JPH01283517A

JPH01283517A - マトリクス型画像表示装置用半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH01283517A
Application number: JP63113134A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-05-10
Filing date: 1988-05-10
Publication date: 1989-11-15
Anticipated expiration: 2012-10-27
Also published as: JP2668935B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は画像表示装置、とりわけマトリクス型画像表示
装置に関するものである。

従来の技術近年、微細加工技術と液晶材料の進歩により、２〜６イ
ンチと小さな画面ではあるが液晶パネルでテレビ画像が
商用ベースで提供されるようになってきた。

一方のガラス基板−ヒにＲ，Ｇ、Ｂの着色層を形成して
おくことによりカラー化も容易に実現され、また絵素毎
にスイッチング素子を内蔵させたいわゆるアクティブ型
では高いコントラスト比も保証される。

このような液晶パネルは走査線としては１２０〜２４０
本、信号線としては２４０〜７２０本程度が標準的で、
第５図に示すように液晶／＜ネルを構成する一方の基板
１上に形成された走査線の端子群および信号線の端子群
４と、例えばポリイミド樹脂薄膜をベースとし、金メツ
キされた銅箔を多数形成された接続フィルム５とを圧接
して外部信号を画像部に供給する手段（実装）が付与さ
れる。

なお２は透明導電層よりなる共通の対抗電極を有するも
う一方のガラス板で、ガラス板１とガラス板２とは適当
な距離を隔てて形成され、２枚のガラス板の隙間はシー
ル材で閉ざされた閉空間になっており、閉空間には液晶
が充填されている。

ガラス板２の閉空間側に着色層を有するものは一般的に
カラーフィルタと呼ばれる。そして液晶の種類によって
はガラス板２上面とガラス板１下面上に偏光板が貼付さ
れ、液晶パネルとして機能する。

第６図はアクティブ型の液晶パネルの等価回路で、走査
線３と信号線４の交差点毎に例えば絶縁ゲート型トラン
ジスタのスイッチ素子６と、液晶セルフが配置される。

蓄積容量８は必らずしも必須の構成要素とは言えないが
、スイッチ素子６の信号源利用効率の向上や、スイッチ
素子６と液晶セルフのリーク電流に伴なうフリッカの発
生や輝度傾斜の抑圧には極めて効果が高い。９は前述し
た対抗電極であり、１０は蓄積容量８に対する共通線で
ある。

絶縁ゲート型トランジスタ６と蓄積容量８の構成および
製造方法にはかなりの自由度があるが、ここでは本発明
者の設計例を従来例として取り上げてみる。

第７図は単位絵素の平面配置図であり、Ａ−Ａ゛線上工
程途中断面図を第８図に示す。まず第８図（ａ）に示す
ように絶縁性基板１、例えばガラス板上に１００ＯＡ程
度の膜厚のＩＴＯ膜をスパッタ等で被着し、選択的に残
してパターン１０とする。このパターンは先述したよう
に全ての蓄積容量に対する共通線を形成し、その抵抗値
に伴なう画像むらを解消するための対策は特開昭６１−
１７１７９号公報に開示した通りである。つぎに第８図
（ｂ）に示すように全面にＣＶＤ　　ＳｉＯ２膜１２を
例えば４０００Ａの膜厚で被着した後、再びＩＴＯ膜よ
りなる絵素電極１３を選択的に被着形成する。そして第
７図（Ｃ）に示すようにＣＶＤＳｉＯ２膜１４を例えば
１００ＯＡの膜厚で全面に被着した後に、絵素電極１３
上に開口部１５を形成し、絵素電極１３を一部露出する
。なお図示はしないが、この時共通線であるＩＴ○膜１
０にも画面外の適当な場所で開口部が形成される。さら
に第８図（ｄ）に示すように走査線と絶縁ゲート型トラ
ンジスタのゲートを兼ねる導電層１６が、例えば１００
ＯＡのＣｒと５０ＯＡのＭｏＳｉ２との２層によって選
択的に被着形成される。また上述した開口部１５も同時
に導電層１７によってカバーされる。絵素電極１３上に
ＣＶＤ　　ＳｉＯ２が必要な理由は特開昭５９−９９６
２号公報に開示したようにプラズマＣＶＤ堆積時のＳ　
ｉ　０３Ｎ４の透明性を維持するためであり、また開口
部１５を導電層１７でカバーしておく必然性は特開昭５
８−１９９３８３号公報に開示されるように透明導電層
１５のコンタクト性を確保するためであり、導電層１６
．１７が金属とシリサイドの２層で構成される必然性は
特開昭６０−９１６７号公報および特開昭６１−４４４
６８号公報に開示したように走査線の抵抗値が増大する
のを回避し、また導電層表面に不働態を発生させないた
めである。

さて、第８図（ｅ）以降でアクティブ型となるための基
本事項、即ち能動素子が形成される。第８図（ｅ）に示
すように例えば４０００人、５００Ａ。

１０００Ａの膜厚で、シリコン窒化膜１８、不純物をほ
とんど含まない非晶質シリコン膜１９、そして再びシリ
コン窒化膜２０を連続的に被着する。これらの薄膜はい
ずれもＳｉＨ４を主成分とし、３００℃前後の温度でグ
ロー放電を行なうプラズマＣＶＤによってなされる。最
上層の窒化シリコン膜をゲート１６上にのみ選択的に残
して２０゛とした後、ＰＨ３ガスを添加したＳｉＨ４ガ
スのプラズマ放電によって全面に５００Ａの厚みのｎ＋
非晶質シリコン層２１を被着し、第８（Ｊ（ｆ）に示す
ように島状の半導体層を選択的に残してＳｉＮｘ膜１８
を露出させる。引き続き第８図（ｇ）に示すようにシリ
コン窒化膜１８に開口部２３を形成し、導電層１７を露
出する。この時図示はしないが、ゲート１６への接続の
ための開口部の形成と、また共通線１０への接続のため
の開口部の形成と、例えば絵素電極１３と同じ工程で形
成されたＩＴＯよりなる実装電極の露出も同時になされ
る。そして最終工程は第８図（１′０に示すように、例
えば１０００Ａの厚みのＭｏＳｉ２よりなるバリア層２
６と７０００Ａの厚みのＡｅを被着後、信号線２４（ソ
ース）や絵素電極１３とスイッチ素子との配！＄２５（
ドレイン）、およびその他の配線路を、まずＡｅを選択
的に残し、つぎにｌをマスクにして不要なＭｏＳｉ２と
ｎ＋非晶質シリコン層を除去することによって形成し、
マトリクス型画像表示装置用半導体装置が完成する。

チャネルを構成する不純物をほとんど含まない非晶質シ
リコン層１９゛は保護膜である窒化シリコン８２０’に
よって形成直後から外気と遮断されており、外来汚染に
対して強いばかりでなく、その膜厚の制御に関しても製
膜工程外の影響を受けないという特徴を有しく特開昭５
７−９５３４３号公報）、さらに不純物を含む非晶質シ
リコン層２１の介在が絶縁ゲート型トランジスタとソー
ス・ドレイン配線との間の良好なオーミック接触を保証
している。バリア層の導入は特開昭５９−６８９７５号
公報で開示したように絶縁ゲート型トランジスタの熱的
安定性を高めるための対策であり、バリア層としてシリ
サイドも有用であることは特開昭６０−１２７７０号公
報に開示されている。

プラズマＣＶＤによって形成されるＳｉ３Ｎ＋をゲート
絶縁膜とする非晶質シリコンの絶縁ゲート型トランジス
タは最初は非晶質シリコンの太陽電池と同じく新素材で
あったが、本発明者も先述したように多くの改良を重ね
た結果、液晶と組み合わせることによってテレビジョン
画像を実用上支障な（提供しつる技術として世界で初め
て量産化することができた。

発明が解決しようとする課題しかしながら上述した従来例は数多くの製膜工程を必要
とし、必然的にマスク工程も８回と多（、製作工程が長
（なり、コストが高（つ（ことは自明である。特殊ある
いは複雑な工程は一切なく、事実作り易いプロセスでは
あるが、量産化技術が確立した以上、更なる改善と合理
化を積み上げてコストダウンに寄与せんとする必然性は
当然であろう。

課題を解決するための手段本発明の主張する合理化されたデバイスとは、まず蓄積
容量を無（すことによって得られる。つぎに蓄積容量を
有しかつ合理化されたデバイスとは蓄積容量の構成を変
えて蓄積容量を得るための電極と絶縁膜を他の部材を活
用することによって得られる。これらの合理化されたデ
バイスは当然のことながら製作工程の短縮化をもたらし
、生産性と歩留りの向上につながる。

製造工程の合理化はエツチング工程においてドライエッ
チを導入し、多層膜を一気にエツチングすることによっ
て達成される。

以上の合理化されたデバイス、プロセスの実施にあたり
、異種導電材間の電気的接触のオーミック性を保証する
ための材料選定と開口部の形成方法が新たに加わって本
発明の効果が余す所なく発揮される。

作用蓄積容量を従来のように２つの透明導電層と専用の絶縁
層を用いるのではなく、絵素電極とゲート絶縁膜を流用
し、もう一方の電極は信号線の形成と同時に行なう合理
化によって透明電極の被着形成と絶縁層の被着およびそ
れらの工程に付随する洗浄工程が廃止される。エツチン
グ工程においては後述するが不純物を含んだ非晶質シリ
コン層および不純物を含まない非晶質シリコン層と、Ｓ
ｉ３Ｎ４層、更には５ｉＣｈ層までも含んだ多層膜にド
ライエツチングで一気に貫通口を形成することによって
従来の製造工程に比べると、ＳｉＯ２層への開口部形成
と非晶質シリコン層の高化工程の写真食刻および食刻工
程が合理化されて廃止される。

ゲート配線または多層配線路への開口部形成に際しては
、不働態を作る材質は除去されて下地の透明導電層が露
出する。あるいは不働態を作らない材質が用いられるこ
とによって完全なオーミック接触が保証される。

実施例第１図、第３図は本発明の実施例によるマトリクス型画
像表示装置用半導体装置の平面配置図であり、第２図、
第４図は工程途中の断面図である。なお便宜上同じ機能
の部位に対しては同一番号を付与することとする。

まず第１図で示した第１の実施例について説明する。

第１図のＢ−Ｂ’締上の工程途中の断面図が第２図（ａ
）〜第２図（ｅ）に示されている。まず第２図（ａ）に
示したようにガラス基板１上に１．０ＯＯＡの厚みのｒ
ＴＯ膜よりなる絵素電極１３と、接続用導電層２７を選
択的に被着形成する。つぎに第２図（ｂ）に示すように
例えば１０００Ａの厚みのＣｒを前記接続用導電層２７
上と、ゲートおよび走査線として選択的に残して２８．
２９とした後、全面に第１の絶縁層として例えば１００
ＯＡの膜厚のＣＶＤ５ｉＣｈ膜１４を被着する。引き続
き、従来例と同じように例えば４０００Ａ、５００Ａ。

１０００Ａの厚みのＳ　ｉＮｘ、　ａ−８ｉ、　Ｓ　ｉ
Ｎｘの３層を連続的に被着した後、第２図（Ｃ）に示し
たようにゲート２９上にのみＳｉＮｘを残して２０’と
し、不純物をほとんど含まない非晶質シリコン層１９を
露出し、プラズマＣＶＤにより燐を不純物として含む非
晶質シリコン層２１を被着する。

さらに絵素電極１３の一部上と接続用導電層２７上に開
口部２３．３０を形成するため周知の写真食刻技術によ
って得た感光性樹脂パターン３１をマスクとして、不純
物を含む非晶質シリコン層２１、不純物をほとんど含ま
ない非晶質シリコン層１９、ゲート絶縁膜たるＳｉＮｘ
層１８およびＳｉＯ２膜１４の４層をＲＩＥ方式のドラ
イエツチングで一気に除去してしまうと開口部２３では
絵素電極１３が、また開口部３０では接続用導電層２７
上のＣｒ層２８が露出する。そこでクロムエッチ液を用
いてＣｒ層２８を除去して接続用導電層２７を露出して
開口部２３と３０の状況を同一にした後、前記感光性樹
脂パターン３１を除去し、第２図（ｅ）に示したように
、例えばＭｏＳｉ２゜Ａｅをそれぞれ１００ＯＡ、７０
００人（７）厚みで被着してから、まずＡｆ７をエツチ
ングし、つぎにＡｅをマスクとして不要なＭｏＳｉ２層
２６．不純物を含む非晶質シリコン層２１、不純物をほ
とんど含まない非晶質シリコン層１９を除去してソース
・ドレイン配線２４．２５を形成し、本発明によるマト
リクス型画像表示装置用半導体装置が完成する。なお３
２は蓄積容量の一方の電極を構成する。

第１図のｃ−ｃ’線上の第２図ω）、（ｅ）に対応する
断面図が第２図げ）、（ｇ）であり、ソース（信号）線
２４が蓄積容量の一方の電極３３と交差するため接続用
導電層２７とＣｒ層２８によって多層配線化された場合
の一般計例であり、また図示はしないがゲート（走査線
）２９へのＡｅ配線を必要する場所においては前述の多
層配線と同じようにＣｒ層２９の下には接続用導電層た
るｒＴＯが必らず存在し、不働態の影響を避けるため開
口部内のＣｒは除去されているのである。

第１の実施例ではゲート（走査線）にＣｒを用いたため
Ｃｒの不働態を回避する必要があったが、第２の実施例
では従来例と同じ＜ＣｒとＭｏＳｉｘの２層配線を用い
ている。つぎに第３図で示した第２の実施例について説
明する。第３図のＢ−８’線上の工程途中の断面図が第
４図（ａ）〜第４図（ｅ）に示されている。

まず第４図（ａ）に示したようにガラス基板１上にＩＴ
Ｏ膜よりなる絵素電極１３を選択的に被着形成する。つ
ぎに第４図（ｂ）に示したようにゲートおよび接続用配
線層としてＣｒとＭｏＳｉ２の２層よりなるパターン１
６．３２を選択的に被着形成した後、全面にＣＶＤ５ｉ
（ｈ膜１４を被着する。そして再びＳ　１Ｎ）（、ａ−
３ｉ、　Ｓ　ｉＮｘの３層を連続的に被着した後、第４
図（Ｃ）に示すようにゲート１６上にのみＳｉＮｘを残
して２０’とする。その後全面に燐を含む非晶質シリコ
ン層２１を被着した後、絵素電極１３の一部上と接続用
配線層３２上に開口部２３．３０を形成するため、第４
図ω）に示すように不純物を含む非晶質シリコン層２１
、不純物をほとんど含まない非晶質シリコン層１９、ゲ
ート絶縁膜１８を等方性のプラズマエッチでドライエッ
チすると、反応は５ｉ（ｈ膜１４でストップする。そこ
でＳｉＯ２膜１４を弗酸系の溶液で溶解すると、開口部
２３内では絵素電極１３、開口部３０内では接続用配線
層３２が露出するが、配線層３２の表面はＭｏＳｉ２で
あるので感光性樹脂パターン３１の除去方法の如何を問
わず耐性があり、またＭｏ５ｉｚ表面に形成される薄い
ＳｉＯ２膜は希弗酸で除去できるので好都合である。こ
の後は第１の実施例と同じくソース・ドレイン配線２４
．２５の形成と不要なＭｃ）Ｓｉ２層２６、非晶質シリ
コン層２１．１９の除去を経て第２の実施例が完了する
。

第３図のｃ−ｃ’綿線上第４図（ｄ）　、　（ｅ）　！
＝対応する断面図が第４図（ｆ）、（ｄ）であり状況は
第１の実施例と全く同一であり、唯一の違いはＭｏＳｉ
２が存在するためＩＴＯの介在が不要であることである
。

発明の効果以上述べたごとく、蓄積容量をなくすまたは合理化する
ことによって製膜回数が減少し、それに伴なって洗浄工
程、写真食刻工程１食刻工程のいずれも減少し製作工程
が短縮され、生産設備の減少を通してコストダウンに寄
与できたことは言うまでもなく、製作工程が短いことか
ら一般的に言ってダストの付着する機会も減少し、歩留
まりの向上も期待できる。

また本発明においては一番厚い５ｉＮ）（の食刻がドラ
イ化されているため従来のウェット処理に比べてＳｉＮ
ｘの膜厚や膜質の変化に同期して発生する食刻の不安定
さに伴う感光性樹脂の密着性あるいは開口部の拡がりに
起因する諸トラブルが解消されている。第１の実施例で
はＣｒが過食側に対するストッパとして機能し、しかも
不動態を作り易いＣｒは除去されＴＴＯがコンタクト界
面で介在する構成であり、第２の実施例ではＳｉＯ２が
過食側に対するストッパとして機能し、Ｃｒ表面にＭｏ
Ｓｉ２が保存される構成であるため、十分な過食側を行
うことが可能となり、ＳｉＮｘの膜厚や膜質の変化があ
ってもコンタクト不良を起こす恐れは皆無となった。

【図面の簡単な説明】

第１図と第３図は本発明の一実施例のマトリクス型画像
表示装置用半導体装置の要部平面図、第２図および第４
図は同装置の製作工程中の要部断面図、第５図はマトリ
クス型画像表示装置の斜視図、第６図は液晶を表示機能
として利用するアクティブ型のマトリクス型画像表示装
置の等価回路図、第７図は従来例として本発明者の設計
による液晶テレビ用薄膜トランジスタアレイの単位絵素
を示す図、第８図は同装置の製作工程中の要部断面図で
ある。１・・・・・・絶縁性基板、３・・・・・・走査線、４
・・・・・・信号線、６・・・・・・絶縁ゲート型トラ
ンジスタ、７・・・・・・液晶セル、８・・・・・・蓄
積容量、１３・・・・・・絵素電極、１４・・・・・・
絶縁層、１６．１９・・・・・・ゲート、１８・・・・
・・（ゲート）絶縁層、１９・・・・・・不純物を含ま
ない非晶質シリコン層、２０・・・・・・（保護）絶縁
層、２１・・・・・・不純物を含む非晶質シリコン層、
２４・・・・・・ソース（信号４ｍ、）　、　２５・・
・・・・ドレイン、２６・・・・・・バリア層、２７・
・・・・・接続用（透明）導電層、３１・・・・・・感
光性樹脂、３２・・・・・・接続用配線層、３３・・・
・・・蓄積容量の一方の電極。代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第１図第２図（Ｑ）第２図（ｆ）第３図第４図（Ｑ）／第　４　図　　　　　　　　　　　　　　（Ｃ）（Ｊ）３３Ｉ１４図（ｆ）第５図第６図第７図第８図ＣａＪ第８図（Ｃ）第８図＋ｅＪ第８図（ｇ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性基板上に選択的に被着形成された第１の金
属層をゲートとし、第１および第２の絶縁層を介して前
記第１の金属層上に不純物をほとんど含まない第１の非
晶質シリコン層が被着形成され、前記第１の金属層上の
第１の非晶質シリコン層上に第３の絶縁層が選択的に被
着形成され、前記第３の絶縁層の一部を含んで第１の非
晶質シリコン層上に不純物を含む第２の非晶質シリコン
層が被着形成され、バリア層を介して前記第２の非晶質
シリコン層上に選択的に被着形成された第２の金属層を
ソース・ドレインとする絶縁ゲート型トランジスタをス
イッチ素子とし、前記絶縁性基板上に選択的に被着形成
され、前記スイッチ素子とはバリア層を介して第２の金
属層で接続された透明電極を絵素電極とする構成単位が
２次元のマトリクス状に配置された半導体装置において
、前記第１と第２の非晶質シリコン層および第１と第２
の絶縁層に形成された開口部内の第１の金属層が除去し
、第１の金属層下の透明導電層を経由して第１の金属層
への電気的接触が与えられることを特徴とするマトリク
ス型画像表示装置用半導体装置。
（２）絶縁性基板上に絵素電極となる透明導電層と接続
用透明導電層を選択的に被着形成する工程と、走査線も
兼ね、ゲートとなる第１の金属層を前記絶縁性基板上お
よび接続用透明導電層上に選択的に被着形成する工程と
、全面に第１の絶縁層を被着後、第２の絶縁層、不純物
をほとんど含まない第１の非晶質シリコン層および第３
の絶縁層を順次被着する工程と、前記第１の金属層上の
第３の絶縁層を一部選択的に残して前記第１の非晶質シ
リコン層を露出し全面に不純物を含む第２の非晶質シリ
コン層を被着する工程と、前記透明導電層と接続用透明
導電層上の第１と第２の絶縁層および第１と第２の非晶
質シリコン層に選択的に開口部を形成する工程と、前記
開口部内の接続用透明導電層上の第１の金属層を除去す
る工程と、バリア層および第２の金属層を全面に被着後
、前記第３の絶縁層の一部および前記開口部を含んで第
２の金属層を選択的に残してソース・ドレイン配線等と
し、前記ソース・ドレイン配線をマスクとして前記にバ
リア層、第１と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去
して前記第２の絶縁層を露出する工程とからなるマトリ
クス型画像表示装置用半導体装置の製造方法。
（３）絵素電極を一方の端子とし、第２の金属層、バリ
ア層および第１と第２の非晶質シリコン層を他方の端子
とし、第１と第２の絶縁層を誘電体とする蓄積容量を有
し、前記他方の端子と交差する領域の信号線は第１と第
２の非晶質シリコン層および第１と第２の絶縁層に形成
された開口部と前記接続用透明導電層と第１の金属層に
よって多層配線化されていることを特徴とする請求項１
に記載のマトリクス型画像表示装置用半導体装置。
（４）絶縁性基板上に選択的に被着形成された第１の金
属層とシリサイド層よりなる導電層をゲートとし、第１
および第２の絶縁層を介して前記導電層上に不純物をほ
とんど含まない第１の非晶質シリコン層が被着形成され
前記導電層上の第１の非晶質シリコン層上に第３の絶縁
層が選択的に被着形成され、前記第３の絶縁層の一部を
含んで第１の非晶質シリコン層に不純物を含む第２の非
晶質シリコン層が被着形成され、バリア層を介して前記
第２の非晶質シリコン層上に選択的に被着形成された第
２の金属層をソース・ドレインとする絶縁ゲート型トラ
ンジスタをスイッチ素子とし、前記絶縁性基板上に選択
的に被着形成され、前記スイッチ素子とはバリア層を介
して第２の金属層で接続された透明電極を絵素電極とす
る構成単位が２次元のマトリクス状に配置されているこ
とを特徴とするマトリクス型画像表示装置用半導体装置
。
（５）絶縁性基板上に絵素電極となる透明導電層と、走
査線も兼ねゲートとなる第１の金属層とシリサイド層よ
りなる導電層を選択的に被着形成する工程と、全面に第
１の絶縁層を被着する工程と、引き続き第２の絶縁層、
不純物をほとんど含まない第１の非晶質シリコン層およ
び第３の絶縁層を順次被着する工程と、前記第１の金属
層上の第３の絶縁層を一部選択的に残して前記第１の非
晶質シリコン層を露出し全面に不純物を含む第２の非晶
質シリコン層を被着する工程と、前記透明導電層と導電
層上の第１と第２の絶縁層および第１と第２の非晶質シ
リコン層に選択的に開口部を形成する工程と、バリア層
および第２の金属層を全面に被着後、前記第３の絶縁層
の一部および前記開口部を含んで第２の金属層を選択的
に残してソース・ドレイン配線等とし、前記ソース・ド
レイン配線をマスクとして前記バリア層および第１と第
２の非晶質シリコン層を選択的に除去して前記第２の絶
縁層を露出する工程とからなるマトリクス型画像表示装
置用半導体装置の製造方法。
（６）絵素電極を一方の端子とし、第２の金属層、バリ
ア層および第１と第２の非晶質シリコン層を他方の端子
とし、第１と第２の絶縁層を誘電体とする蓄積容量を有
し、前記他方の端子と交差する領域の信号線は第１と第
２の非晶質シリコン層および第１と第２の絶縁層に形成
された開口部と接続用導電層によって多層配線化されて
いることを特徴とする請求項４に記載のマトリクス型画
像表示装置用半導体装置。
（７）第１の絶縁層がスパッタまたはＣＶＤで形成され
たＳｉＯ＿２であり、第２の絶縁層がＳｉ＿３Ｎ＿４で
あるとき、等方性のプラズマガスを用いて第１と第２の
非晶質シリコン層と第２の絶縁層をエッチングし、Ｓｉ
Ｏ＿２は弗酸系の溶液でエッチングすることによって所
定の開口部を形成することを特徴とする請求項５に記載
のマトリクス型画像表示装置用半導体装置の製造方法。