JPH01282912A - 表面波デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 少なくともトランスジューサと反射器を圧電体に形成し
た表面波デバイス、特に高周波デバイスにおける反射器
の構成に関し、 反射器を形成する際の製造歩留まりの改善を目的とし、 該反射器が、複数本の櫛歯部を有する一対の櫛形状の導
体パターンを、該櫛歯部と平行する複数本の接続導体パ
ターンで接続してなり、一対の該接続導体パターンの間
に、少なくとも一方の櫛形状の該導体パターンの櫛歯部
を配設してなることを特徴とし構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、少なくともトランスジューサと反射器を圧電
体に形成した表面波デバイス、特に反射器の構成に関す
る。

圧電体の表面にトランスジューサを形成した表面波デバ
イスは、高度情報処理産業の発達および無線通信等の市
場拡大に伴って、数Ｍ　Ｈｚ〜Ｉ　Ｇ　Ｈｚといった高
周波デバイスとして使用されるようになった。

〔従来の技術〕

第３図は従来の表面波デバイスを示す模式平面図、第４
図は従来の他の表面波デバイスを示す模式平面図である
。

第３図において、表面波デバイス１は圧電体２の表面に
トランスジューサ３と、一対の反射器４を形成してなる
。トランスジューサ３は、一対の櫛歯状電ｉ５の櫛歯部
５ａが互い違いに入り込むように形成し、トランスジュ
ーサ３の左側方および右側方に形成した一対の反射器４
は、複数の短冊形状の導体パターン６を並列に形成して
なる。

各導体パターン６はそれぞれ独立（分離）しており、か
かる構成の反射器４は、一般にオープン型と呼ばれてい
る。

第４図において、表面波デバイス７は圧電体２の表面に
トランスジューサ３と、一対の反射器８を形成してなる
。一対の櫛歯状電極５からなるトランスジューサ３の左
側方および右側方に形成した一対の反射器８は、複数の
短面形状の導体パターン８ａを並列に形成し、各導体パ
ターン８ａの端部を連結導体パターン８ｂおよび８Ｃに
接続した構成であり、かかる構成の反射器８は、一般に
ショート型と呼ばれている。

かかるオープン型反射器４とショート型反射器８とを比
較すると、ショート型反射器８に対しオープン型反射器
４は、表面波の減衰量が大きく温度特性に劣るという問
題点があり、特に高周波帯域で使用するデバイスではシ
ョート型にすることが望ましい。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の表面波デバイス１および７において、反射器４，
８は、ホトリソ技術によって形成されるが、導体パター
ン６および８ａの並列ピッチｐは適用波長λの２であり
、例えば１００ＭＩＩｚの表面波デバイスではピッチｐ
が１８μｍ程度となって、導体パターン６．８ａの間隙
は１０μｍ以下である。

このような微細ピッチで導体パターン８ａが並列するシ
ョート型反射器８は、アルミニウム、アルミニウムー銅
、アルミニウムーシリコン等にてなる導体薄膜の不要部
を溶去するホトリソ技術によって形成するとき、エツチ
ング中に発生するガスの被着によって、各導体パターン
８ａが確実に分離形成されないことがあるという問題点
があった。

本発明の目的は、従来のショート型反射器と同等の特性
の反射器を、オープン型反射器と同等の製造歩留まりで
形成する新規構成を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の実施例を示す第１図によれば、少なくともトラ
ンスジューサ３と反射器工２を圧電体２に形成した表面
波デバイス１１において、反射器１２が、複数本の櫛歯
部１３ａ、１４ａを有する一対の櫛形状の導体パターン
１３．１４を、櫛歯部１３ａ、１４ａと平行する複数本
の接続導体パターン１５で接続してなり、 一対の接続導体パターン１５の間に、少なくとも一方の
櫛形状の導体パターン１３．１４の櫛歯部１３ａ。

１４ａを配設してなることを特徴とする。

〔作用〕

上記手段によれば、反射器が一対の櫛形状の導体パター
ンを複数本の接続導体パターンで接続し、従来のオープ
ン型とショート型とを組み合わせた構成としたことによ
り、エツチングにより反射器を形成するに際しガス離れ
が良くなり、櫛歯部間を埋める従来の問題点が解決し、
従来のショート型と同等の効果を有する反射器を、エッ
チング不良率零で形成可能とする。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明による表面波デバイスを説
明する。

第１図は本発明の一実施例による表面波デバイスの模式
平面図である。

第１図において、表面波デバイス１１は圧電体２の表面
にトランスジューサ３と、一対の反射器１２を形成して
なる。

トランスジューサ３は、一対の櫛歯状電極５の櫛歯部５
ａが、互い違いに入り込むように形成してなる。

トランスジューサ３の左側方および右側方に形成した反
射器１２は、対向する一対の櫛形状の導体パターン１３
．１４を、接続用導体パターン１５により複数個所で接
続してなり、導体パターン１３の各櫛歯部１３ａは、相
手導体パターン１４の櫛歯部１４ａと互い違いに入り込
むように形成し、複数本の接続用導体パターン１５は、
少なくとも櫛歯部１３ａまたは１４ａ（図は１本ずつの
櫛歯部１３ａと１４ａ）を挟むように配設する。

このように構成した反射器１２において、櫛歯部１３ａ
と１４ａの対向長さをａとし、櫛歯部１３ａの先端と導
体パターン１４との間隙および櫛歯部１４ａの先端と導
体パターン１３との間隙をｂとしたとき、導体パターン
１３．１４をエツチングにより形成する際に発生するガ
ス離れを良くするには、ｂ　／　ａを０．１以上とする
ことが望ましい。

第２図は、櫛歯部先端の間隙ｂ／櫛歯部の対向長さａと
、エツチング不良率との関係を示す図である。

ａ＝２００μｍである反射器１２を、エツチングにより
形成した実験結果を示す第２図において、縦軸はエツチ
ングにより反射器１２を形成する際の不良率、横軸はｂ
　／　ａであり、ｂ　／　ａ以上とすることでエツチン
グの不良率は零となる。

なお、第２図においてｂ　／　ａ　＝　Ｑは、ａ＝２０
０μｍとした従来のショート型反射器８を、エツチング
で形成することに相当し、かかる反射器８は殆どが不良
品となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、反射器が一対の櫛
形状の導体パターンを複数本の接続導体パターンで接続
し、従来のオープン型とショート型とを組み合わせた構
成としたことにより、エツチングにより反射器を形成す
るに際しガス離れが良くなり、櫛歯部間を埋める従来の
問題点が解決し、従来のショート型と同等の効果のある
反射器を、エッチング不良率零で形成可能とした効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による表面波デバイスの模式
平面図、 第２図は反射器のｂ　／　ａとエツチング不良率との関
係を示す図、 第３図は従来の表面波デバイスを示す模式平面図・ 第４図は従来の他の表面波デバイスを示す模式図中にお
いて、 ２は圧電体、 ３はトランスジューサ、 １１は表面波デバイス、 １２は反射器、 １３、１４は櫛形状の導体パターン、 １３ａ、１４ａは櫛歯部、 １５は接続導体パターン、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくともトランスジューサ（３）と反射器（１２）を
   圧電体（２）に形成した表面波デバイスにおいて、該反
   射器（１２）が、複数本の櫛歯部（１３ａ，１４ａ）を
   有する一対の櫛形状の導体パターン（１３，１４）を、
   該櫛歯部（１３ａ，１４ａ）と平行する複数本の接続導
   体パターン（１５）で接続してなり、 一対の該接続導体パターン（１５）の間に、少なくとも
   一方の櫛形状の該導体パターン（１３，１４）の櫛歯部
   （１３ａ，１４ａ）を配設してなることを特徴とする表
   面波デバイス。