JPS5887908A - 弾性表面波フイルタの電極構造 - Google Patents
弾性表面波フイルタの電極構造Info
- Publication number
- JPS5887908A JPS5887908A JP18535081A JP18535081A JPS5887908A JP S5887908 A JPS5887908 A JP S5887908A JP 18535081 A JP18535081 A JP 18535081A JP 18535081 A JP18535081 A JP 18535081A JP S5887908 A JPS5887908 A JP S5887908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- reflector
- stripes
- wave filter
- stripe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は尚周波帝弾性表四波フィルタ、特に、共振型構
成における反射器の電極構造に関する。
成における反射器の電極構造に関する。
共振型構成の弾性表向波フィルタは低損失特性を市する
。従来か＼るフィルタの基本的な構成例は第１図に示す
ような交左指トランスデューザ１゜２と尋悴ストライプ
列の反射器３．４かしなる二−ロ共振醤が知られている
。
。従来か＼るフィルタの基本的な構成例は第１図に示す
ような交左指トランスデューザ１゜２と尋悴ストライプ
列の反射器３．４かしなる二−ロ共振醤が知られている
。
フィルタの中心周阪数は圧電基板の音速とトランスデユ
ーサの電極ピッチで定ま９、Ｌｉ’ｌ’ａＱ。
ーサの電極ピッチで定ま９、Ｌｉ’ｌ’ａＱ。
３６６ Ｙ−Ｘ板では中心周波数ＩＧＨ２のとき波長λ
。は約４μｍとなり、電極幅（λｏ／４）は１μｍであ
る。
。は約４μｍとなり、電極幅（λｏ／４）は１μｍであ
る。
一万、電電材料は賞電効果を軽減するため比重の小さい
Ａｔを用いる。＊ａパターンはホトエツチング法で作成
し、第２図のように圧電基板５に魚屑したＡｔ電憾６面
上にホトレジパターン７を形成する。Ａｔのケミカルエ
ツチングにはリン版を主体とするエツチング准を用いる
。リン敗糸工ツチング液は粘性が高く１反射器の１創し
られたスリット７では液の浸透性が悪い。特に、高周波
フィルタ（スリット１−が数μｍ以下）の場合に浸透性
の悪化が顕著になる。このため、反射器のスリット部は
他の部分に比軟してエツチングレートが低下する。また
、１０」じ反射器内でもスリット曲でレートがばらつく
。この結末１反射器のエツチングが終了した時点では、
トランスデユーサ部がオーバエツチングとなる問題が発
生した。
Ａｔを用いる。＊ａパターンはホトエツチング法で作成
し、第２図のように圧電基板５に魚屑したＡｔ電憾６面
上にホトレジパターン７を形成する。Ａｔのケミカルエ
ツチングにはリン版を主体とするエツチング准を用いる
。リン敗糸工ツチング液は粘性が高く１反射器の１創し
られたスリット７では液の浸透性が悪い。特に、高周波
フィルタ（スリット１−が数μｍ以下）の場合に浸透性
の悪化が顕著になる。このため、反射器のスリット部は
他の部分に比軟してエツチングレートが低下する。また
、１０」じ反射器内でもスリット曲でレートがばらつく
。この結末１反射器のエツチングが終了した時点では、
トランスデユーサ部がオーバエツチングとなる問題が発
生した。
本発明は、上記の共振型フィルタの電極作成工程ＶＣお
いて、反射器の構造を改良することにより良好なＡＬ電
極エツチング条件および反射特性を得ることを目的とす
る。
いて、反射器の構造を改良することにより良好なＡＬ電
極エツチング条件および反射特性を得ることを目的とす
る。
本発明においては反射器でエツチングレートが低下する
原因は、両端が閉じたスリットの形状にあることに鑑与
エツチング条件のみについて見れは、トランスデユーサ
と１０」しく一端を開放した交さ指栴盾としたい。しか
し、反射器の本来の慎北である反射特性からは全導体ス
トライプを等電位状態とする心安がある。
原因は、両端が閉じたスリットの形状にあることに鑑与
エツチング条件のみについて見れは、トランスデユーサ
と１０」しく一端を開放した交さ指栴盾としたい。しか
し、反射器の本来の慎北である反射特性からは全導体ス
トライプを等電位状態とする心安がある。
そこで本発明は交さ指形と短絡スリット形の中間的な構
造とし、反射特性とエツチング条件を両立させるごとく
構成した。
造とし、反射特性とエツチング条件を両立させるごとく
構成した。
以下、本発明の実Ｍ例を第３図により説明する。
図の（ａ）〜（ｄ）は本発明による反射器の構造でろシ
、各種の共振型フィルタに適用司能である。
、各種の共振型フィルタに適用司能である。
（ａ）＋ （ｂ）は反射器ｋｍ成する導体ストライプの
一端′！ｉ＝１本おきに開放した場合で、開放端は（ａ
）が同−位置で、（ｂ）が交互になっている。開放端で
は、スリン）１％がλ。／４から３λｏ ／４に拡張さ
れるためにエツチング液の浸透性が向上する。また開放
端の距離ｔは中心周波数に関係なく自由に辿べるために
さらに浸透性が改善できる。このような構造は、例えば
図（Ｃ）のように２本遵絖して開放端を設けるなと任意
に設「Ｆ可能である。また１図（ｄ）のように交互に開
放した得体ストライプの中間部を接続した構造によれば
、開放端の増加に伴う反射特性の低下を防ぐことができ
る。短絡縁＠Ｌ ｓはλＪ４程菱で十分であり開口長ｔ
１に対して数百分の−となるため１反射特性への影響は
無視できる。
一端′！ｉ＝１本おきに開放した場合で、開放端は（ａ
）が同−位置で、（ｂ）が交互になっている。開放端で
は、スリン）１％がλ。／４から３λｏ ／４に拡張さ
れるためにエツチング液の浸透性が向上する。また開放
端の距離ｔは中心周波数に関係なく自由に辿べるために
さらに浸透性が改善できる。このような構造は、例えば
図（Ｃ）のように２本遵絖して開放端を設けるなと任意
に設「Ｆ可能である。また１図（ｄ）のように交互に開
放した得体ストライプの中間部を接続した構造によれば
、開放端の増加に伴う反射特性の低下を防ぐことができ
る。短絡縁＠Ｌ ｓはλＪ４程菱で十分であり開口長ｔ
１に対して数百分の−となるため１反射特性への影響は
無視できる。
ｔｙｃ１人射す／８波が反射器の導体ストライプの中心
に対して対称な（Ｍｌ［分布である場合は、電位分布も
対称となる。したがって、第４図に示すように導体スト
ライプの中心点を開放することにより％性に関係なくエ
ツチング条件を改善できる。
に対して対称な（Ｍｌ［分布である場合は、電位分布も
対称となる。したがって、第４図に示すように導体スト
ライプの中心点を開放することにより％性に関係なくエ
ツチング条件を改善できる。
開放による反射特性の影響は、開放する長さＬ３が開口
長ｔ４に対して十分小さいために無視できる。
長ｔ４に対して十分小さいために無視できる。
以上のごとく本発明によれは、共振型構成の弾性表面波
フィルタの素子化工程における電極エツチング条件が改
善できるので、フィルタ素子のプロセス歩￥ｄり向上が
大巾に期待できる効果金有する。
フィルタの素子化工程における電極エツチング条件が改
善できるので、フィルタ素子のプロセス歩￥ｄり向上が
大巾に期待できる効果金有する。
第１図は従来の二開ロ共懺需の電極徊取図例、第２図は
反射器部のホトエツチングによるパターン形成の概略図
、第３図および第４凶は本発明による反射器の構造の各
実施例を示す。 １・・・入力トランスデユーサ％２・・・田カドランス
デューサ、３．４・・・反射器、５・・・圧電基板、６
・・・ｈｔ蒸＊良、７・・・レジストパターン、８・・
・スリット、９・・・反射器の導体ストライプ構造。 代理人 弁理士 薄田利幸
反射器部のホトエツチングによるパターン形成の概略図
、第３図および第４凶は本発明による反射器の構造の各
実施例を示す。 １・・・入力トランスデユーサ％２・・・田カドランス
デューサ、３．４・・・反射器、５・・・圧電基板、６
・・・ｈｔ蒸＊良、７・・・レジストパターン、８・・
・スリット、９・・・反射器の導体ストライプ構造。 代理人 弁理士 薄田利幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、圧電基板上に設けられた薄膜電極指を交差させたト
ランスデユーサと、ａｍ導体ストライプを周期的に繰り
返し配列して構成され上記トランスデユーサから励振さ
れた表向波を反射する反射器とよυなる谷程の共振型フ
ィルタにおいて、反射器の導体ストライプを全て電気的
に接続し、各導体スト２イブのいずれか一端を少なくと
も１本おきに開放することを特徴とする弾性表面波フィ
ルタの電極構造。 ２、前記の一端翻放の導体ストライプが少なくとも２本
以上連続し、かつ、開放端の位置が交互する構造におい
て隣如合った導体ストライプを中央部で短絡することｔ
％徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表向波フィ
ルタの電極構造。 ３゜前記各導体ストライプの中央部を開放することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性域（３）波フ
ィルタの電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535081A JPS5887908A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 弾性表面波フイルタの電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535081A JPS5887908A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 弾性表面波フイルタの電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887908A true JPS5887908A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16169246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18535081A Pending JPS5887908A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 弾性表面波フイルタの電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887908A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199926U (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-15 | ||
| JPS61199927U (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-15 | ||
| JPH01282912A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | 表面波デバイス |
| JPH0576123U (ja) * | 1991-04-20 | 1993-10-15 | ミツミ電機株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPH07221591A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Nec Corp | 共振器型弾性表面波装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP18535081A patent/JPS5887908A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199926U (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-15 | ||
| JPS61199927U (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-15 | ||
| JPH01282912A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | 表面波デバイス |
| JPH0576123U (ja) * | 1991-04-20 | 1993-10-15 | ミツミ電機株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPH07221591A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Nec Corp | 共振器型弾性表面波装置 |
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