と疎水基を持つ物質）を水面上に展開して単分
子膜を得るというラングミュア・ブロジェッド法（L.B
法）に酷似しているが，上述した官能基を有するパーフ
ルオロポリエーテルでは高分子であるため必ずしも完全
な単分子膜になるとは限らない。ただし，その展開され
た膜厚は非常に均一であることが判っている。
一般的に,L.B法では展開する材料を適当な溶媒で希釈
するのが普通であるが，上述した官能基を有するパーフ
ルオロポリエーテルはその分子構造から水面上での展開
が非常に容易であるため，無溶媒でも十分水面上に展開
することができる。
するのが普通であるが，上述した官能基を有するパーフ
ルオロポリエーテルはその分子構造から水面上での展開
が非常に容易であるため，無溶媒でも十分水面上に展開
することができる。
この方法によって，高分子含弗素化合物として，カル
ボキシル基を官能基として有するパーフルオロポリエー
テルの１種であるKRYTOX 157 FS（米国デュポン社の分
子構造は を無溶媒で水面上に展開して得られた表面圧（Ｆ）と面
積（Ａ）の関係を第１図に示す。
ボキシル基を官能基として有するパーフルオロポリエー
テルの１種であるKRYTOX 157 FS（米国デュポン社の分
子構造は を無溶媒で水面上に展開して得られた表面圧（Ｆ）と面
積（Ａ）の関係を第１図に示す。
このＦ−Ａ曲線が示す様に，面積（Ａ）が小さくなる
に従って表面圧（Ｆ）が大きくなるという，いわゆるL.
B膜の特徴と酷似しており，無溶媒での水面上への展開
によっても明らかに均一な膜が形成されている。
に従って表面圧（Ｆ）が大きくなるという，いわゆるL.
B膜の特徴と酷似しており，無溶媒での水面上への展開
によっても明らかに均一な膜が形成されている。
この様にして水面上に展開された高分子含弗素化合物
膜を磁気ディスク表面に付着させる方法としては，磁気
ディスクをあらかじめ水中に沈めておいて水面上に膜を
形成した後水中から引き上げて基材表面に膜を付着させ
る方法と，磁気ディスクを水中に置かず水面に展開した
膜の上から磁気ディスクを水中に浸漬して再び引き上げ
ることによって膜を基材表面に付着させる方法がある。
この場合は，磁気ディスクの往復運動によって膜は２度
その表面に付着されることになる。
膜を磁気ディスク表面に付着させる方法としては，磁気
ディスクをあらかじめ水中に沈めておいて水面上に膜を
形成した後水中から引き上げて基材表面に膜を付着させ
る方法と，磁気ディスクを水中に置かず水面に展開した
膜の上から磁気ディスクを水中に浸漬して再び引き上げ
ることによって膜を基材表面に付着させる方法がある。
この場合は，磁気ディスクの往復運動によって膜は２度
その表面に付着されることになる。
又，上述の様に磁気ディスクを水面に対して垂直に移
動させる方法の他に，磁気ディスクの表面を水面と平行
にして水面上に展開している膜に接触させることによっ
て付着を行うこともできる。
動させる方法の他に，磁気ディスクの表面を水面と平行
にして水面上に展開している膜に接触させることによっ
て付着を行うこともできる。
以上詳細に説明した様に，本発明の高分子含弗素化合
物保護膜の形成方法は，官能基を有するパーフルオロポ
リエーテルを無溶媒で水面上に展開してその展開膜を基
材表面に付着させる方法であるので，有害な高揮発性の
フッ素系溶媒を使用せず，均一でしかも非常に薄い保護
膜を磁気ディスク上に付着できるという効果がある。
物保護膜の形成方法は，官能基を有するパーフルオロポ
リエーテルを無溶媒で水面上に展開してその展開膜を基
材表面に付着させる方法であるので，有害な高揮発性の
フッ素系溶媒を使用せず，均一でしかも非常に薄い保護
膜を磁気ディスク上に付着できるという効果がある。
第１図は，本発明の高分子含弗素化合物保護膜の形成方
法に用いる官能基を有するパーフルオロポリエーテルの
１種であるKRYTOX 157 FSの表面圧−面積曲線を示す図
である。
法に用いる官能基を有するパーフルオロポリエーテルの
１種であるKRYTOX 157 FSの表面圧−面積曲線を示す図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 貴昭 東京都港区三田４丁目７番13号 パシフ ィック魚藍坂409号 (56)参考文献 特開 昭63−304426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274467（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】官能基を有するパーフルオロポリエーテル
を原液のまま水面上に滴下してその水面上に該パーフル
オロポリエーテルの展開膜を形成し，この展開膜に薄板
状もしくはテープあるいはリボン状の磁性ディスクの表
面を接触させて前記展開膜を前記磁性ディスクの表面に
付着させることを特徴とする，高分子含弗素化合物保護
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717488A JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717488A JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298520A JPH01298520A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2621929B2 true JP2621929B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14953499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12717488A Expired - Lifetime JP2621929B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 高分子含弗素化合物保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621929B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12717488A patent/JP2621929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01298520A (ja) | 1989-12-01 |
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