JPH0518837Y2 - - Google Patents
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- JPH0518837Y2 JPH0518837Y2 JP6639788U JP6639788U JPH0518837Y2 JP H0518837 Y2 JPH0518837 Y2 JP H0518837Y2 JP 6639788 U JP6639788 U JP 6639788U JP 6639788 U JP6639788 U JP 6639788U JP H0518837 Y2 JPH0518837 Y2 JP H0518837Y2
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- exhaust pipe
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- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical group O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Chemical group 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、誘導プラズマ成膜装置等の誘導プラ
ズマ応用装置に関する。
ズマ応用装置に関する。
(従来の技術)
物体の表面の耐熱性を向上させる目的で、耐熱
性に秀れた粉末等の物質を1万度程度の高温プラ
ズマ中に通して溶かし、物体の表面に投射して該
粉末物質の膜を形成したり、微粉末を生成するこ
とが行われているが、このプラズマを発生させる
ために誘導プラズマ発生装置が用いられている。
この装置では、絶縁性物質で形成された円筒状の
管の周囲に高周波電源により駆動される加熱用の
RFコイルを配置するよう構成している。この構
成でRFコイルに励磁電流を流すと、管の内部に
誘導プラズマが発生するが、このプラズマの温度
は、1万度から1万5千度程度とかなりの高温と
なり、このプラズマ内に成膜用の物質を流すこと
により、この物質を溶解または蒸気化することが
できる。該溶解された物質は、該管に連通したチ
ヤンバー内に配置された材料上に投射され、該材
料上に所望物質の膜が形成されたり、あるいは、
該物質の微粉末が生成される。
性に秀れた粉末等の物質を1万度程度の高温プラ
ズマ中に通して溶かし、物体の表面に投射して該
粉末物質の膜を形成したり、微粉末を生成するこ
とが行われているが、このプラズマを発生させる
ために誘導プラズマ発生装置が用いられている。
この装置では、絶縁性物質で形成された円筒状の
管の周囲に高周波電源により駆動される加熱用の
RFコイルを配置するよう構成している。この構
成でRFコイルに励磁電流を流すと、管の内部に
誘導プラズマが発生するが、このプラズマの温度
は、1万度から1万5千度程度とかなりの高温と
なり、このプラズマ内に成膜用の物質を流すこと
により、この物質を溶解または蒸気化することが
できる。該溶解された物質は、該管に連通したチ
ヤンバー内に配置された材料上に投射され、該材
料上に所望物質の膜が形成されたり、あるいは、
該物質の微粉末が生成される。
(考案が解決しようとする課題)
ところで、この高周波誘導プラズマは、大気圧
が大気圧に近い真空(約10Torr〜760Torr)で
発生されており、そのため、プラズマ発生管に連
通しているチヤンバーを排気管を介してロータリ
ーポンプ等の排気ポンプによつて排気するように
している。このチヤンバー内からの排気ガスは、
高温の熱プラズマにより、極めて高い温度(300
〜500℃)となつており、このような高温ガスが
排気ポンプ内に入り込むことによつてポンプが異
常に加熱され、使用している油が沸騰する等によ
り、ポンプが使用不可能となつてしまう。
が大気圧に近い真空(約10Torr〜760Torr)で
発生されており、そのため、プラズマ発生管に連
通しているチヤンバーを排気管を介してロータリ
ーポンプ等の排気ポンプによつて排気するように
している。このチヤンバー内からの排気ガスは、
高温の熱プラズマにより、極めて高い温度(300
〜500℃)となつており、このような高温ガスが
排気ポンプ内に入り込むことによつてポンプが異
常に加熱され、使用している油が沸騰する等によ
り、ポンプが使用不可能となつてしまう。
そのため、通常は、排気管を長くし、この排気
管を外側から水冷する等の方法により、排気ガス
の温度を低くすることが行われているが、この方
法では、排気管を著しく長くしなければならず、
装置が大型になる欠点がある。
管を外側から水冷する等の方法により、排気ガス
の温度を低くすることが行われているが、この方
法では、排気管を著しく長くしなければならず、
装置が大型になる欠点がある。
本考案は、上述した点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、排気管の長さを短くでき、構造
が簡単で小型の排気手段を有した誘導プラズマ応
用装置を実現することにある。
で、その目的は、排気管の長さを短くでき、構造
が簡単で小型の排気手段を有した誘導プラズマ応
用装置を実現することにある。
(課題を解決するための手段)
前記した課題を解決する本考案は、絶縁性物質
で形成された管の周囲に巻回されたRFコイルに
励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを発生
させる誘導プラズマ発生装置を用いた誘導プラズ
マ応用装置において、該管に接続されたチヤンバ
ーに排気管を取付ける該排気管の他端に設けられ
た排気ポンプによつて該チヤンバー内を排気する
ように構成し、該排気管の内部に冷却水によつて
冷却される熱交換器を配置したことを特徴とする
ものである。
で形成された管の周囲に巻回されたRFコイルに
励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを発生
させる誘導プラズマ発生装置を用いた誘導プラズ
マ応用装置において、該管に接続されたチヤンバ
ーに排気管を取付ける該排気管の他端に設けられ
た排気ポンプによつて該チヤンバー内を排気する
ように構成し、該排気管の内部に冷却水によつて
冷却される熱交換器を配置したことを特徴とする
ものである。
(作用)
チヤンバーからの高温排気ガスは、排気管の内
部に設けられた熱交換器によつて効率良く冷却さ
れる。
部に設けられた熱交換器によつて効率良く冷却さ
れる。
(実施例)
以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に
説明する。第1図は本考案に基づく誘導プラズマ
成膜装置を示しており、図中、1は誘導プラズマ
発生部(トーチ)であり、該トーチ1は、石英等
の熱伝導の良い絶縁性物質で形成された円筒状の
管2、金属製のガス供給ノズル3および管2の周
囲に巻回されたRFコイル4等によつて構成され
ている。該ガス供給ノズル3には、複数の孔5が
穿たれており、該孔5は、図示していないが、ガ
ス供給源や成膜物質供給源に接続されている。
又、RFコイル4は、図示していない高周波電源
に接続されている。なお、通常、管2は二重に形
成され、その二重管の間には冷却水が流されて、
管を冷却するように構成される。
説明する。第1図は本考案に基づく誘導プラズマ
成膜装置を示しており、図中、1は誘導プラズマ
発生部(トーチ)であり、該トーチ1は、石英等
の熱伝導の良い絶縁性物質で形成された円筒状の
管2、金属製のガス供給ノズル3および管2の周
囲に巻回されたRFコイル4等によつて構成され
ている。該ガス供給ノズル3には、複数の孔5が
穿たれており、該孔5は、図示していないが、ガ
ス供給源や成膜物質供給源に接続されている。
又、RFコイル4は、図示していない高周波電源
に接続されている。なお、通常、管2は二重に形
成され、その二重管の間には冷却水が流されて、
管を冷却するように構成される。
トーチ1の下部には、材料6が配置されるチヤ
ンバー7が接続されている。該チヤンバー7には
排気管8の一端が接続されており、該排気管8の
他端は、ロータリーポンプの如き排気ポンプ9に
接続されている。排気管8の内部には、熱交換器
10が配置されているが、該熱交換器10には、
冷却水導入管11と冷却水排出管12とが接続さ
れており、熱交換器自体は水冷される構造となつ
ている。該熱交換器10は、例えば、第2図によ
り詳しく示す如く、微小の孔13を無数に有した
複数のプレート14より構成される。該各プレー
ト14の内部には、冷却水の通路が配設されてお
り、冷却水導入管11から導入された冷却水は、
各プレート14内部と連通管15を通り、冷却水
排出管11によつて外部に排出される。このよう
に構成された装置の動作を説明すれば、以下の通
りである。
ンバー7が接続されている。該チヤンバー7には
排気管8の一端が接続されており、該排気管8の
他端は、ロータリーポンプの如き排気ポンプ9に
接続されている。排気管8の内部には、熱交換器
10が配置されているが、該熱交換器10には、
冷却水導入管11と冷却水排出管12とが接続さ
れており、熱交換器自体は水冷される構造となつ
ている。該熱交換器10は、例えば、第2図によ
り詳しく示す如く、微小の孔13を無数に有した
複数のプレート14より構成される。該各プレー
ト14の内部には、冷却水の通路が配設されてお
り、冷却水導入管11から導入された冷却水は、
各プレート14内部と連通管15を通り、冷却水
排出管11によつて外部に排出される。このよう
に構成された装置の動作を説明すれば、以下の通
りである。
装置の初期状態においては、ガス供給ノズル3
に穿たれた孔5から、例えば、アルゴンガスを供
給すると共に、RFコイル4に高周波を供給する。
この状態でプラズマを着火し、その後、アルゴン
ガスに変えて酸素ガスや窒素ガスを供給し、更
に、キヤリアーガスと共に、成膜用の物質を管2
内部に供給する。この結果、該成膜用物質は、1
万度〜1万5千度に加熱されたプラズマによつて
溶融し、チヤンバー7内の材料6に向けて投射さ
れ、該材料に所望の膜が形成される。
に穿たれた孔5から、例えば、アルゴンガスを供
給すると共に、RFコイル4に高周波を供給する。
この状態でプラズマを着火し、その後、アルゴン
ガスに変えて酸素ガスや窒素ガスを供給し、更
に、キヤリアーガスと共に、成膜用の物質を管2
内部に供給する。この結果、該成膜用物質は、1
万度〜1万5千度に加熱されたプラズマによつて
溶融し、チヤンバー7内の材料6に向けて投射さ
れ、該材料に所望の膜が形成される。
ここで、チヤンバー7内は、排気管8を介して
排気ポンプ9により排気され、成膜に適した所望
の圧力とされている。ここで、チヤンバー7から
排気されるガスの温度は、高温の熱プラズマによ
り、極めて高い。この高温排気ガスは、排気管8
内部に配置された熱交換器10の各プレート14
に設けられた微小の孔13を通過して排気ポンプ
9に向う。この結果、高温ガスは、該プレート1
4の孔13を通過する際に熱を奪われ、極めて効
率良く冷却される。従つて、排気ポンプ9に入り
込むガスの温度は著しく低くなり、該排気ポンプ
9内部の油を沸騰させたりすることは防止され、
該排気ポンプを長時間安定に動作させることがで
きる。
排気ポンプ9により排気され、成膜に適した所望
の圧力とされている。ここで、チヤンバー7から
排気されるガスの温度は、高温の熱プラズマによ
り、極めて高い。この高温排気ガスは、排気管8
内部に配置された熱交換器10の各プレート14
に設けられた微小の孔13を通過して排気ポンプ
9に向う。この結果、高温ガスは、該プレート1
4の孔13を通過する際に熱を奪われ、極めて効
率良く冷却される。従つて、排気ポンプ9に入り
込むガスの温度は著しく低くなり、該排気ポンプ
9内部の油を沸騰させたりすることは防止され、
該排気ポンプを長時間安定に動作させることがで
きる。
以上本考案を詳述したが、本考案は上記実施例
に限定されない。例えば、熱交換器として、無数
の微小孔を設けた複数のプレートを用いたが、多
数のメツシユ状の部材を配置し、このメツシユ状
部材を冷却するようにしても良く、又、多数のフ
インを設け、このフインを冷却するように構成し
ても良い。
に限定されない。例えば、熱交換器として、無数
の微小孔を設けた複数のプレートを用いたが、多
数のメツシユ状の部材を配置し、このメツシユ状
部材を冷却するようにしても良く、又、多数のフ
インを設け、このフインを冷却するように構成し
ても良い。
(考案の効果)
以上詳細に説明したように、本考案によれば、
チヤンバーを排気する排気管の内部に熱交換器を
配置する簡単な構造により、排気ガスを効率良く
冷却することができ、排気管を短く構成すること
ができる。
チヤンバーを排気する排気管の内部に熱交換器を
配置する簡単な構造により、排気ガスを効率良く
冷却することができ、排気管を短く構成すること
ができる。
第1図は本考案の一実施例である誘導プラズマ
成膜装置を示す図、第2図は熱交換器の一例を示
す図である。 1……トーチ、2……管、3……ガスノズル、
4……RFコイル、5……孔、6……材料、7…
…チヤンバー、8……排気管、9……排気ポン
プ、10……熱交換器、11……冷却水導入管、
12……冷却水排出管、13……孔、14……プ
レート、15……連通管。
成膜装置を示す図、第2図は熱交換器の一例を示
す図である。 1……トーチ、2……管、3……ガスノズル、
4……RFコイル、5……孔、6……材料、7…
…チヤンバー、8……排気管、9……排気ポン
プ、10……熱交換器、11……冷却水導入管、
12……冷却水排出管、13……孔、14……プ
レート、15……連通管。
Claims (1)
- 絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回された
RFコイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プ
ラズマを発生させる誘導プラズマ発生装置を用い
た誘導プラズマ応用装置において、該管に接続さ
れたチヤンバーに排気管を取付け、該排気管の他
端に設けられた排気ポンプによつて該チヤンバー
内を排気するように構成し、該排気管の内部に冷
却水によつて冷却される熱交換器を配置したこと
を特徴とする誘導プラズマ応用装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6639788U JPH0518837Y2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6639788U JPH0518837Y2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01168947U JPH01168947U (ja) | 1989-11-29 |
JPH0518837Y2 true JPH0518837Y2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=31291803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6639788U Expired - Lifetime JPH0518837Y2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0518837Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP6639788U patent/JPH0518837Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01168947U (ja) | 1989-11-29 |
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