KR830010218A - 활성화된 분자빔의 형성과 이용을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

활성화된 분자빔의 형성과 이용을 위한 방법 및 장치 Download PDF

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KR830010218A KR1019820001981A KR820001981A KR830010218A KR 830010218 A KR830010218 A KR 830010218A KR 1019820001981 A KR1019820001981 A KR 1019820001981A KR 820001981 A KR820001981 A KR 820001981A KR 830010218 A KR830010218 A KR 830010218A
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엘. 밴 카켄버그 진
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댄포드 조슬린
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Abstract

내용 없음

Description

활성화된 분자빔의 형성과 이용을 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 개략도. 제2-4도는 본 발명에 따른 장치의 여러가지 변형도.

Claims (35)

  1. 제1진공실보다 높은 가스 압력하에 폐쇄된 공급원 실내에서 활성화 된 가스 플라즈마를 형성시키고, 이를 고속으로 상기의 제1실로 유통시키며, 상기 제1실내의 구역을 가로질러 전위차를 생성시켜서 상기의 활성화된 가스플라즈마내에서 연속적인 가스 방전을 이루게 하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공으로 된 제1실내에서의 활성화된 가스 플라즈마 생성방법.
  2. 제2의 가스를 상기의 제1실로 도입시켜 상기의 가스 방전내에서 활성화 되게 하는 단계를 포함하는 상기 1항의 방법.
  3. 상기의 제1실내의 상기 가스방전 근처부위에 기질을 위치시키고, 선택된 물질의 증발원을 상기의 제1실내에 위치 상기 증발원으로부터 상기 기질의 표면상으로 선택된 상기 물질을 증발시킴으로써 그 증발된 물질이 상기 활성화 가스 플라즈마의 적어도 한가지 성분과 반응하여 상기 기질상에 형성된 필름의 물리적이나 화학적 성질을 변화시키는 단계들을 포함하는 상기 1-2항에 따른 방법.
  4. 기질을 상기 가스방전부내 제1실안에 위치시키고, 그 기질의 표면성분을 상기 가스 방전내에서 활성화 가스 플라즈마의 적어도 한가지 성분으로 에칭시키는 상기 1-2항에 따른 방법.
  5. 공급원실에 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 그리고 제논들로 구성되는 그룹에서 선택된 가스를 도입시키고, 그 공급원실에 필라멘트를 위치시키며, 직류전압을 상기 필라멘트에 공급하여 상기 선택된 가스 내에서의 가스방전을 유지시켜주고, 교류전류를 필라멘트에 공급하여 그 필라멘트를 가열하고 공급원실내에서 가스방전을 시발시에는 단계들로 구성되는 상기 1항의 방법.
  6. 상기 제1실내의 전위차 구역은 공급원실과 인접하여 있으며, 아울러 미리 배열된 모양의 자기장을 제1실내에서 공급하여 활성화 가스 플라즈마의 고속기류를 선택적으로 형상시키거나 방향지어주는 단계를 더 포함하는 상기 1항에 따른 방법.
  7. 폐쇄된 공급원실을 진공실 근처에 위치하고, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 그리고 제논 가운데서 선택된 가스를 진공실보다 높은 압력이 유지되기에 충분한 속도로 공급원실로 유입시켜서 상기 가스의 활성화된 플라즈마를 생성시키며, 활성화된 프라즈마빔을 고속기류로서 진공실로 유통시키고, 직류전압을 진공실내의 상기 가스플라즈마 기류통로 구역에 공급해서 그 플라즈마내에서 연속적인 가스방전을 유지시켜주며, 진공실로 제2가스를 도입시켜서 상기 가스방전내에서 활성화되고 선택된 증발원 물질과 반응하여 미리 정한 화합물을 형성시키고, 상기 공급원 물질을 증발시켜서 기질로 향해지며 활성화된 제2가스와 반응되는 공급원 물질빔을 생성시켜 상기 기질상에 미리 정해진 화합물의 얇은 필름을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공축적 시스템에서 기질상에 필름코팅을 축적시키는 방법.
  8. 활성화된 플라즈마를 형성시키는 단계가 공급원실내에 필라멘트를 위치시키고, 그 필라멘트에 직류전압을 공급해서 공급원실내에 가스방전을 유지시키며, 그 필라멘트에 교류전류를 공급해서 필라멘트를 가열시켜 가스방전을 시발시키는 단계들로 구성되는 상기 7항의 방법.
  9. 활성화된 플라즈마의 생성단계가, 공급원실에 방사-주파수 코일을 위치시키고, 방사주파수 신호를 상기 코일에 보내서 가스방전을 시발시키며, 직류전압을 상기 코일에 공급해서 가스방전을 유지시키는 단계로 이루어지는 상기 1-7항에 따른 방법.
  10. 활성화된 플라즈마의 생성단계가 공급원실에 스파크 전극장치를 위치시키고 이 장치에 스파크 전압을 공급해서 가스방전을 시발시키며, 직류전압을 스파크전극장치에 공급해서 상기의 가스방전을 유지시키는 단계로 이루어지는 상기1-9항에 따는 방법.
  11. 실질적으로 폐쇄된 조작실, 이 조작실을 저압으로 하는 장치, 그 조작실의 한쪽 벽근처에 설치되며 그 벽을 통해 뻗어있는 작은 공극의 노즐을 가지는 폐쇄된 공급원실. 조작실보다 높은 압력으로 공급원실에 가스를 공급해서 상기 노즐을 통해 조작실로 들어가는 가스의 고속기류를 생성시키는 장치. 상기 가스가 노즐을 이탈하기 전에 공급원실 안에서 활성화시켜서 활성화된 가스분자들의 고속기류를 이루는 장치, 그리고 상기의 활성화된 가스 플라즈마내의 가스방전을 형성시키기 위해 활성화된 가스분자 기류의 통로내부 조작실안에 위치된 음극장치들의 조합.
  12. 미리 선택한 제2의 가스를 조작실로 공급하여 가스방전부 내에서 활성화되게 하는 장치로 구성되는 상기 11항의 조합.
  13. 기질을 활성화된 플라즈마안의 가스방전 근처 조작실내에 지지장치와, 미리 선택된 물질을 기질면상으로 증발시켜서 증발된 물질이 활성화된 플라즈마의 적어도 한가지 성분과 반응하여 기질상에 형성된 필름의 물리적이나 화학적 성질로 결정하여주기 위한 조작실내에 위치된 증발원 장치로 구성되는 상기11-12항에 따른는 조합.
  14. 기질의 표면구성부가 가스방전내의 활성화된 가스 플라즈마로 에칭되도록 가스방전 부근 조작실내에 기질을 지지하기 위한 기질지지장치로 구성되는 상기 11-12항의 조합.
  15. 상기 가스는 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 제논, 수조, 그리고 질소 가운데서 선택되며 공급원실내에서 이 가스를 활성화시키기 위한 장치는 노즐 근처의 공급원실 내부에 위치한 필라멘트, 이 필라멘트와 공급원실 사이에 직류전압을 공급하여 주는 장치, 그리고 필라멘트에 교류전류를 공급해서 공급원실내의 가스방전을 시발시키기 위한 장치로 구성되는 상기 11항에 따른 조합.
  16. 상기 음극장치는 작은공극의 노즐근처에 위치되며, 또한 활성화된 가스분자에 작용하여 상기 기류를 형상 또는 편향시키는 자기장 공급장치로 구성되는 상기 10항의 장치.
  17. 진공축적실, 이에 위치한 증발원, 그 축적실을 저합으로 하는 장치, 그리고 상기 축적실에 기질을 지지하는 장치를 포함하는 시스템에서 그 조합이, 상기 기질 반대편의 조작실 벽 근처에 설치되어 있으며 그벽을 통해 뻗어 있는 작은공주의 노즐을 지니는 폐쇄된 공급원실, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 제논, 수소, 그리고 질소로부터 선택된 가스를 조작실보다 높은 압력으로 공급원실로 보내어서 상기 노즐을 통하여 기질상으로 향하여지는 조작실내로 들어가는 상기 가스의 고속기류를 이루어주는 장치.
    상기 선택된 가스가 노즐을 이탈하기 전에 공급원실내에서 활성화시켜서 활성화된 가스분자로 구성되는 고속기류를 생성시키는 장치.
    활성화된 가스 플라즈마내에서 가스방전을 이루기 위해 기질 근처 활성화 가스분자 기류의 통로내 조작실안에 위치한 음극장치.
    제2의 가스를 상기 진공 축적실로 공급해서 그 가스가 기질근처의 가스방전부에서 활성화되어 증발원장치로부터의 증발원 물질과 반응하여 상기 기질상에 예정된 화합물이 필름을 형성케 하는 장치들로 되는 특징이 있는 기질상에 필름코팅을 입히기 위한 진공 축적 시스템.
  18. 공급원실내의 가스활성화 장치가 상기의 노즐 근처의 공급원실내에 설치된 필라멘트, 상기 필라멘트와 공급원실의 벽 사이에 직류전압을 공급하는 장치, 그리고 필라멘트에 교류전류를 공급해서 그 필라멘트를 가열시켜 가스방전을 시발시켜 주는 장치로 구성되는 상기 17항에 따른 장치.
  19. 공급원실내의 가스활성화 장치가 상기 노즐 근처 공급원실내에 설칠된 방사주파수 코일, 이 코일에 방사주파수 신호를 보내어서 가스방전을 시발시키는 장치, 그리고 가스방전을 유지하기 위해 상기 노즐과 코일 사이에 직류전압을 공급하는 장치로 구성되는 상기 11-17항에 따른 장치.
  20. 공급원실내의 가스활성화장치가 상기 노즐 근처의 조작실내에 설치된 스카크 전극장치, 그 장치에 스파크시발전압을 공급해서 가스방전을 시발시키는 장치, 가스방전이 유지되기에 충분한 직류전압을 상기 전극장치로 공급하는 장치로 구성되는 상기 17항에 따른 장치.
  21. 제1실 근처의 폐쇄공급원실내에 활성화된 가스 플라즈마를 생성시키고, 이를 고속기류로서 공급원실로부터 유통시키며, 상기 플라즈마의 고속기류를 제1실로 유통되는 좁은 범위의 플라즈마빔으로 한정시켜주는 자기장을 형성시키고, 상기 한정된 자기장 부분을 가로질러 전위차를 형성시켜 상기 플라즈마빔내에서 가스방전을 이루어주는 단계로 구성되는 특징이 있는 진공으로 되는 제1실내에서의 활성화된 가스플라즈마 생성방법.
  22. 상기 플라즈마빔을 예정한 구조를 형상시키고 제1실내의 목표물상에 충돌되도록 하여 주는 단계로 구성되는 상기 21항의 방법.
  23. 제2의 가스를 플라즈마 기류로 유통시켜서 가스방전 구역에서 활성화 되도록 하는 단계로 구성되는 상기 21항의 방법.
  24. 상기 제1실내에 가열될 물질을 위치시키고, 제1실내에 자기장을 형성시켜 플라즈마빔이 그 물질상으로 향하도록 하는 단계로 구성되는 상기 21항의 방법.
  25. 제1실내에 하나 또는 그 이상의 기질을 위치시키고, 그 기질상에 플라즈마빔을 충돌되게 하는 단계로 구성되는 상기21항의 방법.
  26. 제1실내에 증발원 물질을 놓아두고 이와 반대위치에 기질을 둔 뒤 플라즈마 빔을 상기 증발원 물질로 향하게 하여 그 물질이 상기 기질상으로 증발되게 하는 단계로 구성되는 상기 21항에 따른 방법.
  27. 산소를 활성화된 플라즈마 기류로 통하게 하여 가스방전 부분에서 활성화되게 하는 단계를 포함하는 상기 26항의 방법.
  28. 제1실 근처에 신장된 플라즈마 한정실을 위치시키고, 그 근처에 폐쇄공급원실을 위치시키며, 제1실보다 높은 압력으로 가스압력을 유지시키는데 충분한 속도로 선택된 가스를 공급원실로 도입시키고, 공급원실내에서 상기 가스의 활성화 플라즈마를 생성시키며, 활성화된 플라즈마를 고속기류로서 플라즈마한정실의 실질부분에 걸쳐 자기장을 생성시켜서 고속의 플라즈마 기류를 좁은 플라즈마빔으로 한정시키며, 상기 자기장 구역을 가로질러 전위차를 야기시켜 플라즈마빔내에서 가스방전이 이루어지게 하고 상기 플라즈마빔을 제1실로 선택적으로 유도시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 제1실내에서의 가스플라즈마 생성방법.
  29. 제2의 가스를 플라즈마 한정실로 도입시켜서 가스 방전부에서 활성화되게 하는 단계를 포함하는 상기 28항의 방법.
  30. 폐쇄된 조작실. 조작실 근처에 위치하며 그 조작실의 내부 및 전면가스 유입단부와 통하는 후면가스 출구단부를 가지는 신장된 플라즈마 한정실, 플라즈마 한정실의 가스유입단부 근처에 위치하며 공급원실로부터 플라즈마 한정실로 통하는 노즐을 가지는 폐쇄된 공급원실. 조작실의 내부를 저압으로 하는 장치, 조작실내의 압력보다 큰 압력으로 선택된 가스를 공급원실로 보내어서 상기 노즐을 통해 고속기류를 생성시키는 장치, 상기의 가스를 노즐통과전에 공급원실에서 활성화시키는 장치. 플라즈마 한정실의 제1구역을 가로질러 전위차를 발생시켜 공급원실을 나가는 가스의 고속기류내에서 가스방전을 이루어주는 장치, 그리고 플라즈마 한정실내에 자기장을 발생시켜 상기 가스의활성화된 분자를 소폭의 고속플라즈마빔으로 한정시키는 장치들의 조합.
  31. 선택된 제2가스를 플라즈마 한정실로 공급하여 그 가스의 분자가 플라즈마 한정실내의 가스 방전부에서 활성화되게 하는 장치를 포함하는 상기 30항의 조합.
  32. 상기 조작실내에 유도자기장을 발생시켜 플라즈마 한정실을 이탈하는 소폭 플라즈마빔을 예정된 구조와 방향의 플라즈마빔으로 전환시키는 장치를 포함하는 상기30-31항의 조합.
  33. 조작실내에 위치한 가열되는 물질공급원과 싱기 플라즈마빔을 상기 물질로 유도시키는 장치를 포함하는 상기 32항에 따른 조합.
  34. 상기 플라즈마 한정실은 상기 조작실의 상하벽 중간위치에 인접되어 있으며, 원료물질은 조작실의 바닥에 위치하고, 원료물질위의 플라즈마 한정실 윗부분 조작실 구역에 기질을 위치시키기 위해 조작실내에 기질배치장치가 제공되어 있으며, 상기 유도장치는 조작실내에 유도자기장 형태를 이루기 위해 조작실내로 들어가는 상기 플라즈마빔을 경로상에 위치한 제1자기장 발생장치와 도가니에 인접되어 있으며 조작실내에서 원료물질상에 플라즈마빔을 농축시키기 위해 상기의 유도자기장 형태와 조합하는 제1자기장형태를 갖는 자기장을 생성시키기 위한 제2자기장 발생장치로 구성되는 상기 32항에 따른 조합.
  35. 상기의 제1자기장 발생장치는 전자기 코일이며, 또한 상기 플라즈마빔에 대해 가변적인 축상관계로 상기의 전자코일을 설치하기 위한 짐벌설치장치로 구성되는 상기34항에 따른 조합.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019820001981A 1981-05-04 1982-05-04 활성화된 분자빔의 형성과 이용을 위한 방법 및 장치 KR830010218A (ko)

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