JPH01295151A - ガス検出装置 - Google Patents
ガス検出装置Info
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- JPH01295151A JPH01295151A JP12544688A JP12544688A JPH01295151A JP H01295151 A JPH01295151 A JP H01295151A JP 12544688 A JP12544688 A JP 12544688A JP 12544688 A JP12544688 A JP 12544688A JP H01295151 A JPH01295151 A JP H01295151A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は酸化すず系半導体をガス感応体とするガス検
出装置、特にその加熱装置に関する。
出装置、特にその加熱装置に関する。
酸化すず系半導体をガス感応体とする従来のガスセンサ
を第１１図および第１２図に示す。このガスセンサ１０
ａはアルミナ製のセンサ基板１１の一方の面には第１１
図に示すように一対の電極１２．１３が設けられ、この
電極１２．１３を跨いでガス感応体として酸化すず系半
導体１４が設けられている。センサ基板１１の他方の面
には第１２図に示すように白金厚膜ヒータ１７が設けら
れている。この白金厚膜ヒータ１７は、このようなガス
センサ１０ａを一般家庭用ガス漏れ警報器に用いる場合
、被検ガスであるイソブタン、メタンおよび水素をガス
感応体により検知しガス漏れ警報器として必要な出力を
得るためにガスセンサ１０ａを常時３５０℃〜４５０℃
に加熱しておくためのものである。１５．’１６は酸化
すず系半導体１４のリード線、１８．１９は白金厚膜ヒ
ータ１７のリード線である。
を第１１図および第１２図に示す。このガスセンサ１０
ａはアルミナ製のセンサ基板１１の一方の面には第１１
図に示すように一対の電極１２．１３が設けられ、この
電極１２．１３を跨いでガス感応体として酸化すず系半
導体１４が設けられている。センサ基板１１の他方の面
には第１２図に示すように白金厚膜ヒータ１７が設けら
れている。この白金厚膜ヒータ１７は、このようなガス
センサ１０ａを一般家庭用ガス漏れ警報器に用いる場合
、被検ガスであるイソブタン、メタンおよび水素をガス
感応体により検知しガス漏れ警報器として必要な出力を
得るためにガスセンサ１０ａを常時３５０℃〜４５０℃
に加熱しておくためのものである。１５．’１６は酸化
すず系半導体１４のリード線、１８．１９は白金厚膜ヒ
ータ１７のリード線である。
白金厚膜ヒータ１７を３５０℃〜４５０℃に加熱するた
めにヒータに印加される電圧は数〔ｖ〕〜十数（Ｖ）程
度の低電圧であり、これを一般家庭用の商用交流１００
（Ｖ）電源より得ようとする場合には第１３図に示すよ
うに降圧用変圧器を用いる。第１３図において１は商用
交流電源、２は降圧用変圧器、３は分圧抵抗器、４は警
報ブザー等を作動さ、せるために必要な出力■。を得る
ための負荷抵抗器、１０ａは前述したガスセンサである
。降圧用変圧器２の二次側出力はガスセンサ１０のリー
ド線１８゜１９に接続される。このように発熱抵抗体と
して白金厚膜ヒータを用いるガスセンサを一般家庭用ガ
ス漏れ警報器に用いる場合には商用交流電源を降圧する
変圧器を必要とし、これがガス漏れ警報器の小形化、軽
量化、低価格化の障害となっていた。
めにヒータに印加される電圧は数〔ｖ〕〜十数（Ｖ）程
度の低電圧であり、これを一般家庭用の商用交流１００
（Ｖ）電源より得ようとする場合には第１３図に示すよ
うに降圧用変圧器を用いる。第１３図において１は商用
交流電源、２は降圧用変圧器、３は分圧抵抗器、４は警
報ブザー等を作動さ、せるために必要な出力■。を得る
ための負荷抵抗器、１０ａは前述したガスセンサである
。降圧用変圧器２の二次側出力はガスセンサ１０のリー
ド線１８゜１９に接続される。このように発熱抵抗体と
して白金厚膜ヒータを用いるガスセンサを一般家庭用ガ
ス漏れ警報器に用いる場合には商用交流電源を降圧する
変圧器を必要とし、これがガス漏れ警報器の小形化、軽
量化、低価格化の障害となっていた。
この障害を取除くため、降圧用変圧器を用いることなく
商用交流電源１００（Ｖ）を直接印加できる発熱抵抗体
材料として酸化ルテニウム（ＲｕＯｚ）を主成分とする
発熱抵抗体が注目されている。第１４図はガスセンサ１
０ｂのセンサ基板１１の他方の面に一対の電極２０．２
１を設け、この電極２０．２１を跨いで酸化ルテニウム
系発熱抵抗体２２を設け、電極２０゜２１にはそれぞれ
リード線２３．２４を接続したものである。センサ基板
１１の一方の面は第１１図と全く同じであるので図示省
略した。第１５図はこのガスセンサ１０ｂを商用交流電
源に接続した電気回路図で、第１３図で示した降圧用変
圧器を用いることなく酸化ルテニウム系発熱抵抗体２２
は電極２０．２１およびリードｖＡ２３，２４を介して
商用交流電源１に直接接続されている。ガス感応体であ
る酸化すず系半導体の商用交流電源１への接続は第１３
図と全く同じであるので説明は省略する。
商用交流電源１００（Ｖ）を直接印加できる発熱抵抗体
材料として酸化ルテニウム（ＲｕＯｚ）を主成分とする
発熱抵抗体が注目されている。第１４図はガスセンサ１
０ｂのセンサ基板１１の他方の面に一対の電極２０．２
１を設け、この電極２０．２１を跨いで酸化ルテニウム
系発熱抵抗体２２を設け、電極２０゜２１にはそれぞれ
リード線２３．２４を接続したものである。センサ基板
１１の一方の面は第１１図と全く同じであるので図示省
略した。第１５図はこのガスセンサ１０ｂを商用交流電
源に接続した電気回路図で、第１３図で示した降圧用変
圧器を用いることなく酸化ルテニウム系発熱抵抗体２２
は電極２０．２１およびリードｖＡ２３，２４を介して
商用交流電源１に直接接続されている。ガス感応体であ
る酸化すず系半導体の商用交流電源１への接続は第１３
図と全く同じであるので説明は省略する。
上述した酸化ルテニウム系発熱抵抗体を使用したガスセ
ンサ１０ｂには降圧用変圧器を不要とすることからガス
漏れ警報器の小形化、軽量化、低価格化には有効である
が、つぎのような欠点をもっている。すなわち、この酸
化ルテニウム系発熱抵抗体２２はガス感応体である酸化
すず系半導体１４から必要な出力を得るために３５０℃
〜４５０℃のような高温で長期間使用した場合、酸化ル
テニウムの蒸発によりその電気抵抗値が増大するので流
れる電流値が減少し、これがため発熱機能が低下する。
ンサ１０ｂには降圧用変圧器を不要とすることからガス
漏れ警報器の小形化、軽量化、低価格化には有効である
が、つぎのような欠点をもっている。すなわち、この酸
化ルテニウム系発熱抵抗体２２はガス感応体である酸化
すず系半導体１４から必要な出力を得るために３５０℃
〜４５０℃のような高温で長期間使用した場合、酸化ル
テニウムの蒸発によりその電気抵抗値が増大するので流
れる電流値が減少し、これがため発熱機能が低下する。
本発明の目的は上述した事情に鑑み、降圧用変圧器を用
いることなく直接商用交流電源に接続し得るような、ま
た長期間使用しても全体の加熱効果が低下しないような
ガス検出装置を提供することにある。
いることなく直接商用交流電源に接続し得るような、ま
た長期間使用しても全体の加熱効果が低下しないような
ガス検出装置を提供することにある。
この目的は本発明によれば、センサ基板の一方の面に酸
化すず系半導体からなるガス感応体を有し、前記センサ
基板の他方の面に発熱抵抗体を有するガス検出装置にお
いて、前記発熱抵抗体は酸化チルニウムを主成分とし、
清浄空気中および被検ガス雰囲気中で常時所定温度に加
熱される発熱抵抗体であるとともに前記酸化すず系半導
体からなるガス感応体の被検ガス雰囲気中での電気抵抗
の減少による発熱をガス感応体の加熱に利用することに
より達せられる。
化すず系半導体からなるガス感応体を有し、前記センサ
基板の他方の面に発熱抵抗体を有するガス検出装置にお
いて、前記発熱抵抗体は酸化チルニウムを主成分とし、
清浄空気中および被検ガス雰囲気中で常時所定温度に加
熱される発熱抵抗体であるとともに前記酸化すず系半導
体からなるガス感応体の被検ガス雰囲気中での電気抵抗
の減少による発熱をガス感応体の加熱に利用することに
より達せられる。
・酸化ルテニウムを主成分とする発熱体は降圧用変圧器
を用いることなく商用交流電源１００ｖを直接印加でき
、清浄空気中および被検ガス雰囲気中で所定の温度で加
熱し、一方酸化すず系半導体は従来通りガス感応体とし
ての機能を有し、さらに被検ガス雰囲気中においては被
検ガスと反応してその電気抵抗値が減少し、これがため
電流が多く流れることにより発熱機能をも有するように
なり、前記酸化ルテニウム系発熱体の不足する発熱量を
補うので全体としての加熱量はガス感応体の温度を高め
るのに充分である。
を用いることなく商用交流電源１００ｖを直接印加でき
、清浄空気中および被検ガス雰囲気中で所定の温度で加
熱し、一方酸化すず系半導体は従来通りガス感応体とし
ての機能を有し、さらに被検ガス雰囲気中においては被
検ガスと反応してその電気抵抗値が減少し、これがため
電流が多く流れることにより発熱機能をも有するように
なり、前記酸化ルテニウム系発熱体の不足する発熱量を
補うので全体としての加熱量はガス感応体の温度を高め
るのに充分である。
第１図ないし第５図はそれぞれ本発明の一実施例を示し
、第１図はガスセンサの要部断面図、第２図は第１図の
Ｐ矢視平面図、第３図は第１図のＱ矢視平面図、第４図
はガスセンサの組立斜視図、第５図は基本電気回路図で
ある。ガスセンサ３０は次のようにして製造される。ま
ず第１図、第２図におけるアルミナ製のセンサ基板３１
の一方の面に白金ペーストを塗布して焼成し一対の電極
３２．３３を形成する。この画電極３２．３３に跨がっ
て表面に次のような処理を行う。すなわち金属すずを硝
酸で酸化する・ことにより得られた酸化すず粉末にバイ
ンダを混合してペースト状とし、所定の形状に塗布して
８００℃で３０分間焼成したのち塩化パラジウム水溶液
に含浸し、空気中で６００℃、３時間の熱処理を行ない
ガス感応機能および発熱機能をもつ酸化すず系半導体３
４を形成した。３５．３６は前記両電極３２．３３より
引出されるリード線である。次に第１図、第３図におけ
るアルミナ製のセンサ基板３１の他方の面にも前記一方
の面で処理した方法と同じような一対の電極３７．３８
を形成する。この両極３７．３８に跨がって表面に酸化
ルテニウム系ペーストを塗布し、空気中で８５０℃、
３０分間焼成して酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９を形
成した。４０゜４１は前記両電極３７．３８より引出さ
れるリード線である。
、第１図はガスセンサの要部断面図、第２図は第１図の
Ｐ矢視平面図、第３図は第１図のＱ矢視平面図、第４図
はガスセンサの組立斜視図、第５図は基本電気回路図で
ある。ガスセンサ３０は次のようにして製造される。ま
ず第１図、第２図におけるアルミナ製のセンサ基板３１
の一方の面に白金ペーストを塗布して焼成し一対の電極
３２．３３を形成する。この画電極３２．３３に跨がっ
て表面に次のような処理を行う。すなわち金属すずを硝
酸で酸化する・ことにより得られた酸化すず粉末にバイ
ンダを混合してペースト状とし、所定の形状に塗布して
８００℃で３０分間焼成したのち塩化パラジウム水溶液
に含浸し、空気中で６００℃、３時間の熱処理を行ない
ガス感応機能および発熱機能をもつ酸化すず系半導体３
４を形成した。３５．３６は前記両電極３２．３３より
引出されるリード線である。次に第１図、第３図におけ
るアルミナ製のセンサ基板３１の他方の面にも前記一方
の面で処理した方法と同じような一対の電極３７．３８
を形成する。この両極３７．３８に跨がって表面に酸化
ルテニウム系ペーストを塗布し、空気中で８５０℃、
３０分間焼成して酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９を形
成した。４０゜４１は前記両電極３７．３８より引出さ
れるリード線である。
このように構成したガスセンサ３０は第４図に示すよう
に組立られる。ベース４６に植設された一対のステム４
２，４３には酸化すず系半導体３４からのリード線３５
．３６をそれぞれ接続し、他の一対のステム４４ 、４
５には酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９からのリード線
４０．４１を接続している。このように組立られたガス
センサ３０は第５図の基本電気回路に示すように接続す
る。すなわちガスセンサ３０の酸化ルテニウム系発熱抵
抗体３９はステム４４，４５を介して （降圧用変圧器
を用いることなく）商用交流電源４７に直接接続する。
に組立られる。ベース４６に植設された一対のステム４
２，４３には酸化すず系半導体３４からのリード線３５
．３６をそれぞれ接続し、他の一対のステム４４ 、４
５には酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９からのリード線
４０．４１を接続している。このように組立られたガス
センサ３０は第５図の基本電気回路に示すように接続す
る。すなわちガスセンサ３０の酸化ルテニウム系発熱抵
抗体３９はステム４４，４５を介して （降圧用変圧器
を用いることなく）商用交流電源４７に直接接続する。
酸化すず系半導体３４の一方のリード線３６はステム４
２を介して商用交流電源４７に接続し、他方のリード線
３５はステム４３を介し負荷抵抗器４８を経由して商用
交流電源４７に接続している。この負荷抵抗器４８の両
端子から出力Ｖ。
２を介して商用交流電源４７に接続し、他方のリード線
３５はステム４３を介し負荷抵抗器４８を経由して商用
交流電源４７に接続している。この負荷抵抗器４８の両
端子から出力Ｖ。
が得られる。
第５図に示す基本電気回路において、酸化ルテニウム系
発熱抵抗体３９の電気抵抗値は２８〔ＫΩ〕になるよう
にトリミングし、負荷抵抗器４８の電気抵抗値は１２．
５（ＫΩ〕とした。この場合商用交流電源１００（Ｖ）
を印加したとき酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９での消
費電力は０．３５ 〔Ｗ）で、ガスセンサ３０の出力特
性を通常のガス注入法により実験した結果審第６図に示
す。第６図における縦軸は出力電圧〔Ｖ〕、横軸は被検
ガスとしてのイソブタン濃度〔％〕を示す。前記実験に
おいて、本発明によるガスセンサ３０は清浄空気中では
酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９により ３００℃に加
熱されているが、０．２％イソブタン中では、酸化すず
系半導体３４の電気抵抗値が減少して電流が多く流れる
ようになり発熱する。この酸化すず系半導体３４での発
熱量は酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９での発熱量に加
えられ、その結果ガスセンサー０ａは前記３００℃から
４５０℃に昇温する。
発熱抵抗体３９の電気抵抗値は２８〔ＫΩ〕になるよう
にトリミングし、負荷抵抗器４８の電気抵抗値は１２．
５（ＫΩ〕とした。この場合商用交流電源１００（Ｖ）
を印加したとき酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９での消
費電力は０．３５ 〔Ｗ）で、ガスセンサ３０の出力特
性を通常のガス注入法により実験した結果審第６図に示
す。第６図における縦軸は出力電圧〔Ｖ〕、横軸は被検
ガスとしてのイソブタン濃度〔％〕を示す。前記実験に
おいて、本発明によるガスセンサ３０は清浄空気中では
酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９により ３００℃に加
熱されているが、０．２％イソブタン中では、酸化すず
系半導体３４の電気抵抗値が減少して電流が多く流れる
ようになり発熱する。この酸化すず系半導体３４での発
熱量は酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９での発熱量に加
えられ、その結果ガスセンサー０ａは前記３００℃から
４５０℃に昇温する。
また前記酸化すず系半導体３４の電気抵抗値の減少は負
荷抵抗器４８にかかる分圧を高め、この両端子の出力電
圧港を大きくする効果もある。これの比較例として第１
３図で示した従来の基本電気回路により求めたガスセン
サー０ａの出力例を第７図に示す。このガス”センサー
０ａでは温度が４５０℃の時白金厚膜ヒーター７の印加
電圧は３．Ｉ Ｃ’Ｖ）で′あり、一般家庭用商用交
流電源１の電圧１００ （Ｖ）を降圧用変圧器２を用
いて降圧して印加しなければならなかった。他の比較例
として第１５図で示した他の従来の基本電気回路により
求めたガスセンサー０ｂの出力例を第８図に示す。この
ガスセンサー０ｂでは曲線Ａに示すような出力特性を得
るためには酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９の電力を大
きくしてガスセンサー０ｂの温度を４５０℃に維持して
おかねばならず、この場合には酸化ルテニウムの熱的劣
化が促進される。曲線Ｂで示す出力特性は酸化ルテニウ
ムの熱的劣化が生じない温度３００°Ｃにガスセンサ１
０ｂを加熱して維持した場合であり、この場合は十分な
出力特性が得られない。
荷抵抗器４８にかかる分圧を高め、この両端子の出力電
圧港を大きくする効果もある。これの比較例として第１
３図で示した従来の基本電気回路により求めたガスセン
サー０ａの出力例を第７図に示す。このガス”センサー
０ａでは温度が４５０℃の時白金厚膜ヒーター７の印加
電圧は３．Ｉ Ｃ’Ｖ）で′あり、一般家庭用商用交
流電源１の電圧１００ （Ｖ）を降圧用変圧器２を用
いて降圧して印加しなければならなかった。他の比較例
として第１５図で示した他の従来の基本電気回路により
求めたガスセンサー０ｂの出力例を第８図に示す。この
ガスセンサー０ｂでは曲線Ａに示すような出力特性を得
るためには酸化ルテニウム系発熱抵抗体３９の電力を大
きくしてガスセンサー０ｂの温度を４５０℃に維持して
おかねばならず、この場合には酸化ルテニウムの熱的劣
化が促進される。曲線Ｂで示す出力特性は酸化ルテニウ
ムの熱的劣化が生じない温度３００°Ｃにガスセンサ１
０ｂを加熱して維持した場合であり、この場合は十分な
出力特性が得られない。
第９図はガスセンサ３０または１０ｂにおける０、２〔
％〕濃度のイソブタンに対する出力の経時安定性を示す
もので、縦軸は出力電圧〔■〕、横軸は通電時間〔日〕
である。図におＣ＞る曲線Ｃは本発明によるガスセンサ
３０、曲線り、Ｅは比較例として第１４図１．第１５図
で示したガスセンサ１０ｂを温度４５０℃に加熱維持し
た場合（曲線Ｄ）と温度３００℃に加熱維持した場合（
曲線Ｅ）である。図から明らかなように第１４図、第１
５図で示したガスセンサ１０ｂは低温（３００℃）加熱
維持のときは出力は安定して得られるが出力の値が小さ
く、高温（４５０℃）加熱維持のときは初期には比較的
大きい出力が得られるが、経時とともに酸化ルテニウム
系発熱抵抗体３９が劣化するため発熱量が少なくなって
ガスセンサ１０ｂの温度が低くなり、出力も徐々に減少
する。これに対し本発明によるガスセンサ３ｏは曲線Ｃ
で示すように出力は大きく、しかも経時的にも安定して
いる。
％〕濃度のイソブタンに対する出力の経時安定性を示す
もので、縦軸は出力電圧〔■〕、横軸は通電時間〔日〕
である。図におＣ＞る曲線Ｃは本発明によるガスセンサ
３０、曲線り、Ｅは比較例として第１４図１．第１５図
で示したガスセンサ１０ｂを温度４５０℃に加熱維持し
た場合（曲線Ｄ）と温度３００℃に加熱維持した場合（
曲線Ｅ）である。図から明らかなように第１４図、第１
５図で示したガスセンサ１０ｂは低温（３００℃）加熱
維持のときは出力は安定して得られるが出力の値が小さ
く、高温（４５０℃）加熱維持のときは初期には比較的
大きい出力が得られるが、経時とともに酸化ルテニウム
系発熱抵抗体３９が劣化するため発熱量が少なくなって
ガスセンサ１０ｂの温度が低くなり、出力も徐々に減少
する。これに対し本発明によるガスセンサ３ｏは曲線Ｃ
で示すように出力は大きく、しかも経時的にも安定して
いる。
この発明によればガス感応体である酸化すず系半導体に
被検ガス雰囲気中で発熱機能をもたせ、ガスセンサを加
熱する発熱抵抗体に酸化ルテニウムを主成分とする材料
を使うことにより、一般家庭用商用交流電源を用いてそ
の電源電圧を直接ガスセンサに印加して加熱することが
でき降圧用変圧器が不要であるためガスセンサは小形化
できる。
被検ガス雰囲気中で発熱機能をもたせ、ガスセンサを加
熱する発熱抵抗体に酸化ルテニウムを主成分とする材料
を使うことにより、一般家庭用商用交流電源を用いてそ
の電源電圧を直接ガスセンサに印加して加熱することが
でき降圧用変圧器が不要であるためガスセンサは小形化
できる。
そしてがすセンサからの出力は従来よりも大きくかつ長
期にわたって安定した出力が得られる。
期にわたって安定した出力が得られる。
第１図ないし第５図はそれぞれ本発明の一実施例を示し
、第１図はガスセンサの要部断面図、第２図は第１図の
Ｐ矢視平面図、第３図は第１図のＱ矢視平面図、第４図
はガスセンサの組立斜視図、第５図は基本的電気回路図
、第６図ないし第８図はそれぞれガスセンサの出力特性
を表わす特性図、第９図はガスセンサの経時的出力特性
を表わす特性図、第１１図は従来のガスセンサのガス感
応体側から見た平面図、第１２図は同上ガスセンサの発
熱抵抗体側から見た平面図、第１３図は同上ガスセンサ
の基本的電気回路図、第１４図は従来のガスセンサの発
熱抵抗体として酸化ルテニウム系の材料を使用した平面
図、第１５図は同上ガスセンサの基本的電気回路図であ
る。 ３０：ガスセンサ、３１：センサ基板、３４：酸化すず
系半導体、３９二酸化ルテニウム系発熱抵抗体。 や −゛ 剖ぐ −躬 ぐ 番 （（”ｉ ビ ｒ） ｊ ｒ−一
Ｃ〈 ＬＮ ＬＮ 手続補正書彷幻 昭和６３年９月１６日 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 任 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
５２３）富士電機株式会社 ４、代 理 人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号補 正
の 内 容 明細書第１２頁において第２行目に「第１１図」とある
のを「第１０図」と、第３行目に「第１２図」とあるの
を「第１１図Ｊと、第４行目に「第１３図」とあるのを
「第１２図」と、第５行目に「第１４図」とあるのを「
第１３図」と、第７行目に「第１５図］とあるのを「第
１４図」とそれぞれ補正する。
、第１図はガスセンサの要部断面図、第２図は第１図の
Ｐ矢視平面図、第３図は第１図のＱ矢視平面図、第４図
はガスセンサの組立斜視図、第５図は基本的電気回路図
、第６図ないし第８図はそれぞれガスセンサの出力特性
を表わす特性図、第９図はガスセンサの経時的出力特性
を表わす特性図、第１１図は従来のガスセンサのガス感
応体側から見た平面図、第１２図は同上ガスセンサの発
熱抵抗体側から見た平面図、第１３図は同上ガスセンサ
の基本的電気回路図、第１４図は従来のガスセンサの発
熱抵抗体として酸化ルテニウム系の材料を使用した平面
図、第１５図は同上ガスセンサの基本的電気回路図であ
る。 ３０：ガスセンサ、３１：センサ基板、３４：酸化すず
系半導体、３９二酸化ルテニウム系発熱抵抗体。 や −゛ 剖ぐ −躬 ぐ 番 （（”ｉ ビ ｒ） ｊ ｒ−一
Ｃ〈 ＬＮ ＬＮ 手続補正書彷幻 昭和６３年９月１６日 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 任 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
５２３）富士電機株式会社 ４、代 理 人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号補 正
の 内 容 明細書第１２頁において第２行目に「第１１図」とある
のを「第１０図」と、第３行目に「第１２図」とあるの
を「第１１図Ｊと、第４行目に「第１３図」とあるのを
「第１２図」と、第５行目に「第１４図」とあるのを「
第１３図」と、第７行目に「第１５図］とあるのを「第
１４図」とそれぞれ補正する。
Claims (1)
- １）センサ基板の一方の面に酸化すず系半導体からなる
ガス感応体を有し、前記センサ基板の他方の面に発熱抵
抗体を有するガス検出装置において、前記発熱抵抗体は
酸化ルテニウムを主成分とし、清浄空気中および被検ガ
ス雰囲気中で常時所定温度に加熱される発熱抵抗体であ
るとともに前記酸化すず系半導体からなるガス感応体の
被検ガス雰囲気中での電気抵抗の減少による発熱をガス
感応体の加熱に利用することを特徴とするガス検出装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544688A JPH01295151A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544688A JPH01295151A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ガス検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295151A true JPH01295151A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14910286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12544688A Pending JPH01295151A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01295151A (ja) |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12544688A patent/JPH01295151A/ja active Pending
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