JPH01292828A - 誘導プラズマ応用装置 - Google Patents
誘導プラズマ応用装置Info
- Publication number
- JPH01292828A JPH01292828A JP12318888A JP12318888A JPH01292828A JP H01292828 A JPH01292828 A JP H01292828A JP 12318888 A JP12318888 A JP 12318888A JP 12318888 A JP12318888 A JP 12318888A JP H01292828 A JPH01292828 A JP H01292828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- generating part
- plasma generating
- orifice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、誘導プラズマ成膜装置等の誘導プラズマ応用
装置に関する。
装置に関する。
(従来の技術)
物体の表面の耐熱性を向上させる目的で、耐熱性に秀れ
た粉末等の物質を1万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、この溶融した物質を被処理材料に導き、溶融物
質を材料に溶射したり、該材料上に該粉末物質の膜ある
いは該粉末物質とプラズマガスあるいは反応ガスとの反
応物質の膜を形成することが行われているが、このプラ
ズマを発生させるために誘導プラズマ発生装置が用いら
れている。この装置では、絶縁性物質で形成された円筒
状の管の周囲に高周波N源により駆動される加熱用のR
Fコイルを配置するよう構成している。この構成でRF
コイルに励磁電流を流すと、管の内部に誘導プラズマが
発生するが、このプラズマの温度は、1万度から1万5
千度程度とかなりの高温となり、このプラズマ内に成膜
用の物質を流すことにより、この物質を溶解することが
できる。該溶解された物質は、該管に連通したチャンバ
ー内に配置された材料上に照射され、例えば、該材料上
に所望物質の膜が形成される。
た粉末等の物質を1万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、この溶融した物質を被処理材料に導き、溶融物
質を材料に溶射したり、該材料上に該粉末物質の膜ある
いは該粉末物質とプラズマガスあるいは反応ガスとの反
応物質の膜を形成することが行われているが、このプラ
ズマを発生させるために誘導プラズマ発生装置が用いら
れている。この装置では、絶縁性物質で形成された円筒
状の管の周囲に高周波N源により駆動される加熱用のR
Fコイルを配置するよう構成している。この構成でRF
コイルに励磁電流を流すと、管の内部に誘導プラズマが
発生するが、このプラズマの温度は、1万度から1万5
千度程度とかなりの高温となり、このプラズマ内に成膜
用の物質を流すことにより、この物質を溶解することが
できる。該溶解された物質は、該管に連通したチャンバ
ー内に配置された材料上に照射され、例えば、該材料上
に所望物質の膜が形成される。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、この高周波誘導プラズマは、DCの熱プラズ
マに比較して、プラズマ内の流速が遅く、注入材料の蒸
発や反応等の時間が充分にとれる有利さがあるが、一方
、成膜の観点がらすると、材料に照射される速度が遅く
、又、プラズマフレームも火炎状であって、均一に材料
上に該溶融物質が照射されず、必ずしも成膜等には適し
ていない。
マに比較して、プラズマ内の流速が遅く、注入材料の蒸
発や反応等の時間が充分にとれる有利さがあるが、一方
、成膜の観点がらすると、材料に照射される速度が遅く
、又、プラズマフレームも火炎状であって、均一に材料
上に該溶融物質が照射されず、必ずしも成膜等には適し
ていない。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目
的は、高温のプラズマを発生させると共に、材料に速度
の大きいビーム状のプラズマフレームを照射することが
できる誘導プラズマ応用装置を実現することにある。
的は、高温のプラズマを発生させると共に、材料に速度
の大きいビーム状のプラズマフレームを照射することが
できる誘導プラズマ応用装置を実現することにある。
(課題を解決するための手段)
前記した課題を解決する本発明は、絶縁性物質で形成さ
れた管の周囲に巻回されたRFコイルに励磁電流を流し
て該管内部に誘導プラズマを発生させる誘導プラズマ発
生部と、該プラズマ発生部に連通し、内部に被処理材料
が配置されるチャンバーとを有した誘導プラズマ応用装
置において、該該プラズマ発生部とチャンバーとの間に
微小孔を有した部材を配置し、該チャンバー内を排気す
る手段を設けたことを特撮とするものである。
れた管の周囲に巻回されたRFコイルに励磁電流を流し
て該管内部に誘導プラズマを発生させる誘導プラズマ発
生部と、該プラズマ発生部に連通し、内部に被処理材料
が配置されるチャンバーとを有した誘導プラズマ応用装
置において、該該プラズマ発生部とチャンバーとの間に
微小孔を有した部材を配置し、該チャンバー内を排気す
る手段を設けたことを特撮とするものである。
(作用)
熱プラズマ発生部とチャンバーとの間に配置したオリフ
ィス等の微小孔を有した部材のために、チャンバー内を
排気すると、該プラズマ発生部とチャンバーとの間に圧
力差が生じる。
ィス等の微小孔を有した部材のために、チャンバー内を
排気すると、該プラズマ発生部とチャンバーとの間に圧
力差が生じる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。添附図面は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示
しており、図中、1は誘導プラズマ発生部(トーチ)で
あり、該トーチ1は、石英等の熱伝導の良い絶縁性物質
で形成された円筒状の管2、金属製のガス供給ノズル3
および該管2の周囲に巻回されたRFコイル4等によっ
て構成されている。ガス供給ノズル3には、複数の孔5
が穿たれており、孔5は、図示していないが、ガス供給
源や成膜物質供給源に接続されている。又、RFコイル
4は、図示していない高周波電源に接続されでいる。な
お、通常、管2は二重に形成され、その二重管の間には
冷却水が流されて、管を冷却するように構成される。
。添附図面は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示
しており、図中、1は誘導プラズマ発生部(トーチ)で
あり、該トーチ1は、石英等の熱伝導の良い絶縁性物質
で形成された円筒状の管2、金属製のガス供給ノズル3
および該管2の周囲に巻回されたRFコイル4等によっ
て構成されている。ガス供給ノズル3には、複数の孔5
が穿たれており、孔5は、図示していないが、ガス供給
源や成膜物質供給源に接続されている。又、RFコイル
4は、図示していない高周波電源に接続されでいる。な
お、通常、管2は二重に形成され、その二重管の間には
冷却水が流されて、管を冷却するように構成される。
トーチ1の下部には、材料6が配置されるチャンバー7
が接続されている。該チャンバー7には排気管8の一端
が接続されており、該排気管8の他端は、ロータリーポ
ンプの如き排気ポンプ9に接続されている。トーチ1と
チャンバー7との間には、オリフィスios設けられて
いる。該オリフィス10は、中心に微小孔11が穿たれ
ており、又、該オリフィス10の内部には冷却水通路1
2が配設されている。該冷却水通路12は冷却水導入管
13と冷却水排出管14に接続され、その結果、該通路
12には、外部から冷却水が流される。
が接続されている。該チャンバー7には排気管8の一端
が接続されており、該排気管8の他端は、ロータリーポ
ンプの如き排気ポンプ9に接続されている。トーチ1と
チャンバー7との間には、オリフィスios設けられて
いる。該オリフィス10は、中心に微小孔11が穿たれ
ており、又、該オリフィス10の内部には冷却水通路1
2が配設されている。該冷却水通路12は冷却水導入管
13と冷却水排出管14に接続され、その結果、該通路
12には、外部から冷却水が流される。
このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の
通りである。
通りである。
1ffiの初期状態においては、ガスノズル3に穿たれ
た孔5から、例えば、アルゴンガスを供給すると共に、
RFコイル4に高周波を供給する。この状態でプラズマ
を着火し、その後、アルゴンガスに変えて酸素ガスや窒
素ガスを供給し、更に、キャリアーガスと共に、成膜用
あるいは材料への溶射用の物質を管2内部に供給する。
た孔5から、例えば、アルゴンガスを供給すると共に、
RFコイル4に高周波を供給する。この状態でプラズマ
を着火し、その後、アルゴンガスに変えて酸素ガスや窒
素ガスを供給し、更に、キャリアーガスと共に、成膜用
あるいは材料への溶射用の物質を管2内部に供給する。
この結果、該物質は、1万度〜1万5千度に加熱された
プラズマによって溶融する。
プラズマによって溶融する。
チャンバー7内は、排気管8を介して排気ポンプ9によ
り排気される。ここで、排気されるチャンバー7とトー
チ1の管2の間には、オリフィス10が設けられている
ため、成膜等を行うチャンバ−7内部は圧力が低くなる
が、管2の内部は、オリフィス10により排気が充分に
行われず、大気圧に近い圧力に維持される。この結果、
プラズマを発生させる管2内部は圧力が高いため、内部
のプラズマガス温度は高くなり、それに伴って、注入さ
れる物質を蒸発させる能力が高まって好ましい。一方、
チャンバー7内は圧力が低くなっているので、トーチ1
の管2内部の蒸発物質を含んだプラズマガスは、オリフ
ィス10の微小孔11からチャンバー7内に引出される
。この引出されたガスは、管2内部とチャンバー7内と
の間の圧力差による体積膨脂により、速度の大きなビー
ム状のプラズマフレームFとなって材料6に向けて照射
される。この結果、材料6上には、常に一定速度で、場
所的に溶融物質の濃度が均一なプラズマフレームが照射
されるため、その表面には均一な膜が形成される。
り排気される。ここで、排気されるチャンバー7とトー
チ1の管2の間には、オリフィス10が設けられている
ため、成膜等を行うチャンバ−7内部は圧力が低くなる
が、管2の内部は、オリフィス10により排気が充分に
行われず、大気圧に近い圧力に維持される。この結果、
プラズマを発生させる管2内部は圧力が高いため、内部
のプラズマガス温度は高くなり、それに伴って、注入さ
れる物質を蒸発させる能力が高まって好ましい。一方、
チャンバー7内は圧力が低くなっているので、トーチ1
の管2内部の蒸発物質を含んだプラズマガスは、オリフ
ィス10の微小孔11からチャンバー7内に引出される
。この引出されたガスは、管2内部とチャンバー7内と
の間の圧力差による体積膨脂により、速度の大きなビー
ム状のプラズマフレームFとなって材料6に向けて照射
される。この結果、材料6上には、常に一定速度で、場
所的に溶融物質の濃度が均一なプラズマフレームが照射
されるため、その表面には均一な膜が形成される。
なお、管2とチャンバー7との間にある程度の良さの孔
を有したオリフィスを配置したが、微小孔を有した平板
状の隔壁を配置するようにしても良い。
を有したオリフィスを配置したが、微小孔を有した平板
状の隔壁を配置するようにしても良い。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、プラズマ
発生部とチャンバーとの間にオリフィスを設け、該チャ
ンバー内を排気するようにしたので、プラズマ発生部は
圧力を高くしてガス温度を高くし、物質の蒸発を効率良
く行わせることができ、その一方、被処理材料が配置さ
れるチャンバー内は圧力を低くでき、オリフィスの孔を
介してビーム状のフレームを高速度で取出すことができ
る。従って、材料に均一に蒸発物質を含んだ高温ガスを
投射することができる。
発生部とチャンバーとの間にオリフィスを設け、該チャ
ンバー内を排気するようにしたので、プラズマ発生部は
圧力を高くしてガス温度を高くし、物質の蒸発を効率良
く行わせることができ、その一方、被処理材料が配置さ
れるチャンバー内は圧力を低くでき、オリフィスの孔を
介してビーム状のフレームを高速度で取出すことができ
る。従って、材料に均一に蒸発物質を含んだ高温ガスを
投射することができる。
添附図面は、本発明の一実論例である誘導プラズマ成膜
装置を示す図である。 1・・・トーチ 2・・・管3・・・ガスノ
ズル 4・・・RFコイル5・・・孔
6・・・材料7・・・チャンバー 8・・
・排気管9・・・排気ポンプ 10・・・オリフィ
ス11・・・孔 12・・・冷却水通路1
3・・・冷却水導入管 14・・・冷却水排出管特許
出願人 日 本 電 子 株 式 会
礼式 理 人 弁 理 士 井
島 藤 冶外1名
装置を示す図である。 1・・・トーチ 2・・・管3・・・ガスノ
ズル 4・・・RFコイル5・・・孔
6・・・材料7・・・チャンバー 8・・
・排気管9・・・排気ポンプ 10・・・オリフィ
ス11・・・孔 12・・・冷却水通路1
3・・・冷却水導入管 14・・・冷却水排出管特許
出願人 日 本 電 子 株 式 会
礼式 理 人 弁 理 士 井
島 藤 冶外1名
Claims (2)
- (1)絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたR
Fコイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを
発生させる誘導プラズマ発生部と、該プラズマ発生部に
連通し、内部に被処理材料が配置されるチャンバーとを
有した誘導プラズマ応用装置において、該プラズマ発生
部とチャンバーとの間に微小孔を有した部材を配置し、
該チャンバー内を排気する手段を設けたことを特徴とす
る誘導プラズマ応用装置。 - (2)該微小孔を有した部材は冷却されているオリフィ
スである請求項1記載の誘導プラズマ応用装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12318888A JPH01292828A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ応用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12318888A JPH01292828A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ応用装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01292828A true JPH01292828A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14854369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12318888A Pending JPH01292828A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ応用装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01292828A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267233A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-10-15 | Hughes Aircraft Co | 基体およびフィルムの表面の下流の迅速な成形のためのプラズマ発生方法および装置 |
US5356672A (en) * | 1990-05-09 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films |
US5356673A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials |
US5571332A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Jet Process Corporation | Electron jet vapor deposition system |
JPH09115894A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-02 | Applied Materials Inc | マイクロ波プラズマベースアプリケータ |
KR100519543B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 플라즈마 식각장치 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12318888A patent/JPH01292828A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5356672A (en) * | 1990-05-09 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films |
US5356673A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials |
JPH05267233A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-10-15 | Hughes Aircraft Co | 基体およびフィルムの表面の下流の迅速な成形のためのプラズマ発生方法および装置 |
US5571332A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Jet Process Corporation | Electron jet vapor deposition system |
JPH09115894A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-02 | Applied Materials Inc | マイクロ波プラズマベースアプリケータ |
KR100519543B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 플라즈마 식각장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005530040A (ja) | ナノ粉末を合成するための放射状パルスアーク放電銃 | |
JP2002532838A (ja) | 低温フリープラズマビームを発生する装置 | |
JPS63274762A (ja) | 反応蒸着膜の形成装置 | |
KR830010218A (ko) | 활성화된 분자빔의 형성과 이용을 위한 방법 및 장치 | |
JPH01292828A (ja) | 誘導プラズマ応用装置 | |
US5159173A (en) | Apparatus for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun | |
JP3390788B2 (ja) | 高周波誘導熱プラズマ発生方法および有機ハロゲン化合物の分解方法 | |
JPH09196302A (ja) | 蒸気発生装置 | |
JP2004523869A (ja) | プラズマ溶接法 | |
US20110129617A1 (en) | Plasma system and method of producing a functional coating | |
US5095189A (en) | Method for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun | |
JP2908912B2 (ja) | 誘導プラズマ発生装置におけるプラズマ着火方法 | |
JPS589591B2 (ja) | ガスバイタイノ ブンシレイキ ノタメニ セイギヨサレタ ホウデンオアタエルタメノソウチ | |
JPH0518837Y2 (ja) | ||
JPH0367496A (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
JP3149326B2 (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
JP2595365B2 (ja) | 熱プラズマジェット発生装置 | |
JPS61200851A (ja) | 微粒子製造装置 | |
JPH02112200A (ja) | 誘導プラズマ応用装置 | |
JPH06290896A (ja) | 高周波プラズマヒータおよびその運転方法 | |
JPS62176038A (ja) | X線発光装置 | |
JPH0367498A (ja) | 誘導プラズマ装置 | |
JPH0367499A (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
JPH04124445A (ja) | プラズマジェット生成法とプラズマ発生器 | |
JP2004517729A (ja) | プラズマ装置および機能層を生成する方法 |