JPH01290193A - Dramリフレッシュ制御方式 - Google Patents

Dramリフレッシュ制御方式

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JPH01290193A
JPH01290193A JP63119710A JP11971088A JPH01290193A JP H01290193 A JPH01290193 A JP H01290193A JP 63119710 A JP63119710 A JP 63119710A JP 11971088 A JP11971088 A JP 11971088A JP H01290193 A JPH01290193 A JP H01290193A
Authority
JP
Japan
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address
dram
refresh
maximum
refresh control
Prior art date
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Pending
Application number
JP63119710A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Amano
天野 孝弘
Kiichi Watabe
渡部 紀一
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PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシ
ュ制御方式において、DRAMの全てのブロックをリフ
レッシュすることによる処理速度の低下を解決するため
、データなどをDRAMに書き込むアドレスを監視して
最大のアドレスまでをリフレッシュ制御あるいはデータ
を書き込んだブロックのみをリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させるようにしている。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシ
ュ制御方式に関するものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕DRA
M (グイナミソク・ランダム・アクセス・メモリ)を
計算機システムに用い、これにプログラムやデータなど
を記憶さ笹て処理を行う場合、所定時間毎にリフレッシ
ュして内容を保持する必要がある。
従来、DRAMのリフレッシュするメモリ容量がプログ
ラム開発時に予め判明している場合にはこれをエントリ
して該当するメモリ容量の領域までリフレッシュ制御す
ることが可能となる。しかし、プログラムを動作させた
時に初めて必要なメモリ容量を知ることができる場合、
当初メモリ容量を予測できず、DRAMの全領域をリフ
レッシュすることとなる。このため、実際に動作させた
時に使用しないアドレス領域までもリフレッシュするこ
ととなり、システム全体の処理速度が低下してしまうと
いう問題点があった。
本発明は、データをDRAMに書き込むアドレスを監視
して最大のアドレスまでリフレッシュ制御あるいはデー
タを書き込んだブロックのみリフレッシュ制御し、シス
テム全体の処理速度を向上させることを目的としている
〔問題点を解決するための手段〕
第1図を参照して問題点を解決するための手段を説明す
る。
第1図(イ)、(ロ)において、DRAMIは、データ
を記憶させるメモリである。
最大アドレス格納レジスタ3−3は、最大アドレスを格
納するものである。
比較器3−4は、最大アドレス格納レジスタ3−3に格
納されているアドレスと、アドレスバスに送出されたア
ドレスとを比較するものである。
第4図において、フラグ6は、8亥当リフレッシュブロ
ック内のアドレスがアドレスバスに送出された時にセッ
トするものである。
〔作用〕
本発明は、第1図に示すように、比較器3−4がDRA
MIに接続されているアドレスバスに送出されたアドレ
スと、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されてい
るアドレスとを比較し、アドレスバスに送出されたアド
レスが大きい時にこれを最大アドレス格納レジスタ3−
3に格納させ、この最大アドレス格納レジスタ3−3に
格納された最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュさせるようにしている。また、本発明は、第4図に
示すように、DRAMIのリフレッシュブロックに対応
づけてフラグ6を設け、DRAMIに接続されているア
ドレスバスに送出されたアドレスが含まれるリフレッシ
ュブロックのフラグ6をセットし、このセットされたフ
ラグ:6に対応するDRAMIのリフレッシュブロック
のみをサイクリックにリフレッシュするようにしている
従って、プログラムやデータなどがDRAMに格納され
た最大アドレスまでのリフレッシュブロック、あるいは
プログラムやデータなどが格納されたリフレッシュブロ
ックのみがリフレッシュされ、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することが可能となる。こ
れにより、システム全体の処理速度を向上させることが
できる。
〔実施例〕
まず、第1図ないし第3図を用いて本発明の1実施例の
構成および動作を詳細に説明する。
第1図(イ)において、DRAMIは、所定周期毎例え
ば4ms毎に上位8ピッI−(2’)に対応する回数に
分けてリフレッシュする必要があるメモリ (LMビッ
トメモリ×8個からなるメモリ)である。
レジスタ2は、初期値を保持するものである。
この初期値は、IPL前は零、応用プログラムからのシ
ステムコール(応用プログラム終了後に通知するための
もの)によるリセット時にはO8(オペレーティングシ
ステム)が使用するアドレス値(例えば第3図ADRO
I)などである。
アドレス監視回路3は、DRAMIに接続されているア
ドレスバスに送出される最大アドレスを監視するもので
ある。
メモリコントローラ4は、アドレス監視回路3から通知
された最大アドレスまで、DRAMIをリフレッシュな
どするものである。
CPU5は、DRAMIに格納されたOSなどによって
所定の処理を行うものである。
第1図(ロ)はアドレス監視回路例を示す。
第1図(ロ)において、デコーダ3−1は、アドレスバ
スに送出されたアドレスをデコードして、マルチプレク
サ3−2を切り替えるものである。
マルチプレクサ3−2は、第1図レジスタ2に保持され
ている初期値、あるいはアドレスバスに送出されたアド
レスのうちのいずれかを最大アドレス格納レジスタ3−
3に切り替える態様で入力するものである。通常は、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを、最大アドレス格納
レジスタ3−3に入力するようにしている。
最大アドレス格納レジスタ3−3は、DRAMlに接続
されているアドレスバスに送出された最大アドレスを保
持するものである。
比較器3−4は、アドレスバスに送出されたアドレスが
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスよりも大きいか否かを比較するものである。
次に、第2図に示す順序に従い、第1図構成の動作につ
いて第3図を参照して詳細に説明する。
第2図において、■は、システムを起動する。
これは、第1図において、図示外の外部記憶装置からD
RAMIにO8などのIPLを行い、起動する。この際
、第1図(ロ)において、第1に、アドレスバスを介し
て所定のアドレスをデコーダ3−1に送出し、マルチプ
レクサ3−2を切り替えてレジスタ2の初期値(例えば
0000番地)を当8亥マルチフ゛レクサ3−2を介し
て最大アドレス格納レジスタ3−3にセットする。そし
て、マルチプレクサ3−2を切り替えて、アドレスバス
に送出されたアドレスが最大アドレス格納レジスタ3−
3に入力されるようにする。第2に、比較器3−4が、
IPL時にアドレスバスに送出されたアドレスと、最大
アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアトルス
とを比較し、アドレスバスに送出されたアドレスが大き
い場合にこれを最大アドレス格納レジスタ3−3に書き
込むようにしている。第3に、メモリコントローラ4は
、最大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているア
ドレスまでをサイクリックにDRAMIにリフレッシュ
する。これにより、IPLが終了した時点で、最大アド
レス格納レジスタ3〜3に対して、当該IPLを行った
最大アドレスADHOIが最大アドレス格納レジスタ3
−3に格納されるので、メモリコントローラ4はこの最
大アドレス格納レジスタ3−3に格納されているアドレ
スADHOIまでサイクリックにDRAMIをリフレッ
シュする。
従って、システム起動後には、第3図(イ)O8専用令
頁域の先頭アドレス“oooo”から最終アドレス“A
DROI”のアドレス区間をサイクリックにリフレッシ
ュ、例えば第3図(ロ)DRAMI−1のリフレッシュ
ブロック#000から#003までをリフレッシュする
こととなる。
■は、OSアイドル状態を示す。このOSアイドル状態
では、メモリコントローラ4は、最大アドレス格納レジ
スタ3−3に格納されているアドレス″ADROI″ま
でをサイクリックにリフレッシュする。
■は、プログラムのロードを行う。これは、図示外の外
部記憶装置からプログラム(応用プログラム)をアドレ
スバスを介してDRAMIに転送(DMA転送、あるい
はcpusによる転送)することを意味している。この
際、既述したと同様に、第3図(イ)に示すように、こ
のプログラムをロードした最大のアドレスADRO2が
最大アドレス格納レジスタ3−3にセットされる。これ
により、メモリコントローラ4は、アドレス″0000
”からアドレス“ADR02″までのアドレス区間をサ
イクリックにリフレッシュ、例えば第3図(ロ)DRA
MIのリフレッシュブロック#000から#008まで
をリフレッシュすることとなる。
■は、変数初期化などを行う。これは、領域のみが確保
された領域について初期化を行うことにに対応して、ア
ドレスバスに送出されたアドレスを最大アドレス格納レ
ジスタ3−3に更新する態様で格納し、リフレッシュの
対象とする。また、第3図(イ)に示すように、配列等
のプログラノ、の実行に当り確認された領域についても
リフレッシュの対象とする。
■は、メインルーチンをロードする。これに対応して、
第3図(イ)に示すように、更にメインルーチン領域の
最終アドレス“ADR04″までの区間についてもリフ
レッシュの対象とする。
■は、システムコールを行う、これは、O8配下で動作
するプログラムが、プログラム終了のシステムコールを
発行して、プログラム°を終了するので、これに対応し
て、■で第1図レジスタ2の値をリセット(例えばO3
専用域の最終アドレス“ADRO1″にリセット)する
。そして、■ないし■を繰り返し実行する。
以上の手順によって、oSをDRAMlにIPLするこ
とによって、当該DRAMIのアドレス“0000”か
らアドレス”ADRO1”までのアドレス区間をリフレ
ッシュし、更に応用プログラムをDRAMIにロードす
ると、当8亥DRAM1のアドレス“0000”からア
ドレス“ADH02″までのアドレス区間をリフレッシ
ュするというように、DRAMIにプログラムやデータ
を格納した最大アドレスまでをサイクリックにリフレッ
シュすることが可能となる。これにより、有意なデータ
が格納されたDRAMIの必要最小限のアドレス領域の
みを効率的にリフレッシュし、システム全体の処理速度
を向上させることができ第3図(イ)は、DRAMIの
メモリマツプ例を示す。アドレスの小さい方から、O8
専有域、ロードされたプログラム領域などが図示のよう
な領域に格納される。
第3図(ロ)は、第3図(イ)で使用した領域に対応す
るDRAMIの該当リフレッシュブロックをリフレッシ
ュする様子を示す。図示DRAM1は、1MビットのD
RAMを8個並列に並べたものであって、上位の8ビツ
ト(2”=256)に対応する回数(2”=256)に
よって全メモリ領域をリフレッシュし得るように構成さ
れている。従って、図中ADR(1)、ADRO2、A
DRO3、ADRO4に8亥当するリフレッシュブロッ
クまでをサイクリックにリフレッシュするように制御す
る。
次に、第4図を用いて、本発明の他の実施例構成および
動作を詳細に説明する。
第4図において、フラグ6は、DRAMIのリフレッシ
ュブロックに対応づけて設けたものであって、8亥当リ
フレツシユフ゛ロツクをリフレッシュするか否かの情報
を格納するものである。
ブロック0ないしブロック7は、DRAMIのリフレッ
シュブロックに含まれるいすかのアドレスに対する書き
込みが行われたか否かを判別した信号である。これは、
実際上の装置では、例えば第3図(ロ)の場合に、上位
8ビツトを各ブロックOないし255に対応づけたこと
に対応している。
リフレッシュカウンタ8は、システムクロックなどに同
期して循環する態様でカウントするカウンタである。図
では、クロック23を循環する態様でカウントするカウ
ンタである。
デコーダ(3−8)9は、リフレッシュカウンタ8から
入力された値をデコードするものである。
AND回路10は、フラグ6にセットされた値と、デコ
ーダ9から送出されたタイミング信号とのAND論理を
算出するものである。
NOR回路1)は、AND回路10によってAND演算
された結果のうち1つでもアクティブ(DRAMIをリ
フレッシュする状B)の場合に、1つのりフレソシェイ
ネーブル信号としてまとめるものである。
次に、第4図構成の動作を説明する。
第4図において、フラグ6が当初リセットされた状態で
システムを起動し、アドレスバスに送出されたアドレス
を含む該当フ゛ロックOないし7のフラグ(FOないし
F7のいずれか)6をセットする。このセットに対応し
て、リフレッシュカウンク8、デコーダ9、AND回路
10、NOR回路1)によって、当該セットされたブロ
ック0ないし7のうちの5亥当するものの時に、リフレ
ッシュイネーブル信号が図示外のDRAMIに人力され
て、DRAMIをリフレッシュするようにしている。以
下同様に、O3配下で動作する応用プログラムをrPL
なとする場合、O3専有域に該当するフラグ6のみリセ
ットすることなく、他のフラグ6をリセットし、当該応
用プログラムをIPLなどしてアドレスバスに送出され
たアドレスを含む8亥当フ゛ロンクOないし7のフラグ
(FOないしF7のいずれか)6をセットする。そして
、セットしたフラグ6に8亥当するフ゛ロックのみリフ
レッシュする。
以上のように、DRAMIのりフレンシュブロフクに対
応づけてフラグ6を夫々設け、アドレスバスに送出され
たアドレスに対応するプロ、りのフラグ6のみをセット
し、リフレッシュ制御することにより、データをDRA
MIに書き込んだブロックのみをリフレッシュすること
が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、プログラムやデ
ータなどがDRAMに格納された最大アドレスまでのリ
フレッシュブロック、あるいはプログラムやデータなど
が格納されたリフレッシュブロックのみをリフレッシュ
する構成を採用しているため、リフレッシュに必要な時
間を必要最小限に動的に制御することができる。これに
より、システム全体の処理速度を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例構成図、第2図は第1図構成
の動作説明フローチャート、第3図はDRAMリフレッ
シュ説明図、第4図は本発明の他の実施例構成図を示す
。 図中、1はDRAM、2はレジスタ、3ばアドレス監視
回路、3−3は最大アドレス格納レジスタ、3−4は比
較器、6はフラグを表す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシュ制
    御方式において、 DRAM(1)に接続されているアドレスバスに送出さ
    れる最大アドレスを格納する最大アドレス格納レジスタ
    (3−3)と、 この最大アドレス格納レジスタ(3−3)に格納された
    アドレスと、DRAM(1)に接続されているアドレス
    バスに送出されたアドレスとを比較し、このアドレスバ
    スに送出されたアドレスが大きい場合にこのアドレスを
    上記最大アドレス格納レジスタ(3−3)に更新する態
    様で格納する比較器(3−4)とを備え、 プログラム、データなどをDRAM(1)に書き込んで
    処理を行う際に、上記最大アドレス格納レジスタ(3−
    3)に動的に格納される最大アドレスまで当該DRAM
    (1)をリフレッシュ制御するように構成したことを特
    徴とするDRAMリフレッシュ制御方式。
  2. (2)DRAMをリフレッシュ制御するリフレッシュ制
    御方式において、 DRAM(1)のリフレッシュブロック単位に対応づけ
    たフラグ(6)を設け、 プログラム、データなどをDRAM(1)に書き込んで
    処理を行う際に、DRAM(1)に接続されているアド
    レスバスに送出されたアドレスに該当するフラグ(6)
    をセットし、このセットされたフラグ(6)のリフレッ
    シュブロックのみをリフレッシュ制御するように構成し
    たことを特徴とするDRAMリフレッシュ制御方式。
JP63119710A 1988-05-17 1988-05-17 Dramリフレッシュ制御方式 Pending JPH01290193A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998057332A1 (fr) * 1997-06-12 1998-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit a semiconducteur et procede de commande de ce dernier
JP2012221534A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Renesas Electronics Corp 半導体記憶装置および半導体記憶装置のリフレッシュ方法

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