JPH01287268A - 浸漬ボンディング方法及び装置 - Google Patents
浸漬ボンディング方法及び装置Info
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- JPH01287268A JPH01287268A JP63117495A JP11749588A JPH01287268A JP H01287268 A JPH01287268 A JP H01287268A JP 63117495 A JP63117495 A JP 63117495A JP 11749588 A JP11749588 A JP 11749588A JP H01287268 A JPH01287268 A JP H01287268A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は浸漬ボンディング技術に係り、特に、スパッタ
リング用のターゲットを浸漬ボンディング方式によりバ
ッキングプレート」二に接合する方法及び装置に関する
。
リング用のターゲットを浸漬ボンディング方式によりバ
ッキングプレート」二に接合する方法及び装置に関する
。
近年、スパッタリング法は金属、セラミックス、半導体
などの各種材料からなる薄膜を形成する技術の１つとし
て注目されてきている。
などの各種材料からなる薄膜を形成する技術の１つとし
て注目されてきている。
スパッタリングは、真空槽内において低圧のガス雰囲気
中で陰極と陽極間で放電しガスをイオン化させ、イオン
の衝突により陰極、すなわちターゲットとして用いた材
料の原子を放出させて、これを基板上に付着させるが、
ターゲット材料はスパッタリングの操業並びに基板上に
付着させる膜組成との関連で重要である。
中で陰極と陽極間で放電しガスをイオン化させ、イオン
の衝突により陰極、すなわちターゲットとして用いた材
料の原子を放出させて、これを基板上に付着させるが、
ターゲット材料はスパッタリングの操業並びに基板上に
付着させる膜組成との関連で重要である。
例えば、ＩＴ’Ｏ（インジウム錫酸化物）は透明電導膜
として壁掛はテレビ、デイスプレィ（液晶デイスプレィ
、発光デイスプレィ、プラズマデイスプレィ）などの安
価な材料として知られており、真空蒸着、スパッタリン
グなどの方法で製造されている。
として壁掛はテレビ、デイスプレィ（液晶デイスプレィ
、発光デイスプレィ、プラズマデイスプレィ）などの安
価な材料として知られており、真空蒸着、スパッタリン
グなどの方法で製造されている。
スパッタリングにより工ＴＯ透明電導膜を成膜する場合
のボンディングターゲットは、通常Ｉｎ又はＰｂ−８ｎ
等のろう材を介在させてバッキングプレートに接合する
ことにより作製されている。
のボンディングターゲットは、通常Ｉｎ又はＰｂ−８ｎ
等のろう材を介在させてバッキングプレートに接合する
ことにより作製されている。
しかし、いずれの接合法においても、ボンデインク面に
酸化物や空孔が存在すると、その部分は熱伝導、電気伝
導、接合強度のすにでか悪化する。
酸化物や空孔が存在すると、その部分は熱伝導、電気伝
導、接合強度のすにでか悪化する。
このような酸化物等の欠陥をボンティングにおいて発生
させないためには、ボンディング時の雰囲気、空気巻込
みの防止、ターゲット及びバッキングプレートの平坦性
が重要である。
させないためには、ボンディング時の雰囲気、空気巻込
みの防止、ターゲット及びバッキングプレートの平坦性
が重要である。
しかし、従来の方法ではボンティング面を無欠陥状態に
することは現実的には非常に難しく、新たなボンディン
グ技術の開発が望まれているのが実情である。
することは現実的には非常に難しく、新たなボンディン
グ技術の開発が望まれているのが実情である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって
、ＩＴ○等のスパッタリング用のボンディングターゲッ
トをボンディング面に酸化物等の欠陥がなく、しかも安
価に製造できる新規な方法及び装置を提供することを目
的とするものである。
、ＩＴ○等のスパッタリング用のボンディングターゲッ
トをボンディング面に酸化物等の欠陥がなく、しかも安
価に製造できる新規な方法及び装置を提供することを目
的とするものである。
上記目的を達成するため本発明者は、ＩＴ○等のターゲ
ットでボンディング面に酸化物等の欠陥を発生させない
ための上記各条件（ボンデインク時の雰囲気、空気巻込
み防止、平坦性）を満たしつつ、生産コスト面から、酸
素を遮断するためにＮ２雰囲気や真空にするという高価
な設備を要する手法をとらないことを前提として鋭意研
究を重ねた。
ットでボンディング面に酸化物等の欠陥を発生させない
ための上記各条件（ボンデインク時の雰囲気、空気巻込
み防止、平坦性）を満たしつつ、生産コスト面から、酸
素を遮断するためにＮ２雰囲気や真空にするという高価
な設備を要する手法をとらないことを前提として鋭意研
究を重ねた。
その結果、ターゲットをバッキングプレートともにＩｎ
溶湯中に浸漬してボンデインクする方式、つまりターゲ
ットをＩｎ浴の表層部内に浮べながらそのソルダー面の
酸化物を除去し、該浴中のバッキングプレートにボンデ
ィングする浸漬ボンディング方法を開発した。
溶湯中に浸漬してボンデインクする方式、つまりターゲ
ットをＩｎ浴の表層部内に浮べながらそのソルダー面の
酸化物を除去し、該浴中のバッキングプレートにボンデ
ィングする浸漬ボンディング方法を開発した。
この方法によれば、溶融Ｉｎ中でボンデインク並びに酸
化物除去が行われるため酸化物や空気の巻き込みが全く
なく、またＩｎの融点が１５６°Ｃと低いために加熱装
置も安価でよく、部品材質も特殊でなくて済む等の利点
があり、前記目的達成に適うボンディング方法である。
化物除去が行われるため酸化物や空気の巻き込みが全く
なく、またＩｎの融点が１５６°Ｃと低いために加熱装
置も安価でよく、部品材質も特殊でなくて済む等の利点
があり、前記目的達成に適うボンディング方法である。
すなわち、本発明に係る浸漬ボンディング方法は、
（１） ターゲットをバッキングプレートに接合して
スパッタリング用ターゲットを製造するに際し、溶融Ｉ
ｎ浴中にバッキングプレートを浸漬するとともに、該浴
上にターゲットを浮へ、吹いて該ターゲットを移動させ
つつ前記バッキングプレート上に移動させて、前記ター
ゲットをバッキングプレートに密着させ、しかる後にタ
ーゲットをバッキングプレートともに大気中に引き上げ
て冷却することを特徴とする浸漬ボンデインク方法。
スパッタリング用ターゲットを製造するに際し、溶融Ｉ
ｎ浴中にバッキングプレートを浸漬するとともに、該浴
上にターゲットを浮へ、吹いて該ターゲットを移動させ
つつ前記バッキングプレート上に移動させて、前記ター
ゲットをバッキングプレートに密着させ、しかる後にタ
ーゲットをバッキングプレートともに大気中に引き上げ
て冷却することを特徴とする浸漬ボンデインク方法。
（２）前記バッキングプレート上に移動したターゲット
に適当な荷重を置いて浮上を防止することを特徴とする
前記（１）記載の方法。
に適当な荷重を置いて浮上を防止することを特徴とする
前記（１）記載の方法。
（３） 溶融Ｉｎ浴中にプレソルダーしたバッキング
プレートを浸漬すると共に該浴上にプレソルダーしたタ
ーゲットを浮べることを特徴とする前記（］）又は（２
）記載の方法。
プレートを浸漬すると共に該浴上にプレソルダーしたタ
ーゲットを浮べることを特徴とする前記（］）又は（２
）記載の方法。
（４） スクレーパーによりプレソルダー面の酸化物
を除去した後ターゲットをパッキングプレート上に移動
させることを特徴とする前記（１）乃至（３）記載の方
法。
を除去した後ターゲットをパッキングプレート上に移動
させることを特徴とする前記（１）乃至（３）記載の方
法。
（５） ターゲットをバッキングプレートに接合する
ためのホンディング装置において、溶融Ｉｎ浴を収容す
る容器と、該浴中に浸漬したバッキングプレートを浴中
の所定深さに保持する保持具と、該浴上に浮ばせたター
ゲットを移動させて前記バッキングプレート上に持ち来
たす真空吸着移動装置と、該浴中に設けたスクレーパー
と、バッキングプレート上に移動し接合したターゲノ１
〜とバッキングプレートとを引き上げる昇降装置とを備
えたことを特徴とする浸漬ボンディング装置を提供する
ものである。
ためのホンディング装置において、溶融Ｉｎ浴を収容す
る容器と、該浴中に浸漬したバッキングプレートを浴中
の所定深さに保持する保持具と、該浴上に浮ばせたター
ゲットを移動させて前記バッキングプレート上に持ち来
たす真空吸着移動装置と、該浴中に設けたスクレーパー
と、バッキングプレート上に移動し接合したターゲノ１
〜とバッキングプレートとを引き上げる昇降装置とを備
えたことを特徴とする浸漬ボンディング装置を提供する
ものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
ろう付けにによるポンデインターゲットの製造工程は、
一般に第１図のフローシートに示すように、ターゲット
プレート及びバッキングプレー１〜にそれぞれプレソル
ダー（Ｉｎ）を施した後、これらをボンディングし、超
音波探傷を行って製品とされる。
一般に第１図のフローシートに示すように、ターゲット
プレート及びバッキングプレー１〜にそれぞれプレソル
ダー（Ｉｎ）を施した後、これらをボンディングし、超
音波探傷を行って製品とされる。
これらの工程中、ボンディング工程はスパッター熱の冷
却（熱伝導）と電気伝導を効率的に図る上で重要であり
、第２図に示すように、ターゲットプレー１−１とバッ
キングプレー２間又はろう材３間のボンディング面に酸
化物による欠陥２０や空孔による欠陥２１が存在すると
、これらに起因して均一な熱伝導、電気伝導が悪化する
と共に接合強度も低下する。
却（熱伝導）と電気伝導を効率的に図る上で重要であり
、第２図に示すように、ターゲットプレー１−１とバッ
キングプレー２間又はろう材３間のボンディング面に酸
化物による欠陥２０や空孔による欠陥２１が存在すると
、これらに起因して均一な熱伝導、電気伝導が悪化する
と共に接合強度も低下する。
これらの問題は、本発明による浸漬ボンディング方法に
よって完全に解決できる。
よって完全に解決できる。
第３図は本発明のボンディング方式を説明する図であり
、図中、符号１はターゲットプレート、２はバッキング
プレート、４はＩｎ浴槽、５はパラキンクプレート保持
板、６は昇降装置、７は真空吸着式のターゲット移動装
置（ボンディングパット）、８はスクレーパー、９はパ
ット上に置く荷重である。
、図中、符号１はターゲットプレート、２はバッキング
プレート、４はＩｎ浴槽、５はパラキンクプレート保持
板、６は昇降装置、７は真空吸着式のターゲット移動装
置（ボンディングパット）、８はスクレーパー、９はパ
ット上に置く荷重である。
まず、Ｉｎにより大気中でプレソルダーしたＩＴＯ製タ
ーゲットプレート１及びＣｕ製バツキングプレート２を
それぞれＩｎ浴槽４内の溶融Ｉｎ上に浮上及び浸漬する
。この場合、ターゲットプレート１は密度が約５．０で
あり、Ｉｎの密度が７．２であるので、溶融Ｉｎ上に浮
かへることができる。一方、バッキングプレート２はＣ
ｕの密度が８，２であるので自重で沈み、保持板５上に
保持される。
ーゲットプレート１及びＣｕ製バツキングプレート２を
それぞれＩｎ浴槽４内の溶融Ｉｎ上に浮上及び浸漬する
。この場合、ターゲットプレート１は密度が約５．０で
あり、Ｉｎの密度が７．２であるので、溶融Ｉｎ上に浮
かへることができる。一方、バッキングプレート２はＣ
ｕの密度が８，２であるので自重で沈み、保持板５上に
保持される。
溶融Ｉｎ１Ｏ上に浮べられたターゲットプレート１は、
大気中でプレソルダーされているのでソルダー面にロウ
材の酸化物等が付着した状態にあるが、Ｉｎ浴１０中に
設けられたスクレーパー８上をポンディングパッド７に
より通すことによりプレソルダー面上のロウ材の酸化物
等が除去される。なおこの図で、スクレーパー８が固定
されているが、スクレーパー８をターゲットプレート１
の下面に沿って移動させる構造とすることもできる。こ
の作業はＩｎ浴中で行われるのでスクレーパー後のソル
ダー面は清浄であり、かつ平坦性が維持されている。な
お第４図において、ターゲットプレートの下面のプレソ
ルダー−面がスクレーパーによって除去される様子を示
している。図中１１は酸化物を含有するプレソルダー（
Ｉｎロウ材）を示す。
大気中でプレソルダーされているのでソルダー面にロウ
材の酸化物等が付着した状態にあるが、Ｉｎ浴１０中に
設けられたスクレーパー８上をポンディングパッド７に
より通すことによりプレソルダー面上のロウ材の酸化物
等が除去される。なおこの図で、スクレーパー８が固定
されているが、スクレーパー８をターゲットプレート１
の下面に沿って移動させる構造とすることもできる。こ
の作業はＩｎ浴中で行われるのでスクレーパー後のソル
ダー面は清浄であり、かつ平坦性が維持されている。な
お第４図において、ターゲットプレートの下面のプレソ
ルダー−面がスクレーパーによって除去される様子を示
している。図中１１は酸化物を含有するプレソルダー（
Ｉｎロウ材）を示す。
その後、ターゲットプレート１をバッキングプレート２
上に移動させる。この状態では通常、バッキングプレー
ト２上にターゲットプレート１が浮かんだ状態であるの
で、ボンディングパット７上に適当な荷重９を置くこと
により、ターゲットプレート１とバッキングプレート２
のプレソルダー面（ボンディング面）を密着させること
ができる。このようにして保持板Ｓ上でバッキングプレ
ート２及びターゲットプレート１が重ね合わされるので
、それぞれの平坦性が確保される。
上に移動させる。この状態では通常、バッキングプレー
ト２上にターゲットプレート１が浮かんだ状態であるの
で、ボンディングパット７上に適当な荷重９を置くこと
により、ターゲットプレート１とバッキングプレート２
のプレソルダー面（ボンディング面）を密着させること
ができる。このようにして保持板Ｓ上でバッキングプレ
ート２及びターゲットプレート１が重ね合わされるので
、それぞれの平坦性が確保される。
次いで、これらのターゲットプレート１、バッキングプ
レー）・２並びにポンディングパッド７及び荷重９の全
てを保持板５ともに昇降装置６により大気中に引き上げ
空冷し、大気中でボンディング面を凝固せしめる。この
ように大気中に引き上げる前にＩｎ浴中でターゲットプ
レート１とバッキングプレー１へが密着されているので
、大気中での冷却、凝固によってもボンディング面に酸
化物や空気の巻き込みはまったく生じない。
レー）・２並びにポンディングパッド７及び荷重９の全
てを保持板５ともに昇降装置６により大気中に引き上げ
空冷し、大気中でボンディング面を凝固せしめる。この
ように大気中に引き上げる前にＩｎ浴中でターゲットプ
レート１とバッキングプレー１へが密着されているので
、大気中での冷却、凝固によってもボンディング面に酸
化物や空気の巻き込みはまったく生じない。
なお、ターゲットプレート１のボンディング面以外はカ
プトンテープなどの適宜手段でマスクしておくのが望ま
しい。勿論、ターゲノＩ・プレートは適宜形状のものを
使用できる。
プトンテープなどの適宜手段でマスクしておくのが望ま
しい。勿論、ターゲノＩ・プレートは適宜形状のものを
使用できる。
又、上記説明ではＩＴＯ製ターゲットの場合について記
したが、本発明はＩｎより密度が小さく、１６０℃程度
で工ｎと反応しない金属又は金属酸化物等のターゲット
にも適用出来る。
したが、本発明はＩｎより密度が小さく、１６０℃程度
で工ｎと反応しない金属又は金属酸化物等のターゲット
にも適用出来る。
一方、Ｉｎ浴槽、スゲレーバー、保持板などは、Ｉｎの
融点が１５６°Ｃであるので、この温度に耐える材質の
もので構成すればよく、Ｉｎ浴の加熱保持手段も高価な
加熱手段とする必要がない。
融点が１５６°Ｃであるので、この温度に耐える材質の
もので構成すればよく、Ｉｎ浴の加熱保持手段も高価な
加熱手段とする必要がない。
次に本発明の実施例を用いた実験について具体的に説明
する。
する。
ＩＴ○からなる２００ｎＩＩφＸ７ｍｍ厚サイズのター
ゲットとＣｕ製のバッキングプレートに各ボンディング
面にＩｎのプレソルダーを施した。
ゲットとＣｕ製のバッキングプレートに各ボンディング
面にＩｎのプレソルダーを施した。
これらを第３図に示した浸漬ホンディング装置によりボ
ンディングした。まず、昇降装置６に取り付けた保持板
５の上にバッキングプレート２が保持されるように、バ
ッキングプレーｌ〜２をプレソルダー面が上向になるよ
うにＩｎｎ主１０中沈めた。
ンディングした。まず、昇降装置６に取り付けた保持板
５の上にバッキングプレート２が保持されるように、バ
ッキングプレーｌ〜２をプレソルダー面が上向になるよ
うにＩｎｎ主１０中沈めた。
一方、Ｉｎ浴１０上には、ターゲットプレート１のプレ
ソルダー面以外をマスクし、プレソルダー面が下向にな
るように浮へた。
ソルダー面以外をマスクし、プレソルダー面が下向にな
るように浮へた。
次いで、真空吸着ボンディングパノド７によりターゲッ
トプレー１−１をＩｎ浴１０上で移動させ、スクレーパ
ー８」二を通しプレソルダー面上の酸化物層１１を除去
し、さらにターゲットプレート１を移動させ、バッキン
グプレー１−２上に持ち来たした。この位置でボンデイ
ングパノド７上に荷重９を置き、ターゲットプレート１
を若干沈めて、バッキングプレート２とターゲラ１〜プ
レート１の各プレソルダー面を重ね合せ密着させた。
トプレー１−１をＩｎ浴１０上で移動させ、スクレーパ
ー８」二を通しプレソルダー面上の酸化物層１１を除去
し、さらにターゲットプレート１を移動させ、バッキン
グプレー１−２上に持ち来たした。この位置でボンデイ
ングパノド７上に荷重９を置き、ターゲットプレート１
を若干沈めて、バッキングプレート２とターゲラ１〜プ
レート１の各プレソルダー面を重ね合せ密着させた。
次いで、保持板５上に載置されたバッキングプレート２
、ターゲットプレート１、ボンディング＝１１− パッド７及び荷重９ともども昇降装置６によって上に引
き上げ、Ｉｎ浴槽の上方にて空冷した。
、ターゲットプレート１、ボンディング＝１１− パッド７及び荷重９ともども昇降装置６によって上に引
き上げ、Ｉｎ浴槽の上方にて空冷した。
この実験で得られた工ＴＯターゲットについて、接着率
、接着強度を調へた。
、接着強度を調へた。
接着率検査の結果は、第５図の超音波探傷スキャナー（
日本クラウドクレーマーフェルスター社製ＵＳＬ４８型
による）の測定結果に示すように、接着良好部率がほぼ
１００％であった（第５図ａ）。
日本クラウドクレーマーフェルスター社製ＵＳＬ４８型
による）の測定結果に示すように、接着良好部率がほぼ
１００％であった（第５図ａ）。
一方、大気中でボンディングした比較品の接着良好部率
は空隙や酸化物が存在しており９４％であった。第５図
すの白抜き部分は接着不良部を示している。
は空隙や酸化物が存在しており９４％であった。第５図
すの白抜き部分は接着不良部を示している。
また、本発明によるターゲットの接着強度（抵抗力）は
約Ｉ Ｋ ｇ ｆ ／ｎｎ２であり良好であった。
約Ｉ Ｋ ｇ ｆ ／ｎｎ２であり良好であった。
上記本発明の浸漬ボンディング方法によれば、溶融Ｉｎ
中でターゲットプレートとバッキングプレートのボンデ
ィングを行なうので、ボンディング面の酸化物や空孔を
皆無にすることができ、したがってスパッター熱の放冷
効率や電気伝導率が優れ、かつ接着強度の大きい高品質
のターゲットを作成することが可能である。
中でターゲットプレートとバッキングプレートのボンデ
ィングを行なうので、ボンディング面の酸化物や空孔を
皆無にすることができ、したがってスパッター熱の放冷
効率や電気伝導率が優れ、かつ接着強度の大きい高品質
のターゲットを作成することが可能である。
また、ボンディングに真空、Ｎ、雰囲気を利用する必要
がなく、Ｉｎ浴の加熱保持も低温でよいので、安価な装
置構成にすることができ、ターゲットの製造コストの低
減化が可能である。
がなく、Ｉｎ浴の加熱保持も低温でよいので、安価な装
置構成にすることができ、ターゲットの製造コストの低
減化が可能である。
第１図はボンディングターゲットのボンデインクフロー
シートを示す図、第２図はボンデインクの欠陥を説明す
る断面図、第３図は本発明の浸漬ボンティング方式の説
明図、第４図はスクレーパーによってプレソルダー面を
除去する概略説明図、第５図（ａ）及び（ｂ）は得られ
たターゲットの接着率検査結果を示す超音波探傷スキャ
ン測定結果の図である。 １・・・ ターゲットプレート、 ２・・・バッキングプレー１〜． ３・・・ろう材、 ４・・・ Ｉｎ浴槽、 ５・・・保持板、 ６・・・昇降装置、 ７・・・ポンディングパッド、 ８・・・スクレーパー、 ９・・・荷重、 １ｏ・・・ Ｉｎ浴、 １１・・・プレソルダー面、 ２０・・・酸化物による欠陥、 ２１・・・空孔による欠陥。
シートを示す図、第２図はボンデインクの欠陥を説明す
る断面図、第３図は本発明の浸漬ボンティング方式の説
明図、第４図はスクレーパーによってプレソルダー面を
除去する概略説明図、第５図（ａ）及び（ｂ）は得られ
たターゲットの接着率検査結果を示す超音波探傷スキャ
ン測定結果の図である。 １・・・ ターゲットプレート、 ２・・・バッキングプレー１〜． ３・・・ろう材、 ４・・・ Ｉｎ浴槽、 ５・・・保持板、 ６・・・昇降装置、 ７・・・ポンディングパッド、 ８・・・スクレーパー、 ９・・・荷重、 １ｏ・・・ Ｉｎ浴、 １１・・・プレソルダー面、 ２０・・・酸化物による欠陥、 ２１・・・空孔による欠陥。
Claims (5)
- （１）ターゲットをバッキングプレートに接合してスパ
ッタリング用ターゲットを製造するに際し、溶融Ｉｎ浴
中にバッキングプレートを浸漬するとともに、該浴上に
ターゲットを浮べ、次いで該ターゲットを移動させつつ
前記バッキングプレート上に移動させて、前記ターゲッ
トをバッキングプレートに密着させ、しかる後にターゲ
ットをバッキングプレートともに大気中に引き上げて冷
却することを特徴とする浸漬ボンディング方法。 - （２）前記バッキングプレート上に移動したターゲット
に適当な荷重を置いて浮上を防止することを特徴とする
請求項第１項記載の方法。 - （３）溶融Ｉｎ浴中にプレソルダーしたバッキングプレ
ートを浸漬すると共に該浴上にプレソルダーしたターゲ
ットを浮べることを特徴とする請求項第１項又は第２項
記載の方法。 - （４）スクレーパーによりプレソルダー面の酸化物を除
去した後ターゲットをバッキングプレート上に移動させ
ることを特徴とする請求項第１項乃至第３項記載の方法
。 - （５）ターゲットをバッキングプレートに接合するため
のボンディング装置において、溶融Ｉｎ浴を収容する容
器と、該浴中に浸漬したバッキングプレートを浴中の所
定深さに保持する保持具と、該浴上に浮ばせたターゲッ
トを移動させて前記バッキングプレート上に持ち来たす
真空吸着移動装置と、該浴中に設けたスクレーパと、バ
ッキングプレート上に移動し接合したターゲットーとバ
ッキングプレートとを引き上げる昇降装置とを備えたこ
とを特徴とする浸漬ボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117495A JP2622716B2 (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 浸漬ボンディング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117495A JP2622716B2 (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 浸漬ボンディング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287268A true JPH01287268A (ja) | 1989-11-17 |
| JP2622716B2 JP2622716B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14713147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117495A Expired - Lifetime JP2622716B2 (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 浸漬ボンディング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622716B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110402300A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-01 | 三菱综合材料株式会社 | 圆筒型溅射靶的制造方法及圆筒型溅射靶 |
| CN111485206A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-08-04 | 兰州大学 | 一种真空靶站系统 |
| CN112969811A (zh) * | 2018-12-26 | 2021-06-15 | 三菱综合材料株式会社 | 圆筒型溅射靶的制造方法 |
| CN113351956A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-07 | 浙江凯友照明科技有限公司 | 一种高光效低热阻大功率led室外灯led灯用芯片加工台 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5964154A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-04-12 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | タ−ゲツト材料の固定方法 |
| JPS6018749A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Murata Mfg Co Ltd | 湿度センサ |
| JPS60163599A (ja) * | 1984-02-04 | 1985-08-26 | Hitachi Maxell Ltd | 超音波圧電振動子 |
| JPS6228066A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-14 JP JP63117495A patent/JP2622716B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP3604610A4 (en) * | 2017-03-29 | 2021-01-20 | Mitsubishi Materials Corporation | PRODUCTION PROCESS FOR CYLINDRICAL CATHODIC SPRAY TARGET AND CYLINDRICAL CATHODIC SPRAY TARGET |
| CN112969811A (zh) * | 2018-12-26 | 2021-06-15 | 三菱综合材料株式会社 | 圆筒型溅射靶的制造方法 |
| CN111485206A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-08-04 | 兰州大学 | 一种真空靶站系统 |
| CN111485206B (zh) * | 2020-04-14 | 2021-01-22 | 兰州大学 | 一种真空靶站系统 |
| CN113351956A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-07 | 浙江凯友照明科技有限公司 | 一种高光效低热阻大功率led室外灯led灯用芯片加工台 |
| CN113351956B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-08-16 | 苏州伦可新材料技术有限公司 | 一种高光效低热阻大功率led室外灯led灯用芯片加工台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2622716B2 (ja) | 1997-06-18 |
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