JPH01290193A - Dramリフレッシュ制御方式 - Google Patents
Dramリフレッシュ制御方式Info
- Publication number
- JPH01290193A JPH01290193A JP63119710A JP11971088A JPH01290193A JP H01290193 A JPH01290193 A JP H01290193A JP 63119710 A JP63119710 A JP 63119710A JP 11971088 A JP11971088 A JP 11971088A JP H01290193 A JPH01290193 A JP H01290193A
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- JP
- Japan
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- address
- dram
- refresh
- maximum
- refresh control
- Prior art date
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- Pending
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 102100020800 DNA damage-regulated autophagy modulator protein 1 Human genes 0.000 description 17
- 101000931929 Homo sapiens DNA damage-regulated autophagy modulator protein 1 Proteins 0.000 description 17
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 101100127672 Arabidopsis thaliana LAZY2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシ
ュ制御方式において、DRAMの全てのブロックをリフ
レッシュすることによる処理速度の低下を解決するため
、データなどをDRAMに書き込むアドレスを監視して
最大のアドレスまでをリフレッシュ制御あるいはデータ
を書き込んだブロックのみをリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させるようにしている。
ュ制御方式において、DRAMの全てのブロックをリフ
レッシュすることによる処理速度の低下を解決するため
、データなどをDRAMに書き込むアドレスを監視して
最大のアドレスまでをリフレッシュ制御あるいはデータ
を書き込んだブロックのみをリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させるようにしている。
本発明は、DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシ
ュ制御方式に関するものである。
ュ制御方式に関するものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕DRA
M (グイナミソク・ランダム・アクセス・メモリ)を
計算機システムに用い、これにプログラムやデータなど
を記憶さ笹て処理を行う場合、所定時間毎にリフレッシ
ュして内容を保持する必要がある。
M (グイナミソク・ランダム・アクセス・メモリ)を
計算機システムに用い、これにプログラムやデータなど
を記憶さ笹て処理を行う場合、所定時間毎にリフレッシ
ュして内容を保持する必要がある。
従来、DRAMのリフレッシュするメモリ容量がプログ
ラム開発時に予め判明している場合にはこれをエントリ
して該当するメモリ容量の領域までリフレッシュ制御す
ることが可能となる。しかし、プログラムを動作させた
時に初めて必要なメモリ容量を知ることができる場合、
当初メモリ容量を予測できず、DRAMの全領域をリフ
レッシュすることとなる。このため、実際に動作させた
時に使用しないアドレス領域までもリフレッシュするこ
ととなり、システム全体の処理速度が低下してしまうと
いう問題点があった。
ラム開発時に予め判明している場合にはこれをエントリ
して該当するメモリ容量の領域までリフレッシュ制御す
ることが可能となる。しかし、プログラムを動作させた
時に初めて必要なメモリ容量を知ることができる場合、
当初メモリ容量を予測できず、DRAMの全領域をリフ
レッシュすることとなる。このため、実際に動作させた
時に使用しないアドレス領域までもリフレッシュするこ
ととなり、システム全体の処理速度が低下してしまうと
いう問題点があった。
本発明は、データをDRAMに書き込むアドレスを監視
して最大のアドレスまでリフレッシュ制御あるいはデー
タを書き込んだブロックのみリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させることを目的としている
。
して最大のアドレスまでリフレッシュ制御あるいはデー
タを書き込んだブロックのみリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させることを目的としている
。
第1図を参照して問題点を解決するための手段を説明す
る。
る。
第1図(イ)、(ロ)において、DRAMIは、データ
を記憶させるメモリである。
を記憶させるメモリである。
最大アドレス格納レジスタ3−3は、最大アドレスを格
納するものである。
納するものである。
比較器3−4は、最大アドレス格納レジスタ3−3に格
納されているアドレスと、アドレスバスに送出されたア
ドレスとを比較するものである。
納されているアドレスと、アドレスバスに送出されたア
ドレスとを比較するものである。
第4図において、フラグ6は、8亥当リフレッシュブロ
ック内のアドレスがアドレスバスに送出された時にセッ
トするものである。
ック内のアドレスがアドレスバスに送出された時にセッ
トするものである。
本発明は、第1図に示すように、比較器3−4がDRA
MIに接続されているアドレスバスに送出されたアドレ
スと、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されてい
るアドレスとを比較し、アドレスバスに送出されたアド
レスが大きい時にこれを最大アドレス格納レジスタ3−
3に格納させ、この最大アドレス格納レジスタ3−3に
格納された最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュさせるようにしている。また、本発明は、第4図に
示すように、DRAMIのリフレッシュブロックに対応
づけてフラグ6を設け、DRAMIに接続されているア
ドレスバスに送出されたアドレスが含まれるリフレッシ
ュブロックのフラグ6をセットし、このセットされたフ
ラグ:6に対応するDRAMIのリフレッシュブロック
のみをサイクリックにリフレッシュするようにしている
。
MIに接続されているアドレスバスに送出されたアドレ
スと、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されてい
るアドレスとを比較し、アドレスバスに送出されたアド
レスが大きい時にこれを最大アドレス格納レジスタ3−
3に格納させ、この最大アドレス格納レジスタ3−3に
格納された最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュさせるようにしている。また、本発明は、第4図に
示すように、DRAMIのリフレッシュブロックに対応
づけてフラグ6を設け、DRAMIに接続されているア
ドレスバスに送出されたアドレスが含まれるリフレッシ
ュブロックのフラグ6をセットし、このセットされたフ
ラグ:6に対応するDRAMIのリフレッシュブロック
のみをサイクリックにリフレッシュするようにしている
。
従って、プログラムやデータなどがDRAMに格納され
た最大アドレスまでのリフレッシュブロック、あるいは
プログラムやデータなどが格納されたリフレッシュブロ
ックのみがリフレッシュされ、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することが可能となる。こ
れにより、システム全体の処理速度を向上させることが
できる。
た最大アドレスまでのリフレッシュブロック、あるいは
プログラムやデータなどが格納されたリフレッシュブロ
ックのみがリフレッシュされ、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することが可能となる。こ
れにより、システム全体の処理速度を向上させることが
できる。
まず、第1図ないし第3図を用いて本発明の1実施例の
構成および動作を詳細に説明する。
構成および動作を詳細に説明する。
第1図(イ)において、DRAMIは、所定周期毎例え
ば4ms毎に上位8ピッI−(2’)に対応する回数に
分けてリフレッシュする必要があるメモリ (LMビッ
トメモリ×8個からなるメモリ)である。
ば4ms毎に上位8ピッI−(2’)に対応する回数に
分けてリフレッシュする必要があるメモリ (LMビッ
トメモリ×8個からなるメモリ)である。
レジスタ2は、初期値を保持するものである。
この初期値は、IPL前は零、応用プログラムからのシ
ステムコール(応用プログラム終了後に通知するための
もの)によるリセット時にはO8(オペレーティングシ
ステム)が使用するアドレス値(例えば第3図ADRO
I)などである。
ステムコール(応用プログラム終了後に通知するための
もの)によるリセット時にはO8(オペレーティングシ
ステム)が使用するアドレス値(例えば第3図ADRO
I)などである。
アドレス監視回路3は、DRAMIに接続されているア
ドレスバスに送出される最大アドレスを監視するもので
ある。
ドレスバスに送出される最大アドレスを監視するもので
ある。
メモリコントローラ4は、アドレス監視回路3から通知
された最大アドレスまで、DRAMIをリフレッシュな
どするものである。
された最大アドレスまで、DRAMIをリフレッシュな
どするものである。
CPU5は、DRAMIに格納されたOSなどによって
所定の処理を行うものである。
所定の処理を行うものである。
第1図(ロ)はアドレス監視回路例を示す。
第1図(ロ)において、デコーダ3−1は、アドレスバ
スに送出されたアドレスをデコードして、マルチプレク
サ3−2を切り替えるものである。
スに送出されたアドレスをデコードして、マルチプレク
サ3−2を切り替えるものである。
マルチプレクサ3−2は、第1図レジスタ2に保持され
ている初期値、あるいはアドレスバスに送出されたアド
レスのうちのいずれかを最大アドレス格納レジスタ3−
3に切り替える態様で入力するものである。通常は、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを、最大アドレス格納
レジスタ3−3に入力するようにしている。
ている初期値、あるいはアドレスバスに送出されたアド
レスのうちのいずれかを最大アドレス格納レジスタ3−
3に切り替える態様で入力するものである。通常は、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを、最大アドレス格納
レジスタ3−3に入力するようにしている。
最大アドレス格納レジスタ3−3は、DRAMlに接続
されているアドレスバスに送出された最大アドレスを保
持するものである。
されているアドレスバスに送出された最大アドレスを保
持するものである。
比較器3−4は、アドレスバスに送出されたアドレスが
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスよりも大きいか否かを比較するものである。
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスよりも大きいか否かを比較するものである。
次に、第2図に示す順序に従い、第1図構成の動作につ
いて第3図を参照して詳細に説明する。
いて第3図を参照して詳細に説明する。
第2図において、■は、システムを起動する。
これは、第1図において、図示外の外部記憶装置からD
RAMIにO8などのIPLを行い、起動する。この際
、第1図(ロ)において、第1に、アドレスバスを介し
て所定のアドレスをデコーダ3−1に送出し、マルチプ
レクサ3−2を切り替えてレジスタ2の初期値(例えば
0000番地)を当8亥マルチフ゛レクサ3−2を介し
て最大アドレス格納レジスタ3−3にセットする。そし
て、マルチプレクサ3−2を切り替えて、アドレスバス
に送出されたアドレスが最大アドレス格納レジスタ3−
3に入力されるようにする。第2に、比較器3−4が、
IPL時にアドレスバスに送出されたアドレスと、最大
アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアトルス
とを比較し、アドレスバスに送出されたアドレスが大き
い場合にこれを最大アドレス格納レジスタ3−3に書き
込むようにしている。第3に、メモリコントローラ4は
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスまでをサイクリックにDRAMIにリフレッシュ
する。これにより、IPLが終了した時点で、最大アド
レス格納レジスタ3〜3に対して、当該IPLを行った
最大アドレスADHOIが最大アドレス格納レジスタ3
−3に格納されるので、メモリコントローラ4はこの最
大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアドレ
スADHOIまでサイクリックにDRAMIをリフレッ
シュする。
RAMIにO8などのIPLを行い、起動する。この際
、第1図(ロ)において、第1に、アドレスバスを介し
て所定のアドレスをデコーダ3−1に送出し、マルチプ
レクサ3−2を切り替えてレジスタ2の初期値(例えば
0000番地)を当8亥マルチフ゛レクサ3−2を介し
て最大アドレス格納レジスタ3−3にセットする。そし
て、マルチプレクサ3−2を切り替えて、アドレスバス
に送出されたアドレスが最大アドレス格納レジスタ3−
3に入力されるようにする。第2に、比較器3−4が、
IPL時にアドレスバスに送出されたアドレスと、最大
アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアトルス
とを比較し、アドレスバスに送出されたアドレスが大き
い場合にこれを最大アドレス格納レジスタ3−3に書き
込むようにしている。第3に、メモリコントローラ4は
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスまでをサイクリックにDRAMIにリフレッシュ
する。これにより、IPLが終了した時点で、最大アド
レス格納レジスタ3〜3に対して、当該IPLを行った
最大アドレスADHOIが最大アドレス格納レジスタ3
−3に格納されるので、メモリコントローラ4はこの最
大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアドレ
スADHOIまでサイクリックにDRAMIをリフレッ
シュする。
従って、システム起動後には、第3図(イ)O8専用令
頁域の先頭アドレス“oooo”から最終アドレス“A
DROI”のアドレス区間をサイクリックにリフレッシ
ュ、例えば第3図(ロ)DRAMI−1のリフレッシュ
ブロック#000から#003までをリフレッシュする
こととなる。
頁域の先頭アドレス“oooo”から最終アドレス“A
DROI”のアドレス区間をサイクリックにリフレッシ
ュ、例えば第3図(ロ)DRAMI−1のリフレッシュ
ブロック#000から#003までをリフレッシュする
こととなる。
■は、OSアイドル状態を示す。このOSアイドル状態
では、メモリコントローラ4は、最大アドレス格納レジ
スタ3−3に格納されているアドレス″ADROI″ま
でをサイクリックにリフレッシュする。
では、メモリコントローラ4は、最大アドレス格納レジ
スタ3−3に格納されているアドレス″ADROI″ま
でをサイクリックにリフレッシュする。
■は、プログラムのロードを行う。これは、図示外の外
部記憶装置からプログラム(応用プログラム)をアドレ
スバスを介してDRAMIに転送(DMA転送、あるい
はcpusによる転送)することを意味している。この
際、既述したと同様に、第3図(イ)に示すように、こ
のプログラムをロードした最大のアドレスADRO2が
最大アドレス格納レジスタ3−3にセットされる。これ
により、メモリコントローラ4は、アドレス″0000
”からアドレス“ADR02″までのアドレス区間をサ
イクリックにリフレッシュ、例えば第3図(ロ)DRA
MIのリフレッシュブロック#000から#008まで
をリフレッシュすることとなる。
部記憶装置からプログラム(応用プログラム)をアドレ
スバスを介してDRAMIに転送(DMA転送、あるい
はcpusによる転送)することを意味している。この
際、既述したと同様に、第3図(イ)に示すように、こ
のプログラムをロードした最大のアドレスADRO2が
最大アドレス格納レジスタ3−3にセットされる。これ
により、メモリコントローラ4は、アドレス″0000
”からアドレス“ADR02″までのアドレス区間をサ
イクリックにリフレッシュ、例えば第3図(ロ)DRA
MIのリフレッシュブロック#000から#008まで
をリフレッシュすることとなる。
■は、変数初期化などを行う。これは、領域のみが確保
された領域について初期化を行うことにに対応して、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを最大アドレス格納レ
ジスタ3−3に更新する態様で格納し、リフレッシュの
対象とする。また、第3図(イ)に示すように、配列等
のプログラノ、の実行に当り確認された領域についても
リフレッシュの対象とする。
された領域について初期化を行うことにに対応して、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを最大アドレス格納レ
ジスタ3−3に更新する態様で格納し、リフレッシュの
対象とする。また、第3図(イ)に示すように、配列等
のプログラノ、の実行に当り確認された領域についても
リフレッシュの対象とする。
■は、メインルーチンをロードする。これに対応して、
第3図(イ)に示すように、更にメインルーチン領域の
最終アドレス“ADR04″までの区間についてもリフ
レッシュの対象とする。
第3図(イ)に示すように、更にメインルーチン領域の
最終アドレス“ADR04″までの区間についてもリフ
レッシュの対象とする。
■は、システムコールを行う、これは、O8配下で動作
するプログラムが、プログラム終了のシステムコールを
発行して、プログラム°を終了するので、これに対応し
て、■で第1図レジスタ2の値をリセット(例えばO3
専用域の最終アドレス“ADRO1″にリセット)する
。そして、■ないし■を繰り返し実行する。
するプログラムが、プログラム終了のシステムコールを
発行して、プログラム°を終了するので、これに対応し
て、■で第1図レジスタ2の値をリセット(例えばO3
専用域の最終アドレス“ADRO1″にリセット)する
。そして、■ないし■を繰り返し実行する。
以上の手順によって、oSをDRAMlにIPLするこ
とによって、当該DRAMIのアドレス“0000”か
らアドレス”ADRO1”までのアドレス区間をリフレ
ッシュし、更に応用プログラムをDRAMIにロードす
ると、当8亥DRAM1のアドレス“0000”からア
ドレス“ADH02″までのアドレス区間をリフレッシ
ュするというように、DRAMIにプログラムやデータ
を格納した最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュすることが可能となる。これにより、有意なデータ
が格納されたDRAMIの必要最小限のアドレス領域の
みを効率的にリフレッシュし、システム全体の処理速度
を向上させることができ第3図(イ)は、DRAMIの
メモリマツプ例を示す。アドレスの小さい方から、O8
専有域、ロードされたプログラム領域などが図示のよう
な領域に格納される。
とによって、当該DRAMIのアドレス“0000”か
らアドレス”ADRO1”までのアドレス区間をリフレ
ッシュし、更に応用プログラムをDRAMIにロードす
ると、当8亥DRAM1のアドレス“0000”からア
ドレス“ADH02″までのアドレス区間をリフレッシ
ュするというように、DRAMIにプログラムやデータ
を格納した最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュすることが可能となる。これにより、有意なデータ
が格納されたDRAMIの必要最小限のアドレス領域の
みを効率的にリフレッシュし、システム全体の処理速度
を向上させることができ第3図(イ)は、DRAMIの
メモリマツプ例を示す。アドレスの小さい方から、O8
専有域、ロードされたプログラム領域などが図示のよう
な領域に格納される。
第3図(ロ)は、第3図(イ)で使用した領域に対応す
るDRAMIの該当リフレッシュブロックをリフレッシ
ュする様子を示す。図示DRAM1は、1MビットのD
RAMを8個並列に並べたものであって、上位の8ビツ
ト(2”=256)に対応する回数(2”=256)に
よって全メモリ領域をリフレッシュし得るように構成さ
れている。従って、図中ADR(1)、ADRO2、A
DRO3、ADRO4に8亥当するリフレッシュブロッ
クまでをサイクリックにリフレッシュするように制御す
る。
るDRAMIの該当リフレッシュブロックをリフレッシ
ュする様子を示す。図示DRAM1は、1MビットのD
RAMを8個並列に並べたものであって、上位の8ビツ
ト(2”=256)に対応する回数(2”=256)に
よって全メモリ領域をリフレッシュし得るように構成さ
れている。従って、図中ADR(1)、ADRO2、A
DRO3、ADRO4に8亥当するリフレッシュブロッ
クまでをサイクリックにリフレッシュするように制御す
る。
次に、第4図を用いて、本発明の他の実施例構成および
動作を詳細に説明する。
動作を詳細に説明する。
第4図において、フラグ6は、DRAMIのリフレッシ
ュブロックに対応づけて設けたものであって、8亥当リ
フレツシユフ゛ロツクをリフレッシュするか否かの情報
を格納するものである。
ュブロックに対応づけて設けたものであって、8亥当リ
フレツシユフ゛ロツクをリフレッシュするか否かの情報
を格納するものである。
ブロック0ないしブロック7は、DRAMIのリフレッ
シュブロックに含まれるいすかのアドレスに対する書き
込みが行われたか否かを判別した信号である。これは、
実際上の装置では、例えば第3図(ロ)の場合に、上位
8ビツトを各ブロックOないし255に対応づけたこと
に対応している。
シュブロックに含まれるいすかのアドレスに対する書き
込みが行われたか否かを判別した信号である。これは、
実際上の装置では、例えば第3図(ロ)の場合に、上位
8ビツトを各ブロックOないし255に対応づけたこと
に対応している。
リフレッシュカウンタ8は、システムクロックなどに同
期して循環する態様でカウントするカウンタである。図
では、クロック23を循環する態様でカウントするカウ
ンタである。
期して循環する態様でカウントするカウンタである。図
では、クロック23を循環する態様でカウントするカウ
ンタである。
デコーダ(3−8)9は、リフレッシュカウンタ8から
入力された値をデコードするものである。
入力された値をデコードするものである。
AND回路10は、フラグ6にセットされた値と、デコ
ーダ9から送出されたタイミング信号とのAND論理を
算出するものである。
ーダ9から送出されたタイミング信号とのAND論理を
算出するものである。
NOR回路1)は、AND回路10によってAND演算
された結果のうち1つでもアクティブ(DRAMIをリ
フレッシュする状B)の場合に、1つのりフレソシェイ
ネーブル信号としてまとめるものである。
された結果のうち1つでもアクティブ(DRAMIをリ
フレッシュする状B)の場合に、1つのりフレソシェイ
ネーブル信号としてまとめるものである。
次に、第4図構成の動作を説明する。
第4図において、フラグ6が当初リセットされた状態で
システムを起動し、アドレスバスに送出されたアドレス
を含む該当フ゛ロックOないし7のフラグ(FOないし
F7のいずれか)6をセットする。このセットに対応し
て、リフレッシュカウンク8、デコーダ9、AND回路
10、NOR回路1)によって、当該セットされたブロ
ック0ないし7のうちの5亥当するものの時に、リフレ
ッシュイネーブル信号が図示外のDRAMIに人力され
て、DRAMIをリフレッシュするようにしている。以
下同様に、O3配下で動作する応用プログラムをrPL
なとする場合、O3専有域に該当するフラグ6のみリセ
ットすることなく、他のフラグ6をリセットし、当該応
用プログラムをIPLなどしてアドレスバスに送出され
たアドレスを含む8亥当フ゛ロンクOないし7のフラグ
(FOないしF7のいずれか)6をセットする。そして
、セットしたフラグ6に8亥当するフ゛ロックのみリフ
レッシュする。
システムを起動し、アドレスバスに送出されたアドレス
を含む該当フ゛ロックOないし7のフラグ(FOないし
F7のいずれか)6をセットする。このセットに対応し
て、リフレッシュカウンク8、デコーダ9、AND回路
10、NOR回路1)によって、当該セットされたブロ
ック0ないし7のうちの5亥当するものの時に、リフレ
ッシュイネーブル信号が図示外のDRAMIに人力され
て、DRAMIをリフレッシュするようにしている。以
下同様に、O3配下で動作する応用プログラムをrPL
なとする場合、O3専有域に該当するフラグ6のみリセ
ットすることなく、他のフラグ6をリセットし、当該応
用プログラムをIPLなどしてアドレスバスに送出され
たアドレスを含む8亥当フ゛ロンクOないし7のフラグ
(FOないしF7のいずれか)6をセットする。そして
、セットしたフラグ6に8亥当するフ゛ロックのみリフ
レッシュする。
以上のように、DRAMIのりフレンシュブロフクに対
応づけてフラグ6を夫々設け、アドレスバスに送出され
たアドレスに対応するプロ、りのフラグ6のみをセット
し、リフレッシュ制御することにより、データをDRA
MIに書き込んだブロックのみをリフレッシュすること
が可能となる。
応づけてフラグ6を夫々設け、アドレスバスに送出され
たアドレスに対応するプロ、りのフラグ6のみをセット
し、リフレッシュ制御することにより、データをDRA
MIに書き込んだブロックのみをリフレッシュすること
が可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、プログラムやデ
ータなどがDRAMに格納された最大アドレスまでのリ
フレッシュブロック、あるいはプログラムやデータなど
が格納されたリフレッシュブロックのみをリフレッシュ
する構成を採用しているため、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することができる。これに
より、システム全体の処理速度を向上させることができ
る。
ータなどがDRAMに格納された最大アドレスまでのリ
フレッシュブロック、あるいはプログラムやデータなど
が格納されたリフレッシュブロックのみをリフレッシュ
する構成を採用しているため、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することができる。これに
より、システム全体の処理速度を向上させることができ
る。
第1図は本発明の1実施例構成図、第2図は第1図構成
の動作説明フローチャート、第3図はDRAMリフレッ
シュ説明図、第4図は本発明の他の実施例構成図を示す
。 図中、1はDRAM、2はレジスタ、3ばアドレス監視
回路、3−3は最大アドレス格納レジスタ、3−4は比
較器、6はフラグを表す。
の動作説明フローチャート、第3図はDRAMリフレッ
シュ説明図、第4図は本発明の他の実施例構成図を示す
。 図中、1はDRAM、2はレジスタ、3ばアドレス監視
回路、3−3は最大アドレス格納レジスタ、3−4は比
較器、6はフラグを表す。
Claims (2)
- (1)DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシュ制
御方式において、 DRAM(1)に接続されているアドレスバスに送出さ
れる最大アドレスを格納する最大アドレス格納レジスタ
(3−3)と、 この最大アドレス格納レジスタ(3−3)に格納された
アドレスと、DRAM(1)に接続されているアドレス
バスに送出されたアドレスとを比較し、このアドレスバ
スに送出されたアドレスが大きい場合にこのアドレスを
上記最大アドレス格納レジスタ(3−3)に更新する態
様で格納する比較器(3−4)とを備え、 プログラム、データなどをDRAM(1)に書き込んで
処理を行う際に、上記最大アドレス格納レジスタ(3−
3)に動的に格納される最大アドレスまで当該DRAM
(1)をリフレッシュ制御するように構成したことを特
徴とするDRAMリフレッシュ制御方式。 - (2)DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシュ制
御方式において、 DRAM(1)のリフレッシュブロック単位に対応づけ
たフラグ(6)を設け、 プログラム、データなどをDRAM(1)に書き込んで
処理を行う際に、DRAM(1)に接続されているアド
レスバスに送出されたアドレスに該当するフラグ(6)
をセットし、このセットされたフラグ(6)のリフレッ
シュブロックのみをリフレッシュ制御するように構成し
たことを特徴とするDRAMリフレッシュ制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63119710A JPH01290193A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Dramリフレッシュ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63119710A JPH01290193A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Dramリフレッシュ制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01290193A true JPH01290193A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14768184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63119710A Pending JPH01290193A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Dramリフレッシュ制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01290193A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998057332A1 (fr) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit a semiconducteur et procede de commande de ce dernier |
JP2012221534A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体記憶装置および半導体記憶装置のリフレッシュ方法 |
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1988
- 1988-05-17 JP JP63119710A patent/JPH01290193A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1998057332A1 (fr) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit a semiconducteur et procede de commande de ce dernier |
US6446159B2 (en) | 1997-06-12 | 2002-09-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor circuit and method of controlling the same |
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